專利名稱：金屬氮化膜的成膜方法和存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及形成TiN膜等的金屬氮化膜的金屬氮化膜的成膜方法和存儲介質(zhì)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體設(shè)備的制造中，作為阻擋膜或電極等的材料例如使用TiN膜，作為其成膜方法，采用即使是微細(xì)的電路圖案也可以得到良好的階梯覆蓋率的CVD (化學(xué)氣相沉積， Chemical Vapor Deposition)，以往，作為成膜氣體使用TiCl4氣體和NH3氣體(例如日本特開平06-188204號公報)。在使用TiCl4氣體和NH3氣體的TiN膜的成膜中，以往，將成膜溫度設(shè)在600°C左右進行，但是，近來，由于各種設(shè)備的進一步的微細(xì)化和不同種類設(shè)備的混合搭載化，傾向于低溫成膜，提出了隔著清掃而交替地重復(fù)TiCl4氣體和NH3氣體，低溫化到450°C左右進行成膜的技術(shù)(例如日本特開2003-077864號公報)，還嘗試著進一步的低溫化。然而，使用TiCl4氣體和NH3氣體在低溫成膜的TiN膜有(1)成膜速度低、(2)膜中的Cl濃度高而膜密度低、C3)難以形成連續(xù)膜、(4)形成絕緣膜時容易被氧化等缺點。特別是(1)的成膜速度低成為生產(chǎn)率低下的大問題。另外，由(2)的膜中的Cl濃度高，電阻率也增大。而且，(3)的難以形成連續(xù)膜與阻擋性的低下相關(guān)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供能夠以更低溫度且以高成膜速度成膜的金屬氮化膜的成膜方法。本發(fā)明的另一個目的在于提供能夠以更低溫度形成電阻率低的金屬氮化膜的成膜方法。本發(fā)明的又一個目的在于提供能夠以更低溫度形成阻擋性高的金屬氮化膜的成膜方法。本發(fā)明的其它目的在于提供存儲用于執(zhí)行這樣的方法的程序的存儲介質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明的第1觀點，提供一種金屬氮化膜的成膜方法，其包括向處理容器內(nèi)搬入被處理基板，將上述處理容器內(nèi)保持于減壓狀態(tài)的工序；將上述處理容器內(nèi)的被處理基板保持于400°C以下的溫度的工序；和向上述處理容器內(nèi)交替地供給金屬氯化物氣體和胼類化合物氣體，在被處理基板上形成金屬氮化膜的工序。根據(jù)本發(fā)明的第2觀點，提供一種金屬氮化膜的成膜方法，其包括向處理容器內(nèi)搬入被處理基板，將上述處理容器內(nèi)保持于減壓狀態(tài)的工序；將上述處理容器內(nèi)的被處理基板在大于330°C、40(TC以下加熱的工序；和向上述處理容器內(nèi)交替地供給TiCl4氣體和單甲基胼氣體，在被處理基板上形成以TiN結(jié)晶為主體的TiN膜的工序。根據(jù)本發(fā)明的第3觀點，提供一種金屬氮化膜的成膜方法，其包括向處理容器內(nèi)搬入被處理基板，將上述處理容器內(nèi)保持于減壓狀態(tài)的工序；將上述處理容器內(nèi)的被處理基板在230°C以上、330°C以下加熱的工序；和向上述處理容器內(nèi)交替地供給TiCl4氣體和
4單甲基胼氣體，在被處理基板上形成以TiN結(jié)晶為主體的TiN膜的工序。根據(jù)本發(fā)明的第4觀點，提供一種金屬氮化膜的成膜方法，其包括向處理容器內(nèi)搬入被處理基板，將上述處理容器內(nèi)保持于減壓狀態(tài)的工序；將上述處理容器內(nèi)的被處理基板加熱至50°C以上、低于230°C的工序；和向上述處理容器內(nèi)交替地供給TiCl4氣體和單甲基胼氣體，在被處理基板上形成以非晶形為主體的TiN膜的工序。根據(jù)本發(fā)明的第5觀點，提供一種金屬氮化膜的成膜方法，其包括使被處理基板的溫度為50°C以上、低于230°C，向被處理基板上交替地供給TiCl4氣體和單甲基胼氣體， 在被處理基板上形成以非晶形為主體的TiN膜的工序；和使被處理基板的溫度為230°C以上、低于330°C，向被處理基板上交替地供給TiCl4氣體和單甲基胼氣體，在被處理基板上在以非晶形為主體的TiN膜上形成以TiN結(jié)晶為主體的TiN膜的工序。根據(jù)本發(fā)明的第6觀點，提供一種存儲介質(zhì)，其存儲在計算機上運行、用于控制成膜裝置的程序，上述程序在執(zhí)行時，在計算機中控制上述成膜裝置，使其執(zhí)行金屬氮化膜的成膜方法，其包括向處理容器內(nèi)搬入被處理基板，將上述處理容器內(nèi)保持于減壓狀態(tài)的工序；將上述處理容器內(nèi)的被處理基板保持于400°C以下的溫度的工序；和向上述處理容器內(nèi)交替地供給金屬氯化物氣體和胼類化合物氣體，在被處理基板上形成金屬氮化膜的工序。


圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式相關(guān)的金屬氮化膜的成膜方法的實施中使用的成膜裝置的一例的概略剖面圖。圖2是表示本發(fā)明的一個實施方式相關(guān)的成膜方法的幾個順序例的時間圖。圖3是表示加熱MMH時的溫度與放熱量的關(guān)系的圖。圖4A是表示使用TiCl4氣體和MMH氣體在接觸孔的底部形成TiN膜時，晶片溫度超過了自我分解結(jié)束溫度的330°C的情況的模型的圖。圖4B是表示使用TiCl4氣體和MMH氣體在接觸孔的底部形成TiN膜時，晶片溫度低于230°C的情況的模型的圖。圖5是表示使用TiCl4氣體和MMH氣體，改變溫度形成TiN膜，研究作為階段覆蓋率(埋入性)的指標(biāo)的內(nèi)面卷入量的溫度依賴性的結(jié)果的圖。圖6是表示作為上部電極應(yīng)用TiN膜的DRAM的結(jié)構(gòu)圖。圖7是表示作為氮化氣體使用MMH氣體時和使用NH3氣體時的成膜時的晶片溫度與膜厚的關(guān)系的圖。圖8是表示作為氮化氣體使用MMH氣體時和使用NH3氣體時的成膜時的晶片溫度與電阻率的關(guān)系的圖。圖9是使用TiCl4氣體和MMH氣體在100°C、200°C、250°C、400°C所形成的TiN膜的表面的SEM照片。圖10是使用TiCl4氣體和NH3氣體在400°C所形成的TiN膜的表面的SEM照片。圖11是本發(fā)明的另一個實施方式相關(guān)的成膜方法的時間圖。
具體實施方式
以下，參照附圖，具體地說明本發(fā)明的實施方式。圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式相關(guān)的金屬氮化膜的成膜方法的實施中使用的成膜裝置的一例的概略剖面圖。這里，以通過熱CVD形成TiN膜的情況為例進行說明。此外，在以下的說明中，氣體的流量單位使用mL/min，但由于氣體隨著溫度和氣壓體積大幅變化，因此在本發(fā)明中使用換算為標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)的值。此外，換算為標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)的流量通常以sccm(標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘，Standard Cubic Centimeter per Minutes)標(biāo)記，因此一并記為seem。這里的標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)為溫度0°C (273. 1 )、氣壓latm(101325Pa)的狀態(tài)。該成膜裝置100具有大致圓筒狀的腔室1。在腔室1的內(nèi)部，用于水平支持作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片W的基座2以被設(shè)置在其中央下部的圓筒狀的支持構(gòu)件3支持的狀態(tài)配置，該基座2由AlN等的陶瓷構(gòu)成。在基座2的外緣部設(shè)置用于引導(dǎo)晶片W的導(dǎo)向環(huán)4。另外，在基座2中埋設(shè)有由鉬等的高熔點金屬構(gòu)成的加熱器5，該加熱器5通過從加熱器電源6供電而將被處理基板的晶片W加熱到規(guī)定的溫度。在腔室1的頂壁Ia設(shè)置噴頭10。該噴頭10包括上段塊體10a、中段塊體10b、下段塊體10c，整體呈大致圓盤狀。上段塊體IOa與中段塊體IOb和下段塊體IOc均具有構(gòu)成噴頭主體部的水平部IOd與該水平部IOd的外周上方連續(xù)的環(huán)狀支持部10e，形成凹狀。并且，通過該環(huán)狀支持部IOe支持噴頭10整體。然后，在下段塊體IOc交替地形成排出氣體的排出孔17和18。在上段塊體IOa的上面，形成第1氣體導(dǎo)入口 11和第2氣體導(dǎo)入口 12。 在上段塊體IOa中，從第1氣體導(dǎo)入口 11分支出大量氣體通路13。在中段塊體IOb形成氣體通路15，上述氣體通路13經(jīng)由水平地延伸的連通通路13a與這些氣體通路15連通。而且該氣體通路15與下段塊體IOc的排出孔17連通。另外，在上段塊體IOa中，從第2氣體導(dǎo)入口 12分支出大量氣體通路14。在中段塊體IOb形成氣體通路16，上述氣體通路14與這些氣體通路16連通。而且該氣體通路16與中段塊體IOb內(nèi)水平地延伸的連通通路16a 連接，該連通通路16a與下段塊體IOc的大量排出孔18連通。并且上述第1和第2氣體導(dǎo)入口 11、12與氣體供給機構(gòu)20的氣體管道連接。氣體供給機構(gòu)20具有供給作為Ti化合物氣體的TiCl4氣體的TiCl4氣體供給源 21、儲存作為第1氮化氣體的單甲基胼(CH3NHNH2,以下記作MMH)的MMH槽25和作為第2氮化氣體的NH3氣體供給源60。在TiCl4氣體供給源21連接有TiCl4氣體供給管道22，該TiCl4氣體供給管道22 與第ι氣體導(dǎo)入口 11連接。另外，在TiCl4氣體供給管道22連接有隊氣供給管道23，在該N2氣體供給管道23中從隊氣體供給源M供給隊氣體作為載體氣體或清掃氣體。另一方面，在MMH槽25中，插入有供給載體氣體的載體氣體供給管道沈。載體氣體供給管道沈的另一端設(shè)置供給作為載體氣體的隊氣體的隊氣體供給源27。另外，在MMH 槽25內(nèi)插入用于供給作為氮化氣體的MMH氣體的MMH氣體供給管道28，該MMH氣體供給管道觀與第2氣體導(dǎo)入口 12連接。另外，在MMH氣體供給管道觀連接有清掃氣體供給管道四，在該清掃氣體供給管道四中從隊氣體供給源30作為清掃氣體供給隊氣體。另外， 在MMH氣體供給管道觀連接有供給作為第2氮化氣體的NH3的NH3氣體供給管道62和供給H2氣體的吐氣體供給管道63，在各個管道的一端連接有NH3氣體供給源60和吐氣體供給源61。另外，氣體供給機構(gòu)20具有供給作為清潔氣體的ClF3氣體的ClF3氣體供給源31，在ClF3氣體供給源31連接有與TiCl4氣體供給管道22連接的ClF3氣體供給管道32a。另外，設(shè)置有從ClF3氣體供給管道3 分支而與MMH氣體供給管道觀連接的ClF3氣體供給管道32b。在TiCl4氣體供給管道22、隊氣體供給管道23、載體氣體供給管道沈、清掃氣體供給管道29、ClF3氣體供給管道32a、NH3氣體供給管道62、H2氣體供給管道63，設(shè)置有質(zhì)量流量控制器33和隔著質(zhì)量流量控制器33的2個閥34。另外，在MMH氣體供給管道觀和 ClF3氣體供給管道32b設(shè)置有閥34。因此，在處理時，來自TiCl4氣體供給源21的TiCl4氣體與來自隊氣體供給源M 的N2氣體一起通過TiCl4氣體供給管道22，從噴頭10的第1氣體導(dǎo)入口 11到達(dá)噴頭10 內(nèi)，經(jīng)由氣體通路13、15，從排出孔17向腔室1內(nèi)排出，另一方面，MMH槽25內(nèi)的MMH載持于來自隊氣體供給源27的載體氣體，通過MMH氣體供給管道觀從噴頭10的第2氣體導(dǎo)入口 12到達(dá)噴頭10，經(jīng)由氣體通路14、16，從排出孔18向腔室1內(nèi)排出。即，噴頭10是TiCl4 氣體和MMH氣體完全獨立向腔室1內(nèi)供給的后混合型，它們排出后混合發(fā)生反應(yīng)。此外，不限于此，也可以是以TiCl4氣體和MMH氣體在噴頭10內(nèi)混合的狀態(tài)而將它們向腔室1內(nèi)供給的前混合型。此外，在MMH槽25和MMH氣體供給管道28設(shè)置有沒有圖示的加熱器，使MMH槽25 內(nèi)的MMH氣化，從而防止MMH氣體供給管道觀內(nèi)的MMH氣體的再液化。此外，在使MMH氣化時，也可以代替圖1所示的利用隊載體氣體鼓泡的方式，不使用載體氣體而僅加熱MMH槽 25，利用由此產(chǎn)生的達(dá)到飽和蒸汽壓的MMH氣體進行成膜。另外，在噴頭10的上端塊體IOa的水平部IOd設(shè)置有用于加熱噴頭10的加熱器 45。在該加熱器45連接有加熱器電源46，通過從加熱器電源46對加熱器45供電，將加熱器10加熱到所需的溫度。在上端塊體IOa的凹部設(shè)置用于提高加熱器45的加熱效率的絕熱部件47。在腔室1的底壁Ib的中央部形成圓形的孔35，在底壁Ib有設(shè)置以覆蓋該孔35而向下方突出的排氣室36。在排氣室36的側(cè)面連接有排氣管37，在該排氣管37連接有排氣裝置38。然后通過運行該排氣裝置38，能夠?qū)⑶皇?內(nèi)減壓至規(guī)定的真空度。在基座2，用于支持晶片W而使其升降的3根(僅圖示了 2根)晶片升降銷39以能夠相對于基座2的表面突沒的方式設(shè)置，這些晶片支持銷39由支持板40所支持。然后， 晶片支持銷39通過氣缸等的驅(qū)動機構(gòu)41經(jīng)由支持板40升降。在腔室1的側(cè)壁，在與腔室1鄰接設(shè)置的沒有圖示的晶片搬運室之間設(shè)置用于進行晶片W的搬入搬出的搬入搬出口 42和開關(guān)該搬入搬出口 42的閘閥43。作為成膜裝置100的構(gòu)成部的加熱器電源6和46、閥34、質(zhì)量流量控制器33、驅(qū)動機構(gòu)41等與連接具備微處理器(計算機)的控制部50而受到其控制。另外，在控制部 50連接有過程控制器51，其包括操作員為了管理成膜裝置100的各構(gòu)成部而進行指令的輸入操作等的鍵盤和使成膜裝置100的各構(gòu)成部的運行狀況可視化顯示的顯示器等。另外， 在控制部50連接有存儲部52，存儲部52存儲有用于根據(jù)控制部50的控制實現(xiàn)在成膜裝置100執(zhí)行的各種處理的程序、用于對應(yīng)處理條件在成膜裝置100的各構(gòu)成部執(zhí)行處理的程序，即處理方案。處理方案存儲于存儲部52中的存儲介質(zhì)5 中。存儲介質(zhì)可以是硬盤等的固定的存儲介質(zhì)，也可以是CDR0M、DVD等的可移動性的存儲介質(zhì)。另外，也可以從其它
7的裝置，例如通過專用線路適當(dāng)傳送處理方案。這樣，根據(jù)需要，通過來自用戶界面51的指示等，從存儲部52讀取任意的處理方案，使其在控制部50執(zhí)行，由此，可以在控制部50的控制下，在成膜裝置100進行所需的處理。接著，說明如上的成膜裝置100中的TiN膜的成膜方法。首先，通過排氣裝置38使腔室1內(nèi)為抽真空狀態(tài)，從隊氣體供給源M和30經(jīng)由噴頭10向腔室1內(nèi)導(dǎo)入隊氣體，同時利用加熱器5將腔室1內(nèi)預(yù)加熱至400°C以下、優(yōu)選 50 400°C，在溫度穩(wěn)定時，交替流通來自TiCl4氣體供給源21的TiCl4氣體和來自N2氣體供給源27的載體氣體的隊氣體，通過噴頭10以規(guī)定流量向腔室1內(nèi)導(dǎo)入TiCl4氣體和 MMH氣體，在腔室1內(nèi)壁、排氣室36內(nèi)壁和噴頭10等的腔室內(nèi)部件表面預(yù)涂布TiN膜。預(yù)涂布處理結(jié)束后，停止MMH氣體和TiCl4氣體的供給，將來自隊氣體供給源M 和30的N2氣體作為清掃氣體向腔室1內(nèi)供給，進行腔室1內(nèi)的清掃，之后，根據(jù)需要，流通 N2氣體和MMH氣體，進行成膜的TiN薄膜的表面的氮化處理。之后，打開閘閥43，通過搬運裝置(均無圖示)從晶片搬運室通過搬入搬出口 42 將晶片W搬入腔室1內(nèi)，載置于基座2，關(guān)閉閘閥43后，然后將腔室1內(nèi)設(shè)為減壓裝置(真空狀態(tài))。以該狀態(tài)通過加熱器5將晶片W加熱至400°C以下、優(yōu)選50 400°C，向腔室1 內(nèi)供給N2氣體，進行晶片W的預(yù)加熱。在晶片的溫度大致穩(wěn)定時，開始TiN膜的成膜。首先本實施方式相關(guān)的TiN膜的成膜方法的第1順序例是使用圖2的隊氣體、 TiCl4氣體、MMH氣體的時間圖的基本順序。即，最開始，將來自TiCl4氣體供給源21的TiCl4 氣體載持于來自隊氣體供給源M的作為載體氣體的隊氣體，向腔室1內(nèi)供給，以0. 1 IOsec進行在晶片W上吸附TiCl4的步驟1。接著，停止TiCl4氣體的供給，從N2氣體供給源 24,30向腔室1內(nèi)作為清掃氣體導(dǎo)入N2氣體，以0. 1 IOsec進行清掃腔室1內(nèi)的步驟2。 之后，停止清掃氣體，與來自N2氣體供給源27的隊氣體一起向腔室1內(nèi)供給MMH氣體，以 0. 1 IOsec進行吸附的TiCl4和MMH熱化學(xué)反應(yīng)而形成TiN膜的步驟3。之后，停止MMH 氣體，從隊氣體供給源對、30向腔室1內(nèi)作為清掃氣體導(dǎo)入N2氣體，以0. 1 IOsec進行清掃腔室1內(nèi)的步驟4。以以上的步驟1 4為一個循環(huán)，重復(fù)多個循環(huán)，例如10 500次左右。此時的氣體切換可以根據(jù)來自控制部50的指令通過切換閥來進行。此外，TiN膜的成膜時的優(yōu)選條件如下。(1)腔室內(nèi)壓力10 IOOOPa(2) TiCl4 氣體流量1 200mL/min (sccm)(3) TiCl4 用載體氣體流量100 1000mL/min(sccm)(4)用于供給MMH氣體的載體氣體流量1 200mL/min (sccm)另外，本實施方式相關(guān)的TiN膜的成膜方法的第2順序例使用圖2的隊氣體、TiCl4 氣體、MMH氣體、選擇I-NH3氣體的時間圖。其中，配合第1順序例中MMH氣體供給時間，同時流通NH3氣體，與MMH氣體的供給時間相同但減少昂貴的MMH的供給量，作為代替使用廉價的NH3來彌補氮化能力。接著，本實施方式相關(guān)的TiN膜的成膜方法的第3順序例使用圖2的隊氣體、TiCl4 氣體、選擇2-MMH氣體、選擇2-NH3氣體的時間圖。其中，將第1順序例中MMH氣體供給期間例如分成2部分，一方(前半部分)流通MMH氣體，另一方(后半部分)流通NH3氣體。其中，MMH氣體供給結(jié)束和NH3氣供給開始之間也可以有停機時間。這樣操作也能夠減少昂貴的MMH的使用量，作為代替使用廉價的NH3來彌補氮化能力。另外，本實施方式相關(guān)的TiN膜的成膜方法的第4順序例是如 圖2的選擇3-H2氣體所示，在根據(jù)上述第1 第3的順序例的TiN膜的成膜中，流通作為還原氣體的吐氣體的成膜方法。通過這樣在TiN膜的成膜期間中流通H2氣體，例如即使在腔室1內(nèi)由微小的縫隙混入氧等時，以H2氣體將其還原，防止在TiN膜中作為雜質(zhì)的氧的混入。進行了這樣的TiN膜的成膜后，清掃腔室1內(nèi)，搬出成膜后的晶片W。然后，對規(guī)定枚數(shù)的晶片W進行了這樣的TiN膜的成膜后，以腔室1內(nèi)沒有搬入晶片的狀態(tài)從ClF3氣體供給源31供給ClF3氣體作為清潔氣體，進行配管、噴頭10、腔室1的清潔。如上所述，在本實施方式中，在TiN膜的成膜中，作為氮化氣體使用MMH氣體，通過交替地供給TiCl4氣體和MMH氣體進行成膜，能夠以400°C以下、優(yōu)選50 400°C這樣的低于作為氮化氣體使用NH3氣體的以往的成膜溫度形成TiN膜。另外，在使用MMH氣體時，以 50 400°C這樣的低的成膜溫度，能夠以高于以往的成膜速度形成TiN膜。以下說明其理由。MMH是具有以下的(1)式所示的結(jié)構(gòu)式、沸點為87. 5°C的常溫中為液體的物質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種金屬氮化膜的成膜方法，其特征在于，包括向處理容器內(nèi)搬入被處理基板，將所述處理容器內(nèi)保持于減壓狀態(tài)的工序； 將所述處理容器內(nèi)的被處理基板保持于400°C以下的溫度的工序；和向所述處理容器內(nèi)交替地供給金屬氯化物氣體和胼類化合物氣體，在被處理基板上形成金屬氮化膜的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的金屬氮化膜的成膜方法，其特征在于所述金屬氯化物為TiCl4，胼類化合物為單甲基胼，金屬氮化膜為TiN膜。
3.如權(quán)利要求2所述的金屬氮化膜的成膜方法，其特征在于 所述得到的TiN膜為以TiN結(jié)晶為主體的膜。
4.如權(quán)利要求2所述的金屬氮化膜的成膜方法，其特征在于 所述得到的TiN膜為以非晶形為主體的膜。
5.如權(quán)利要求1所述的金屬氮化膜的成膜方法，其特征在于向所述處理容器內(nèi)供給金屬氯化物氣體，清掃所述處理容器內(nèi)，向所述處理容器內(nèi)供給胼類化合物氣體，清掃所述處理容器內(nèi)，以此作為1個循環(huán)，進行1個循環(huán)或重復(fù)多個循環(huán)。
6.一種金屬氮化膜的成膜方法，其特征在于，包括向處理容器內(nèi)搬入被處理基板，將所述處理容器內(nèi)保持于減壓狀態(tài)的工序； 將所述處理容器內(nèi)的被處理基板在大于330°C、40(TC以下加熱的工序；和向所述處理容器內(nèi)交替地供給TiCl4氣體和單甲基胼氣體，在被處理基板上形成以TiN 結(jié)晶為主體的TiN膜的工序。
7.如權(quán)利要求6所述的金屬氮化膜的成膜方法，其特征在于向所述處理容器內(nèi)供給TiCl4氣體，清掃所述處理容器內(nèi)，向所述處理容器內(nèi)供給單甲基胼氣體，清掃所述處理容器內(nèi)，以此作為1個循環(huán)，進行1個循環(huán)或重復(fù)多個循環(huán)。
8.一種金屬氮化膜的成膜方法，其特征在于，包括向處理容器內(nèi)搬入被處理基板，將所述處理容器內(nèi)保持于減壓狀態(tài)的工序； 將所述處理容器內(nèi)的被處理基板在230°C以上、330°C以下加熱的工序；和向所述處理容器內(nèi)交替地供給TiCl4氣體和單甲基胼氣體，在被處理基板上形成以TiN 結(jié)晶為主體的TiN膜的工序。
9.如權(quán)利要求8所述的金屬氮化膜的成膜方法，其特征在于向所述處理容器內(nèi)供給TiCl4氣體，清掃所述處理容器內(nèi)，向所述處理容器內(nèi)供給單甲基胼氣體，清掃所述處理容器內(nèi)，以此作為1個循環(huán)，進行1個循環(huán)或重復(fù)多個循環(huán)。
10.一種金屬氮化膜的成膜方法，其特征在于，包括向處理容器內(nèi)搬入被處理基板，將所述處理容器內(nèi)保持于減壓狀態(tài)的工序； 將所述處理容器內(nèi)的被處理基板加熱至50°c以上、低于230°C的溫度的工序；和向所述處理容器內(nèi)交替地供給TiCl4氣體和單甲基胼氣體，在被處理基板上形成以非晶形為主體的TiN膜的工序。
11.如權(quán)利要求10所述的金屬氮化膜的成膜方法，其特征在于向所述處理容器內(nèi)供給TiCl4氣體，清掃所述處理容器內(nèi)，向所述處理容器內(nèi)供給單甲基胼氣體，清掃所述處理容器內(nèi)，以此作為1個循環(huán)，進行1個循環(huán)或重復(fù)多個循環(huán)。
12.—種金屬氮化膜的成膜方法，其特征在于，包括使被處理基板的溫度為50°C以上、低于230°C，向被處理基板上交替地供給TiCl4氣體和單甲基胼氣體，在被處理基板上形成以非晶形為主體的TiN膜的工序；和使被處理基板的溫度為230°C以上、330°C以下，向被處理基板上交替地供給TiCl4氣體和單甲基胼氣體，在以非晶形為主體的TiN膜上形成以TiN結(jié)晶為主體的TiN膜的工序。
13.一種存儲介質(zhì)，存儲在計算機上運行、用于控制成膜裝置的程序，其特征在于 所述程序在執(zhí)行時，在計算機中控制所述成膜裝置，使其執(zhí)行金屬氮化膜的成膜方法，所述金屬氮化膜的成膜方法包括向處理容器內(nèi)搬入被處理基板，將所述處理容器內(nèi)保持于減壓狀態(tài)的工序；將所述處理容器內(nèi)的被處理基板保持于400°C以下的溫度的工序；和向所述處理容器內(nèi)交替地供給金屬氯化物氣體和胼類化合物氣體，在被處理基板上形成金屬氮化膜的工序。
全文摘要
向腔室內(nèi)搬入被處理基板的晶片，將腔室內(nèi)保持于真空狀態(tài)，加熱晶片，同時向腔室內(nèi)交替地供給TiCl4氣體和MMH氣體，在晶片上形成TiN膜。
文檔編號C23C16/455GK102365386SQ201080013870
公開日2012年2月29日 申請日期2010年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月27日
發(fā)明者堀田隼史, 成嶋健索, 柿本明修 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社