專利名稱：：處理氣體供給機構(gòu)、供給方法及氣體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及處理氣體供給機構(gòu)及處理氣體供給方法、以及具備這種處理氣體供給機構(gòu)的氣體處理裝置，其按照對收容在處理容器內(nèi)的平板顯示器(FPD)用的玻璃基板等被處理體實施規(guī)定的處理的方式向處理容器內(nèi)供給處理氣體。
背景技術(shù)：
：在FPD的制造工藝過程中，為了對作為被處理體的FPD用的玻璃基板實施蝕刻處理或成膜處理等規(guī)定的處理而使用著等離子體蝕刻裝置或等離子體CVD成膜裝置等的等離子體處理裝置。在等離子體處理裝置中，一般情況下，玻璃基板是在被載置在處理容器內(nèi)的載置臺上的狀態(tài)下，通過在向處理容器內(nèi)供給處理氣體的同時產(chǎn)生高頻電場而生成的處理氣體的等離子體而進行處理的。向處理容器內(nèi)供給處理氣體通常是經(jīng)由一端與處理氣體供給源連接、另一端與處理容器連接著的配管等流路，并且在通過質(zhì)量流量控制器等流量調(diào)整機構(gòu)調(diào)整流量的同時所進行的(例如參照專利文獻1)。但是，近來，F(xiàn)PD朝著大型化的方向發(fā)展，甚至也出現(xiàn)了一邊超過2m的巨大玻璃基板，處理容器也隨之變大，因此，如果使用所述現(xiàn)有技術(shù)的處理氣體供給方式，則從開始供給處理氣體至處理容器內(nèi)的壓力達到設(shè)定壓力則需要很長的時間，于是就會出現(xiàn)總處理能力下降的問題。專利文獻1日本特開2002-313898號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明就是鑒于上述情況而產(chǎn)生的，其目的在于提供能夠在短時間內(nèi)供給使得處理容器內(nèi)變成設(shè)定壓力的處理氣體的處理氣體供給機構(gòu)以及處理氣體供給方法、具備這樣的處理氣體供給機構(gòu)的氣體處理裝置、以及存儲著用于實施這種處理氣體供給方法的控制程序的計算機可讀取的存儲介質(zhì)。為了解決上述課題，在本發(fā)明的第一觀點中提供一種處理氣體供給機構(gòu)，其特征在于，該處理氣體供給機構(gòu)按照對收容在處理容器內(nèi)的被處理體實施規(guī)定處理的方式向上述處理容器內(nèi)供給處理氣體，并且該處理氣體供給機構(gòu)包括用于向上述處理容器內(nèi)供給處理氣體的處理氣體供給源；用于暫時貯存來自上述處理氣體供給源的處理氣體的處理氣體罐；和將來自上述處理氣體供給源的處理氣體供給上述處理氣體罐，并將上述處理氣體罐內(nèi)的處理氣體供給上述處理容器內(nèi)的處理氣體流通部件，并且，處理氣體從上述處理氣體供給源被暫Il寸貯存在上述處理氣體罐中，并從上述處理氣體罐向上述處現(xiàn)容器內(nèi)供給。另外，在本發(fā)明的第二觀點中提供一種氣體處理裝置，其特征在于，包括收容被處理體的處理容器；向上述處理容器內(nèi)供給處理氣體的處理氣體供給機構(gòu)；以及對上述處理容器內(nèi)進行排氣的排氣單元，并且，在將被處理體收容在上述處理容器內(nèi)的狀態(tài)下，利用上述排氣單元進行排氣，同時利用上述處理氣體供給機構(gòu)供給處理氣體，對被處理體實施規(guī)定處理，上述處理氣體供給機構(gòu)包括用于向上述處理容器內(nèi)供給處理氣體的處理氣體供給源；用于暫時j)C:存來自上述處理氣體供給源的處理氣體的處理氣體罐；和將來自上述處理氣體供給源的處理氣體供給上述處理氣體罐，并將上述處理氣體罐內(nèi)的處理氣體供給上述處理容器內(nèi)的處理氣體流通部件，且，處理氣體從上述處理氣體供給源被暫時貯存在上述處理氣體罐中，并從上述處理氣體罐向上述處理容器內(nèi)供給。在本發(fā)明的第二觀點中，有一種優(yōu)選實施方式，上述處理氣體流通部件包括與上述處理氣體供給源以及上述處理容器連接著的第一處理氣體流路；以及從上述第一處理氣體流路分支并與上述處理氣體罐連接著的第二處理氣體流路，上述處理氣體供給機構(gòu)也從上述處理氣體供給源向上述處理容器內(nèi)供給處理氣體。在這種情況下，有另一種優(yōu)選實施方式，設(shè)置有多個上述處理氣體罐，并且，與上述處理氣體罐的數(shù)量對應(yīng)而設(shè)置有多個上述第二處理氣體流路，上述各第二處理氣體流路分別具有用于將處理氣體送入上述處理氣體罐的送入流路；以及用于將處理氣體從上述處理氣體罐送出的送出流路。在這種情況下，還優(yōu)選，包括控制上述處理氣體供給機構(gòu)的控制部，上述控制部進行如下控制使處理氣體從上述多個處理氣體罐的一部分通過上述送出流路向上述處理容器內(nèi)供給，同時使處理氣體從上述處理氣體供給源通過上述送入流路貯存在上述多個處理氣體罐的剩余的一部分或全部中。或者說，在這種情況下，還有另一種優(yōu)選實施方式，上述第二處理氣體流路分別具有用于將處理氣體送入上述處理氣體罐的送入流路；以及用于將處理氣體從上述處理氣體罐送出的送出流路，并設(shè)置有多個上述處理氣體供給源以供給不同的多種處理氣體，并且，上述第一處理氣體流路具有與上述處理氣體供給源的數(shù)量相對應(yīng)地分支成多個并與上述各處理氣體供給源連接著的供給源連接流路，上述第二處理氣體流路的上述送入流路是從上述第一處理氣體流路的上述各供給源連接流路分支的。再者，在這種情況下，還可優(yōu)選，包括控制上述處理氣體供給機構(gòu)的控制部，上述控制部進行如下控制在使由規(guī)定種類及比例組成的處理氣體從上述處理氣體罐通過上述送出流路向上述處理容器內(nèi)供給之后，使由上述規(guī)定種類及比例組成的處理氣體從上述多個處理氣體供給源的一部分或全部通過上述第一處理氣體流路向上述處理容器內(nèi)供給，與此同時，使由與上述規(guī)定種類及比率不同的種類以及/或者比例組成的處理氣體，從上述多個處理氣體供給源的一部分或者全部通過上述送入流路貯存在上述處理氣體罐中。另外，在這種情況下，有一種優(yōu)選實施方式，設(shè)置有多個上述處理氣體罐，并且，與上述處理氣體罐的數(shù)量對應(yīng)而設(shè)置有多個上述第二處理氣體流路，上述各第二處理氣體流路分別具有用于將處理氣體送入上述處理氣體罐的送入流路；以及用于將處理氣體從上述處理氣體罐送出的送出流路，設(shè)置有多個上述處理氣體供給源以供給不同的多種處理氣體，并且，上述第一處理氣體流路具有與上述處理氣體供給源的數(shù)量相對應(yīng)地分支成多個并與上述各處理氣體供給源連接著的供給源連接流路，上述各第二處理氣體流路的上述送入流路是從上述第一處理氣體流路的上述各供給源連接流路分支的。再者，在這種情況下，還優(yōu)選，包括控制上述處理氣體供給機構(gòu)的控制部，上述控制部進行如下控制使由規(guī)定種類及比例組成的處理氣體從上述多個處理氣體罐的一部分通過上述送出流路向上述處理容器內(nèi)供給，并且使由上述規(guī)定種類及比例組成的處理氣體從上述多個處理氣體供給源的一部分或全部通過上述第一處理氣體流路向上述處理容器內(nèi)供給，與此同時，使由與上述規(guī)定種類及比率不同的種類以及/或者比例組成的處理氣體，從上述多個處理氣體供給源的一部分或者全部通過上述送入流路貯存在上述多個處理氣體罐剩余的一部分或者全部中。再者，在這些情況下，也可以是上述第一處理氣體流路分別具有在使來自上述處理氣體供給源的處理氣體貯存在上述處理氣體罐中的吋候而使其流通的貯存用流路；以及在將來自上述處理氣體供給源的處理氣體供給上述處理容器內(nèi)的吋候而使其流通的供給用流另外，在以上本發(fā)明的第二觀點中，還有一種優(yōu)選實施方式，上述排氣單元具有多個與上述處理容器連接著的排氣流路；以及通過上述排氣流路對上述處理容器內(nèi)進行排氣的排氣裝置，在這種情況下，在上述處理氣體流通部件與上述多個排氣流路中的一部分上連接著旁通流路，構(gòu)成為上述處理氣體流通部件內(nèi)的處理氣體通過上述旁通流路能夠被上述排氣單元排出，連接著上述旁通流路的上述排氣流路在比其與上述旁通流路的連接部還靠上游的上游側(cè)自如開閉。另外，在以上本發(fā)明的第二觀點中，還優(yōu)選，在上述處理容器內(nèi)，還具備等離子體生成機構(gòu)，其生成由上述處理氣體供給機構(gòu)所供給的處理氣體的等離子體，上述規(guī)定的處理是使用著處理氣體的等離子體的等離子體處理。另外，在本發(fā)明的第三觀點中提供一種處理氣體供給方法，其特征在于，其按照對收容在處理容器內(nèi)的被處理體實施規(guī)定處理的方式向上述處理容器內(nèi)供給處理氣體，要準(zhǔn)備用于向上述處理容器內(nèi)供給處理氣體的處理氣體供給源；用于暫時貯存來自上述處理氣體供給源的處理氣體的處理氣體罐；和將來自上述處理氣體供給源的處理氣體供給上述處理氣體罐，并將上述處理氣體罐內(nèi)的處理氣體供給上述處理容器內(nèi)的處理氣體流通部件，將處理氣體從上述處理氣體供給源暫時貯存在上述處理氣體罐中，并從上述處理氣體罐向上述處理容器內(nèi)供給。在本發(fā)明的第三觀點中，有一種優(yōu)選實施方式，預(yù)先由與上述處理氣體供給源以及上述處理容器連接著的第一處理氣體流路；以及從上述第一處理氣體流路分支并與上述處理氣體罐連接著的第二處理氣體流路構(gòu)成上述處理氣體流通部件，也從上述處理氣體供給源向_匕述處理容器內(nèi)供給處理氣體。在這種情況下，還有另一種優(yōu)選實施方式，設(shè)置多個上述處理氣體罐，并且與上述處理氣體罐的數(shù)量相對應(yīng)而設(shè)置多個上述第二處理氣體流路，分別具有用于將處理氣體送入上述處理氣體罐中的送入流路；以及用于將處理氣體從上述處理氣體罐送出的送出流路，構(gòu)成上述各個第二處理氣體流路，從上述多個處理氣體罐的一部分通過上述送出流路向上述處理容器內(nèi)供給處理氣體，同時，從上述處理氣體供給源通過上述送入流路在上述多個處理氣體罐的剩余的一部分或全部中貯存處理氣體?；蛘撸谶@種情況下，還有另一種優(yōu)選實施方式，分別具有用于將處理氣體送入上述處理氣體罐中的送入流路；以及用于將處理氣體從上述處理氣體罐送出的送出流路，構(gòu)成上述第二處理氣體流路，設(shè)置多個上述處理氣體供給源以供給不同的多種處理氣體，并且，將上述第一處理氣體流路構(gòu)成為具有與上述處理氣體供給源的數(shù)量相對應(yīng)地分支成多個并與上述各處理氣體供給源連接著的供給源連接流路，將上述第二處理氣體流路的上述送入流路從上述第一處理氣體流路的上述各供給源連接流路分支，從上述處理氣體罐通過上述送出流路向上述處理容器內(nèi)供給由規(guī)定種類以及比例組成的處理氣體后，從上述多個處理氣體供給源的一部分或全部通過上述第一處理氣伴流路向上述處理容器內(nèi)供給由上述規(guī)定種類以及比例組成的處理氣體，與此同時，從上述多個處理氣體供給源的一部分或全部通過上述送入流路在上述處理氣體罐中貯存由與上述規(guī)定種類以及比例不同的種類以及/或者比例組成的處理氣體。另外，在這種情況下，還有另一種優(yōu)選實施方式，設(shè)置多個上述處理氣體罐，并且與上述處理氣體罐的數(shù)量相對應(yīng)而設(shè)置多個上述第二處理氣體流路，分別具有用于將處理氣體送入上述處理氣體罐中的送入流路；以及用于將處理氣體從上述處理氣體罐送出的送出流路，構(gòu)成上述各第二處理氣體流路，設(shè)置多個上述處理氣體供給源以供給不同的多種處理氣體，并且，將上述第一處理氣體流路構(gòu)成為具有與上述處理氣體供給源的數(shù)量相對應(yīng)地分支成多個并與上述各處理氣體供給源連接著的供給源連接流路，將上述第二處理氣體流路的上述送入流路從上述第一處理氣體流路的上述各供給源連接流路分支，從上述多個處理氣體罐的一部分通過上述送出流路向—匕述處理容器內(nèi)供給由規(guī)定種類以及比例組成的處理氣體，并且從上述多個處理氣體供給源的一部分或全部通過上述第一處理氣體流路向上述處理容器內(nèi)供給由上述規(guī)定種類以及比例組成的處理氣體，與此同吋，從上述多個處理氣體供給源的一部分或全部通過上述送入流路在上述多個處理氣體罐的剩余的一部分或者全部中je存由與上述規(guī)定種類以及比例不同的種類以及/或者比例組成的處理氣休。再者，在本發(fā)明的第四觀點中，提供一種計算機可讀取的存儲介質(zhì)，其特征在于，其存儲著在計算機上運行的控制程序，上述控制程序在執(zhí)行時按照實施上述處理氣體供給方法的方式使計算機控制處理裝置。根據(jù)本發(fā)明，由于使處理氣體經(jīng)由處理氣體流通部件從處理氣體供給源暫時貯存在處理氣體罐中，并從處理氣體罐供給處理容器內(nèi)，因此能夠在短時間內(nèi)供給使處理容器內(nèi)變成設(shè)定壓力的量的處理氣體。因此，能夠縮短被處理體的處理時間。圖1是本發(fā)明所涉及的氣體處理裝置的一實施方式的等離子體蝕刻裝置的大致截面圖。圖2是測定處理氣體的填充時間、以及處理氣體供給時的穩(wěn)定時間所使用的等離子體蝕刻裝置的大致截面圖。圖3是表示處理氣體的填充時間、以及處理氣體供給時的穩(wěn)定時間的測定結(jié)果的圖。圖4是本發(fā)明所涉及的氣體處理裝置的其它實施方式的等離子體蝕刻裝置的大致截面圖。圖5是在等離子體蝕刻裝置中所設(shè)置的處理氣體供給機構(gòu)的供給源連接流路的變形例子。符號說明i、r:等離子體蝕刻裝置(氣體處理裝置)2:腔室(處理容器)3、3':處理氣體供給機構(gòu)4:排氣單元5:等離子體生成機構(gòu)41:排氣管(排氣流路)42:排氣裝置30:He氣體供給源(處理氣體供給源)31:HC1氣體供給源(處理氣體供給源)32:SF/氣體供給源(處理氣體供給源)33、34:處理氣體罐(tank)35:處理氣體流通部件36:第一處理氣體流路36a、36b、36c:供給源連接流路36j、36k、361:貯存用流路36m、36n、36o:供給用流路37、37、、38、38、第二處理氣體流路37a、37a、、38a、38a、:送入流路37b、38b:送出流路39、39':旁通流路90:工藝控制器91:用戶接口92:存儲部93:單元控制器(控制部)G:玻璃基板(被處理體)具體實施方式下面，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式進行說明。圖1是作為本發(fā)明所涉及的處理裝置的一實施方式的等離子體蝕刻裝置的大致截面圖。該等離子體蝕刻裝置1構(gòu)成為對作為被處理體的FPD用的玻璃基板(以下簡稱"基板")G進行蝕刻處理的電容耦合型平行平板等離子體蝕刻裝置。作為FPD可以列舉出液晶顯示器(LCD)、電致發(fā)光(ElectroLuminescence;EL)顯示器、等離子體顯示面板(PDP)等。等離子體蝕刻裝置1包括作為收容基板G的處理容器的腔室2、向腔室2內(nèi)供給處理氣體的處理氣體供給機構(gòu)3、對腔室2內(nèi)進行排氣的排氣單元4、以及生成被處理氣體供給機構(gòu)3供給到腔室2內(nèi)的處理氣體的等離子體的等離子體生成機構(gòu)5。腔室2由例如表面被耐蝕鋁處理(陽極氧化處理)過的鋁構(gòu)成，并與基板G的形狀對應(yīng)而形成四角筒形狀。在腔室2內(nèi)的底壁上設(shè)置有作為載置基板G的載置臺的基座20?；?0與基板G的形狀對應(yīng)而形成四角板狀或柱狀，它具有由金屬等導(dǎo)電性材料構(gòu)成的基底20a;由覆蓋基底20a的周邊的絕緣材料構(gòu)成的絕緣部件20b;和按照覆蓋基底20a及絕緣部件20b的底部的方式而設(shè)置并且由對它們進行支承的絕緣材料構(gòu)成的絕緣部件20c。在基底20a中內(nèi)置有用于吸附被載置著的基板G的靜電吸附機構(gòu)、以及由用于對被載置著的基板G的溫度進行調(diào)節(jié)的制冷劑流路等冷卻單元等組成的溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)(圖中均未表示)。在腔室2的側(cè)壁上形成有用于搬入搬出基板G的搬入搬出口21，并且設(shè)置有開閉該搬入搬出口21的閘閥22。當(dāng)搬入搬出口21開放時，利用圖中未示的搬送機構(gòu)向腔室2的內(nèi)外搬入搬出基板G。在腔室2的底壁以及基座20上，例如在基座20的周邊部位置隔開間隔地形成有多個貫通它們的通插孔23。在各通插孔23中，按照能夠相對于基座20的基板載置面突出沒入的方式插入有從下方支承基板G并使其升降的升降銷24。在各個升降銷24的下部形成有法蘭部25，在各個法蘭部25上連接有按照圍繞升降銷24的方式而設(shè)置著的能夠伸縮的波形管26的一個端部(下端部)，該波形管26的另一個端部(上端部)與腔室2的底壁連接。這樣，波形管26隨著升降銷24的升降而仲縮，并且對通插孔23與升降銷24的間隙進行密封。在腔室2的上部或者上壁，按照與基座20相向的方式設(shè)置有向腔室2內(nèi)吐出被后述的處理氣體供給機構(gòu)3所供給的處理氣體，并且具有作為上部電極的功能的噴頭27。噴頭27被接地，形成有使處理氣體在內(nèi)部擴散的氣體擴散空間28，并在下表面或者與基座20的相對面上形成有用于吐出在氣體擴散空間28中被擴散后的處理氣體的多個吐出孔29。排氣單元4包括作為與腔室2的例如底壁連接著的排氣流路的排氣管41;與該排氣管41連接并且通過排氣管41對腔室2內(nèi)進行排氣的排氣裝置42;以及被設(shè)置在排氣管41的比其與排氣裝置42的連接部還靠向上游的上游側(cè)，用于調(diào)整腔室2內(nèi)的壓力的壓力調(diào)整閥43。排氣裝置42構(gòu)成為具有渦輪分子泵等真空泵，由此，能夠?qū)⑶皇?內(nèi)杣真空至規(guī)定的減壓氣氛。在腔室2的圓周方向上隔開間隔地設(shè)置有多個排氣管41，與各排氣管41對應(yīng)地設(shè)置有多個排氣裝置42以及壓力調(diào)整閥43。等離子體生成機構(gòu)5包括與基座20的基底20a連接著的，用于供給高頻電力的供電線51;以及與該供電線51連接著的匹配器52以及高頻電源53。從高頻電源53向基座20供給例如13.56MHz的高頻電力，這樣，基座20就具有作為下部電極的功能，并與噴頭27共同構(gòu)成一對平行平板電極?；?0以及噴頭27構(gòu)成等離子體生成機構(gòu)5的一部分。處理氣體供給機構(gòu)3包括用于向腔室2內(nèi)供給處理氣體、例如He氣體、HC1氣體以及SF6氣體的處理氣體供給源、例如He氣體供給源30、HC1氣體供給源31以及SF6氣體供給源32;用于暫時貯存或填充來自He氣體供給源30、HC1氣體供給源31以及SF6氣體供給源32的處理氣體的多個例如2個處理氣體罐33、34;以及處理氣體流通部件35，該處理氣體流通部件包括將來自He氣體供給源30、HC1氣體供給源31以及SF6氣體供給源32的處理氣體向處理氣體罐33、34以及腔室2內(nèi)供給，并將被貯存在處理氣體罐33、34中的處理氣體供給腔室2內(nèi)的配管等。處理氣體流通部件35包括連接著He氣體供給源30、HC1氣體供給源31以及SF6氣體供給源32和腔室2的第一處理氣體流路36;和按照與2個處理氣體罐33、34相對應(yīng)的方式分別從第一處理氣體流路36分支并與處理氣體罐33、34連接著的第二處理氣體流路37、38。第一處理氣體流路36在一側(cè)或者說上游側(cè)部具有按照與3個處理氣體供給源(He氣體供給源30、HC1氣體供給源31以及SF6氣體供給源32)相對應(yīng)的方式而分支成3個并與各個處理氣體供給源連接著的供給源連接流路36a、36b、36c，另一端部或下游側(cè)端部按照與氣體擴散空問28連通的方式與噴頭27的上面連接。在第一處理氣體流路36'l'，在供給源連接流路36a、36b、36c中分別設(shè)置有用于調(diào)整處理氣體的流量的質(zhì)量流量控制器36d、36e、36f以及閥36g、36h、36i，在比其與第二處理氣體流路37、38的分支部還靠向另一側(cè)的例如一個端部以及另一個端部上也分別設(shè)置有闊36s、36t。第二處理氣體流路37、38分別從比第一處理氣體流路36的供給源連接流路36a、36b、36c還靠向下游的下游側(cè)分支，并按照與氣體擴散空間28連通的方式與噴頭27的上面連接，在中間部連接著處理氣體罐33、34。這樣，第二處理氣體流路37、38分別具有用于將處理氣體送入處理氣體罐33、34中的送入流路37a、38a;以及用于從處理氣體罐33、34送出處理氣體的送出流路37b、38b。在送入流路37a、38a以及送出流路37b、38b中分別設(shè)置有閥37c、38c以及閥37d、38d，在處理氣體罐33、34上分別設(shè)置有用于測定內(nèi)部壓力的壓力計33a、34a。在處理氣體流通部件35、例如第一處理氣體流路36和多個排氣管41中的一部分例如1根中連接著配管等旁通流路39，處理氣體流通部件35內(nèi)的處理氣體就能夠通過旁通流路39被排氣單元4排出。旁通流路39構(gòu)成為，被連接在排氣管41的壓力調(diào)整閥43和排氣裝置42之間，通過關(guān)閉該壓力調(diào)整閥43，則能夠防止從旁通流路39被排出的處理氣體通過排氣管41而流入腔室2內(nèi)。等離子體蝕刻裝置1的各個構(gòu)成部分被具有微處理器(計算機)的工藝控制器90所控制。在該工藝控制器90上，連接著用戶接口91，該用戶接口由工藝過程管理者為管理等離子體蝕刻裝置1而進行命令輸入操作等的鍵盤以及可視化地顯示等離子體蝕刻裝置1的運轉(zhuǎn)情況的顯示器等構(gòu)成；以及存儲部92，該存儲部存儲著對用于在工藝控制器卯的控制下而實現(xiàn)在等離子體蝕刻裝置1中所實施的處理的控制程序和處理條件數(shù)據(jù)等進行記錄的方案。根據(jù)需要，按照來自用戶接口91的指示等從存儲部92中調(diào)取任意的方案并使其在工藝控制器90中運行，這樣，就能在工藝控制器90的控制下實施在等離子體蝕刻裝置1中的處理。所述方案可以被存儲在例如CD-ROM、硬盤、閃存等計算機能夠讀取的存儲介質(zhì)中，或者從其它的裝置例如通過專線隨時進行傳送，以加以利用。更具體地來講，處理氣體供給機構(gòu)3的各閥36g、36h、36i、36s、36t、37c、37d、38c、38d、39a構(gòu)成為被與工藝控制器90連接著的單元控制器93(控制部)所控制。根據(jù)需要，按照來自用戶接口91的指示等，工藝控制器90從存儲部92中調(diào)取任意的方案并使其由單元控制器93所控制。在采用上述方式構(gòu)成的等離子體蝕刻裝置1中，通過排氣單元4將腔室2內(nèi)保持為規(guī)定的真空度，在維持著這種狀態(tài)的情況下，首先，在通過閘閥22使搬入搬出口21被打開著的狀態(tài)下，由圖中未示的搬送機構(gòu)從被打開著的搬入搬出口21搬入基板G，之后使各升降銷24上升，利用各升降銷24從搬送機構(gòu)接收基板G并支承基板。搬送機構(gòu)從搬入搬出口21退出至腔室2外之后，利用閘閥22關(guān)閉搬入搬出口21，并且使各升降銷24下降并使其沒入基座20的基板載置面，使基板G載置在基座20上。接著，通過處理氣體供給機構(gòu)3向腔室2內(nèi)供給處理氣體。此處的處理氣體的供給是通過打開閥37d，放出從He氣體供給源30、HC1氣體供給源31以及SF6氣體供給源32被預(yù)先填充在處理氣體罐33中的He氣體、HC1氣體以及SF6氣體而進行的。由于腔室2內(nèi)被排氣單元4排氣，因此，如果僅供給被填充在處理氣體罐33中的處理氣體，則經(jīng)過一段時間之后，腔室2內(nèi)的壓力就會降低。因此，供給被填充在處理氣體罐33中的處理氣體時或緊接著的供給之后，打開閥36s、36t、36g、36h、36i，通過質(zhì)量流量控制器36d、36e、36f來調(diào)整來自He氣體供給源30、HC1氣體供給源31以及SF/氣體供給源32的He氣體、HC1氣體以及SF6氣體的流量，并供給到腔室2內(nèi)，同時，利用壓力控制閥43將腔室2內(nèi)保持在設(shè)定壓力、例如23.3Pa(0.175Toit)。這樣，就能迅速地保持在腔室2內(nèi)的設(shè)定壓力。另外，處理氣體流通部件35包括連接著He氣體供給源30、HC1氣體供給源31以及SF6氣體供給源32和腔室2的第一處理氣體流路36;以及從第一處理氣體流路36分支并分別與處理氣體罐33、34連接著的第二處理氣體流路37、38，所以，沒有使來自He氣體供給源30、HC1氣體供給源31以及SF6氣體供給源32的氦氣、氯化氫氣體以及SF6氣體經(jīng)由第一處理氣體流路36而通過作為較大空間的處理氣體罐33、34，能夠在短時間內(nèi)供給到腔室2內(nèi)，這樣，就能實現(xiàn)腔室2內(nèi)的壓力保持的進一步迅速化。在此狀態(tài)下，向被內(nèi)置在基座20中的靜電吸附機構(gòu)施加直流電壓從而使基板G吸附在基座20上，同時，利用被內(nèi)置在基座20中的調(diào)溫機構(gòu)來調(diào)節(jié)基板G的溫度。從高頻電源53經(jīng)由匹配器52向基座20施加高頻電力，在作為下部電極的基座20與作為上部電極的噴頭27之間生成高頻電場，并使腔室2內(nèi)的處理氣體等離子體化。利用該處理氣體的等離子體對基板G實施蝕刻處理。對基板G實施蝕刻處理之后，停止施加來自高頻電源53的高頻電力。接著，關(guān)閉閥36g、36h、36i并停止供給來自He氣體供給源30、HC1氣體供給源31以及SF6氣體供給源32的氦氣、氯化氫氣體以及SF6氣體，同吋，禾擁排氣單元4排出腔室2內(nèi)以及第一處理氣體流路36或處理氣體流通部件35內(nèi)的處理氣體。解除靜電吸附機構(gòu)對基板G的吸附，之后，在向腔室2內(nèi)供給處理氣體，并將腔室2內(nèi)保持在設(shè)定壓力、例如26.7Pa(0.2Torr)的狀態(tài)下，向基座20施加高頻電力并使處理氣體等離子體化，對基板G實施除電處理。此處的處理氣體的供給是通過以下方式進行的，打開閥38d，放出從He氣體供給源30預(yù)先填充在處理氣體罐34中的氦氣，并且，打開閥36s、36t、36g，按照將腔室2內(nèi)保持在設(shè)定壓力的方式，利用質(zhì)量流量控制器36d來調(diào)整來自He氣體供給源30的氦氣的流量并將其送出。這樣，不僅能使腔室2內(nèi)的壓力瞬間保持在設(shè)定壓力或接近設(shè)定壓力，還能夠迅速地進行基板G的除電處理。一旦進行過基板G的除電處理，則通過排氣單元4排出腔室2內(nèi)以及第一處理氣體流路36或處理氣體流通部件35內(nèi)的處理氣體。接著，使用閘閥22開放搬入搬出口21，并且使升降銷24上升，使基板G從基座20向上方離開。之后，在圖中未示的搬送機構(gòu)從搬入搬出口21進入腔室2內(nèi)之后，使升降銷24下降，將基板G轉(zhuǎn)移到搬送機構(gòu)上。之后，基板G被搬送機構(gòu)從搬入搬出口21搬出至腔室2外。向處理氣體罐33、34再次填充處理氣體是在基板G的搬入搬出時進行的。首先，打開閥37c，向處理氣體罐33中填充處理氣體。此吋，為了防止處理氣體流入處理氣體罐34以及腔室2內(nèi)，預(yù)先關(guān)閉陶37d、38c、36s。向處理氣體罐33填充處理氣體完成之后，關(guān)閉閥37c，為了排出殘留在第一處理氣體流路36以及送入流路37a、38a中的處理氣體而打開閥39a。此時，為了使處理氣體不流入腔室2內(nèi)，預(yù)先關(guān)閉連接著旁通流路39的排氣管41的壓力調(diào)整閥43。排出處理氣體完成之后，與向處理氣體罐33填充同樣，向處理氣體罐34填充處理氣體，填充結(jié)朿后，同樣進行殘留在第一處理氣體流路36以及送入流路37a、38a中的處理氣體的排出。再者，也可以先進行向處理氣體罐34的處理氣體的填充。在本實施方式中，由于通過處理氣體流通部件35，在處理氣體罐33、34中暫吋填充來自處理氣體供給源、例如He氣體供給源30、HC1氣體供給源31以及SF6氣體供給源32的處理氣體、例如氦氣、氯化氫氣體以及SF6氣體，將被填充在處理氣體罐33、34中的處理氣體供給腔室2內(nèi)并進行包括基板G的等離子體蝕刻的處理，因此，即使腔室2的容量較大，也能在短時間內(nèi)供給使該腔室2內(nèi)變成設(shè)定壓力的處理氣體，這樣就能實現(xiàn)處理時間的縮短。另外，在本實施方式中，填充等離子體蝕刻處理時所供給的處理氣體而使用處理氣體罐33，填充等離子體蝕刻處理后所供給的處理氣體而使用處理氣體罐34，它們也可以替換使用。另外，在本實施方式中，使第二處理氣體流路37、38分別從第一處理氣體流路36分支而設(shè)置，但是，也可以在使它們的一個端部匯合的狀態(tài)下從第一處理氣體流路36分支而設(shè)置?；蛘撸部梢允沟诙幚須怏w流路37、38不與噴頭27的上面連接，而是與腔室2的其它部分例如側(cè)壁連接，于是不通過噴頭27而將處理氣體供給腔室2內(nèi)。再者，在本實施方式中，使第二處理氣體流路37、38的送出流路37b、38b分別與腔室2連接，但是，它們也可以與第一處理氣體流路36連接。在本實施方式中，為了連續(xù)進行使用著不同的處理氣體的兩種處理而使用了兩個處理氣體罐33、34，但是，在處理僅為一種的情況下，可以僅使用一個處理氣體罐，在連續(xù)進行三種以上的處理等的情況下，也可以使用三個以上的處理氣體敘t。—F而，使用等離子體蝕刻裝置1，分別測定了以規(guī)定的壓力在處理氣體罐33屮填充處理氣體的吋間(以下記作填充吋間)、以及將填充在處理氣體罐33中的處理氣體及來自處理氣體供給源30、31、32的處理氣體供給腔室2內(nèi)，至腔室2內(nèi)的壓力穩(wěn)定在設(shè)定壓力左右的時間(以下記作穩(wěn)定時間)。如圖2所示，此處的等離子體蝕刻裝置1使用了將處理氣體供給機構(gòu)3的第二處理氣體流路37、38變形為簡化結(jié)構(gòu)之后的例子。此處的第二處理氣體流路37、38分別是一個端部從第一處理氣體流路36分支、另一個端部與處理氣體罐33、34連接，并在中間部設(shè)置有閥37z、38z。因此，此處的第二處理氣體流路37、38分別兼具用于將來自處理氣體供給源30、31、32的處理氣體導(dǎo)入處理氣體罐33、34中的流路；以及用于將處理氣體罐33、34內(nèi)的處理氣體導(dǎo)入腔室2內(nèi)的流路。設(shè)定作為處理氣體的氦氣、氯化氫氣體以及SF6氣體的流量比為2:1:1，總流量為5slm，腔室2的容量I。為23101，處理氣體罐33的容量1,為31，腔室2內(nèi)的設(shè)定壓力Po為23.3Pa(0.175Torr)，分別對下述情況進行測定，被填充在處理氣體罐33中的處理氣體的壓力P,為26.7kPa(200Torr)的情況(實施例1);53.3kPa(400Torr)的情況(實施例2);以及80.0kPa(600Torr)的情況(實施例3)。另外，作為比較例，測定了未使用處理氣體罐33而僅將來自處理氣體供給源30、31、32的處理氣體供給到腔室2內(nèi)的情況下的穩(wěn)定時間。測定結(jié)果如表1所示。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>如表1所示，可以確認(rèn)，在實施例1、2、3中，與比較例相比穩(wěn)定吋間變短。即、可以確認(rèn)，通過使用等離子體蝕刻裝置1，與未使用處理氣體罐33的現(xiàn)有技術(shù)的等離子體蝕刻裝置的情況相比，則能夠縮短穩(wěn)定吋間。另外，可以確認(rèn)，雖然被填充在處理氣體罐33中的處理氣體的壓力越低填充吋間越短，但是被填充在處理氣體罐33中的處理氣體的壓力越高則穩(wěn)定吋間越短，并且壓力為80.0kPa的情況與壓力為26.7kPa的情況相比大約變?yōu)橐话搿＿@也是因為，如果被填充在處理氣體罐33內(nèi)的處理氣體的壓力低，則從處理氣體供給源30、31、32被供給腔室2內(nèi)的處理氣體會通過第二處理氣體流路37而流入處理氣體罐33中。因此，通過測定從處理氣體罐33向腔室2內(nèi)開始供給處理氣體前后的處理氣體流通部件35內(nèi)的壓力變化得出以下結(jié)果就從處理氣體罐33向腔室2內(nèi)剛剛開始供給處理氣體之后的處理氣體流通部件35內(nèi)的壓力來說，如圖3(a)的箭頭部分所示，被填充在處理氣體罐33中的處理氣體的壓力P,為26.7kPa的情況下，接近穩(wěn)定時的處理氣體流通部件35內(nèi)的壓力29.9kPa(224Torr)，如圖3(b)的箭頭部分所示，被填充在處理氣體罐33中的處理氣體的壓力P,不足29.9kPa例如為17.9kPa(135Torr)的情況下，比穩(wěn)定時的處理氣體流通部件35內(nèi)的壓力小，如圖3(c)的箭頭部件所示，被填充在處理氣體罐33中的處理氣體的壓力P,比29.9kPa還大、例如為53.3kPa的情況下，比穩(wěn)定時的處理氣體流通部件35內(nèi)的壓力還大。另外，在被填充于處理氣體罐33中的處理氣體的壓力Pi為17.9kPa的情況下，與26.7kPa的情況相比，穩(wěn)定時間延長2秒之多，g卩，其結(jié)果為，比未使用處理氣體罐33而僅向腔室2內(nèi)供給來自處理氣體供給源30、31、32的處理氣體時的穩(wěn)定時間還長。因此，在第二處理氣體流路37(38)兼作為用于將處理氣體送入處理氣體罐33(34)中的流路、以及用于將處理氣體從處理氣體罐33(34)中送出的流路的情況下，如果使被填充在處理氣體罐33中的處理氣體的壓力比處理氣體流通部件35內(nèi)的壓力高，那么，不僅能夠防止處理氣體流入處理氣體罐33、34中，而且，越是提高被填充在處理氣體罐33中的處理氣體的壓力，則越能夠縮短穩(wěn)定時間。下面，對等離子體蝕刻裝置的其它實施方式進行說明。圖4是作為本發(fā)明所涉及的氣體處理裝置的其它實施方式的等離子體蝕刻裝置的大致截面圖。如圖4所示，等離子體蝕刻裝置r是將等離子體蝕刻裝置1中的處理氣體供給機構(gòu)3的第二處理氣體流路37、38的送入流路37a、38a以及旁通流路39變形后的例子，對于與等離子體蝕刻裝置1相同的部位標(biāo)注相同的符號并省略其說明。等離子體蝕刻裝置r中的處理氣體供給機構(gòu)3、的第二處理氣體流路37、(38、)的向處理氣體罐33(34)的送入流路37a、(38a')包括分支送入流路37e、37f、37g(38e、38f、38g)，這些分支送入流路是一個端部或者上游側(cè)端部從導(dǎo)入分支流路37i、37j、37k而繼續(xù)分支的，而這些導(dǎo)入分支流路按照分別從供給源連接流路36a、36b、36c的比質(zhì)量流量控制器36d、36e、36f還靠向上游的上游側(cè)分支的方式而設(shè)置；以及分支送入流路37e、37f、37g(38e、38f、38g)的另一個端部或下游側(cè)端部相互合流并且與處理氣體罐33(34)連接著的合流送入流路37h(38h)。在導(dǎo)入分支流路37i、37j、37k中分別設(shè)置有質(zhì)量流量控制器371、37m、37n，在分支送入流路37e、37f、37g、38e、38f、38g中分別設(shè)置有閥37o、37p、37q、38o、38p、38q。處理氣體供給機構(gòu)3、中的旁通流路39'的一側(cè)或者說上游側(cè)分支并分別與合流送入流路37h、38h連接，并在各個分支部上設(shè)置有閥39b、39c。在采用這種方式構(gòu)成的處理氣體供給機構(gòu)3、中，從He氣體供給源30、HC1氣體供給源31以及SF6氣體供給源32經(jīng)由第一處理氣體流通部件35而向腔室2內(nèi)供給氦氣、氯化氫氣體以及SF6氣體，與此同時，能夠從He氣體供給源30、HCI氣體供給源31以及SF6氣體供給源32經(jīng)由第二處理氣體流路37、(38、)向處理氣體罐33(34)填充氦氣、氯化氫氣體以及SF6氣體，并且，能夠通過各個質(zhì)量流量控制器36d、36e、36f、371、37m、37n以及各閥36g、36h、36i、37o(38o)、37pG8p)、37q(38q)來分別調(diào)整被供給腔室2內(nèi)的氦氣的流量、氯化氫氣體的流量、SF6氣體的流量、被送給處理氣體罐33(34)的氦氣的流量、氯化氫氣體的流量、SF6氣體的流量。另外，使旁通流路39'分支而分別與合流送入流路37h、38h連接，這樣，則能夠分別排出包括合流送入流路37h的第二處理氣體流路37'內(nèi)的處理氣體與包括合流送入流路38h的第二處理氣體流路38、內(nèi)的處理氣體。因此，將預(yù)先被填充在處理氣體罐33(34)中的由規(guī)定種類及比例組成的處理氣體、以及來自處理氣體供給源30、31、32的由規(guī)定種類及比率組成的處理氣體供給腔室2內(nèi)，進行某種處理，由于與此同時，能夠?qū)⒃谙乱惶幚碇兴褂玫?、由與規(guī)定種類及比例不同的種類以及/或者比例組成的處理氣體塤充在處理氣體罐34(33)中，所以能夠連續(xù)進行所使用的處理氣體種類或比率等不同的三種以上的處理。再者，在本實施方式中，使分支送入流路37e、38e、37f、38f、37g、38g經(jīng)由導(dǎo)入分支流路37i、37j、37k從供給源連接流路36a、36b、36c分支，但是，也可以不通過導(dǎo)入分支流路37i、37j、37k而從供給源連接流路36a、36b、36c直接分支。在這種情況下，能夠在分支送入流路37e、38e、37f、38f、37g、38g中分別設(shè)置質(zhì)量流量控制器。圖5表示在等離子體蝕刻裝置1中所設(shè)置著的處理氣體供給機構(gòu)3的供給源連接流路的變形例。為了在短時間內(nèi)從處理氣體供給源30、31、32向處理氣體罐33、34填充處理氣體，優(yōu)選采用能夠適用大流量的部件構(gòu)成在供給源連接流路36a、36b、36c中所設(shè)置的質(zhì)量流量控制器以及閥，從而按照大流量向處理氣體罐33、34供給處理氣體。但是，為了提高基板G的處理質(zhì)量，必須細致地調(diào)整從處理氣體供給源30、31、32供給至腔室2內(nèi)的處理氣體的流量，如果在供給源連接流路36a、36b、36c中設(shè)置能夠適用大流量的質(zhì)量流量控制器，那么就無法對流量進行微妙的調(diào)整，有可能使基板G的處理質(zhì)量下降。因此，如圖5所示，在各供給源連接流路36a、36b、36c中，使其分支為使來自處理氣體供給源30、31、32的處理氣體貯存或填充在處理氣體罐33、34中時而使其流通的貯存用流路36j、36k、361;以及在將來自處理氣體供給源30、31、32的處理氣體供給腔室2內(nèi)時使其流通的供給用流路36m、36n、36o，進行設(shè)置，在貯存用流路36j、36k、361中分別設(shè)置能夠適用大流量的質(zhì)量流量控制器36p以及閥36q，并且，在供給用流路36m、36n、36o中分別設(shè)置能夠進行微調(diào)的例如小流量用的質(zhì)量流量控制器36r以及閥36s。通過采用這種構(gòu)造，能夠在按照短時間向處理氣體罐33、34中填充處理氣體的同吋細致地調(diào)整被供給到腔室2內(nèi)的處理氣體的流瓜o以上，說明了本發(fā)明的最佳實施方式，但是，本發(fā)明并不局限于上述實施方式，可以有各種各樣的改變。在上述實施方式中，對應(yīng)用在向下部電極施加高頻電力的RIE式的電容耦合型平行平板等離子體蝕刻裝置中的例子進行了說明，但是，并不局限于此，也能夠應(yīng)用在灰化、CVD成膜等其它的等離子體處理裝置中，而且，也能應(yīng)用在將基板等被處理體收容在處理容器內(nèi)進行氣體處理的、等離子體處理裝置以外的一般氣體裝置中。另外，在上述實施方式中，對應(yīng)用在FPD用的玻璃基板的處理中的例子進行了說明，但并不局限于此，即能應(yīng)JIJ在半導(dǎo)體基板等一般的基板處理中，也能應(yīng)用在基板以外的被處理體的處理中。權(quán)利要求1.一種處理氣體供給機構(gòu)，其特征在于，其按照對收容在處理容器內(nèi)的被處理體實施規(guī)定處理的方式向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體，該處理氣體供給機構(gòu)包括用于向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體的處理氣體供給源；用于暫時貯存來自所述處理氣體供給源的處理氣體的處理氣體罐；和將來自所述處理氣體供給源的處理氣體供給所述處理氣體罐，并將所述處理氣體罐內(nèi)的處理氣體供給所述處理容器內(nèi)的處理氣體流通部件，處理氣體從所述處理氣體供給源被暫時貯存在所述處理氣體罐中，并從所述處理氣體罐向所述處理容器內(nèi)供給。2.—種氣體處理裝置，其特征在于，包括收容被處理體的處理容器；向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體的處理氣體供給機構(gòu)；以及對所述處理容器內(nèi)進行排氣的排氣單元，并且，在將被處理體收容在所述處理容器內(nèi)的狀態(tài)下，利用所述排氣單元進行排氣，同時利用所述處理氣體供給機構(gòu)供給處理氣體，對被處理體實施規(guī)定處理，所述處理氣體供給機構(gòu)包括-用于向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體的處理氣體供給源；用于暫時貯存來自所述處理氣體供給源的處理氣體的處理氣體罐；禾口將來自所述處理氣體供給源的處理氣體供給所述處理氣體罐，并將所述處理氣體罐內(nèi)的處理氣體供給所述處理容器內(nèi)的處理氣體流通部件，處理氣體從所述處理氣體供給源被暫時貯存在所述處理氣體罐中，并從所述處理氣體罐向所述處理容器內(nèi)供給。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體處理裝置，其特征在于，所述處理氣體流通部件包括與所述處理氣體供給源以及所述處理容器連接著的第一處理氣體流路；以及從所述第一處理氣體流路分支并與所述處理氣體罐連接著的第二處理氣體流路，所述處理氣體供給機構(gòu)也從所述處理氣體供給源向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體處理裝置，其特征在于，設(shè)置有多個所述處理氣體罐，并且，與所述處理氣體罐的數(shù)量對應(yīng)而設(shè)置有多個所述第二處理氣體流路，所述各第二處理氣體流路分別具有用于將處理氣體送入所述處理氣體罐的送入流路；以及用于將處理氣體從所述處理氣體罐送出的送出流路。5.根據(jù)權(quán)利耍求4所述的氣體處理裝置，其特征在于，包括控諱lj所述處理氣體供給機構(gòu)的控制部，所述控制部進行如下控制使處理氣體從所述多個處理氣體罐的一部分通過所述送出流路向所述處理容器內(nèi)供給，同時使處理氣體從所述處理氣體供給源通過所述送入流路貯存在所述多個處理氣體罐的剩余的一部分或全部中。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體處理裝置，其特征在于，所述第二處理氣體流路分別具有用于將處理氣體送入所述處理氣體罐的送入流路；以及用于將處理氣體從所述處理氣體罐送出的送出流路，設(shè)置有多個所述處理氣體供給源以供給不同的多種處理氣體，并且，所述第一處理氣體流路具有與所述處理氣體供給源的數(shù)量相對應(yīng)地分支成多個并與所述各處理氣體供給源連接著的供給源連接流路，所述第二處理氣體流路的所述送入流路是從所述第一處理氣體流路的所述各供給源連接流路分支的。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣體處理裝置，其特征在于，包括控制所述處理氣體供給機構(gòu)的控制部，所述控制部進行如下控制在使由規(guī)定種類及比例組成的處理氣體從所述處理氣體罐通過所述送出流路向所述處理容器內(nèi)供給之后，使由所述規(guī)定種類及比例組成的處理氣體從所述多個處理氣體供給源的一部分或全部通過所述第一處理氣體流路向所述處理容器內(nèi)供給，與此同時，使由與所述規(guī)定種類及比率不同的種類以及/或者比例組成的處理氣體，從所述多個處理氣體供給源的一部分或者全部通過所述送入流路貯存在所述處理氣體罐中。8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體處理裝置，其特征在于，設(shè)置有多個所述處理氣體罐，并且，與所述處理氣體罐的數(shù)量對應(yīng)而設(shè)置有多個所述第二處理氣體流路，所述各第二處理氣體流路分別具有用于將處理氣體送入所述處理氣體罐的送入流路；以及用于將處理氣體從所述處理氣體罐送出的送出流路，設(shè)置有多個所述處理氣體供給源以供給不同的多種處理氣體，并且，所述第一處理氣體流路具有與所述處理氣體供給源的數(shù)量相對應(yīng)地分支成多個并與所述各處理氣體供給源連接著的供給源連接流路，所述各第二處理氣體流路的所述送入流路是從所述第一處理氣體流路的所述各供給源連接流路分支的。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氣體處理裝置，其特征在于，包括控制所述處理氣體供給機構(gòu)的控制部，所述控制部進行如下控制使由規(guī)定種類及比例組成的處理氣體從所述多個處理氣體罐的一部分通過所述送出流路向所述處理容器內(nèi)供給，并且使由所述規(guī)定種類及比例組成的處理氣體從所述多個處理氣體供給源的一部分或全部通過所述第一處理氣體流路向所述處理容器內(nèi)供給，與此同時，使由與所述規(guī)定種類及比率不同的種類以及/或者比例組成的處理氣體，從所述多個處理氣體供給源的一部分或者全部通過所述送入流路貯存在所述多個處理氣體罐剩余的一部分或者全部中。10.根據(jù)權(quán)利要求39中任一項所述的氣體處理裝置，其特征在于，所述第一處理氣體流路分別具有在使來自所述處理氣體供給源的處理氣體貯存在所述處理氣體罐中的時候而使其流通的貯存用流路；以及在將來自所述處理氣體供給源的處理氣體供給所述處理容器內(nèi)的吋候而使其流通的供給用流路。11.根據(jù)權(quán)利要求210中任一項所述的氣體處理裝置，其特征在于，所述排氣單元具有多個與所述處理容器連接著的排氣流路；以及通過所述排氣流路對所述處理容器內(nèi)進行排氣的排氣裝置，在所述處理氣體流通部件與所述多個排氣流路中的一部分上連接著旁通流路，構(gòu)成為所述處理氣體流通部件內(nèi)的處理氣體通過所述旁通流路能夠被所述排氣單元排出，連接著所述旁通流路的所述排氣流路在比其與所述旁通流路的連接部還靠上游的上游側(cè)自如開閉。12.根據(jù)權(quán)利要求211中任一項所述的氣體處理裝置，其特征在于，在所述處理容器內(nèi)，還具備等離子體生成機構(gòu)，其生成由所述處理氣體供給機構(gòu)所供給的處理氣體的等離子體，所述規(guī)定的處理是使用著處理氣體的等離子體的等離子體處理。13.—種處理氣體供給方法，其特征在于，其按照對收容在處理容器內(nèi)的被處理體實施規(guī)定處理的方式向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體，準(zhǔn)備用于向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體的處理氣體供給源；用于暫時貯存來自所述處理氣體供給源的處理氣體的處理氣體罐；禾口將來自所述處理氣體供給源的處理氣體供給所述處理氣體罐，并將所述處理氣體罐內(nèi)的處理氣體供給所述處理容器內(nèi)的處理氣體流通部件，將處理氣體從所述處理氣體供給源暫時貯存在所述處理氣體罐屮，并從所述處理氣體罐向所述處理容器內(nèi)供給。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的處理氣體供給方法，其特征在于，預(yù)先由與所述處理氣體供給源以及所述處理容器連接著的第一處理氣體流路；以及從所述第一處理氣體流路分支并與所述處理氣體罐連接著的第二處理氣體流路構(gòu)成所述處理氣體流通部件，也從所述處理氣體供給源向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的處理氣體供給方法，其特征在于，設(shè)置多個所述處理氣體罐，并且與所述處理氣體罐的數(shù)量相對應(yīng)而設(shè)置多個所述第二處理氣體流路，分別具有用于將處理氣體送入所述處理氣體罐中的送入流路；以及用于將處理氣體從所述處理氣體罐送出的送出流路，構(gòu)成所述各個第二處理氣體流路，從所述多個處理氣體罐的一部分通過所述送出流路向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體，同時，從所述處理氣體供給源通過所述送入流路在所述多個處理氣體罐的剩余的一部分或全部中t!:存處理氣體。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的處理氣體供給方法，其特征在于，分別具有用于將處理氣體送入所述處理氣體罐中的送入流路；以及用于將處理氣體從所述處理氣體罐送出的送出流路，構(gòu)成所述第二處理氣體流路，設(shè)置多個所述處理氣體供給源以供給不同的多種處理氣體，并且，將所述第一處理氣體流路構(gòu)成為具有與所述處理氣體供給源的數(shù)量相對應(yīng)地分支成多個并與所述各處理氣體供給源連接著的供給源連接流路，將所述第二處理氣體流路的所述送入流路從所述第一處理氣體流路的所述各供給源連接流路分支，從所述處理氣體罐通過所述送出流路向所述處理容器內(nèi)供給由規(guī)定種類以及比例組成的處理氣體后，從所述多個處理氣體供給源的一部分或全部通過所述第一處理氣體流路向所述處理容器內(nèi)供給由所述規(guī)定種類以及比例組成的處理氣體，與此同時，從所述多個處理氣體供給源的一部分或全部通過所述送入流路在所述處理氣體罐中貯存由與所述規(guī)定種類以及比例不同的種類以及/或者比例組成的處理氣體。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的處理氣體供給方法，其特征在于，設(shè)置多個所述處理氣體罐，并且與所述處理氣體罐的數(shù)量相對應(yīng)而設(shè)置多個所述第二處理氣體流路，分另U具有用于將處理氣體送入所述處理氣體罐中的送入流路；以及用于將處理氣體從所述處理氣體罐送出的送H1流路，構(gòu)成所述各第二處理氣體流路，設(shè)置多個所述處理氣體供給源以供給不同的多種處理氣體，并且，將所述第一處理氣體流路構(gòu)成為具有與所述處理氣體供給源的數(shù)量相對應(yīng)地分支成多個并與所述各處理氣體供給源連接著的供給源連接流路，將所述第二處理氣體流路的所述送入流路從所述第一處理氣體流路的所述各供給源連接流路分支，從所述多個處理氣體罐的一部分通過所述送出流路向所述處理容器內(nèi)供給由規(guī)定種類以及比例組成的處理氣體，并且從所述多個處理氣體供給源的一部分或全部通過所述第一處理氣體流路向所述處理容器內(nèi)供給由所述規(guī)定種類以及比例組成的處理氣體，與此同時，從所述多個處理氣體供給源的一部分或全部通過所述送入流路在所述多個處理氣體罐的剩余的一部分或者全部中貯存由與所述規(guī)定種類以及比例不同的種類以及/或者比例組成的處理氣體。18.—種計算機可讀取的存儲介質(zhì)，其特征在于，其存儲著在計算機上運行的控制程序，所述控制程序在執(zhí)行吋按照實施權(quán)利要求1317中任一項所述的處理氣體供給方法的方式使計算機控制處理裝置。全文摘要本發(fā)明涉及處理氣體供給機構(gòu)、供給方法及氣體處理裝置，該處理氣體供給機構(gòu)能夠在短時間內(nèi)供給使處理容器內(nèi)變成設(shè)定壓力的量的處理氣體。處理氣體供給機構(gòu)(3)包括用于向作為收容基板(G)的處理容器的腔室(2)內(nèi)供給作為處理氣體的氦氣的He氣體供給源(30)；用于暫時貯存來自He氣體供給源(30)的氦氣的處理氣體罐(33)；和將來自He氣體供給源(30)的氦氣供給處理氣體罐(33)并將處理氣體罐(33)內(nèi)的氦氣供給腔室(2)內(nèi)的處理氣體流通部件(35)，氦氣經(jīng)由處理氣體流通部件(35)被從He氣體供給源(30)暫時貯存在處理氣體罐(33)中，并從處理氣體罐(33)供給到腔室(2)內(nèi)。文檔編號C23C16/448GK101159228SQ20071015444公開日2008年4月9日申請日期2007年9月12日優(yōu)先權(quán)日2006年10月2日發(fā)明者佐藤亮,齊藤均申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社