專利名稱：一種連續(xù)卷繞式磁控濺射真空鍍膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于板式太陽能中的太陽能選擇性吸收涂層的連續(xù)鍍膜設(shè)備， 屬于太陽能熱利用領(lǐng)域，尤其可以持續(xù)不間斷在金屬帶巻上鍍制選擇性鍍膜涂 層的專用生產(chǎn)設(shè)備。背景技術(shù)：
太陽能熱水器就是吸收太陽的輻射熱能，加熱冷水提供給人們在生活、生 產(chǎn)中使用的節(jié)能設(shè)備。它是我國太陽能熱利用中最為成熟和最為先進(jìn)的產(chǎn)品。 為百姓提供環(huán)保、安全、節(jié)能、衛(wèi)生的新型熱水器產(chǎn)品。我過前些年的太陽能 熱水器主要是以真空管太陽能熱水器為主，但是真空管太陽能熱水氣只時候使 用在小型獨立使用的太陽能熱水器中。隨著太陽能利用的不斷進(jìn)步，現(xiàn)在一些 大型太陽能熱水器多采用平板式太陽能熱水器，由于這種太陽能熱水器中的集 熱板采用的都是金屬板，在堅固耐用方面具有顯著的優(yōu)點，基本可以達(dá)到與建 造物具有相同的使用壽命。而其中的集熱板表面的選擇性涂層的鍍制質(zhì)量和性 能，是決定整個太陽能設(shè)備性能的關(guān)鍵技術(shù)。通過對中國專利的査詢，中國專
利200420077793.6中公開了一種太陽能選擇性吸收涂層連續(xù)鍍膜裝置，該裝 置中是采用在每一個工藝室之前，或者連續(xù)鍍膜時兩個工藝室之間設(shè)置一個獨 立的真空過度裝置，這樣可以達(dá)到獨立部件的連續(xù)鍍制。但是上述的設(shè)備在鍍 制過程中，工件在每一個鍍膜之后，都會脫落真空環(huán)境之后進(jìn)入真空過度裝置中，這樣由于在兩次鍍制過程中工件在溫度和真空條件變化，容易影響鍍膜的 質(zhì)量。另外上述的連續(xù)鍍膜裝置只是獨立部件的連續(xù)鍍膜裝置，還無法實現(xiàn)對 于成巻的金屬條帶進(jìn)行長時間連續(xù)鍍膜生產(chǎn)。隨著我國板式太陽能設(shè)備應(yīng)用的 普及和擴(kuò)大。行業(yè)中急需一種生產(chǎn)效率高，且產(chǎn)品質(zhì)量非常穩(wěn)定的新型鍍膜裝 置。上述的問題長期存在于本行業(yè)中，至今沒有得到 一個非常有效的技術(shù)解決 方案。
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的主要目的是提供一種長時間持續(xù)鍍制太陽能選擇性涂層的專 用鍍膜設(shè)備，該設(shè)備具有生產(chǎn)效率高，質(zhì)量穩(wěn)定和膜層性能優(yōu)異的優(yōu)點。
為了達(dá)到上述的技術(shù)目的，本實用新型采用的技術(shù)解決方案包括以下技術(shù) 內(nèi)容 一種連續(xù)巻繞式磁控濺射真空鍍膜裝置，包括放巻室、收巻室、張力控 制室、預(yù)處理室、工藝室組成，放巻室和收巻室分別位于設(shè)備的首末兩端，放 巻室和收巻室分別與一個張力控制室連接，放巻室一端的張力控制室連接有預(yù) 處理室，預(yù)處理室和收巻室一端的張力控制室之間設(shè)置有至少一個工藝室，上 述的放巻室、收巻室的一端及張力控制室、預(yù)處理室、工藝室的兩端均設(shè)置有 相同規(guī)格的法蘭盤，并通過法蘭盤依次連接上述放巻室、收巻室、張力控制室、 預(yù)處理室、工藝室為一體，所述的放巻室、張力控制室、預(yù)處理室、工藝室、 收巻室均為真空室，所述的放巻室、張力控制室、預(yù)處理室、工藝室、收巻室 中均設(shè)有傳輸使用的輥。
所述的放巻室中設(shè)置有低溫吸附阱， 一般低溫吸附阱設(shè)置為-120'C深冷阱，其中部設(shè)置有放置被鍍膜帶材的輥、放巻室內(nèi)腔與真空系統(tǒng)如擴(kuò)散泵等真空泵 連接。
所述的收巻室同樣設(shè)有放置帶材的收巻輥，收巻室內(nèi)腔與真空系統(tǒng)如擴(kuò)散 泵等真空泵連接。
所述的兩個張力控制室中內(nèi)腔連接有真空系統(tǒng)如擴(kuò)散泵等真空泵，且其內(nèi) 腔中水平設(shè)置有由三個輥構(gòu)成的三角形張力控制裝置。
所述的預(yù)處理室中設(shè)置有離子源，其空腔中連接真空系統(tǒng)如分子泵等真空泵。
所述的工藝室中設(shè)置有一組中頻靶，其中設(shè)置有三個輥，中頻靶圍繞中部 的主輥布置，以便做磁控濺射時靶材材料均勻濺射到待鍍的材料帶材表面，中 部的主輥是水冷輥，便于通過水冷調(diào)節(jié)鍍膜工藝所需要的穩(wěn)定溫度，工藝室分 為上下兩個腔體，用隔離板隔開，分別連接單獨的真空系統(tǒng)(如分子泵系統(tǒng))， 分別抽真空，并且控制不同的真空度，防止上下室的反應(yīng)氣體相串，所述的一 組中頻靶主要是根據(jù)產(chǎn)品工藝進(jìn)行調(diào)整，如果需要鍍制的膜層的厚度薄，那么 只使用一個中頻靶就可以滿足鍍制工藝的要求，如果鍍制的膜層的厚度較厚， 則需要設(shè)置兩個三個甚至更多的中頻耙。
所述的工藝室為一個以上，可以根據(jù)不同的工藝要求，鍍?nèi)龑幽せ蛩膶幽ぃ?以四個工藝室鍍?nèi)龑幽槔?，第一個室中的一組中頻靶為不銹鋼靶，濺射金屬
過渡層，調(diào)節(jié)真空度為10—4Pa，電壓480V，以提高待鍍帶材表面結(jié)合力和抗腐
蝕性能；第二個室中的一組中頻耙為鋁靶，通氮氣進(jìn)行反應(yīng)濺射，濺射室內(nèi)氣壓保持在0.5Pa-lX10"Pa，電壓400V;第三個室中的一組中頻靶也為鋁靶，氣 壓保持在0.5X10"Pa，電壓380V同樣通氮氣進(jìn)行反應(yīng)濺射，通過控制第三和第 二室不同的氣壓獲得不同的金屬體積比的膜層，從而獲得具有一定光譜特性的 薄膜，該膜層對可見光具有選擇性吸收性能；第四個室中的一組中頻靶用鋁靶， 通氧氣進(jìn)行反應(yīng)濺射，在第二和第三層膜上鍍一層減反射膜，同時該膜層還有 防腐作用，提高膜層的耐候性。
所述的末端張力控制室和工藝室之間設(shè)置有檢測糾偏室，其中設(shè)置有太陽 吸收率和發(fā)射率的多點連續(xù)檢測設(shè)備和輸送帶材的輥及動力總成。
所述的放巻室、收巻室、張力控制室、預(yù)處理室、多個工藝室兩端至少有 一端設(shè)置有隔離板，該隔離板全部或者至少接觸部分使用彈性的材料制成，一 對隔離板對置的縫隙由彈性材料密閉，該縫隙與帶材通過位置相應(yīng)且?guī)Р挠煽p 隙中通過。
由于本實用新型采用了上述的技術(shù)解決方案，所具有以下積極的技術(shù)效果 和優(yōu)點首先本實用新型通過采用了在鍍膜工藝過程中涉及到的設(shè)備，均采用 標(biāo)準(zhǔn)化的法蘭盤進(jìn)行連接，使得上述的生產(chǎn)設(shè)備具備了可組合的性能，這樣可 以是上述的設(shè)備可以方便的改動，以滿足各種不同的鍍膜工藝過程，這種結(jié)構(gòu) 可以明細(xì)的增加設(shè)備的適應(yīng)能力；另外本實用新型通過在放巻室中設(shè)置低溫吸 附阱的結(jié)構(gòu)，配合使用擴(kuò)散泵和承重能力強(qiáng)的輥，使得上述的成巻銅帶或者鋁 帶得到了預(yù)先質(zhì)量，為后續(xù)工藝提供了良好的工藝條件；本實用新型通過在多 個真空室兩端設(shè)置張力控制室，使得工藝室中的金屬條帶的張力得到良好的控制，使條帶以最佳的狀態(tài)進(jìn)入上述的工藝室；本實用新型中通過在多個工藝室 中設(shè)置隔離板的結(jié)構(gòu)，為本實用新型中的關(guān)鍵技術(shù)特點，通過隔離板的設(shè)置將 工藝室分隔成上下兩個部分，而條帶由工藝室的下發(fā)進(jìn)入每一個工藝室屮，這 是在每一個工藝室的上下分別使用分子泵抽氣，可以有效的防止工藝室的氣體 竄氣，保證個工藝室中形成的工藝條件，采用這種結(jié)構(gòu)的工藝室，可以使上下 兩個工藝室具有不同的氣壓，而工藝室上面氣壓只有零點幾帕，下面氣壓有 10—2帕，有兩個數(shù)量級的質(zhì)差，因此可以保證上下不會竄氣，帶材從下部進(jìn)出工 藝室，因上部的工作氣體在壓差的作用下，不會竄到下面，這樣也就保證了左 右不同的工藝室之間不會竄氣；本實用新型中在工藝室中所使用的輥均為水冷 輥，采用水冷輥可以通過控制輥的溫度，達(dá)到控制帶材溫度的作用，這樣可以 將離子轟擊帶材表面所產(chǎn)生的熱量通過水冷輥使其控制到最佳的平衡工作溫 度；最后在上述的多個工藝室末端設(shè)置有檢測糾偏室，在上述帶材完成鍍膜之 后，立即進(jìn)行太陽能吸收率和發(fā)射率檢測，當(dāng)檢測結(jié)果產(chǎn)生偏差的時候，可以 根據(jù)上述的檢測結(jié)果，及時調(diào)整工藝室中的工作條件或者帶材的輸送速度，使 帶材的鍍膜質(zhì)量得到有效的保證。
總之，本實用新型通過采用上述的一系列合理的設(shè)計，提供了一種可以連 續(xù)不間斷對成巻帶材鍍制太陽能選擇性涂層的新型鍍制設(shè)備，該設(shè)備可以根據(jù) 實時對鍍膜的質(zhì)量檢測結(jié)合動態(tài)的工藝條件控制，不但大幅提高了生產(chǎn)效率， 同時也使上述的鍍膜涂層的質(zhì)量得到非常有效的保證。
圖1為本實用新型的連續(xù)鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下一歩結(jié)合附圖對本實用新型進(jìn)行進(jìn)一步的說明
本實用新型是針對板式太陽能集熱器中使用的集熱板表面上鍍制的選擇性 吸收涂層的專用設(shè)備，該設(shè)備主要的優(yōu)點是一種連續(xù)巻繞式磁控濺射真空鍍膜 裝置，在針對大型的巻狀帶材進(jìn)行長吋間的持續(xù)鍍膜工作，可以大幅提高鍍膜 的生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本和提高鍍膜質(zhì)量的優(yōu)。如圖1所示，包括放巻室l、 收巻室2、張力控制室3、預(yù)處理室4、工藝室5組成生產(chǎn)線，放巻室l和收巻 室2分別位于設(shè)備的首末兩端，主要的功能是用于放置和收取金屬帶材，常用
的帶材為厚度在零點幾毫米的銅帶或者鋁帶。放巻室1和收巻室2分別與一個 張力控制室3連接，放巻室1 一端的張力控制室3連接有預(yù)處理室4，預(yù)處理室 4是在鍍膜之前去除帶材表面的雜質(zhì)，提高鍍層的附著力。預(yù)處理室4和收巻室 2 —端的張力控制室3之間設(shè)置有至少一個工藝室5，這些工藝室5設(shè)置的數(shù)量 與鍍膜的工藝和鍍制的可選擇性涂層的材質(zhì)和構(gòu)成有關(guān)，即根據(jù)鍍層的層數(shù)和 工藝釆用不同數(shù)量的工藝室5。本實用新型的設(shè)計思路是采用模塊化設(shè)計，所以 上述的設(shè)備均具有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)法蘭盤6連接端，這樣在生產(chǎn)過程中可以根據(jù)使 用產(chǎn)品鍍膜工藝方便的進(jìn)行設(shè)備調(diào)整。所以在放巻室1、收巻室2的一端及張力 控制室3、預(yù)處理室4、工藝室5的兩端均設(shè)置有相同規(guī)格的法蘭盤6，并通過 法蘭盤6依次連接上述放巻室1、收巻室2、張力控制室3、預(yù)處理室4、工藝 室5為一體，所述的放巻室l、張力控制室3、預(yù)處理室4、工藝室5、收巻室2均為真空室，所述的放巻室l、張力控制室3、預(yù)處理室4、工藝室5、收巻室2 中均設(shè)有傳輸使用的輥9。通過上述的多個不同功能的獨立工作室進(jìn)行組合，即 構(gòu)成本實用新型的連續(xù)巻繞式磁控濺射真空鍍膜裝置。
下面針對每一工作室進(jìn)行詳細(xì)的說明
所述的放巻室1中部安裝的是放置帶材8的輥9，其在放巻室1內(nèi)還安裝有 低溫吸附阱，以便形成-120度的溫度的真空環(huán)境，在這樣的工作環(huán)境下，有助 于吸附帶材上的氣體，從而減少進(jìn)入之后工藝室中的氣體，使工藝室5中具有 更好的鍍膜環(huán)境。在上述放巻室1的一側(cè)，設(shè)置有通過雙閥連接的羅茨泵，也 可以使用擴(kuò)散泵等其他真空泵，用于形成放巻室1中的真空環(huán)境。另外上述的 輥9上還連接有驅(qū)動輥轉(zhuǎn)動的驅(qū)動電機(jī)，在放巻室中可以不設(shè)置驅(qū)動電機(jī)，而 通過收巻室中的驅(qū)動電機(jī)拉動帶材來實現(xiàn)放巻過程。其一端的出口處設(shè)置有隔 離板IO，該隔離板10全部或者至少接觸部分使用彈性的材料制成， 一對隔離板 10對置的縫隙由彈性材料密閉，該縫隙與帶材8通過位置相應(yīng)且?guī)Р?由縫隙 中通過。為了使帶材8的輸送方向于上述的縫隙方向水平，在帶材8放置的輥 的一側(cè)設(shè)置有用于調(diào)整帶材8方向的輥9。
所述的收巻室2結(jié)構(gòu)于放巻室1結(jié)構(gòu)基本相同，只是其中不需要設(shè)置低溫 吸附阱，因為已經(jīng)經(jīng)過鍍膜工藝之后，成膜之后的帶材沒有必要進(jìn)行吸附處理， 另外在收巻室中設(shè)置有驅(qū)動電機(jī)及變速裝置，該驅(qū)動電機(jī)用于驅(qū)動收巻室2中 的輥轉(zhuǎn)動并帶動帶材運(yùn)動，需要注意的是該電機(jī)應(yīng)該可以調(diào)整轉(zhuǎn)速，因為帶材8 鍍膜的過程，需要上述的帶材8具有恒定的線速度。所述的兩個張力控制室3中內(nèi)腔連接有擴(kuò)散泵，該擴(kuò)散泵設(shè)置在張力控制 室3的一側(cè)，用于使張力控制室3中形成真空環(huán)境。其兩端設(shè)置有與放巻室2
等統(tǒng)一規(guī)格的法蘭盤6，至少一個法蘭盤6內(nèi)設(shè)置有隔離板10。張力控制室3 的其內(nèi)腔中水平設(shè)置有由三個輥9構(gòu)成的二角張力控制裝置。
所述的預(yù)處理室4中設(shè)置有離子源及電源，真空室并抽真空后，在預(yù)處理 室4中通入Ar氣，開耙極電源，加陰極電壓350V-500V電離Ar氣，利用Ar 在電場作用下獲得動能加速撞擊靶面，使靶面原子濺射出來并沉積在基片表面 實現(xiàn)薄膜沉積，同時耙材背面磁場束縛電子，增加電子碰撞幾率，提高高化率。 其空腔中設(shè)置有分子泵，以便形成真空環(huán)境，同樣在預(yù)處理室4的兩端，設(shè)置 有統(tǒng)一規(guī)格的法蘭盤6，法蘭盤6內(nèi)側(cè)是隔離板10。為了使上述的預(yù)處理室4 中形成上下兩個相對獨立的腔體的結(jié)構(gòu)，在預(yù)處理室4的中部設(shè)置有隔離板10， 該隔離板10全部或者至少接觸部分使用彈性的材料制成， 一對隔離板10對置 的縫隙由彈性材料密閉，該縫隙與帶材8通過位置相應(yīng)且?guī)Р?由縫隙中通過。 實際使用是可以情況使用不同結(jié)構(gòu)的隔離板10，如圖1中的隔離板10設(shè)置為三 個，位于帶材10中部的一個隔離板10和帶材8兩側(cè)的另外兩個隔離板10相互 配合，形成兩條由彈性材料閉合的縫隙，帶材8分別由這兩條縫隙中進(jìn)出。預(yù) 處理室4中的離子源及電源一般設(shè)置在預(yù)處理室4的上方中部，其中部為直徑 較粗的主輥11，主輥11的兩側(cè)設(shè)置有用于調(diào)整條帶方向的輥9。
所述的工藝室5中設(shè)置有一組中頻靶12，工藝室5其中設(shè)置有三個輥，設(shè) 置在中部的為做為鍍制過程主要工作面的主輥11，其兩側(cè)是調(diào)整條帶方向的輥9。主輥11的直徑要比較粗大，使其表面比較寬闊，以便中頻靶12進(jìn)行膜層的 鍍制。中頻靶12位于位于中部的主輥11的上方，在本實用新型中采用的是對
應(yīng)設(shè)置一組中頻靶12，中頻靶12的設(shè)置為一個以上，而設(shè)置的數(shù)量與工藝的要 求有關(guān)，如果需要鍍制的膜層很厚，則需要使用更多的中頻靶12。其空腔中設(shè) 置有分子泵。需要說明的是在工藝室5中的輥為水冷輥9。由于在鍍膜過程中， 離子轟擊金屬表面的時候會產(chǎn)生熱量，所以在輥9中通入冷水進(jìn)行水冷可以平 衡控制帶材8的溫度，另外由于本實用新型中的連續(xù)巻繞式磁控濺射真空鍍膜 裝置采用的連續(xù)工作的方式， 一次鍍膜至少在20個小時以上，采用水冷輥9是 必須的溫度控制手段。同前一個工作室一樣工藝室5的兩端也設(shè)置統(tǒng)一規(guī)格的 標(biāo)準(zhǔn)法蘭盤6，其內(nèi)側(cè)設(shè)置有隔離板IO，這個隔離板10的作用主要是隔離各個 工藝室之間的空氣，放置工藝室之間竄氣。
另外在所述的工藝室5中部設(shè)有工藝室隔離板10將工藝室5分隔成上下兩 個氣室，該隔離板10為平板形狀，且為兩個相對設(shè)置將工藝室5分隔成兩個獨 立腔體，該隔離板10全部或者至少接觸部分使用彈性的材料制成， 一對隔離板 10對置的縫隙由彈性材料密閉，該縫隙與帶材8通過位置相應(yīng)且?guī)Р挠煽p隙中 通過，上述的鍍制帶材8的入口在工藝室5的下方。其中上下兩個腔體中分別 設(shè)置有分子泵，使上述兩個腔體中形成不同的真空度的環(huán)境。工藝室5中的要 求是上下不能竄氣，各個工藝室5之間左右也不能竄氣，。通過在工藝室5上下 兩個氣體中使用分子泵形成不同的真空環(huán)境， 一般上面為零點幾帕，下面為 10人10d帕，有兩個數(shù)量級的質(zhì)差，保證了兩個腔體中不會竄氣，同時如l圖所示，帶材8從下部進(jìn)出，因上部的工作氣體在壓差的作用下不會竄到下面，這 樣也就保證了左右不會竄氣。
本實用新型中的一個關(guān)鍵的結(jié)構(gòu)就是隔離板10的設(shè)置，通過在工藝室腔體 內(nèi)設(shè)隔離板1，在不同的工作室之間設(shè)置隔離板10，可以保證在整個生產(chǎn)線中 形成多個相對獨立，且真空度不同的獨立腔體，滿足鍍制過程中不同要求的工 藝條件。
所述的末端張力控制室3和工藝室5之間設(shè)置有檢測糾偏室13，其中設(shè)置 有太陽吸收率和發(fā)射率檢測設(shè)備，檢測糾偏室中設(shè)置有四個輥9，以便使其上部 的帶材處于水平狀態(tài)，便于設(shè)備進(jìn)行檢測，上述的檢測糾偏室13的作用主要是 對鍍制完成的帶材進(jìn)行太陽能吸收率和發(fā)射率的在線檢測，當(dāng)上述的技術(shù)指標(biāo) 發(fā)射偏離之后，及時調(diào)整工藝室5中的技術(shù)參數(shù)，保證帶材8的鍍膜質(zhì)量。
在本實用新型中采用具有四個工藝室為例。對整個連續(xù)巻繞式磁控濺射真 空鍍膜裝置進(jìn)行說明，所有獨立的各個工作室是根據(jù)生產(chǎn)工藝設(shè)置的，在本例 子中，第一個為放巻室l， 一側(cè)為張力控制室3、預(yù)處理室4、四個工藝室5、 檢測糾偏室13、張力控制室3、最后是收巻室2。這些工作室之間通過法蘭盤6 進(jìn)行連接，法蘭盤6之間設(shè)置密封圈來保證密封性能。第一個中的兩個中頻靶 12分別為不銹鋼中頻靶和Mo中頻靶，這個工藝室5中主要負(fù)責(zé)鍍制金屬襯底， 調(diào)節(jié)真空度為10-4Pa，電壓480V，以提高待鍍帶材表面結(jié)合力和抗腐蝕性能； 第二個中的兩個中頻靶12均設(shè)置為鋁中頻靶，主要是用鋁做反應(yīng)濺射，做三氧 化二鋁通氮氣進(jìn)行反應(yīng)濺射，濺射室內(nèi)氣壓保持在0.5Pa—1 X 10"Pa，電壓400V;第三個中同樣設(shè)置兩個鋁中頻靶12，做反應(yīng)濺射，Al、02,氣壓保持在0.5 X 10"Pa， 電壓380V同樣通氮氣進(jìn)行反應(yīng)濺射，通過控制第三和第二室不同的氣壓獲得不 同的金屬體積比的膜層，從而獲得具有一定光譜特性的薄膜，該膜層對可見光 具有選擇性吸收性能；第四個中為鋁中頻靶。用于鍍制八1302保護(hù)陶瓷層，通氧 氣進(jìn)行反應(yīng)濺射，在第二和第三層膜上鍍一層減反射膜，同時該膜層還有防腐 作用，提高膜層耐候性。上述的設(shè)備適合鍍制兩種膜系，第一種如上面介紹， 第二種膜系是干涉吸收型的吸收膜，就是用低金屬體積比的干涉吸收膜，即在 八1302膜層里，鑲嵌金屬粒子。
上述描述只能被看作是較佳實施例。本技術(shù)領(lǐng)域中的那些熟練技術(shù)人員以 及那些制造或使用本發(fā)明的人通過本專利中的提示內(nèi)容，可以不需創(chuàng)造性工作， 即可得知本發(fā)明的其它多種變化型式。因此，要理解的是，上述圖示實施例僅
僅是作示范用的，它并不會對本發(fā)明的范圍構(gòu)成限制，本發(fā)明的范圍根據(jù)專利 法的原則、包括等效物的原則所解釋的權(quán)利要求來限定。
權(quán)利要求1、一種連續(xù)卷繞式磁控濺射真空鍍膜裝置，包括放卷室、收卷室、張力控制室、預(yù)處理室、工藝室組成，其特征在于放卷室和收卷室分別位于設(shè)備的首末兩端，放卷室和收卷室分別與一個張力控制室連接，放卷室一端的張力控制室連接有預(yù)處理室，預(yù)處理室和收卷室一端的張力控制室之間設(shè)置有至少一個工藝室，上述的放卷室、收卷室的一端及張力控制室、預(yù)處理室、工藝室的兩端均設(shè)置有相同規(guī)格的法蘭盤，并通過法蘭盤依次連接上述放卷室、收卷室、張力控制室、預(yù)處理室、工藝室為一體，所述的放卷室、張力控制室、預(yù)處理室、工藝室、收卷室均為真空室，所述的放卷室、張力控制室、預(yù)處理室、工藝室、收卷室中均設(shè)有傳輸使用的輥。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種連續(xù)巻繞式磁控濺射真空鍍膜裝置，其特征在 于:所述的放巻室中設(shè)置有低溫吸附阱，其中部設(shè)置有放置被鍍膜帶材的 輥、放巻室內(nèi)腔與真空系統(tǒng)即真空泵連接。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種連續(xù)巻繞式磁控濺射真空鍍膜裝置，其特征在于:所述的收巻室同樣設(shè)有放置帶材的收巻輥，收巻室內(nèi)腔與真空系統(tǒng)即真空泵連接。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種連續(xù)巻繞式磁控濺射真空鍍膜裝置，其特征在 于:所述的兩個張力控制室中內(nèi)腔連接真空系統(tǒng)即真空泵連接。且其內(nèi)腔中 水平設(shè)置有由三個輥構(gòu)成的三角形張力控制裝置。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種連續(xù)巻繞式磁控濺射真空鍍膜裝置，其特征在 于:所述的預(yù)處理室中設(shè)置有離子源，其空腔中連接真空系統(tǒng)即真空泵連接。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種連續(xù)巻繞式磁控濺射真空鍍膜裝置，其特征在于:所述的工藝室屮設(shè)置有一組中頻靶，其中設(shè)置有三個輥，中頻靶位于位 于中部的主輥的上方，其空腔中連接真空系統(tǒng)即真空泵連接，且設(shè)置在其 中的輥為水冷輥。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種連續(xù)巻繞式磁控濺射真空鍍膜裝置，其特征在 于:所述的工藝室中部設(shè)有工藝室隔離板將工藝室分隔成上下兩個室，該隔 離板為平板形狀，且為兩個相對設(shè)置將工藝室分隔成兩個獨立腔體，該隔 離板全部或者至少接觸部分使用柔軟的彈性的材料制成， 一對隔離板對置 的縫隙由柔軟的彈性材料封閉，該縫隙與帶材通過位置相應(yīng)且?guī)Р挠煽p隙 中通過，上述的鍍制帶材的入口在工藝室的下方，帶材接觸隔板處有柔性 材料，防止膜層劃傷。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種連續(xù)巻繞式磁控濺射真空鍍膜裝置，其特征在 于:所述的工藝室為一個以上，可以根據(jù)所鍍膜層的不同，任意調(diào)整工藝室 的個數(shù)，滿足鍍制不同膜層的工藝需求，最佳的鍍的鍍膜工藝采用四個工 藝室，其中第一個室中的中頻靶分別為不銹鋼靶或鉬靶；第二個室中的中 頻耙均設(shè)置為鋁耙；第三個室中同樣設(shè)置鋁靶；第四個室中同樣為鋁靶。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種連續(xù)巻繞式磁控濺射真空鍍膜裝置，其特征在 于:所述的末端張力控制室和工藝室之間設(shè)置有檢測糾偏室，其中設(shè)置有太 陽吸收率和發(fā)射率多點連續(xù)檢測設(shè)備和校正帶材走偏的裝置以及輸送帶材的輥。
10、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種連續(xù)巻繞式磁控濺射真空鍍膜裝置，其特征在 于:所述的放巻室、收巻室、張力控制室、預(yù)處理室、多個工藝室兩端至少 有一端設(shè)置有隔離板，該隔離板全部或者至少接觸部分使用柔性的彈性的 材料制成， 一對隔離板對置的縫隙由彈性材料密閉，該縫隙與帶材通過位 置相應(yīng)且?guī)Р挠煽p隙中通過。
專利摘要本實用新型屬于板式太陽能中的太陽能選擇性吸收涂層的連續(xù)鍍膜設(shè)備。一種連續(xù)卷繞式磁控濺射真空鍍膜裝置，包括放卷室、收卷室、張力控制室、預(yù)處理室、工藝室組成，放卷室和收卷室分別位于設(shè)備的首末兩端，放卷室和收卷室分別與一個張力控制室連接，放卷室一端的張力控制室連接有預(yù)處理室，預(yù)處理室和收卷室一端的張力控制室之間設(shè)置有至少一個工藝室，放卷室、收卷室的一端及張力控制室、預(yù)處理室、工藝室的兩端均設(shè)置有相同規(guī)格的法蘭盤，通過法蘭盤依次連接放卷室、收卷室、張力控制室、預(yù)處理室、工藝室為一體。本實用新型可以提供一種長時間持續(xù)鍍制太陽能選擇性涂層的專用鍍膜設(shè)備，該設(shè)備具有生產(chǎn)效率高，質(zhì)量穩(wěn)定和膜層性能優(yōu)異的優(yōu)點。
文檔編號C23C14/56GK201326012SQ20082023593
公開日2009年10月14日 申請日期2008年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月30日
發(fā)明者丘仁政, 賓 羅, 陳漢文 申請人:丘仁政;陳漢文;羅 賓