專利名稱：：濺射設備及其控制方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種用于在半導體器件或電子器件的制造處理中在真空中在硅等半導體基板或者金屬、玻璃、陶瓷、塑料等基板上形成薄膜的濺射設備以及用于控制該濺射設備的方法。
背景技術：
：在現(xiàn)代半導體器件和電子器件中，隨著器件性能的改善，復雜合金、化合物或混合物已經(jīng)用于起核心作用的材料。對于由這種材料構(gòu)成的薄膜，在濺射方法和氣相沉積方法等物理氣相沉積(PVD)方法中傳統(tǒng)上已經(jīng)使用了與想要的薄膜材料有類似組-除的靶材和沉積材術牛。然而，在PVD方法中，所形成的薄膜的組份常常偏離靶材或沉積材料的組份。由于現(xiàn)代器件的器件特性對這些薄膜材料的組份極為敏感，因而在出現(xiàn)組份的偏離的情況下存在對發(fā)現(xiàn)能夠獲得想要的組份的靶材或沉積材料的需求。為了尋求新的薄膜材料，在改變薄膜組份的同時評價器件特性。在這種工作中，每次都要將真空設備暴露于空氣中并且將組份不同的耙材或沉積材料安裝到設備中以進行成膜。因此，該工作需要額外的開發(fā)成本和延長的時間。為了消除這種開發(fā)成本，曰本磁學會刊物Vol.21,No.4,pp.505-508(1997)公開了如下方法在形成Pt-Mn合金薄膜時，將Pt顆粒附著在Mn靶材上以提供靶材，并且通過改變Pt顆粒的數(shù)量來調(diào)整薄膜的組份。根據(jù)該方法，不需要準備多個組份不同的Pt-Mn靶材，可以減少開發(fā)成本。然而，為了進行附著Pt顆粒的工作，每次都要將真空設備暴露于空氣中。因此，該方法沒有減少開發(fā)時間。8相反，作為無需將設備暴露于空氣中而能夠?qū)Π胁幕虺练e材料進行組份調(diào)整的濺射方法，有同時使多個濺射陰極放電的多靶材共濺射方法。日本特開2005-2561127>開了一種使用雙轉(zhuǎn)動擋板的多靶材濺射方法，其中，將兩個各自具有兩個開口的擋板中的一個布置在另一個的上方，以進行雙靶材共賊射。在該方法中，利用一個擋板選擇想要的兩個陰極并且利用另一擋板進行打開/關閉操作，從而從預濺射步驟切換到全標度濺射步驟(full-scalesputteringstep),由此進行雙耙材共濺射。在形成Pt-Mn薄膜的情況下，能夠通過準備Pt靶材和Mn靶材并且改變施加到各靶材的電力來調(diào)整薄膜的組份。因此，能夠顯著地減少開發(fā)組份不同的薄膜的成本和時間。然而，在日本特開2005-256112所公開的方法中，由于將一個擋板作為用于陰極選擇的擋板固定并且使用另一擋板來進行打開/關閉操作，因而限制了靶材的組合和可以同時濺射的靶材的數(shù)量。具體地，在布置有五個靶材的濺射設備中只能同時濺射兩個靶材。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種可以同時濺射的靶材的數(shù)量增加的多耙材賊射設備以及用于控制濺射設備的方法。本發(fā)明的第一方面是一種濺射設備，在所述濺射設備的真空腔內(nèi)包括能夠保持靶材的多個耙材電極以及能夠遮斷所述靶材電極和被處理基板之間的路徑的遮斷裝置，其中，所述多個耙材電極被布置在以垂直于所述被處理基板的待處理表面并穿過所述待處理表面的中心的線為中心的同一圓周上，所述遮斷裝置包括第一擋板和第二擋板，其相互重疊，并繞著布置有所述多個靶材電極的同一圓周的中心轉(zhuǎn)動；第一驅(qū)動部件和第二驅(qū)動部件，用于相互獨立地轉(zhuǎn)動所述第一擋板和所述第二擋板；以及驅(qū)動控制部件，用于控制所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件；其中，所述第一擋板和所述第二擋板均具有用于向所述被處理基板暴露至少一個靶材電極的至少一個開口，并均具有適合于遮斷至少一個靶材電極和所述纟皮處理基板之間的路徑的形狀，所述驅(qū)動控制部件能夠控制所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件以相互獨立地轉(zhuǎn)動所述第一擋板和所述第二擋板，并且通過所述第一擋板和所述第二擋板的所述開口的位置組合，能夠向所述被處理基板暴露所述位置組合允許的數(shù)量中任意數(shù)量的靶材電極，以及在通過開放待濺射的靶材和所述被處理基板之間的^各徑來進行濺射的濺射處理時，所述驅(qū)動控制部件根據(jù)所述待濺射的靶材的數(shù)量和所述待濺射的靶材的布置，控制所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件，以相互獨立地轉(zhuǎn)動所述第一擋板和所述第二擋板，從而經(jīng)由所述第一擋板和所述第二擋板的所述開口相互重合的區(qū)域向所述被處理基板暴露所述待濺射的靶材，以使得向所述被處理基板暴露全部所述待賊射的耙材。本發(fā)明的第二方面是一種用于控制濺射設備的方法，所述濺射設備在其真空腔內(nèi)包括能夠保持靶材的多個靶材電極以及能夠遮斷所述耙材電極和被處理基板之間的路徑的遮斷裝置，所述多個靶材電極;陂布置在以垂直于所述被處理基板的待處理表面并穿過所述待處理表面的中心的線為中心的同一圓周上，所述遮斷裝置包括第一擋板和第二擋板，其相互重疊，并繞著布置有所述多個靶材電極的同一圓周的中心轉(zhuǎn)動；以及第一驅(qū)動部件和第二驅(qū)動部件，用于相互獨立地轉(zhuǎn)動所述第一擋板和所述第二擋板，所述第一擋板和所述第二擋板均具有用于向所述被處理基板暴露至少一個靶材電極的多個開口，并均具有適合于遮斷至少一個靶材電極和所述被處理基4反之間的路徑的形狀，其中，所述控制方法能夠控制所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件以相互獨立地轉(zhuǎn)動所述第一擋板和所述第二擋板，并且通過所述第一擋板和所述第二擋板的所述開口的位置組合，能夠向所述被處理基板暴露所述位置組合允許的數(shù)量中任意數(shù)量的靶材電極，以及在通過開放待濺射的靶材和所述被處理基板之間的^各徑來進行濺射的濺射處理時，所述控制方法根據(jù)所述待濺射的靶材的數(shù)量和所述待濺射的靶材的布置，控制所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件，以相互獨立地轉(zhuǎn)動所述第一擋板和所述第二擋板，從而經(jīng)由所述第一擋板和所述第二擋板的所述開口相互重合的區(qū)域向所述被處理基板暴露所述待賊射的靶材，以使得向所述被處理基板暴露全部所述待濺射的靶材。本發(fā)明的第三方面是一種計算機程序，用于使計算機執(zhí)行如上所述的控制方法。本發(fā)明的第四方面是一種存儲有計算機可讀程序的存儲介質(zhì)，其中，在所述存儲介質(zhì)中存儲有如上所述的計算機程序。在本發(fā)明中，由于第一及第二擋板相互獨立地轉(zhuǎn)動，增加了組合耙材的自由度，因此，能夠增加同時濺射的靶材的數(shù)量。因此，通過使用本發(fā)明的濺射設備，能夠在半導體器件或電子器件的制造處理中以更低的成本和更短的時間實現(xiàn)薄膜的組份調(diào)整和新型薄膜材料的開發(fā)。圖l是示出根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的濺射設備的靶材電極的布置的示意性平面圖。圖2是與圖l的截面AOB相對應的示意性截面圖。圖3是本發(fā)明的濺射設備的遮斷裝置的示意性配置圖。圖4A是示出根據(jù)本發(fā)明的第一及第二擋板和將這些擋板中的一個疊在另一個的上方的情況的示意性平面圖。圖4B是示出根據(jù)本發(fā)明的第一及第二擋板和將這些擋板中的一個疊在另一個的上方的情況的另一個示意性平面圖。圖4C是示出根據(jù)本發(fā)明的第一及第二擋板和將這些擋板中的一個疊在另一個的上方的情況的又一個示意性平面圖。圖5A是示出根據(jù)本發(fā)明的靶材電極和將第一及第二擋板與靶材電極相關地布置的情況的示意性平面圖。圖5B是示出根據(jù)本發(fā)明的靶材電極和將第一及第二擋板與把材電極相關地布置的情況的另一個示意性平面圖。圖5C是示出根據(jù)本發(fā)明的靶材電極和將第一及第二擋板與靶材電極相關地布置的情況的又一個示意性平面圖。圖6A是與圖5B的截面AOB相對應的示意性截面圖。圖6B是與圖5C的截面AOB相對應的示意性截面圖。圖7是示出在預濺射步驟和全標度濺射步驟中靶材電極電壓的開-關狀態(tài)與第一及第二擋板的打開和關閉位置之間的關系的時序圖。圖8A是示出在本發(fā)明中當進行單靶材濺射時靶材電極和第一及第二擋板之間的位置關系的示意性平面圖。圖8B是示出在本發(fā)明中當進行單靶材濺射時靶材電極和第一及第二擋板之間的位置關系的另一個示意性平面圖。圖8C是示出在本發(fā)明中當進行單靶材濺射時靶材電極和第一及第二擋板之間的位置關系的又一個示意性平面圖。面圖。圖9B是示出根據(jù)本發(fā)明的擋板的形狀的例子的另一個示12意性平面圖。圖9C是示出根據(jù)本發(fā)明的擋板的形狀的例子的又一個示意性平面圖。圖IO是本發(fā)明的另一個實施例中的濺射設備的示意性截面圖。圖IIA是示出根據(jù)本發(fā)明的擋板的形狀的例子的又一個示意性平面圖。圖11B是示出根據(jù)本發(fā)明的擋板的形狀的例子的又一個示意性平面圖。圖IIC是示出根據(jù)本發(fā)明的擋板的形狀的例子的又一個示意性平面圖。圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的擋板的形狀的例子的又一個示意性平面圖。圖13A是示出根據(jù)本發(fā)明的擋板的通孔的數(shù)量變化的例子的示意性平面圖。圖13B是示出根據(jù)本發(fā)明的擋板的通孔的數(shù)量變化的例子的另一個示意性平面圖。圖14是根據(jù)本發(fā)明的另一個時序圖的例子。具體實施例方式本發(fā)明的濺射設備在其真空腔內(nèi)包括多個靶材電極和能夠遮斷靶材電極和被處理基板之間的路徑的遮斷裝置。此外，該遮斷裝置包括第一及第二擋板、用于相互獨立地轉(zhuǎn)動兩個擋板的第一及第二驅(qū)動部件以及用于控制第一及第二驅(qū)動部件的驅(qū)動控制部件。在下文中，將參照實施例詳細說明本發(fā)明的濺射設備。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的濺射設備的靶材電極的布置的示意性平面圖，而圖2是與圖l的截面AOB相對應的示意性截面圖。在圖中，附圖標記E1到E5表示靶材電極，附圖標記l表示被處理基板，附圖標記2表示基板臺，附圖標記4表示真空腔，附圖標記5表示靶材保持件，附圖標記6表示靶材，附圖標記7表示第一擋板，并且附圖標記8表示第二擋板。如圖l和2所示，本發(fā)明的濺射設備包括其上安裝有被處理基板1的基板臺2和布置在該基板臺2上方的多個靶材電極E1到E5。將用于抽真空的干式泵和低溫泵及用于引入氬氣等放電氣體的氣體進口(均未示出)連接到真空腔4。在濺射步驟期間，在驅(qū)動裝置(未示出)的驅(qū)動下，其上安裝有基板1的基板臺2繞穿過基板1的待處理表面的中心的法線Y轉(zhuǎn)動。應當注意，作為基板臺2的驅(qū)動裝置，使用例如磁性流體密封置于其轉(zhuǎn)動軸和定子之間的馬達。耙材電極E1到E5是設置有其上可以安裝靶材的靶材保持件5的陰極。將靶材電極E1到E5分別連接到用于等離子體產(chǎn)生的DC電源。作為將獨立調(diào)整的電力輸入到各靶材電極的結(jié)果，從引入到真空腔4的放電氣體產(chǎn)生等離子體。因此，濺射安裝在通電了的靶材電4及E1到E5上的靶材6。應當注意，不必在全部耙材電極E1到E5上安裝靶材6?？蛇x地，可以在一部分靶材電極上安裝耙材6然后賊射這些靶材。在下文中，將安裝有靶材6的靶材電極的組合稱為"靶材布置"。此外，將多個靶材電極等間距地布置在以基板臺2的轉(zhuǎn)動軸Y為中心的同一圓周上。由于在本實施例中有E1到E5五個靶材電極，因而以72。的等角間距布置這些靶材電極。另外，在本實施例中，調(diào)整各靶材電極的角度從而面向基板l的中心。更具體地，將各靶材電極布置成其用于保持靶材的表面的法線與基板的待處理表面的法線Y成30。角。將傾斜角設置在2。到60。，優(yōu)選為5。到50。的范圍內(nèi)。然而，如圖10所示，還可以將各耙材電極布置成與基板1平行(=傾斜角為0。)。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的濺射設備設置有可相互獨立地轉(zhuǎn)動的兩個擋板7和8。在從預賊射步驟向全標度賊射步驟轉(zhuǎn)換時獨立地控制上述兩個擋板7和8，由此重新定位擋4反。這里，預賊射步驟是指在利用擋板遮斷基板1和靶材6之間的路徑的情況下進行放電的步驟，而全標度濺射步驟是指在基板1和靶材6之間的路徑開放的情況下進行濺射的步驟。根據(jù)本發(fā)明的第一及第二擋板7和8包括與多個靶材電極相對應的開口，并具有適合于遮斷至少一個靶材電極和基板l之間的路徑的形狀。即，第一及第二擋板分別具有至少一個用于向基板暴露至少一個靶材電極的開口。在本發(fā)明中，靶材電極的數(shù)量優(yōu)選為2n+l("n"為自然數(shù))。另一方面，第一及第二擋板分別具有與n+l個或更多個靶材電極相對應的開口。因此，設備中可以同時濺射的靶材的最大數(shù)量是n+l。在本實施例中，靶材電極的數(shù)量是5，因此，第一及第二擋板的7和8分別具有與3個或4個靶材電^f及相對應的開口。因此，可以同時'減射的耙材的最大數(shù)量是3。圖3示出遮斷裝置的示意性結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的遮斷裝置按照'減射控制器13的指示，在預濺射步驟中遮斷基板1和輩巴材6之間的路徑，并且在全標度濺射步驟中開放基板1和耙材6之間的路徑。具體地，遮斷裝置設置有第一及第二擋板7和8以及用于相互獨立地轉(zhuǎn)動第一及第二擋板7和8的第一及第二驅(qū)動部件11和12。此外，遮斷裝置設置有驅(qū)動控制部件(控制器)IO,該驅(qū)動控制部件10用于控制驅(qū)動部件11和12，從而將第一及第二擋板7和8轉(zhuǎn)動預定角度并且將各開口置于預定位置。將第一及第二擋板7和8布置為其中一個在另一個的上方并使板表面面向靶材電極E1到E5。此外，將擋板7和8兩者的轉(zhuǎn)動軸定位成與作為基板臺2的轉(zhuǎn)動中心的轉(zhuǎn)動軸Y共軸。圖4A到4C示出第一及第二擋板7和8的一個例子的平面圖。圖中的符號"h"表示通孔(開口)。本實施例的擋板適合用于設置有五個耙材電極的設備。在各擋板中，在同一圓周上以規(guī)則的間距形成三個通孔h。各通孔h7.i到h7.3和h8.!到h8.3的面積大于單個耙材電極。因此，將第一及第二擋板7和8分別布置在基板1和耙材電才及之間，由此開》丈三個耙材電極和基^反之間的路徑并遮斷兩個耙材電極和基板之間的路徑。由于將第一及第二擋板7和8布置為其中一個在另一個的上方，因而基板l和靶材電極之間的路徑是開放還是遮斷依賴于各通孔h7-i到hw和hs-i到h^3的位置。即，由于第一及第二擋板7和8可以相互獨立地轉(zhuǎn)動，在進行預濺射或全標度濺射等濺射處理時，本發(fā)明的濺射設備使得能夠在位置組合允許的范圍內(nèi)自由地選擇形成在各個擋板中的通孔hw到h7.3和h^到h8-3的位置組合。因此，能夠提高組合在全標度濺射步驟中使用的靶材的自由度。圖4A到4C從左到右分別示出第二擋板8、第一擋板7、在第二擋板8位于基板1側(cè)的狀態(tài)下使第一擋板7和第二擋板8中的一個疊在另一個的上方然后從基板側(cè)觀察的狀態(tài)。在圖4A中，第一及第二擋板7和8的通孔到h7_3和h8-i到hs.3的位置相同。因此，在將第一及第二擋板7和8中的一個疊在另一個的上方的情況下，通孔hw和hs-!、通孔h7-2和hs-2以及通孔h7-3和hs-3分別相互重合。因此，開》丈三個靶材電極和基板1之間的路徑，并且遮斷剩下的兩個耙材電極和基板l之間的路徑。在圖4B中，第二擋板8相對于第一擋板7的通孔h的位置轉(zhuǎn)動72。，以使得在圓周方向上偏移一個通孔。結(jié)果，在將兩個擋板7和8中的一個疊在另一個的上方的情況下，擋板的兩個通孔117.2和h^及兩個通孔117.3和hg.2分別相互重合，由此開》文兩個耙材電極和基才反l之間的3各徑。剩下的三個耙材電才及之一^皮第一及第二擋板7和8兩者遮住，而由于第一及第二擋板7和8中的一個的通孔hw或h8-3被另一擋板遮住，另外兩個耙材電極也被遮住。另外，在圖4C中，第二擋板8相對于第一擋板7的通孔h的位置轉(zhuǎn)動144。，以使得在圓周方向上偏移兩個通孔。因此，在將兩個擋板7和8中的一個疊在另一個的上方的情況下，只有各個擋板的通孔h7.3和h^是相互重合的，由此開放一個靶材電極和基板l之間的路徑。因此，剩下的四個革巴材電極和基板l之間的路徑被第一擋板7、第二擋板8、或者第一及第二擋板7和8兩者遮斷。在本發(fā)明中，如圖4A到4C所示，利用第一及第二擋板7和8的可轉(zhuǎn)動位置，能夠調(diào)整向基板l暴露的靶材電極的數(shù)量和位置。通過根據(jù)靶材布置來定位通孔，能夠?qū)崿F(xiàn)三靶材共濺射。第一及第二驅(qū)動部件11和12設置有用于相互獨立地驅(qū)動第一及第二擋板7和8的馬達llb和12b以及用于檢測擋板7和8的當前位置的編碼器llc和12c。驅(qū)動部件ll和12還設置有驅(qū)動器lla和12a，該驅(qū)動器lla和12a用于基于來自解碼器llc和12c的位置信息，將擋板7和8驅(qū)動并控制為從控制器10分別輸入的指示值。注意，磁性流體密封置于各馬達llb和12b的轉(zhuǎn)動軸和定子之間。按照來自濺射控制器13的關于轉(zhuǎn)換為預濺射步驟或全標度濺射步驟的定時的指令，控制器10計算適合于靶材布置的第一及第二擋板7和8的關閉位置或打開位置?？刂破?0將計算結(jié)果輸出至驅(qū)動部件11和12。控制器10由例如CPU、RAM、ROM、17時鐘脈沖生成電路和包括分頻器的微計算機構(gòu)成，并且通過程序執(zhí)行來實現(xiàn)上述功能。在本實施例中，控制器10設置有規(guī)定各耙材布置的關閉位置數(shù)據(jù)(關閉位置信息)和打開位置數(shù)據(jù)(打開位置信息)的表10b?？刂破?0還設置有位置信息獲取部10a，該位置信息獲取部10a用于從表10b獲取適合于靶材布置的擋板7和8的關閉位置或打開位置數(shù)據(jù)，以進行上述計算。在本說明書中，"關閉位置數(shù)據(jù)(關閉位置信息)"是指用于定位在擋板中形成的通孔的數(shù)據(jù)(信息)，使得當需要相對基板遮斷待濺射的靶材時(例如，在預濺射步驟時)，由第一及第二擋板7和8的至少之一來遮斷上述待濺射的靶材和基板之間的路徑。注意，在本發(fā)明中，作為布置兩個擋板即第一及第二擋板7和8的結(jié)果，待濺射的靶材和基拓J皮此間^皮遮斷。因此，不能只通過根據(jù)傳送到第一擋板7(第二擋板8)的第一關閉位置數(shù)據(jù)(第二關閉位置數(shù)據(jù))對第一擋板7(第二擋板8)進行控制，來遮斷全部待濺射的靶材。然而，在本發(fā)明中，通過將專用的關閉位置數(shù)據(jù)傳送給兩個擋板中的每一個來相互獨立地控制兩個擋板，從而基于兩個擋板之間的相互關系，相對基板遮斷全部待濺射的靶材。因此，作為布置兩個擋板的結(jié)果，即使在上述情況下，也可以實現(xiàn)上述遮斷。"開口位置數(shù)據(jù)(打開位置信息)"是指用于定位上述通孔的數(shù)據(jù)(信息)，使得當需要向基板暴露(expose)待濺射的靶材時(例如，在全標度濺射步驟時)，經(jīng)由在第一及第二擋板7和8上形成的通孔，向基板暴露上述待濺射的靶材。在本發(fā)明中，能夠通過改變兩個擋板的通孔重合的組合來調(diào)整同時濺射的靶材的數(shù)量。另外，能夠通過利用擋板的轉(zhuǎn)動改變通孔的位置，來向基板暴露想要的靶材，而與待賊射的靶材的位置無關。為了實現(xiàn)這些有利的效果，在本發(fā)明中，將專用的打開位置數(shù)據(jù)傳送給兩個擋板中的每一個以相互獨立地控制兩個擋板。即，根據(jù)由第一打開位置數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)動控制并定位的第一擋板7和由第二打開位置數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)動控制并定位的第二擋板8之間的相互關系，能夠?qū)崿F(xiàn)使第一及第二擋板7和8各自的通孔在恰當?shù)奈恢弥睾喜⒕哂星‘斨睾蠑?shù)量。在本發(fā)明中，如上所述，表10b將相應的關閉位置數(shù)據(jù)和打開位置數(shù)據(jù)與待濺射的靶材的各種布置(例如，以(E1、E2、E3)、(E3、E4、E5)、(E2、E4)、…表示的待濺射的靶材的各種布置)相關聯(lián)。因此，控制器10可以基于從濺射控制器13輸入的關于上述待濺射的耙材的布置的耙材布置信息，獲取適合于上述待濺射的耙材的布置的關閉位置數(shù)據(jù)和打開位置數(shù)據(jù)。注意，當用戶通過鍵盤或觸摸敏感面板等未示出的輸入操作單元輸入關于待濺射的靶材的信息時，濺射控制器13接收該輸入并生成識別待濺射的靶材的信息(示出哪個靶材是濺射對象的信息；靶材布置信息)。在該靶材布置信息中，可以包括關于待濺射的靶材的數(shù)量及其布置的信息。將使用圖4到7說明本發(fā)明中在預濺射步驟和全標度濺射步驟中進行的操作。圖5A是從基板1側(cè)觀察的靶材電極的示意性平面圖，而圖5B和5C是將第一及第二擋板7和8中的一個布置在另一個的上方并從基板l側(cè)觀察的示意性平面圖。此外，圖6A是與圖5B的截面A0B相對應的示意性截面圖，并且圖6B是與圖5C的截面AOB相對應的示意性截面圖。圖7是示出在預濺射步驟和全標度濺射步驟中靶材電極E1到E5的電壓的開-關狀態(tài)和第一及第二擋板7和8的打開和關閉位置之間的關系的時序圖。在本實施例中，將靶材布置假定為在同一圓周上連續(xù)布置耙材的把材電極E1、E2、E3的排歹'J。如圖5A所示，以72。的等角間距將靶材電極E1到E5布置在以轉(zhuǎn)動軸Y為中心的同一圓周上。在預賊射步驟中，將由電力控制部件(未示出)調(diào)整后的電壓施加到耙材電極E1、E2、E3。因此，需要遮斷安裝在靶材電極E1、E2和E3上的耙材6和基板1之間的路徑，以使得來自安裝在靶材電極上的待賊射的靶材6(以下稱之為"對象靶材")的粒子不會到達基板1。用于遮斷這些靶材6和基板1之間的路徑的第一及第二擋板7和8的組合對應于圖4B或4C中示出的模式。在本實施例中，假定為圖4B的模式。當從'減射控制器13接收3U轉(zhuǎn)換至預濺射步驟的定時信號及靼材布置信息的輸入時，控制器10的位置信息獲取部10a從表10b獲取適合于耙材布置的關閉位置數(shù)據(jù)(圖4B)。即，位置信息獲取部10a基于靶材布置信息參照表10b，并且獲取用于轉(zhuǎn)動第一擋板7的數(shù)據(jù)(第一關閉位置數(shù)據(jù))，以使得將通孔h7.!到h7_3相對于耙材電極E1到E3布置為如圖4B中間的圖所示。此外，位置信息獲取部10a基于靶材布置信息參照表10b,并且獲取用于轉(zhuǎn)動第二擋板8的數(shù)據(jù)(第二關閉位置數(shù)據(jù))，以使得通孔h^到h8_3相對于靶材電極E1到E3布置為如圖4B左側(cè)的圖所示。然后，控制器10將第一及第二關閉位置數(shù)據(jù)分別輸出給第一及第二驅(qū)動部件11和12。第一及第二驅(qū)動部件11和12將第一及第二擋板7和8轉(zhuǎn)動到對應于上述關閉位置數(shù)據(jù)的位置處。因此，由第一及第二擋板7和8至少之一遮斷對象靶材6和基板1之間的路徑。這樣，控制器10基于輸入的預濺射信號判斷為要進行預濺射步驟。因此，控制器10基于輸入的靶材布置信息參照表10b，并獲取合適的第一及第二關閉位置數(shù)據(jù)。隨后，控制器10將荻取的第一及第二關閉位置數(shù)據(jù)分別傳送給第一及第二驅(qū)動部20件，由此使得第一及第二驅(qū)動部件進行適合于關閉位置數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)動控制。注意，在預濺射步驟中，第一及第二擋板7和8各自的通孔h相互重合，由此開》文靶材電極E4和E5與基》反1之間的路徑。因此，由電力控制部件將靶材電極E4和E5的電力供給控制為關閉狀態(tài)。如上所述，在預濺射步驟中，在由第一及第二擋板7和8遮斷對象靶材6和基板l之間的路徑的情況下，將電壓施加到靶材電極E1、E2和E3。因此，'減射安裝在耙材電極E1、E2和E3上的對象靶材6。因此，能夠去除靶材6表面上的氧化膜等，而不使濺射的對象靶材6的粒子附著到基板1上。當預濺射步驟完成時，轉(zhuǎn)換為全標度濺射步驟。在全標度濺射步驟中，需要開放安裝在靶材電極E1、E2和E3上的對象靶材6和基板1之間的路徑。因此，將圖4A中示出的模式作為打開位置數(shù)據(jù)從表10b輸入給第一及第二驅(qū)動部件ll和12。即，位置信息獲取部10a基于靶材布置信息參照表10b,并且獲取用于轉(zhuǎn)動第一擋板7的數(shù)據(jù)(第一打開位置數(shù)據(jù))，以使得將通孔hw到117.3相對于靶材電極E1到E3布置為如圖4A中間的圖所示。此外，位置信息獲取部10a基于靶材布置信息參照表10b,并且獲取用于轉(zhuǎn)動第二擋板8的數(shù)據(jù)(第二打開位置數(shù)據(jù))，以使得將通孔到hw相對于靶材電極E1到E3布置為如圖4A左側(cè)的圖所示。然后，控制器10將所獲取的第一及第二打開位置數(shù)據(jù)分別輸出給第一及第二驅(qū)動部件11和12。第一及第二驅(qū)動部件11和12將第一及第二擋板7和8轉(zhuǎn)動到對應于上述打開位置數(shù)據(jù)的位置處。結(jié)果，由于第一及第二擋板7和8兩者的通孔h相互重合，對象靶材6和基板1之間的路徑開放。因此，從靶材電極E1、E2和E3上的對象靶材6濺射出的粒子達到基板l。因此，實現(xiàn)了三靶材共濺射。這樣，控制器10基于輸入的全標度賊射信號判斷為要進行全標度濺射步驟。因此，控制器10基于上述靶材布置信息參照表10b,并獲取適當?shù)牡谝患暗诙蜷_位置數(shù)據(jù)。隨后，控制器IO將所獲取的第一及第二打開位置數(shù)據(jù)分別傳送給第一及第二驅(qū)動部件，由此使得第一及第二驅(qū)動部件進行適合于打開位置數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)動控制。即，控制器10將特定的打開位置數(shù)據(jù)傳送給第一及第二驅(qū)動部件，以使得第一及第二擋板7和8相互獨立地轉(zhuǎn)動。因此，控制器10控制第一及第二擋板7和8的通孔的位置組合。此時，在本發(fā)明中，能夠使得第一及第二擋板7和8相互間無限制地轉(zhuǎn)動。因此，控制器10可以通過控制上述位置組合，向基板l暴露組合允許的數(shù)量中任意數(shù)量的靶材電極。這樣，在本發(fā)明中，控制器10根據(jù)對象靶材的數(shù)量及其布置位置在濺射處理時對第一及第二擋板7和8進行轉(zhuǎn)動控制，以使得向基板暴露全部對象靶材。即，控制器10根據(jù)想要的對象耙材的布置，相互獨立地控制第一及第二擋板7和8的轉(zhuǎn)動，以使得經(jīng)由形成在第一擋板7中的通孔和形成在第二擋板8中的通孔相互重合的區(qū)域，向基板暴露對象靶材(以使得上述重合區(qū)域與對象靶材相對)。結(jié)果，能夠緩解對象靶材的數(shù)量及其布置位置的限制并且改善組合對象靶材的自由度。另外，在上述日本特開2005-256112中，將兩個擋板中用作陰極選擇擋板的一個固定在同一位置，并且將另一擋板在預濺射步驟和全標度濺射步驟之間重新定位。即，在日本特開2005-256112中公開的技術如下在預濺射步驟和全標度濺射步驟中，將一個擋板固定在預定位置，并且只使用另一擋板控制到基板的路徑的開放。因此，由于固定了上述一個擋板，兩個擋板的組合被限制，并且能夠同時濺射的靶材的數(shù)量被限制。即，在日本特開2005-256112中公開的技術中，在沖丸行預濺射步驟時一個擋板的位置也影響全標度濺射步驟，因此，由于該影響使兩個擋板的組合受到限制。然而，在本發(fā)明中，根據(jù)想要的對象靶材的數(shù)量及其布置，控制器10相互獨立地控制在預賊射步驟和全標度濺射步驟中的兩個擋板的轉(zhuǎn)動。因此，能夠在不考慮預濺射步驟中擋板的位置的情況下確定全標度濺射步驟中擋板的位置。因此，緩解了對兩個擋板的組合的限制。因此，能夠改善與可以同時濺射的對象靶材的數(shù)量相關的自由度。注意，在全標度濺射步驟中，由第一及第二擋板7和8遮斷耙材電極E4和E5與基板1之間的路徑。因此，即使將靶材6安裝在華巴材電極E4和E5上并向靶材電極E4和E5施加電壓，來自安裝在耙材電極E4和E5上的耙材6的濺射粒子也不會到達基板1。然而，希望關閉不想要的靶材電極E4和E5的電力供給，以防止來自不進行濺射的耙材6(非對象靶材)的濺射粒子與上述濺射粒子混合。當全標度濺射步驟完成時，通過使第一及第二擋板7和8返回到用于遮斷對象靶材6和基板1之間的路徑的位置來物理地阻擋來自把材6的粒子，同時，關斷靶材電極E1、E2和E3的電源。通過重復上述預濺射步驟和全標度濺射步驟，能夠進行多個層的成膜。注意，時序圖不限于在圖7中示出的圖。例如，如圖14所示，可以在從預濺射步驟向全標度濺射步驟轉(zhuǎn)換期間(t2到t3)關斷靶材電極El、E2和E3的電源。因此，能夠更準確地控制膜厚度。盡管此前對在五靶材濺射設備中進行三靶材共濺射的情況下做出了說明，但是在本實施例的濺射設備中能夠在進行三靶材共濺射之前或之后進行雙靶材共濺射或單靶材濺射。具體地，在預濺射步驟中第一及第二擋板7和8的通孔h不重合的位置與靶材布置相互關聯(lián)。此外，在全標度濺射步驟中，第一及第二擋板7和8的通孔h重合的位置可以與對象靶材的位置相關聯(lián)。圖8A到8C是在通過使靶材布置中僅包括靶材電極E2來進行單耙材濺射的情況下從基板1側(cè)觀察靶材電極和第一及第二擋板7和8之間的位置關系的示意性平面圖。圖8A是從基板1側(cè)看到的粑材電極的示意性平面圖，而圖8B和8C是示出從基板1側(cè)看到的將第一及第二擋板7和8中的一個布置在另一個的上方的狀態(tài)的示意性平面圖。圖8B對應于預濺射步驟并且圖8C對應于全標度濺射步驟。在本實施例中，在全標度濺射步驟中僅開放安裝在輩巴材電極E2上的對象耙材6和基板1之間的^各徑。因此，在圖4C中示出的模式用作第一及第二擋板7和8的組合。注意，在上述的實施例中，作為擋板7和8的形狀，已經(jīng)示出了通過與靶材電極相關聯(lián)地設置多個大于靶材電極的圓形通孔來形成開口的例子。然而，在本發(fā)明中，擋板的形狀不限于此。例如，圖9A到9C示出如下例子將上述實施例的擋板7和8的通孔h7和h8分別結(jié)合在一起，從而將擋板形成為同時露出三個耙材電極。圖9A到9C從左到右分別示出第二擋板8、第一擋板7、在第二擋板8位于基板1側(cè)的狀態(tài)下使第一擋板7和第二擋板8中的一個疊在另一個的上方然后從基板側(cè)觀察的情況。在圖9A中，開》文三個靶材電極和基板1之間的路徑，并且遮斷兩個耙材電極和基板l之間的路徑。在圖9B中，開放兩個靶材電極和基^反1之間的^各徑，并且遮斷三個靶材電極和基板l之間的路徑。在圖9C中，開放一個靶材電極和基板l之間的路徑，并且遮斷四個耙材電極和基板l之間的路徑。因此，能夠通過從圖9A到9C中適當?shù)剡x擇來使用同一設備進行單靶材濺射直至三靶材共濺射。24此外，在上述實施例中，如圖1所示，使用了未將靶材電極El到E5平行于基板臺2布置而將其相對于基板臺2傾斜布置的賊射設備。然而，本發(fā)明不限于這種布置。例如，如圖10所示，可以使用將靶材電極E1到E5和基板臺2相互平行布置的濺射設備。另外，圖IIA到IIC是示出在本發(fā)明中使用的擋板7和8的形狀的另一個例子的示意性平面圖。圖IIA示出將等同于兩個靶材電極的關閉區(qū)域形成為扇形的例子。圖IIB示出通過支撐軸將寬于靶材電極的圓形關閉區(qū)域結(jié)合在一起從而形成勺狀形狀的例子。圖IIC示出例如圖4示出的擋板7和8的通孔和擋板的外周之間的區(qū)域被切除的形狀。此外，圖12示出將關閉區(qū)域形成為花瓣形狀的例子。注意，在本發(fā)明中，擋板7和8不必是相同的形狀。此外，靶材電極的數(shù)量可以與開口相關聯(lián)地改變，反之亦然。例如，在五耙材濺射設備中進行三革巴材共賊射的情況下，擋板7和8可以具有一個擋才反的關閉區(qū)域與兩個靶材電才及相對應而另一擋板的關閉區(qū)域與一個靶材電極相對應的形狀。圖13A和13B示出在第一擋板7中形成四個通孔hw到h7-4的例子。此外，這些圖從左到右分別示出第二擋板8、第一擋板7、在第二擋板8位于基板1側(cè)的狀態(tài)下使第一擋板7和第二擋板8中的一個疊在另一個的上方然后從基板側(cè)觀察的情況。在圖13A中，第一及第二擋板7和8各自的三個通孔hw到h7-3和h8-!到hs.3的位置相互重合。因此，能夠開放三個靶材電極中的每一個與基板l之間的路徑。在圖13B中，將第一擋板7的通孔h的位置相對于圖13A的狀態(tài)逆時針轉(zhuǎn)動72。，由此在圓周方向上將位置偏離一個通孔。因此，在兩個擋板7和8中的一個疊在另一個的上方的情況下，通25孔h7-3和hw與h7.4和h8-2分別相互重合。因此，開放兩個靶材電極中的每一個與基板l之間的路徑。因此，能夠遮斷三個靶材電極和基板l之間的路徑。因此，在進行三靶材共濺射時，可以使用圖13B的模式進行預濺射步驟，并且使用圖13A的模式進行全標度濺射步驟。例子使用圖l中示出的濺射設備，進行使用分別由Fe、Co和Ni片制成的,茲性耙材6的三靶材共濺射，并且制造各種Fe-Co-Ni合金薄膜。在本例子中，首先將具有熱氧化膜的、直徑為l，300mm的Si基板l放置在基板臺2上。然后，布置直徑為180mm的靶材電極E1到E5，并且將直徑為180mm的盤狀靶材6安裝在其上。在本例子中，將Fe、Co和Ni靶材6分別安裝在靶材電極El、E2和E3上。首先，使用干式泵(未示出)對真空腔4大致抽真空。然后，將干式泵改成低溫泵(未示出)來對真空腔4抽真空直到7xlO'》a的超高真空范圍。之后，引入氬氣直到達到0.03Pa的壓力，并且將第一及第二擋板7和8布置在關閉位置。具體地，根據(jù)圖4B中示出的組合，如圖5B所示布置擋板。即，分別轉(zhuǎn)動擋板，從而將第一擋板7的通孔hw到hw定位成與靶材電極El、E4和E5相對，并且將第二擋板8的通孔h8_i到h8_3定位成與靶材電極E3、E4和E5相對。在這種擋板布置中，不暴露安裝有靶材6的靶材電極E1、E2和E3。在這種情況下，通過只向安裝有靶材6的靶材電極E1、E2和E3施加電力來開始放電，以開始預濺射步驟。將該預濺射步驟保持1分鐘，以除去附著在靶材6的表面上的雜質(zhì)。接著，轉(zhuǎn)動第一及第二擋板7和8，并根據(jù)圖4A中示出的組合，如圖5C所示布置第一及第二擋板7和8，由此開放靶材6和基板l之間的路徑。具體地，在紙面中相對關閉位置分別將第一擋板7逆時針轉(zhuǎn)動144。并且將第二擋板8順時針轉(zhuǎn)動144。。因此，暴露安裝到已經(jīng)進行了放電的靶材電極E1、E2和E3上的靶材6，并且開始全標度濺射步驟。以上述方式，能夠在位于真空腔4下部的基板臺2上轉(zhuǎn)動的Si基板l上形成Fe-Co-Ni合金薄膜。在本例子中，每l瓦l秒的Fe、Co和Ni原子的沉積速率分別是0.000156nm/(W.sec)、0.000191nm/(W'sec)和0.000239nm/(W.sec)。因此，能夠通過改變施加給各靶材電才及E1、E2和E3的電力的比率來調(diào)整所生成的Fe-Co-Ni合金薄膜的組份。同樣，能夠通過改變暴露時間(=成膜時間)來調(diào)整所生成的Fe-Co-Ni合金薄膜的厚度。表l總結(jié)了所施加的電力與所生成的Fe-Co-Ni合金薄膜的組份和厚度。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>其它實施例可以通過在濺射設備中構(gòu)建上述控制器10或者通過使用濺射設備以外的設備進行控制10的上述處理來實現(xiàn)本發(fā)明。當使用濺射設備以外的設備實現(xiàn)在控制器10處進行的處理時，控制器10適用于例如計算機或接口裝置等信息處理裝置。在這種情況下，可以由有線部件或無線部件互連信息處理裝置和濺射設備，并且通過上述互連將本發(fā)明的信息特性(例如，打開位置數(shù)據(jù)和關閉位置數(shù)據(jù))從信息處理裝置輸入到濺射設備。如下處理方法也包括在上述實施例的范圍內(nèi)將用于操作上述實施例的配置的程序存儲在存儲介質(zhì)中，以實現(xiàn)上述實施計算機上執(zhí)行。即，計算機可讀存儲介質(zhì)也包括在本實施例的范圍內(nèi)。此外，不僅存儲有上述計算機程序的存儲介質(zhì)而且計算機程序本身也包括在上述實施例中。作為這種存儲介質(zhì)，可以使用例如軟盤(floppy，注冊商標)、硬盤、光盤、磁光盤、CD-ROM、磁帶、非易失性存儲卡或ROM。來執(zhí)行處理的方法。而且，與其它軟件和/或擴展板的功能共同地在操作系統(tǒng)下執(zhí)行從而實現(xiàn)上述實施例的操作的處理方法也包括在上述實施例的范圍內(nèi)。28權利要求1.一種濺射設備，在所述濺射設備的真空腔內(nèi)包括能夠保持靶材的多個靶材電極以及能夠遮斷所述靶材電極和被處理基板之間的路徑的遮斷裝置，其中，所述多個靶材電極被布置在以垂直于所述被處理基板的待處理表面并穿過所述待處理表面的中心的線為中心的同一圓周上，所述遮斷裝置包括第一擋板和第二擋板，其相互重疊，并繞著布置有所述多個靶材電極的同一圓周的中心轉(zhuǎn)動；第一驅(qū)動部件和第二驅(qū)動部件，用于相互獨立地轉(zhuǎn)動所述第一擋板和所述第二擋板；以及驅(qū)動控制部件，用于控制所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件；其中，所述第一擋板和所述第二擋板均具有用于向所述被處理基板暴露至少一個靶材電極的至少一個開口，并均具有適合于遮斷至少一個靶材電極和所述被處理基板之間的路徑的形狀，所述驅(qū)動控制部件能夠控制所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件以相互獨立地轉(zhuǎn)動所述第一擋板和所述第二擋板，并且通過所述第一擋板和所述第二擋板的所述開口的位置組合，能夠向所述被處理基板暴露所述位置組合允許的數(shù)量中任意數(shù)量的靶材電極，以及在通過開放待濺射的靶材和所述被處理基板之間的路徑來進行濺射的濺射處理時，所述驅(qū)動控制部件根據(jù)所述待濺射的靶材的數(shù)量和所述待濺射的靶材的布置，控制所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件，以相互獨立地轉(zhuǎn)動所述第一擋板和所述第二擋板，從而經(jīng)由所述第一擋板和所述第二擋板的所述開口相互重合的區(qū)域向所述被處理基板暴露所述待濺射的靶材，以使得向所述被處理基板暴露全部所述待濺射的靶材。2.根據(jù)權利要求l所述的濺射設備，其特征在于，所述驅(qū)動控制部件還包括表，所述表將所述待濺射的靶材的各布置位置與用來定位所述開口以使得經(jīng)由所述第一擋板和所述第二擋板兩者的所述開口向所述被處理基板暴露所述待濺射的靶材的打開位置信息相關聯(lián)，所述驅(qū)動控制部件在獲取到關于所述待濺射的靶材的布置位置的耙材布置信息時參照所述表，獲取適合于所述靶材布置信息的所述打開位置信息，并將所述打開位置信息傳送給所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件，以及所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件基于接收到的所述打開位置信息，相互獨立地轉(zhuǎn)動所述第一擋板和所述第二擋板，從而向所述被處理基板暴露全部所述待濺射的靶材。3.根據(jù)權利要求l所述的濺射設備，其特征在于，對于所述賊射處理和預濺射處理，所述驅(qū)動控制部件相互獨立地控制所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件，所述預濺射處理在所述濺射處理之前進行，并且在所述預濺射處理中，在由擋板遮斷所述待賊射的靶材和所述被處理基板之間的路徑的情況下進4亍;故電，以及所述驅(qū)動控制部件控制所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件，以相互獨立地轉(zhuǎn)動所述第一擋板和所述第二擋板，從而使得所述第一擋板和所述第二擋板在所述預濺射處理中分別轉(zhuǎn)動，以遮斷所述待濺射的靶材和所述#皮處理基板之間的路徑。4.根據(jù)權利要求3所述的濺射設備，其特征在于，所述驅(qū)動控制部件還包括表，所述表將所述待濺射的靶材的各布置位置與用來定位所述開口以使得經(jīng)由所述第一擋板和所述第二擋板兩者的所述開口向所述被處理基板暴露所述待濺射的靶材的打開位置信息相關聯(lián)，并將所述待濺射的靶材的各布置位置與用來定位所述開口以使得由所述第一擋板和所述第二擋板至少之一遮斷所述待濺射的耙材和所述被處理基板之間的路徑的關閉位置信息相關聯(lián)，在所述賊射處理時，所述驅(qū)動控制部件在獲取到關于所述待'減射的耙材的布置位置的靶材布置信息時參照所述表，獲取適合于所述靶材布置信息的所述打開位置信息，并將所述打開位置信息傳送給所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件，在所述預'減射處理時，所述驅(qū)動控制部件在獲取^)j所述靶材布置信息時參照所述表，獲取適合于所述靶材布置信息的所述關閉位置信息，并將所述關閉位置信息傳送給所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件，所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件基于接收到的所述打開位置信息，相互獨立地轉(zhuǎn)動所述第一擋板和所述第二擋板，從而向所述被處理基板暴露全部所述待濺射的靶材，以及所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件基于接收到的所述關閉位置信息，相互獨立地轉(zhuǎn)動所述第一擋板和所述第二擋板，5.根據(jù)權利要求l所述的濺射設備，其特征在于，所述靶材電極的數(shù)量是2n+l，并且所述第一擋板和所述第二擋板均具有與n+l個或更多個靶材電極相對應的開口，其中，n是自然數(shù)。6.根據(jù)權利要求l所述的濺射設備，其特征在于，還包括電力控制部件，所述電力控制部件用于關閉與非對象靶材相對應的耙材電極的電力供給。7.根據(jù)權利要求l所述的濺射設備，其特征在于，還包括能夠與安裝在其上的所述被處理基板一起轉(zhuǎn)動的基板臺，其中，所述靶材電極被布置在以所述基板臺的轉(zhuǎn)動中心為中心的同一圓周上，并且所述靶材電極的用于保持靶材的各表面的法線相對于所述被處理基板的所述待處理表面的法線傾斜。8.—種用于控制濺射設備的方法，所述濺射設備在其真空腔內(nèi)包括能夠保持靶材的多個靶材電極以及能夠遮斷所述靶材電極和被處理基板之間的路徑的遮斷裝置，所述多個靶材電極被布置在以垂直于所述被處理基板的待處理表面并穿過所述待處理表面的中心的線為中心的同一圓周上，所述遮斷裝置包括第一擋板和第二擋板，其相互重疊，并繞著布置有所述多個靶材電極的同一圓周的中心轉(zhuǎn)動；以及第一驅(qū)動部件和第二驅(qū)動部件，用于相互獨立地轉(zhuǎn)動所述第一擋板和所述第二擋板，所述第一擋板和所述第二擋板均具有用于向所述被處理基板暴露至少一個耙材電極的多個開口，并均具有適合于遮斷至少一個耙材電極和所述被處理基板之間的路徑的形狀，其中，所述控制方法能夠控制所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件以相互獨立地轉(zhuǎn)動所述第一擋板和所述第二擋板，并且通過所述第一擋板和所述第二擋板的所述開口的位置組合，能夠向所述被處理基板暴露所述位置組合允許的數(shù)量中任意數(shù)量的革巴材電極，以及在通過開放待濺射的靶材和所述被處理基板之間的路徑來進行濺射的濺射處理時，所述控制方法根據(jù)所述待濺射的靶材的數(shù)量和所述待賊射的耙材的布置，控制所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件，以相互獨立地轉(zhuǎn)動所述第一擋板和所述第二擋板，從而經(jīng)由所述第一擋板和所述第二擋板的所述開口相互重合的區(qū)域向所述被處理基板暴露所述待濺射的靶材，以使得向所述被處理基板暴露全部所述待濺射的靶材。9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其特征在于，包括如下步獲取關于所述待濺射的靶材的布置位置的靶材布置信息；參照將所述待濺射的靶材的各布置位置與用來定位所述開口以使得經(jīng)由所述第一擋板和所述第二擋板兩者的所述開口向所述被處理基板暴露所述待濺射的靶材的打開位置信息相關聯(lián)的表，獲取適合于所述靶材布置信息的所述打開位置信息，并將所述打開位置信息傳送給所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件。10.根據(jù)權利要求8所述的方法，其特征在于，包括如下步驟控制所述濺射設備，以在所述濺射處理之前進行預濺射處理，在所述預'踐射處理中，在由擋板遮斷所述待'減射的耙材和所述被處理基板之間的路徑的情況下進行放電，其中，對于所述濺射處理和所述預濺射處理，所述控制方法相互獨立地控制所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件，以及，在所述預濺射處理中，所述控制方法控制所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件，以相互獨立地轉(zhuǎn)動所述第一擋板和所述第二擋板，從而使得所述第一擋板和所述第二擋板分別轉(zhuǎn)動，以遮斷所述待賊射的輩巴材和所述纟皮處理基4反之間的路徑。11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其特征在于，包括如下步驟獲取關于所述待濺射的靶材的布置位置的靶材布置信息；在所述預濺射處理時，參照將所述待濺射的靶材的各布置位置與用來定位所述開口以使得由所述第一擋板和所述第二擋板至少之一遮斷所述待濺射的靶材和所述被處理基板之間的路徑的關閉位置信息相關聯(lián)的表，獲取適合于所述靶材布置信息的所述關閉位置信息，并將所述關閉位置信息傳送給所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件；以及在所述賊射處理時，參照將所述待濺射的靶材的各布置位置與用來定位所述開口以使得向所述被處理基板暴露所述待濺射的耙材的打開位置信息相關聯(lián)的表，獲取適合于所述靶材布置信息的所述打開位置信息，并將所述打開位置信息傳送給所述第一驅(qū)動部件和所述第二驅(qū)動部件。12.—種計算機程序，用于使計算機執(zhí)行根據(jù)權利要求8所述的方法。13.—種存儲有計算機可讀程序的存儲介質(zhì)，其中，在所述存儲介質(zhì)中存儲有根據(jù)權利要求12所述的計算機程序。全文摘要本發(fā)明提供一種可同時濺射的靶材的數(shù)量增加的多靶材濺射設備及其控制方法。在本發(fā)明的一個實施例中，在基板和靶材電極之間設置有第一及第二擋板，并且由擋板遮斷對象靶材與基板之間的路徑以進行預濺射處理。此外，在轉(zhuǎn)換為全標度濺射步驟時，適當?shù)剞D(zhuǎn)動第一及第二擋板以使設置在擋板中的通孔重合，由此開放對象靶材與基板之間的路徑。然后，進行全標度濺射步驟。文檔編號C23C14/56GK101514441SQ20091011780公開日2009年8月26日申請日期2009年2月23日優(yōu)先權日2008年2月21日發(fā)明者恒川孝二申請人:佳能安內(nèi)華股份有限公司