專利名稱：偏移量的生成方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種偏移量的生成方法和裝置。
背景技術(shù)：
目前，常用的晶硅太陽能電池制造設(shè)備為PECVD設(shè)備。PECVD設(shè)備多為線型 (In-line)的硬件結(jié)構(gòu)形式，該線型PECVD設(shè)備通過采用在線型鍍膜Qn-Iine PECVD)技術(shù)以達(dá)到高效率、高產(chǎn)量的目的。圖1為一種線型PECVD設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示， 該線型PECVD設(shè)備包括預(yù)熱腔1、工藝腔2、冷卻腔3、裝片臺(tái)7和卸片臺(tái)8和載板傳輸裝置9。其中，各腔室之間通過門閥G1、門閥G2、門閥G3和門閥G4連接。工藝腔2通過閥門 6與連接有真空泵(pump)。線型PECVD設(shè)備的工作流程是將晶片4放置于載板5上；將載板5搬運(yùn)到預(yù)熱腔1中，具體地，可以通過輪子或機(jī)械手等自動(dòng)裝置(圖中未示出)將載板 5搬運(yùn)到預(yù)熱腔1中；預(yù)熱腔1對(duì)載板5進(jìn)行預(yù)熱處理，以加熱載板5和晶片4 ；將載板5搬運(yùn)到工藝腔2中，對(duì)載板5上的晶片4進(jìn)行鍍膜處理。鍍膜處理完成后將載板5搬運(yùn)到冷卻腔3中進(jìn)行冷卻處理，然后將載板5搬運(yùn)到卸片臺(tái)8上，將工藝處理完成的晶片4從載板 5上取走。載板5通過載板傳輸裝置9返回裝片臺(tái)7。在載板5到達(dá)裝片臺(tái)7或者卸片臺(tái) 8上后，會(huì)有自動(dòng)裝卸載裝置對(duì)載板5上的晶片4進(jìn)行裝卸動(dòng)作，將完成鍍膜的晶片4從載板5上卸下，并將未鍍膜的晶片4擺放到載板5上。圖1中的Xl至x9為載板運(yùn)行過程。由于載板傳輸裝置的誤差、載板本身的不一致性以及載板經(jīng)過加熱后可能導(dǎo)致的變形，載板每次到達(dá)裝片臺(tái)或者卸片臺(tái)的位置可能會(huì)有所偏移。載板的偏移量可包括整體偏移量和橫向偏移量，其中整體偏移量包括頂點(diǎn)偏移量和整體旋轉(zhuǎn)角度。頂點(diǎn)偏移量為載板頂點(diǎn)(一般取載板的左上角)的實(shí)際傳輸位置與預(yù)定傳輸位置的偏移量。橫向偏移量是由于載板熱變形導(dǎo)致的同一行相鄰兩個(gè)晶片擺放位置的距離偏移量。獲得載板的偏移量后，可根據(jù)該偏移量得出每一個(gè)晶片的擺放位置。具體地，可通過在載板上設(shè)定的特征點(diǎn)得出載板的偏移量。在裝片臺(tái)的預(yù)定位置或者卸片臺(tái)的預(yù)定位置，預(yù)先設(shè)定特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置。在對(duì)晶片的工藝處理流程中，若載板未發(fā)生偏移，則當(dāng)載板到達(dá)裝片臺(tái)的預(yù)定位置或者卸片臺(tái)的預(yù)定位置時(shí)，特征點(diǎn)的實(shí)際位置和特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置是重合的。但是在對(duì)晶片的工藝處理流程中，由于載板傳輸裝置的誤差、載板本身的不一致性和載板經(jīng)過加熱后導(dǎo)致的變形，使載板會(huì)發(fā)生偏移。圖2為一種載板上設(shè)定特征點(diǎn)的示意圖，如圖2所示，在載板 5的特定位置設(shè)定第一特征點(diǎn)和第二特征點(diǎn)，第一特征點(diǎn)和第二特征點(diǎn)為平行的特征點(diǎn)，其中第一特征點(diǎn)與晶片擺放位置A的相對(duì)位置固定，第二特征點(diǎn)與晶片擺放位置B的相對(duì)位置固定。當(dāng)載板5到達(dá)裝片位置或者卸片位置后，通過攝像頭獲取載板5的第一特征點(diǎn)的實(shí)際位置和第二特征點(diǎn)的實(shí)際位置，根據(jù)第一特征點(diǎn)的實(shí)際位置、第二特征點(diǎn)的實(shí)際位置、 第一特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置和第二特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置，得出載板的偏移量。根據(jù)偏移量得出每一個(gè)晶片的擺放位置。上述方法能夠得到的偏移量包括頂點(diǎn)偏移量、整體旋轉(zhuǎn)角度和行距離偏移量。上述方法可通過頂點(diǎn)偏移量和整體旋轉(zhuǎn)角度得出載板位置的整體偏移情況，并通過行距離偏移量得出載板由于熱變形導(dǎo)致的橫向偏移情況。載板熱變形不僅會(huì)導(dǎo)致晶片的擺放位置產(chǎn)生橫向偏移，而且也會(huì)導(dǎo)致晶片的擺放位置產(chǎn)生縱向偏移量，該縱向偏移量為相鄰兩行晶片的擺放位置的距離偏移量。載板上相鄰兩行晶片的擺放位置間的距離是固定不變的，隨著載板上擺放晶片行數(shù)的增加，縱向偏移量的累加會(huì)導(dǎo)致晶片在載板上實(shí)際擺放位置與預(yù)定擺放位置偏移過大。但是，由于背景技術(shù)中的方法無法得出縱向偏移量，因此在載板上擺放晶片時(shí)僅能根據(jù)頂點(diǎn)偏移量、整體旋轉(zhuǎn)角度和行距離偏移量在載板上擺放晶片，沒有考慮到縱向偏移量對(duì)晶片擺放位置的影響，這會(huì)導(dǎo)致晶片在載板上實(shí)際擺放位置與預(yù)定擺放位置偏移過大，從而導(dǎo)致晶片在載板上的實(shí)際擺放位置不正確。當(dāng)裝載有晶片的載板進(jìn)入工藝腔并由工藝腔對(duì)晶片進(jìn)行鍍膜處理時(shí)，由于晶片在載板上的實(shí)際擺放位置不正確，而工藝腔是按照晶片的標(biāo)準(zhǔn)擺放位置對(duì)晶片進(jìn)行鍍膜的，這會(huì)導(dǎo)致晶片的鍍膜效果降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種偏移量的生成方法和裝置，用以使晶片在載板上實(shí)際擺放位置與預(yù)定擺放位置的偏移減小，從而提高晶片的鍍膜效果。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種偏移量的生成方法，包括根據(jù)第一實(shí)際位置和第一標(biāo)準(zhǔn)位置，生成頂點(diǎn)偏移量，所述第一實(shí)際位置為第一特征點(diǎn)的實(shí)際位置，所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置為第一特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置；根據(jù)所述第一實(shí)際位置、第二實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第二標(biāo)準(zhǔn)位置，生成整體偏轉(zhuǎn)角度，所述第二實(shí)際位置為第二特征點(diǎn)的實(shí)際位置，所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置為第二特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置；根據(jù)擺放列數(shù)、所述第一實(shí)際位置、所述第二實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置，生成橫向偏移量；根據(jù)擺放行數(shù)、所述第一實(shí)際位置、第三實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第三標(biāo)準(zhǔn)位置，生成縱向偏移量，所述第三實(shí)際位置為第三特征點(diǎn)的實(shí)際位置，所述第三標(biāo)準(zhǔn)位置為第三特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置。進(jìn)一步地，所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置包括第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值， 所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置包括第二標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值為0，所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值為0，所述第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值為0。進(jìn)一步地，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值， 所述頂點(diǎn)偏移量包括頂點(diǎn)橫向偏移量和頂點(diǎn)縱向偏移量；所述根據(jù)第一實(shí)際位置和第一標(biāo)準(zhǔn)位置，生成頂點(diǎn)偏移量包括將所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值相減，生成所述頂點(diǎn)橫向偏移量；將所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值和所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值相減，生成所述頂點(diǎn)縱向
偏移量。進(jìn)一步地，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值， 所述第二實(shí)際位置包括第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值；所述根據(jù)所述第一實(shí)際位置、第二實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第二標(biāo)準(zhǔn)位置，生成整體偏轉(zhuǎn)角度包括將所述第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值相減，生成橫向坐標(biāo)差值；將所述第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值和所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值相減，生成縱向坐標(biāo)差值；根據(jù)所述橫向坐標(biāo)差值和所述縱向坐標(biāo)差值，生成所述整體偏轉(zhuǎn)角度。進(jìn)一步地，所述擺放列數(shù)大于或者等于2，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值，所述第二實(shí)際位置包括第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值；所述根據(jù)擺放列數(shù)、所述第一實(shí)際位置、所述第二實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置，生成橫向偏移量包括根據(jù)所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值、所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值、所述第二標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和所述第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，生成第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度，所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度為第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第二標(biāo)準(zhǔn)位置間連線的長(zhǎng)度；根據(jù)所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值、所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值、所述第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值，生成第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度，所述第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度為第一實(shí)際位置和第二實(shí)際位置間連線的長(zhǎng)度；將所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度和所述第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度相減，生成橫向長(zhǎng)度
差值；將所述橫向長(zhǎng)度差值與所述擺放列數(shù)和1的差值相除，生成所述橫向偏移量。進(jìn)一步地，所述第三標(biāo)準(zhǔn)位置包括第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第三標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值， 所述第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值為0。進(jìn)一步地，所述擺放行數(shù)大于或者等于2，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值，所述第三實(shí)際位置包括第三實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第三實(shí)際縱向坐標(biāo)值；根據(jù)擺放行數(shù)、所述第一實(shí)際位置、第三實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第三標(biāo)準(zhǔn)位置，生成縱向偏移量包括根據(jù)所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值、所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值、所述第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和所述第三標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，生成第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度，所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度為第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第三標(biāo)準(zhǔn)位置間連線的長(zhǎng)度；根據(jù)所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值、所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值、所述第三實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第三實(shí)際縱向坐標(biāo)值，生成第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度，所述第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度為第一實(shí)際位置和第三實(shí)際位置間連線的長(zhǎng)度；將所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度和所述第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度相減，生成縱向長(zhǎng)度
差值；將所述縱向長(zhǎng)度差值與所述擺放行數(shù)和1的差值相除，生成所述縱向偏移量。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種偏移量的生成裝置，包括第一生成模塊，用于根據(jù)第一實(shí)際位置和第一標(biāo)準(zhǔn)位置，生成頂點(diǎn)偏移量，所述第一實(shí)際位置為第一特征點(diǎn)的實(shí)際位置，所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置為第一特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置；
第二生成模塊，用于根據(jù)所述第一實(shí)際位置、第二實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第二標(biāo)準(zhǔn)位置，生成整體偏轉(zhuǎn)角度，所述第二實(shí)際位置為第二特征點(diǎn)的實(shí)際位置，所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置為第二特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置；第二生成模塊，用于根據(jù)擺放列數(shù)、所述第一實(shí)際位置、所述第二實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置，生成橫向偏移量；第四生成模塊，用于根據(jù)擺放行數(shù)、所述第一實(shí)際位置、第三實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第三標(biāo)準(zhǔn)位置，生成縱向偏移量，所述第三實(shí)際位置為第三特征點(diǎn)的實(shí)際位置， 所述第三標(biāo)準(zhǔn)位置為第三特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置。進(jìn)一步地，所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置包括第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值， 所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置包括第二標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值為0，所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值為0，所述第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值為0。進(jìn)一步地，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值， 所述頂點(diǎn)偏移量包括頂點(diǎn)橫向偏移量和頂點(diǎn)縱向偏移量；所述第一生成模塊包括頂點(diǎn)橫向偏移量生成模塊，用于將所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值相減，生成所述頂點(diǎn)橫向偏移量；頂點(diǎn)縱向偏移量生成模塊，用于將所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值和所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值相減，生成所述頂點(diǎn)縱向偏移量。進(jìn)一步地，所述第三標(biāo)準(zhǔn)位置包括第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第三標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值， 所述第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值為0。進(jìn)一步地，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值， 所述第二實(shí)際位置包括第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值；所述第二生成模塊包括橫向坐標(biāo)差值生成模塊，用于將所述第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值相減，生成橫向坐標(biāo)差值；縱向坐標(biāo)差值生成模塊，用于將所述第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值和所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值相減，生成縱向坐標(biāo)差值；整體偏轉(zhuǎn)角度生成模塊，用于根據(jù)所述橫向坐標(biāo)差值和所述縱向坐標(biāo)差值，生成所述整體偏轉(zhuǎn)角度。進(jìn)一步地，所述擺放列數(shù)大于或者等于2，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值，所述第二實(shí)際位置包括第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值； 所述第三生成模塊包括第一連線長(zhǎng)度生成模塊，用于根據(jù)所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值、所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值、所述第二標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和所述第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，生成第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度，所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度為第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第二標(biāo)準(zhǔn)位置間連線的長(zhǎng)度；第二連線長(zhǎng)度生成模塊，用于根據(jù)所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值、所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值、所述第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值，生成第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度，所述第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度為第一實(shí)際位置和第二實(shí)際位置間連線的長(zhǎng)度；
橫向長(zhǎng)度差值生成模塊，用于將所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度和所述第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度相減，生成橫向長(zhǎng)度差值；橫向偏移量生成模塊，用于將所述橫向長(zhǎng)度差值與所述擺放列數(shù)和1的差值相除，生成所述橫向偏移量。進(jìn)一步地，所述第三標(biāo)準(zhǔn)位置包括第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第三標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值， 所述第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值為0。進(jìn)一步地，所述擺放行數(shù)大于或者等于2，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值，所述第三實(shí)際位置包括第三實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第三實(shí)際縱向坐標(biāo)值；所述第四生成模塊包括第三連線長(zhǎng)度生成模塊，用于根據(jù)所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值、所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值、所述第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和所述第三標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，生成第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度，所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度為第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第三標(biāo)準(zhǔn)位置間連線的長(zhǎng)度；第四連線長(zhǎng)度生成模塊，用于根據(jù)所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值、所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值、所述第三實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第三實(shí)際縱向坐標(biāo)值，生成第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度，所述第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度為第一實(shí)際位置和第三實(shí)際位置間連線的長(zhǎng)度；縱向長(zhǎng)度差值生成模塊，用于將所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度和所述第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度相減，生成縱向長(zhǎng)度差值；縱向偏移量生成模塊，用于將所述縱向長(zhǎng)度差值與所述擺放行數(shù)和1的差值相除，生成所述縱向偏移量。本發(fā)明具有以下有益效果本發(fā)明提供的一種偏移量的生成方法和裝置，可生成頂點(diǎn)偏移量、整體偏轉(zhuǎn)角度和橫向偏移量，并根據(jù)擺放行數(shù)、第一實(shí)際位置、第三實(shí)際位置、第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第三標(biāo)準(zhǔn)位置，生成縱向偏移量，其中第三實(shí)際位置為第三特征點(diǎn)的實(shí)際位置，第三標(biāo)準(zhǔn)位置為第三特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置。在載板上擺放晶片時(shí)可根據(jù)本實(shí)施例生成的頂點(diǎn)偏移量、整體偏轉(zhuǎn)角度、橫向偏移量和縱向偏移量擺放晶片，本發(fā)明中生成的縱向偏移量使晶片在載板上實(shí)際擺放位置與預(yù)定擺放位置的偏移減小，從而提高了晶片的鍍膜效果。


圖1為一種線型PECVD設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為一種載板上設(shè)定特征點(diǎn)的示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種偏移量的生成方法的流程圖；圖4為本發(fā)明中載板上設(shè)定特征點(diǎn)的示意圖；圖5為本發(fā)明中偏移量的生成方法的示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種偏移量的生成裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的偏移量的生成方法和裝置進(jìn)行詳細(xì)描述。
圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種偏移量的生成方法的流程圖，如圖3所示，該方法包括步驟101、根據(jù)第一實(shí)際位置和第一標(biāo)準(zhǔn)位置，生成頂點(diǎn)偏移量，所述第一實(shí)際位置為第一特征點(diǎn)的實(shí)際位置，所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置為第一特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置。本實(shí)施例中，在載板上設(shè)定第一特征點(diǎn)、第二特征點(diǎn)和第三特征點(diǎn)。圖4為本發(fā)明中載板上設(shè)定特征點(diǎn)的示意圖，如圖4所示，載板5上晶片的擺放位置的數(shù)量為m行*n列個(gè)，m大于或等于2，η大于或等于2。換言之，擺放行數(shù)為m，擺放列數(shù)為η。圖4中所示的擺放位置的數(shù)量?jī)H為一種示例。本實(shí)施例中，需要在載板5上標(biāo)注中第一特征點(diǎn)、第二特征點(diǎn)和第三特征點(diǎn)，具體地在實(shí)際操作中可以在載板5上第一特征點(diǎn)的位置、第二特征點(diǎn)的位置和第三特征點(diǎn)的位置分別標(biāo)注三個(gè)圓點(diǎn)，以表示第一特征點(diǎn)、第二特征點(diǎn)和第三特征點(diǎn)ο在裝片臺(tái)的預(yù)定位置或者卸片臺(tái)的預(yù)定位置，預(yù)先設(shè)定第一特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置、 第二特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置和第三特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置。在對(duì)晶片的工藝處理流程中，若載板未發(fā)生偏移，則當(dāng)載板到達(dá)裝片臺(tái)的預(yù)定位置或者卸片臺(tái)的預(yù)定位置時(shí)，第一特征點(diǎn)的實(shí)際位置(即第一實(shí)際位置)和第一特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置是重合的，第二特征點(diǎn)的實(shí)際位置(即第二實(shí)際位置)和第二特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置是重合的，以及第三特征點(diǎn)的實(shí)際位置(即第三實(shí)際位置)和第三特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置是重合的。但是在對(duì)晶片的工藝處理流程中，由于載板傳輸裝置的誤差、載板本身的不一致性和載板經(jīng)過加熱后導(dǎo)致的變形，使載板會(huì)發(fā)生偏移，因此可通過載板位置獲取裝置獲取載板的第一實(shí)際位置、第二實(shí)際位置和第三實(shí)際位置，例如該載板位置獲取裝置可以采用攝像頭、傳感器或者其它能夠獲取到載板上特征點(diǎn)位置的裝置，優(yōu)選地該載板位置獲取裝置采用攝像頭。圖5為本發(fā)明中偏移量的生成方法的示意圖，如圖5所示，第一標(biāo)準(zhǔn)位置Pl為第一特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置，第一標(biāo)準(zhǔn)位置可包括第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值)(Ρ1和第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值、，換言之圖5中Pl的坐標(biāo)值為0(Ρ1，ΥΡ1)；第二標(biāo)準(zhǔn)位置Ρ2為第二特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置， 第二標(biāo)準(zhǔn)位置可包括第二標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值Xp2和第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值ΥΡ2，換言之圖5中Ρ2 的坐標(biāo)值為(ΧΡ2，ΥΡ2)；第三標(biāo)準(zhǔn)位置Ρ3為第三特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置，第三標(biāo)準(zhǔn)位置可包括第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值Xp3和第三標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值I，換言之圖5中Ρ3的坐標(biāo)值為(ΧΡ3，ΥΡ3)； 第一實(shí)際位置ΡΓ為第一特征點(diǎn)的實(shí)際位置，第一實(shí)際位置可包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值)(Ρ1， 和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值ΥΡ1,，換言之圖5中ΡΓ的坐標(biāo)值為(ΧΡ1,，Ypi,)；第二實(shí)際位置Ρ2， 為第二特征點(diǎn)的實(shí)際位置，第二實(shí)際位置可包括第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值Xp2，和第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值h,，換言之圖5中P2’的坐標(biāo)值為0(P2,，Yp2O ；第三實(shí)際位置P3’為第三特征點(diǎn)的實(shí)際位置，第三實(shí)際位置可包括第三實(shí)際橫向坐標(biāo)值XP3,和第三實(shí)際縱向坐標(biāo)值YP3,，換言之圖5中P3’的坐標(biāo)值為0(P3,，Yp3,)。優(yōu)選地，將Pl設(shè)定為原點(diǎn)，P2位于X軸上，P3位于Y軸上。則第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值&為0，第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值t為0，第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值I為0，第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值Xp3為0。如圖4所示，也就是說，本實(shí)施例中，若載板5上晶片的擺放位置中行與X軸平行，列與Y軸平行，則第一特征點(diǎn)和第二特征點(diǎn)的連線與晶片擺放位置中的行平行，第一特征點(diǎn)和第三特征點(diǎn)的連線與晶片擺放位置中的列平行。第一特征點(diǎn)和第三特征點(diǎn)的連線垂直于第一特征點(diǎn)和第二特征點(diǎn)的連線。且優(yōu)選地，第一特征點(diǎn)和第二特征點(diǎn)位于擺放位置
11中的第一行所在的位置，且第一特征點(diǎn)和第一行第一列個(gè)晶片擺放位置的相對(duì)位置固定， 第二特征點(diǎn)和第一行第η列個(gè)晶片擺放位置的相對(duì)位置固定。第三特征點(diǎn)可以和第一列第 m行個(gè)晶片擺放位置的相對(duì)位置固定。本實(shí)施例中，頂點(diǎn)偏移量包括頂點(diǎn)橫向偏移量和頂點(diǎn)縱向偏移量，則本步驟具體包括步驟1011、將第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值相減，生成頂點(diǎn)橫向偏移量。如圖5所示，頂點(diǎn)橫向偏移量dx = Xpr -Xpi,由于)(P1為0，因此頂點(diǎn)橫向偏移量dx
-Xpi，O步驟1012、將第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值和第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值相減，生成頂點(diǎn)縱向偏移量。如圖5所示，頂點(diǎn)縱向偏移量dy = Ypr -Ypi,由于Ypi為0，因此頂點(diǎn)縱向偏移量dy —Ypi，。步驟102、根據(jù)第一實(shí)際位置、第二實(shí)際位置、第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第二標(biāo)準(zhǔn)位置，生成整體偏轉(zhuǎn)角度，第二實(shí)際位置為第二特征點(diǎn)的實(shí)際位置，第二標(biāo)準(zhǔn)位置為第二特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置。本步驟具體包括步驟1021、將第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值相減，生成橫向坐標(biāo)差值。橫向坐標(biāo)差值dl = XP2’ -Xpro步驟1022、將第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值相減，生成縱向坐標(biāo)差值?？v向坐標(biāo)差值d2 = YP2, -Ypro步驟1023、根據(jù)橫向坐標(biāo)差值和縱向坐標(biāo)差值，生成整體偏轉(zhuǎn)角度。如圖5所示，為得出整體偏轉(zhuǎn)角度，構(gòu)建以P1，和P2，連線PI，P2，為斜邊的直角三角形，則該直角三角形的兩個(gè)直角邊分別為上述dl和d2。例如本步驟中可通過tan β = d2/dl得出整體偏轉(zhuǎn)角度β。貝Ij β = arctan d2/dl。步驟103、根據(jù)擺放列數(shù)、第一實(shí)際位置、第二實(shí)際位置、第一標(biāo)準(zhǔn)位置和所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置，生成橫向偏移量；本步驟具體包括步驟1031、根據(jù)第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值、第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值、第二標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，生成第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度，第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度為第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第二標(biāo)準(zhǔn)位置間連線的長(zhǎng)度。如圖5所示，本實(shí)施例中，第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度P1P2為第一標(biāo)準(zhǔn)位置Pl和第二標(biāo)準(zhǔn)位置P2間連線的長(zhǎng)度。由于第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值)(P1為0，第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值h為 0，第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值I為0，因此P1P2 = )(P2。步驟1032、根據(jù)第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值、第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值、第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值，生成第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度，第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度為第一實(shí)際位置和第二實(shí)際位置間連線的長(zhǎng)度。如圖5所示，本實(shí)施例中，第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度ΡΓ P2，為第一實(shí)際位置P1，和第二實(shí)際位置P2’間連線的長(zhǎng)度。具體地，dl= XP2, -Xpr，d2 = ΥΡ2, -Ypr，貝丨JjPI' P2' = ^d\2+d22。步驟1033、將第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度和第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度相減，生成橫向長(zhǎng)
度差值。具體地，橫向長(zhǎng)度差值Δχ = Ρ1Ρ2-ΡΓ P2，。步驟1034、將橫向長(zhǎng)度差值與擺放列數(shù)和1的差值相除，生成橫向偏移量。具體地，Dx = Δχ/(η-1)。其中，η為第一特征點(diǎn)和第二特征點(diǎn)之間的擺放列數(shù)。步驟104、根據(jù)擺放行數(shù)、第一實(shí)際位置、第三實(shí)際位置、第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第三標(biāo)準(zhǔn)位置，生成縱向偏移量，第三實(shí)際位置為第三特征點(diǎn)的實(shí)際位置，第三標(biāo)準(zhǔn)位置為第三特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置。本步驟具體包括步驟1041、根據(jù)第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值、第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值、第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第三標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，生成第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度，第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度為第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第三標(biāo)準(zhǔn)位置間連線的長(zhǎng)度。如圖5所示，本實(shí)施例中，第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度Ρ1Ρ3為第一標(biāo)準(zhǔn)位置Pl和第三標(biāo)準(zhǔn)位置Ρ3間連線的長(zhǎng)度。由于第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值)(Ρ1為0，第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值h為 0，第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值、3為0，因此P1P3 = Yp3O步驟1042、根據(jù)第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值、第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值、第三實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第三實(shí)際縱向坐標(biāo)值，生成第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度，第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度為第一實(shí)際位置和第三實(shí)際位置間連線的長(zhǎng)度。如圖5所示，構(gòu)建以P1，和P3，連線PI，P3，為斜邊的直角三角形，則該直角三角形的兩個(gè)直角邊分別為d3和d4。本實(shí)施例中，第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度ΡΓ P3’為第一實(shí)際位置ΡΓ和第三實(shí)際位置 P3’間連線的長(zhǎng)度。具體地，d3= Xp3. -Xpr，d4 = Yp3. -Ypr，則尸1’ P3' = Jd32+d42。步驟1043、將第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度和第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度相減，生成縱向長(zhǎng)
度差值。具體地，縱向長(zhǎng)度差值A(chǔ)y = P1P3-P1' P3，。步驟1044、將縱向長(zhǎng)度差值與擺放行數(shù)和1的差值相除，生成所述縱向偏移量。具體地，Dy = Ay/(m-l)。其中，m為第一特征點(diǎn)和第三特征點(diǎn)之間的擺放行數(shù)。本實(shí)施例提供的方法中，各步驟的執(zhí)行順序僅為一種示例，在實(shí)際應(yīng)用中可根據(jù)需要變更各步驟的執(zhí)行順序。本實(shí)施例提供的偏移量的生成方法中，可生成頂點(diǎn)偏移量、整體偏轉(zhuǎn)角度和橫向偏移量，并根據(jù)擺放行數(shù)、第一實(shí)際位置、第三實(shí)際位置、第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第三標(biāo)準(zhǔn)位置，生成縱向偏移量，其中第三實(shí)際位置為第三特征點(diǎn)的實(shí)際位置，第三標(biāo)準(zhǔn)位置為第三特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置。在載板上擺放晶片時(shí)可根據(jù)本實(shí)施例生成的頂點(diǎn)偏移量、整體偏轉(zhuǎn)角度、橫向偏移量和縱向偏移量擺放晶片，本實(shí)施例中生成的縱向偏移量使晶片在載板上實(shí)際擺放位置與預(yù)定擺放位置的偏移減小，從而提高了晶片的鍍膜效果。圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種偏移量的生成裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6所示， 該裝置包括第一生成模塊11、第二生成模塊12、第三生成模塊13和第四生成模塊14。第一生成模塊11，用于根據(jù)第一實(shí)際位置和第一標(biāo)準(zhǔn)位置，生成頂點(diǎn)偏移量，所述第一實(shí)際位置為第一特征點(diǎn)的實(shí)際位置，所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置為第一特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置；第二生成模塊12，用于根據(jù)所述第一實(shí)際位置、第二實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第二標(biāo)準(zhǔn)位置，生成整體偏轉(zhuǎn)角度，所述第二實(shí)際位置為第二特征點(diǎn)的實(shí)際位置，所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置為第二特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置；第三生成模塊13，用于根據(jù)擺放列數(shù)、所述第一實(shí)際位置、所述第二實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置，生成橫向偏移量；第四生成模塊14，用于根據(jù)擺放行數(shù)、所述第一實(shí)際位置、第三實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第三標(biāo)準(zhǔn)位置，生成縱向偏移量，所述第三實(shí)際位置為第三特征點(diǎn)的實(shí)際位置，所述第三標(biāo)準(zhǔn)位置為第三特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置。進(jìn)一步地，所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置包括第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值， 所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置包括第二標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值為0，所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值為0，所述第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值為0。進(jìn)一步地，第一生成模塊11包括頂點(diǎn)橫向偏移量生成模塊111和頂點(diǎn)縱向偏移量生成模塊112。頂點(diǎn)橫向偏移量生成模塊111，用于將所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值相減，生成所述頂點(diǎn)橫向偏移量；頂點(diǎn)縱向偏移量生成模塊112，用于將所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值和所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值相減，生成所述頂點(diǎn)縱向偏移量。進(jìn)一步地，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值， 所述第二實(shí)際位置包括第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值。則第二生成模塊12 包括橫向坐標(biāo)差值生成模塊121、縱向坐標(biāo)差值生成模塊122和整體偏轉(zhuǎn)角度生成模塊 123。橫向坐標(biāo)差值生成模塊121，用于將所述第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值相減，生成橫向坐標(biāo)差值；縱向坐標(biāo)差值生成模塊122，用于將所述第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值和所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值相減，生成縱向坐標(biāo)差值；整體偏轉(zhuǎn)角度生成模塊123，用于根據(jù)所述橫向坐標(biāo)差值和所述縱向坐標(biāo)差值，生成所述整體偏轉(zhuǎn)角度。進(jìn)一步地，所述擺放列數(shù)大于或者等于2，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值，所述第二實(shí)際位置包括第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值。則第三生成模塊13包括第一連線長(zhǎng)度生成模塊131、第二連線長(zhǎng)度生成模塊132、 橫向長(zhǎng)度差值生成模塊133和橫向偏移量生成模塊134。第一連線長(zhǎng)度生成模塊131，用于根據(jù)所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值、所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值、所述第二標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和所述第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，生成第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度，所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度為第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第二標(biāo)準(zhǔn)位置間連線的長(zhǎng)度；
第二連線長(zhǎng)度生成模塊132，用于根據(jù)所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值、所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值、所述第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值，生成第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度，所述第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度為第一實(shí)際位置和第二實(shí)際位置間連線的長(zhǎng)度；橫向長(zhǎng)度差值生成模塊133，用于將所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度和所述第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度相減，生成橫向長(zhǎng)度差值；橫向偏移量生成模塊134，用于將所述橫向長(zhǎng)度差值與所述擺放列數(shù)和1的差值相除，生成所述橫向偏移量。進(jìn)一步地，所述第三標(biāo)準(zhǔn)位置包括第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第三標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值， 所述第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值為0。進(jìn)一步地，所述擺放行數(shù)大于或者等于2，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值，所述第三實(shí)際位置包括第三實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第三實(shí)際縱向坐標(biāo)值。則第四生成模塊14包括第三連線長(zhǎng)度生成模塊141、第四連線長(zhǎng)度生成模塊142、 縱向長(zhǎng)度差值生成模塊143和縱向偏移量生成模塊144。第三連線長(zhǎng)度生成模塊141，用于根據(jù)所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值、所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值、所述第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和所述第三標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，生成第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度，所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度為第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第三標(biāo)準(zhǔn)位置間連線的長(zhǎng)度；第四連線長(zhǎng)度生成模塊142，用于根據(jù)所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值、所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值、所述第三實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第三實(shí)際縱向坐標(biāo)值，生成第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度，所述第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度為第一實(shí)際位置和第三實(shí)際位置間連線的長(zhǎng)度；縱向長(zhǎng)度差值生成模塊143，用于將所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度和所述第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度相減，生成縱向長(zhǎng)度差值；縱向偏移量生成模塊144，用于將所述縱向長(zhǎng)度差值與所述擺放行數(shù)和1的差值相除，生成所述縱向偏移量。本實(shí)施例提供的偏移量的生成裝置可用于實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例一中的偏移量的生成方法。本實(shí)施例提供的偏移量的生成裝置，可生成頂點(diǎn)偏移量、整體偏轉(zhuǎn)角度和橫向偏移量，并根據(jù)擺放行數(shù)、第一實(shí)際位置、第三實(shí)際位置、第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第三標(biāo)準(zhǔn)位置，生成縱向偏移量，其中第三實(shí)際位置為第三特征點(diǎn)的實(shí)際位置，第三標(biāo)準(zhǔn)位置為第三特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置。在載板上擺放晶片時(shí)可根據(jù)本實(shí)施例生成的頂點(diǎn)偏移量、整體偏轉(zhuǎn)角度、橫向偏移量和縱向偏移量擺放晶片，本實(shí)施例中生成的縱向偏移量使晶片在載板上實(shí)際擺放位置與預(yù)定擺放位置的偏移減小，從而提高了晶片的鍍膜效果?？梢岳斫獾氖牵陨蠈?shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種偏移量的生成方法，其特征在于，包括根據(jù)第一實(shí)際位置和第一標(biāo)準(zhǔn)位置，生成頂點(diǎn)偏移量，所述第一實(shí)際位置為第一特征點(diǎn)的實(shí)際位置，所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置為第一特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置；根據(jù)所述第一實(shí)際位置、第二實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第二標(biāo)準(zhǔn)位置，生成整體偏轉(zhuǎn)角度，所述第二實(shí)際位置為第二特征點(diǎn)的實(shí)際位置，所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置為第二特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置；根據(jù)擺放列數(shù)、所述第一實(shí)際位置、所述第二實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置，生成橫向偏移量；根據(jù)擺放行數(shù)、所述第一實(shí)際位置、第三實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第三標(biāo)準(zhǔn)位置，生成縱向偏移量，所述第三實(shí)際位置為第三特征點(diǎn)的實(shí)際位置，所述第三標(biāo)準(zhǔn)位置為第三特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置包括第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置包括第二標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值為0，所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值為0，所述第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值為0。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值，所述頂點(diǎn)偏移量包括頂點(diǎn)橫向偏移量和頂點(diǎn)縱向偏移量；所述根據(jù)第一實(shí)際位置和第一標(biāo)準(zhǔn)位置，生成頂點(diǎn)偏移量包括 將所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值相減，生成所述頂點(diǎn)橫向偏移量；將所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值和所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值相減，生成所述頂點(diǎn)縱向偏移量。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值，所述第二實(shí)際位置包括第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值；所述根據(jù)所述第一實(shí)際位置、第二實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第二標(biāo)準(zhǔn)位置，生成整體偏轉(zhuǎn)角度包括將所述第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值相減，生成橫向坐標(biāo)差值； 將所述第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值和所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值相減，生成縱向坐標(biāo)差值； 根據(jù)所述橫向坐標(biāo)差值和所述縱向坐標(biāo)差值，生成所述整體偏轉(zhuǎn)角度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述擺放列數(shù)大于或者等于2，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值，所述第二實(shí)際位置包括第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值；所述根據(jù)擺放列數(shù)、所述第一實(shí)際位置、所述第二實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置，生成橫向偏移量包括根據(jù)所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值、所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值、所述第二標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和所述第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，生成第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度，所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度為第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第二標(biāo)準(zhǔn)位置間連線的長(zhǎng)度；根據(jù)所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值、所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值、所述第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值，生成第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度，所述第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度為第一實(shí)際位置和第二實(shí)際位置間連線的長(zhǎng)度；將所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度和所述第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度相減，生成橫向長(zhǎng)度差值；將所述橫向長(zhǎng)度差值與所述擺放列數(shù)和1的差值相除，生成所述橫向偏移量。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第三標(biāo)準(zhǔn)位置包括第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第三標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，所述第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值為0。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述擺放行數(shù)大于或者等于2，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值，所述第三實(shí)際位置包括第三實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第三實(shí)際縱向坐標(biāo)值；根據(jù)擺放行數(shù)、所述第一實(shí)際位置、第三實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第三標(biāo)準(zhǔn)位置，生成縱向偏移量包括根據(jù)所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值、所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值、所述第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和所述第三標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，生成第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度，所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度為第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第三標(biāo)準(zhǔn)位置間連線的長(zhǎng)度；根據(jù)所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值、所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值、所述第三實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第三實(shí)際縱向坐標(biāo)值，生成第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度，所述第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度為第一實(shí)際位置和第三實(shí)際位置間連線的長(zhǎng)度；將所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度和所述第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度相減，生成縱向長(zhǎng)度差值；將所述縱向長(zhǎng)度差值與所述擺放行數(shù)和1的差值相除，生成所述縱向偏移量。
8.一種偏移量的生成裝置，其特征在于，包括第一生成模塊，用于根據(jù)第一實(shí)際位置和第一標(biāo)準(zhǔn)位置，生成頂點(diǎn)偏移量，所述第一實(shí)際位置為第一特征點(diǎn)的實(shí)際位置，所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置為第一特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置；第二生成模塊，用于根據(jù)所述第一實(shí)際位置、第二實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第二標(biāo)準(zhǔn)位置，生成整體偏轉(zhuǎn)角度，所述第二實(shí)際位置為第二特征點(diǎn)的實(shí)際位置，所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置為第二特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置；第三生成模塊，用于根據(jù)擺放列數(shù)、所述第一實(shí)際位置、所述第二實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置，生成橫向偏移量；第四生成模塊，用于根據(jù)擺放行數(shù)、所述第一實(shí)際位置、第三實(shí)際位置、所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第三標(biāo)準(zhǔn)位置，生成縱向偏移量，所述第三實(shí)際位置為第三特征點(diǎn)的實(shí)際位置，所述第三標(biāo)準(zhǔn)位置為第三特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置包括第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置包括第二標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值為0，所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值為0，所述第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值為0。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值，所述頂點(diǎn)偏移量包括頂點(diǎn)橫向偏移量和頂點(diǎn)縱向偏移量；所述第一生成模塊包括頂點(diǎn)橫向偏移量生成模塊，用于將所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值相減，生成所述頂點(diǎn)橫向偏移量；頂點(diǎn)縱向偏移量生成模塊，用于將所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值和所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值相減，生成所述頂點(diǎn)縱向偏移量。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述第三標(biāo)準(zhǔn)位置包括第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第三標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，所述第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值為0。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值，所述第二實(shí)際位置包括第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值；所述第二生成模塊包括橫向坐標(biāo)差值生成模塊，用于將所述第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值相減，生成橫向坐標(biāo)差值；縱向坐標(biāo)差值生成模塊，用于將所述第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值和所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值相減，生成縱向坐標(biāo)差值；整體偏轉(zhuǎn)角度生成模塊，用于根據(jù)所述橫向坐標(biāo)差值和所述縱向坐標(biāo)差值，生成所述整體偏轉(zhuǎn)角度。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述擺放列數(shù)大于或者等于2，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值，所述第二實(shí)際位置包括第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值；所述第三生成模塊包括第一連線長(zhǎng)度生成模塊，用于根據(jù)所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值、所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值、所述第二標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和所述第二標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，生成第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度，所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度為第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第二標(biāo)準(zhǔn)位置間連線的長(zhǎng)度；第二連線長(zhǎng)度生成模塊，用于根據(jù)所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值、所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值、所述第二實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第二實(shí)際縱向坐標(biāo)值，生成第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度，所述第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度為第一實(shí)際位置和第二實(shí)際位置間連線的長(zhǎng)度；橫向長(zhǎng)度差值生成模塊，用于將所述第一標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度和所述第一實(shí)際位置連線長(zhǎng)度相減，生成橫向長(zhǎng)度差值；橫向偏移量生成模塊，用于將所述橫向長(zhǎng)度差值與所述擺放列數(shù)和1的差值相除，生成所述橫向偏移量。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述第三標(biāo)準(zhǔn)位置包括第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和第三標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，所述第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值為0。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于，所述擺放行數(shù)大于或者等于2，所述第一實(shí)際位置包括第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值，所述第三實(shí)際位置包括第三實(shí)際橫向坐標(biāo)值和第三實(shí)際縱向坐標(biāo)值；所述第四生成模塊包括第三連線長(zhǎng)度生成模塊，用于根據(jù)所述第一標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值、所述第一標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值、所述第三標(biāo)準(zhǔn)橫向坐標(biāo)值和所述第三標(biāo)準(zhǔn)縱向坐標(biāo)值，生成第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度，所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度為第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第三標(biāo)準(zhǔn)位置間連線的長(zhǎng)度；第四連線長(zhǎng)度生成模塊，用于根據(jù)所述第一實(shí)際橫向坐標(biāo)值、所述第一實(shí)際縱向坐標(biāo)值、所述第三實(shí)際橫向坐標(biāo)值和所述第三實(shí)際縱向坐標(biāo)值，生成第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度，所述第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度為第一實(shí)際位置和第三實(shí)際位置間連線的長(zhǎng)度；縱向長(zhǎng)度差值生成模塊，用于將所述第二標(biāo)準(zhǔn)位置連線長(zhǎng)度和所述第二實(shí)際位置連線長(zhǎng)度相減，生成縱向長(zhǎng)度差值；縱向偏移量生成模塊，用于將所述縱向長(zhǎng)度差值與所述擺放行數(shù)和1的差值相除，生成所述縱向偏移量。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種偏移量的生成方法和裝置。該方法包括根據(jù)第一實(shí)際位置和第一標(biāo)準(zhǔn)位置，生成頂點(diǎn)偏移量，第一實(shí)際位置為第一特征點(diǎn)的實(shí)際位置，第一標(biāo)準(zhǔn)位置為第一特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置；根據(jù)第一實(shí)際位置、第二實(shí)際位置、第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第二標(biāo)準(zhǔn)位置，生成整體偏轉(zhuǎn)角度，第二實(shí)際位置為第二特征點(diǎn)的實(shí)際位置，第二標(biāo)準(zhǔn)位置為第二特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置；根據(jù)擺放列數(shù)、第一實(shí)際位置、第二實(shí)際位置、第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第二標(biāo)準(zhǔn)位置，生成橫向偏移量；根據(jù)擺放行數(shù)、第一實(shí)際位置、第三實(shí)際位置、第一標(biāo)準(zhǔn)位置和第三標(biāo)準(zhǔn)位置，生成縱向偏移量，第三實(shí)際位置為第三特征點(diǎn)的實(shí)際位置，第三標(biāo)準(zhǔn)位置為第三特征點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)位置。本發(fā)明提高了晶片的鍍膜效果。
文檔編號(hào)C23C16/52GK102560442SQ20101061091
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月17日
發(fā)明者易璨 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司