專利名稱：一種磁控濺射圓柱靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種磁控濺射靶，具體涉及一種磁控濺射圓柱耙。
背景技術(shù)：
目前國內(nèi)使用的磁控濺射圓柱靶，在生產(chǎn)中，普遍存在靶管兩端的刻蝕速 度比靶管中間快，形成深的凹槽現(xiàn)象，造成了耙材的極大浪費(fèi)。分析濺射過程 中，靶管兩端的輝光形狀，圓弧部分濺射輝光寬度比其他部分寬一倍以上，因 此靶管兩端的濺射速率高。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供了一種能夠消除靶管兩 端刻蝕凹槽，提高靶材利用率的磁控濺射圓柱靶。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是 一種磁控濺射圓柱靶， 包括耙的芯鐵，所述的芯鐵凹槽上裝有強(qiáng)磁鐵，所述的強(qiáng)磁鐵兩端安裝有弱磁 鐵。
所述的強(qiáng)磁鐵和弱磁鐵兩邊的凹槽上對應(yīng)的裝有強(qiáng)性磁鐵和弱性磁鐵。
所述的強(qiáng)性磁鐵的長為25mm，寬為6mm，高為llmm，所述的弱性磁鐵的長 為20咖，寬為6咖，高為11腿。
所述的強(qiáng)磁鐵的長為25mm，寬為12mm，高為llmm，所述的弱磁鐵的長為 20鵬，寬為12mm，高為llmm。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型通過改變磁控濺射圓柱靶兩端磁場強(qiáng)度，減 小磁鐵長度，從而改變了磁場的安裝形式，解決了磁控濺射圓柱靶的靶材兩端 濺射后出現(xiàn)凹槽的缺陷，使靶材的利用率由以前的35%提高到70%，同時，延長
了靶材更換的周期，降低了勞動強(qiáng)度。

圖1為本實(shí)用新型的單條磁鐵的靶芯示意圖； 圖2為圖1的A-A視圖3為本實(shí)用新型的三條磁鐵的靶芯示意圖4為圖3的A-A視圖。
圖中l(wèi)強(qiáng)磁鐵，2弱磁鐵，3強(qiáng)性磁鐵，4弱性磁鐵，5芯鐵，5. l凹槽， 5, 2小凹槽。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
參見圖1和圖2，在芯鐵5凹槽5. l上裝有強(qiáng)磁鐵l，強(qiáng)磁鐵l兩端安裝有弱磁鐵2。
參見圖3和圖4，在芯鐵5凹槽5. l上裝有強(qiáng)磁鐵l，強(qiáng)磁鐵l兩端安裝有弱磁
鐵2;
凹槽5. l兩邊的小凹槽5. 2對應(yīng)的裝有強(qiáng)性磁鐵3，弱磁鐵2兩邊的小凹槽 5. 2對應(yīng)的裝有弱性磁鐵4。
所述的強(qiáng)磁鐵的長為25mm X12mmXllmm，所述的弱磁鐵的的大小為20mm X12mmXllmra。
所述的強(qiáng)性磁鐵的大小為25ram X6mmXllmm，所述的弱性磁鐵的的大小為 20, X6mmXllmm。
本實(shí)用新型在圓柱靶磁鐵的安裝形式、端部磁場強(qiáng)度的選擇以及端部磁鐵 大小三方面進(jìn)行改進(jìn)，以保證圓柱靶在濺射過程中端部刻蝕速度降低，使靶材 兩端沒有凹槽，延長了靶材更換的周期。
以上所述的實(shí)施例，只是本實(shí)用新型較優(yōu)選的具體實(shí)施方式
的一種，本領(lǐng) 域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)進(jìn)行的通常變化和替換都應(yīng)包含 在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種磁控濺射圓柱靶，包括靶的芯鐵，其特征在于，所述的芯鐵凹槽上裝有強(qiáng)磁鐵，所述的強(qiáng)磁鐵兩端安裝有弱磁鐵。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射圓柱靶，其特征在于，所述的強(qiáng) 磁鐵和弱磁鐵兩邊的凹槽上對應(yīng)的裝有強(qiáng)性磁鐵和弱性磁鐵。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種磁控濺射圓柱靶，其特征在于，所述的強(qiáng) 性磁鐵的長為25mm，寬為6mm，高為ll鵬，所述的弱性磁鐵的長為20咖，寬 為6跳高為11,。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l、 2或3所述的一種磁控濺射圓柱靶，其特征在于，所 述的強(qiáng)磁鐵的長為25mm，寬為12mm，高為llmm，所述的弱磁鐵的長為20mm， 寬為12mm，高為llmm。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種磁控濺射圓柱靶，包括靶的芯鐵，所述的芯鐵凹槽上裝有強(qiáng)磁鐵，所述的強(qiáng)磁鐵兩端安裝有弱磁鐵；所述的強(qiáng)磁鐵和弱磁鐵兩邊的凹槽上對應(yīng)的裝有強(qiáng)性磁鐵和弱性磁鐵。本實(shí)用新型通過改變磁控濺射圓柱靶兩端磁場強(qiáng)度，減小磁鐵長度，從而解決了磁控濺射圓柱靶的靶材兩端濺射后出現(xiàn)凹槽的缺陷，使靶材的利用率提高了一倍，同時，延長了靶材更換的周期，降低了勞動強(qiáng)度。
文檔編號C23C14/35GK201206165SQ20082000376
公開日2009年3月11日 申請日期2008年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月20日
發(fā)明者張好勇, 張明貴, 李建斌, 王智建, 章其初, 革 陳, 隗方基 申請人:黃 鳴