專利名稱：化學(xué)機(jī)械拋光的方法、用于化學(xué)機(jī)械拋光的清洗裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種化學(xué)機(jī)械拋光的方法、用于化學(xué)機(jī)械拋光的清洗裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造中，化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)整個(gè)晶片的平坦化，成為芯片制造工藝中重要的步驟之一?；瘜W(xué)機(jī)械拋光技術(shù)是機(jī)械削磨和化學(xué)腐蝕的組合技術(shù)，具體地，是借助超微粒子的拋光作用以及漿料(Slurry)的化學(xué)腐蝕作用，以形成光潔平坦的表面。在現(xiàn)有技術(shù)中，發(fā)展了多種關(guān)于化學(xué)機(jī)械拋光的方法。例如，在公開號(hào)為 CN101459124A的中國(guó)專利申請(qǐng)中公開了一種化學(xué)機(jī)械拋光的方法和晶片方法，參考圖1， 示出了所述專利申請(qǐng)中化學(xué)機(jī)械拋光方法的流程示意圖。所述化學(xué)機(jī)械拋光方法及晶片清洗方法包括以下步驟步驟601，將待拋光的晶片放置于化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備中；步驟602，對(duì)所述晶片進(jìn)行第一拋光；步驟603，對(duì)所述晶片進(jìn)行第二拋光；步驟604，形成氫氟酸溶液，形成濃度在0.03%至0.08%之間的氫氟酸溶液；步驟605，利用步驟604中所形成的氫氟酸溶液清洗拋光后的晶片。本發(fā)明提供的化學(xué)機(jī)械拋光方法及晶片清洗方法，可以有效減少晶片表面的顆粒缺陷數(shù)。然而化學(xué)機(jī)械拋光之后容易在晶片表面形成有機(jī)殘留物，所述有機(jī)殘留物可以是由苯并三唑(BTA)造成的。所述BTA通常在化學(xué)機(jī)械拋光中用作抑制劑(inhibitor)，但是 BET材料因具有不易清洗的特點(diǎn)，容易在殘留在晶片表面，造成晶片的不良。為了去除晶圓表面的有機(jī)殘留物，通常需對(duì)晶圓表面進(jìn)行多次清洗，但是，如果對(duì)晶圓表面清洗過(guò)度，會(huì)造成晶圓表面的損傷。如何在有效去除晶圓表面殘留物的同時(shí)避免晶圓表面的損傷，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種化學(xué)機(jī)械拋光的方法與裝置，以在有效去除晶圓表面殘留物的同時(shí)避免晶圓表面的損傷。為解決上述問(wèn)題，一種化學(xué)機(jī)械拋光方法，包括將待拋光的晶片放置于化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備中，對(duì)所述晶片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，還包括通過(guò)清洗溶液對(duì)晶片進(jìn)行清洗，實(shí)時(shí)測(cè)量清洗晶片后形成的處理溶液的開路電位，在處理溶液的開路電位達(dá)到開路電位閾值時(shí)，停止清洗。所述開路電位閾值等于清洗溶液的開路電位。所述開路電位閾值為清洗溶液開路電位的1倍或0. 9倍。
實(shí)時(shí)測(cè)量清洗晶片后形成的處理溶液的開路電位的步驟包括對(duì)處理溶液進(jìn)行取樣；測(cè)量處理溶液樣品的開路電位。通過(guò)清洗溶液對(duì)晶片進(jìn)行清洗的同時(shí)，還通過(guò)毛刷清洗晶片。包括清洗單元、取樣單元、實(shí)時(shí)測(cè)量單元、閾值測(cè)量單元和控制單元，其中清洗單元包括通過(guò)清洗溶液對(duì)晶片進(jìn)行清洗的清洗溶液噴淋器，清洗過(guò)晶片后的清洗溶液成為處理溶液；取樣單元包括獲取少量處理溶液的微流器；實(shí)時(shí)測(cè)量單元接收微流器移送來(lái)的少量處理溶液，測(cè)量所述處理溶液的開路電位；閾值測(cè)量單元測(cè)量清洗溶液的開路電位，以得到開路電位閾值；控制單元，連接于實(shí)時(shí)測(cè)量單元和閾值測(cè)量單元，同時(shí)，還連接于清洗溶液噴淋器，所述控制單元比較處理溶液的開路電位與開路電位閾值的相對(duì)大小，在處理溶液的開路電位達(dá)到開路電位閾值時(shí)，控制清洗溶液噴淋器停止清洗。所述清洗單元還包括位于清洗溶液噴淋器下方的毛刷清洗器，包括兩個(gè)并列放置的毛刷，晶片放置于兩個(gè)毛刷之間，所述兩個(gè)毛刷反向轉(zhuǎn)動(dòng)以清除晶片表面的有機(jī)殘留物。所述取樣單元還包括位于毛刷清洗器下方的處理溶液收集器，在清洗單元對(duì)晶片進(jìn)行清洗的過(guò)程中，對(duì)清洗過(guò)晶片的清洗溶液進(jìn)行收集；所述微流器從處理溶液收集器中獲取處理溶液的樣品。所述微流器為一端連接于處理溶液收集器，另一端連接于實(shí)時(shí)測(cè)量單元的管道。控制單元還連接于毛刷清洗器，在處理溶液開路電位達(dá)到開路電位閾值時(shí)，控制毛刷清洗器的毛刷停止轉(zhuǎn)動(dòng)、同時(shí)控制清洗溶液噴淋器停止噴淋清洗溶液。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)所述清洗裝置可實(shí)時(shí)監(jiān)控晶片表面的清洗情況，直至晶圓表面的有機(jī)殘留物去除才停止清洗過(guò)程，可提高晶圓表面有機(jī)物的清除效果；同時(shí)，所述清洗裝置可實(shí)時(shí)監(jiān)控晶片表面的清洗情況，在晶圓表面的有機(jī)殘留物去除后即停止清洗，避免過(guò)度清洗造成的晶圓表面的損傷。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)化學(xué)機(jī)械拋光的方法和晶片方法的流程示意圖；圖2是本發(fā)明化學(xué)機(jī)械拋光方法的流程示意圖；圖3是圖2所示步驟Sl所述的化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備一實(shí)施例的示意圖；圖4是圖2所示步驟S3 —實(shí)施例的流程示意圖；圖5是圖2所示步驟S3所述處理溶液一實(shí)施例的開路電位隨清洗時(shí)間的變化曲線示意圖；圖6是本發(fā)明化學(xué)機(jī)械拋光裝置一實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。正如背景技術(shù)所述，現(xiàn)有技術(shù)中，在CMP的過(guò)程中用作抑制劑的BTA容易在晶片表面形成不易清洗的殘留物，造成晶片表面缺陷，從而造成晶片的不良。針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明的發(fā)明人提供一種化學(xué)機(jī)械拋光方法，對(duì)經(jīng)過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光后的晶片清洗步驟進(jìn)行監(jiān)控和測(cè)量。參考圖2，示出了本發(fā)明化學(xué)機(jī)械拋光方法一實(shí)施方式的流程示意圖，具體地，所述化學(xué)機(jī)械拋光方法包括以下步驟步驟Si，將待拋光的晶片放置于化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備中；步驟S2，對(duì)晶片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光；步驟S3，對(duì)晶片進(jìn)行清洗，并實(shí)時(shí)測(cè)量清洗晶片后形成的處理溶液的開路電位 (Open Circuit Potential, 0CP)，在處理溶液的開路電位達(dá)到開路電位閾值時(shí)，停止清洗。下面結(jié)合附圖對(duì)各步驟進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。本實(shí)施例中，待拋光的晶片上包括多個(gè)MOS管，所述MOS管的柵極上方形成有介質(zhì)層、形成于介質(zhì)層中的連接插塞、以及位于連接插塞和氧化層之間的襯里層，其中介質(zhì)層為氧化層、連接插塞的材料為銅、所述襯里層為鉭/氮化鉭的疊層。執(zhí)行步驟Si，如圖3所示，示出了步驟Sl所述的化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備一實(shí)施例的示意圖。化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備200包括三個(gè)拋光平臺(tái)第一拋光平臺(tái)201、第二拋光平臺(tái)202和第三拋光平臺(tái)203，每一個(gè)拋光平臺(tái)上均設(shè)置有拋光頭和拋光液噴淋頭，所述拋光頭以一定壓力放置于拋光平臺(tái)上晶片的拋光表面上，并以一定速率旋轉(zhuǎn)對(duì)晶片進(jìn)行機(jī)械拋光；在機(jī)械拋光過(guò)程中，拋光液噴淋頭中流出的拋光液涂覆到拋光平臺(tái)上的晶片表面。晶片表面在拋光頭的機(jī)械作用和拋光液的化學(xué)作用下形成平整表面。在本實(shí)施例中，化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備200需對(duì)一片晶片進(jìn)行三次拋光，具體地，首先將晶片放置于化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備200的第一拋光平臺(tái)201上，以進(jìn)行第一次拋光。執(zhí)行步驟S2，繼續(xù)參考圖3，化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備200對(duì)放置于第一拋光平臺(tái)201上的晶片進(jìn)行第一次拋光，具體地，所述第一拋光平臺(tái)201上的第一拋光頭204以較高的速率旋轉(zhuǎn)對(duì)晶片進(jìn)行機(jī)械拋光，同時(shí)，與第一拋光平臺(tái)201上的第一拋光液噴淋頭210中流出的拋光液的化學(xué)作用相配合，對(duì)晶片上的銅進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光。之后，晶片移送至第二拋光平臺(tái)202上，進(jìn)行第二次拋光，具體地，所述第二拋光平臺(tái)202上的第二拋光頭208以較輕的壓力放置在晶片上、以較低的速率旋轉(zhuǎn)對(duì)晶片進(jìn)行機(jī)械拋光，同時(shí)，與第二拋光平臺(tái)上的第二拋光液噴淋頭211中流出的拋光液的化學(xué)作用相配合，對(duì)晶片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，本實(shí)施例中，所述第二次拋光以鉭/氮化鉭作為停止層。在化學(xué)機(jī)械拋光露出鉭/氮化鉭時(shí)，第二次拋光結(jié)束。隨后，晶片移送至第三拋光平臺(tái)203上，進(jìn)行第三次拋光，具體地，所述第三拋光平臺(tái)203上的第三拋光頭209對(duì)晶片進(jìn)行機(jī)械拋光，同時(shí)，與第三拋光平臺(tái)203上的第三拋光液噴淋頭212中流出停止層拋光液相配合，對(duì)以鉭/氮化鉭以及氧化層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光。在獲得符合設(shè)計(jì)規(guī)格厚度的晶片時(shí)，所述第三次拋光停止。至此化學(xué)機(jī)械拋光步驟結(jié)束，晶片表面上會(huì)形成有化學(xué)拋光液的殘留物、化學(xué)機(jī)械拋光產(chǎn)生的顆粒等缺陷，需對(duì)晶片進(jìn)行清洗處理，具體地，晶片由移送設(shè)備206移至清洗裝置中進(jìn)行清洗處理。對(duì)于步驟S3，參考圖4，示出了步驟S3 —實(shí)施例的流程示意圖，具體地，包括以下分步驟
步驟S31，清洗溶液對(duì)晶片表面進(jìn)行清洗，形成包括晶片表面殘留物的處理溶液；步驟S32，對(duì)處理溶液進(jìn)行取樣，測(cè)量處理溶液樣品的開路電位；步驟S33，比較所述開路電位與開路電位閾值的相對(duì)大??；步驟S34，在處理溶液的開路電位達(dá)到開路電位閾值時(shí)，停止對(duì)晶片表面的清洗。對(duì)于步驟S31，所述清洗溶液通常為用于去除晶片表面殘留物的化學(xué)溶液。所述化學(xué)溶液對(duì)晶片表面進(jìn)行清洗后，會(huì)將顆粒物、有機(jī)殘留物(例如BTA)等從晶片表面帶走，形成包括晶片表面殘留物的處理溶液，具體地，所述清洗溶液為一種包含有機(jī)酸化合物的清洗劑。較佳地，在清洗溶液對(duì)晶片表面進(jìn)行清洗的同時(shí)，還可通過(guò)毛刷等機(jī)械方法去除晶片表面的殘留物，以改善清洗效果。執(zhí)行步驟S32，具體地，從處理溶液中取少量樣品進(jìn)行開路電位的測(cè)量，所述開路電位為處理溶液中電流密度為0時(shí)的電位，所述開路電位的測(cè)量方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不再贅述。清洗溶液對(duì)晶片表面進(jìn)行清洗時(shí)，最初所述處理溶液中的殘留物的含量較高，由于殘留物不斷地從晶片表面帶走，晶片表面的殘留物逐漸減少，相應(yīng)地，處理溶液中殘留物的含量降低。隨著處理溶液中組成成分(主要是處理溶液中有機(jī)殘留物和清洗溶液的組分)的轉(zhuǎn)變，處理溶液的導(dǎo)電性能發(fā)生改變，所述處理溶液的開路電位也發(fā)生改變。參考圖5，示出了處理溶液一實(shí)施例的開路電位隨清洗時(shí)間的變化曲線示意圖。在 0 Tl的清洗時(shí)間內(nèi)，晶片表面的有機(jī)殘留物較多，相應(yīng)地，處理溶液中有機(jī)殘留物的含量較高，此時(shí)處理溶液的開路電位較大，為VI，隨著清洗處理的不斷進(jìn)行，晶片表面的有機(jī)殘留物逐漸被清洗溶液帶走，相應(yīng)地，處理溶液中有機(jī)殘留物的含量減小，處理溶液的開路電位在Tl T2時(shí)間段內(nèi)大幅減小，直至T2時(shí)刻之后，晶片表面的有機(jī)殘留物較少，清洗溶液帶走的有機(jī)殘留物非常有限，處理溶液主要由清洗溶液組成，處理溶液的開路電位變化非常小。對(duì)于步驟S33，繼續(xù)參考圖5，在T2時(shí)刻之后，處理溶液的開路電位基本維持在V2， 處理溶液主要由清洗溶液組成，通過(guò)測(cè)量清洗溶液的開路電壓作為開路電位閾值。實(shí)際應(yīng)用中，如對(duì)晶片表面清潔度的要求不高，可設(shè)置清洗溶液開位電壓的0. 9倍作為開路電位閾值。實(shí)時(shí)比較步驟S32中處理溶液的開路電位與開路電位閾值，判斷處理溶液的開路電位是否達(dá)到開路電位閾值。對(duì)于步驟S34，當(dāng)處理溶液的開路電位達(dá)到開路電位閾值時(shí)，停止對(duì)晶片表面進(jìn)行清洗，避免過(guò)度清洗造成的材料浪費(fèi)，節(jié)省成本；同時(shí)還可以避免過(guò)度清洗造成的工藝時(shí)間較長(zhǎng)的問(wèn)題，節(jié)約工藝時(shí)間。本發(fā)明化學(xué)機(jī)械拋光方法還包括對(duì)清洗后的晶片進(jìn)行干燥處理，例如通過(guò)異丙醇 (IPA)對(duì)晶片表面進(jìn)行干燥。至此完成了本發(fā)明化學(xué)機(jī)械拋光的過(guò)程。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種用于化學(xué)機(jī)械拋光的清洗裝置，參考6，示出了本發(fā)明用于化學(xué)機(jī)械拋光的清洗裝置一實(shí)施例的示意圖。具體地，所述清洗裝置包括清洗單元 300、取樣單元、實(shí)時(shí)測(cè)量單元304、閾值測(cè)量單元305、控制單元306，其中，
6
清洗單元300包括毛刷清洗器303、位于毛刷清洗器上的清洗溶液噴淋器302，所述毛刷清洗器303包括兩個(gè)并列放置的可轉(zhuǎn)動(dòng)毛刷，待清洗的晶片放置于兩個(gè)可轉(zhuǎn)動(dòng)毛刷之間，毛刷在反向轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)可清除晶片表面的有機(jī)殘留物；所述清洗溶液噴淋器302中放置有清洗溶液，并可將清洗溶液持續(xù)地、均勻地噴淋在放置于毛刷清洗器303中的晶片上，所述清洗溶液將有機(jī)殘留物從晶片表面帶走，實(shí)現(xiàn)清洗目的。清洗過(guò)晶片的清洗溶液中包括晶片表面的有機(jī)殘留物，成為處理溶液。取樣單元獲取少量處理溶液的樣品，并將所述處理溶液的樣品移送至實(shí)時(shí)測(cè)量單元304，具體地，所述取樣單元包括位于毛刷清洗器303下方的處理溶液收集器301、連接于處理溶液收集器301的微流器307，所述處理溶液收集器301在清洗單元300對(duì)晶片進(jìn)行清洗的過(guò)程中，對(duì)清洗過(guò)晶片的清洗溶液進(jìn)行收集，所述微流器307為一端連接于處理溶液收集器301，另一端連接于實(shí)時(shí)測(cè)量單元304的管道，所述管道的直徑為微米級(jí)，處理溶液收集器301中處理溶液的少量經(jīng)由所述微米級(jí)的管道不斷流入實(shí)時(shí)測(cè)量單元304中。實(shí)時(shí)測(cè)量單元304為實(shí)時(shí)地測(cè)量取樣單元移送的處理溶液開路電位的探測(cè)裝置， 同時(shí)，所述實(shí)時(shí)測(cè)量單元304還用于將測(cè)量到的數(shù)據(jù)發(fā)送至控制單元306。閾值測(cè)量單元305為測(cè)量清洗溶液開路電位的探測(cè)裝置，同時(shí)，閾值測(cè)量單元30 還用于將清洗溶液的開路電位發(fā)送至控制單元306，用于確定開路電位閾值，所述開路電位閾值可以與清洗溶液的開路電位相同；如對(duì)晶片表面清潔度的要求不高，可設(shè)置清洗溶液開路電位的0. 9倍作為開路電位閾值。實(shí)時(shí)測(cè)量單元304和閾值測(cè)量單元305測(cè)量開路電位的技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不再贅述?？刂茊卧?06，連接于實(shí)時(shí)測(cè)量單元304和閾值測(cè)量單元305，同時(shí)，還連接于清洗單元300，所述控制單元306比較實(shí)時(shí)測(cè)量單元304測(cè)量到的處理溶液開路電位與開路電位閾值的相對(duì)大小，在處理溶液開路電位達(dá)到開路電位閾值時(shí)，控制清洗單元300停止清洗。 在本實(shí)施例中，所述控制單元306與清洗單元300的毛刷清洗器303、清洗溶液噴淋器302 均相連，在處理溶液開路電位達(dá)到開路電位閾值時(shí)，控制單元306控制毛刷清洗器303的毛刷停止轉(zhuǎn)動(dòng)、同時(shí)控制清洗溶液噴淋器302停止清洗溶液的噴淋。本發(fā)明提供的用于化學(xué)機(jī)械拋光的清洗裝置，可以有效清洗晶片的有機(jī)殘留物； 更進(jìn)一步地，所述清洗裝置可實(shí)時(shí)監(jiān)控晶片表面的清洗情況，避免過(guò)度清洗造成的晶圓表面的損傷。雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，包括將待拋光的晶片放置于化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備中，對(duì)所述晶片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，還包括通過(guò)清洗溶液對(duì)晶片進(jìn)行清洗，實(shí)時(shí)測(cè)量清洗晶片后形成的處理溶液的開路電位，在處理溶液的開路電位達(dá)到開路電位閾值時(shí)，停止清洗。
2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，所述開路電位閾值等于清洗溶液的開路電位。
3.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，所述開路電位閾值為清洗溶液開路電位的1倍或0.9倍。
4.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，實(shí)時(shí)測(cè)量清洗晶片后形成的處理溶液的開路電位的步驟包括對(duì)處理溶液進(jìn)行取樣；測(cè)量處理溶液樣品的開路電位。
5.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，通過(guò)清洗溶液對(duì)晶片進(jìn)行清洗的同時(shí)，還通過(guò)毛刷清洗晶片。
6.一種用于化學(xué)機(jī)械拋光的清洗裝置，其特征在于，包括清洗單元、取樣單元、實(shí)時(shí)測(cè)量單元、閾值測(cè)量單元和控制單元，其中清洗單元包括通過(guò)清洗溶液對(duì)晶片進(jìn)行清洗的清洗溶液噴淋器，清洗過(guò)晶片后的清洗溶液成為處理溶液；取樣單元包括獲取少量處理溶液的微流器；實(shí)時(shí)測(cè)量單元接收微流器移送來(lái)的少量處理溶液，測(cè)量所述處理溶液的開路電位；閾值測(cè)量單元測(cè)量清洗溶液的開路電位，以得到開路電位閾值；控制單元，連接于實(shí)時(shí)測(cè)量單元和閾值測(cè)量單元，同時(shí)，還連接于清洗溶液噴淋器，所述控制單元比較處理溶液的開路電位與開路電位閾值的相對(duì)大小，在處理溶液的開路電位達(dá)到開路電位閾值時(shí)，控制清洗溶液噴淋器停止清洗。
7.如權(quán)利要求6所述的清洗裝置，其特征在于，所述清洗單元還包括位于清洗溶液噴淋器下方的毛刷清洗器，包括兩個(gè)并列放置的毛刷，晶片放置于兩個(gè)毛刷之間，所述兩個(gè)毛刷反向轉(zhuǎn)動(dòng)以清除晶片表面的有機(jī)殘留物。
8.如權(quán)利要求7所述的清洗裝置，其特征在于，所述取樣單元還包括位于毛刷清洗器下方的處理溶液收集器，在清洗單元對(duì)晶片進(jìn)行清洗的過(guò)程中，對(duì)清洗過(guò)晶片的清洗溶液進(jìn)行收集；所述微流器從處理溶液收集器中獲取處理溶液的樣品。
9.如權(quán)利要求8所述的清洗裝置，其特征在于，所述微流器為一端連接于處理溶液收集器，另一端連接于實(shí)時(shí)測(cè)量單元的管道。
10.如權(quán)利要求7所述的清洗裝置，其特征在于，控制單元還連接于毛刷清洗器，在處理溶液開路電位達(dá)到開路電位閾值時(shí)，控制毛刷清洗器的毛刷停止轉(zhuǎn)動(dòng)、同時(shí)控制清洗溶液噴淋器停止噴淋清洗溶液。
全文摘要
一種化學(xué)機(jī)械拋光方法，包括將待拋光的晶片放置于化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備中，對(duì)晶片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，還包括通過(guò)清洗溶液對(duì)晶片進(jìn)行清洗，實(shí)時(shí)測(cè)量清洗晶片后形成的處理溶液的開路電位，在處理溶液的開路電位達(dá)到開路電位閾值時(shí)，停止清洗。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種用于化學(xué)機(jī)械拋光的清洗裝置，包括清洗單元、取樣單元、實(shí)時(shí)測(cè)量單元、閾值測(cè)量單元和控制單元。本發(fā)明可以有效減少晶片表面的有機(jī)殘留物。
文檔編號(hào)B24B37/34GK102485425SQ20101057321
公開日2012年6月6日 申請(qǐng)日期2010年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月3日
發(fā)明者鄧武鋒 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司