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多真空蒸鍍裝置及其控制方法

文檔序號:3251610閱讀:153來源:國知局
專利名稱:多真空蒸鍍裝置及其控制方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種多真空蒸鍍裝置及其控制方法,更特別地,本發(fā)明涉及一種具有能夠在控制蒸發(fā)裝置旋轉(zhuǎn)角度的同時阻擋熱傳播的冷卻裝置的裝置和方法。
背景技術(shù)
通常,有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置具有一氧化銦錫(ITO)陽極、一金屬陰極和在該陽極和陰極之間的有機薄膜多層。有機薄膜多層還能具有一ETL(電子傳輸層)、一HTL(空穴傳輸層)和一EML(發(fā)射層)。有機薄膜多層還能具有一EIL(電子注入層)、一HIL(空穴注入層)或一附加插入以改善元件特性的HBL(空穴阻擋層)。
用于形成有機薄膜多層的典型OLED真空蒸鍍裝置通常按照如下過程執(zhí)行。第一步是通過濺射在玻璃基底表面上真空蒸發(fā)出幾個ITO薄膜圖案的ITO薄膜蒸鍍過程。然后,如同前述ITO薄膜過程那樣,將其放電,使得空穴能輕易地從用于正極的ITO移動到發(fā)射層,同時,使用紫外線或等離子來氧化表面。此后,在有機薄膜蒸鍍過程中,如在高真空狀態(tài)下使用真空蒸鍍的方法,在玻璃基底表面上形成有機薄膜。在其內(nèi)這些薄膜被涂覆的真空腔的結(jié)構(gòu)包括一材料蒸發(fā)源、一控制薄膜厚度的傳感器、一使玻璃基底對準金屬遮蔽掩膜的裝置和用于蒸發(fā)材料的電源。在這些有機薄膜的蒸鍍完成之后,依次執(zhí)行金屬電極的蒸鍍、保護性薄膜的蒸鍍和封裝過程。
在這種方法中,用來蒸鍍薄膜的蒸鍍裝置是這樣形成的,使得通過加熱有機和無機材料,材料能涂鍍在安裝于真空腔內(nèi)部的板上。已經(jīng)開發(fā)了各種蒸鍍裝置。有人使用了多真空蒸鍍裝置,其中幾個蒸發(fā)源能夠旋轉(zhuǎn),當蒸發(fā)源位于加熱位置時,坩堝受加熱裝置加熱。在這種裝置中,蒸發(fā)源的形成使得裝有蒸發(fā)材料的坩堝能夠受加熱裝置加熱。加熱坩堝的位置包括用來蒸鍍的主加熱位和在坩堝移動到主加熱位之前加熱坩堝的初加熱位。
這種多真空蒸鍍裝置布置的一個缺點是從坩堝輻射出來的熱常常會傳遞到附近的坩堝,導(dǎo)致附近坩堝中的蒸鍍材料釋放。此外,因為主加熱位和初加熱位彼此離得很遠,因此,初加熱效率低。所以,需要一種能克服上述問題的多真空蒸鍍裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種改進的多蒸鍍裝置。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種多蒸鍍裝置,其中一個裝置產(chǎn)生的熱不會加熱其它裝置。
本發(fā)明的進一步目的是提供一種具有改進輔助加熱效率的多蒸鍍裝置。
本發(fā)明還有一個目的是提供一種操作多蒸鍍裝置的改進方法。
本發(fā)明再有一個目的是提供一種多真空蒸鍍裝置及其控制方法,其通過安裝阻擋并冷卻由加熱裝置和坩堝所產(chǎn)生的熱的反射器和在蒸發(fā)源處具有低溫水的冷卻裝置,能夠防止所產(chǎn)生的熱傳遞到附近蒸發(fā)源,同時通過控制蒸發(fā)源的旋轉(zhuǎn)并將主加熱位定位至靠近初加熱位來提高初加熱效率。
這些和其它目的可以通過這樣一種真空蒸鍍裝置來實現(xiàn),其包括多個蒸發(fā)源、一個適合旋轉(zhuǎn)所述多個蒸發(fā)源的旋轉(zhuǎn)部件、以及一個適合在任何時候遮擋所述多個蒸發(fā)源中除了一個蒸發(fā)源以外的其它所有蒸發(fā)源的涂鍍擋板,所述多個蒸發(fā)源中的每一個都一個包括殼體、一個設(shè)置在所述殼體內(nèi)的坩堝、布置在坩堝內(nèi)的蒸發(fā)材料、一個設(shè)置在坩堝外部并適合加熱和蒸發(fā)所述蒸發(fā)材料的加熱裝置、以及一個適合阻擋由加熱裝置所產(chǎn)生的熱向外傳遞的冷卻裝置。
冷卻裝置可以包括至少一個反射器,該至少一個反射器適合于覆蓋加熱裝置。殼體可以具有雙層結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)包括內(nèi)壁、外壁以及內(nèi)壁和外壁之間的封閉空間,殼體適合于將冷卻水提供到并排放出封閉空間。
真空蒸鍍裝置可以進一步包括分別設(shè)置在內(nèi)壁和外壁上部和下部處的上和下遮擋部,該上和下遮擋部適合于將封閉空間封閉。輸送管和排出管可以分別布置在外壁的上和下阻擋部上。真空蒸鍍裝置可以進一步包括設(shè)置在封閉空間內(nèi)并適合于分隔輸送管和排出管的隔板,隔板配置在靠近每個輸送管和排出管附近。
輸送管和排出管可以分別配置在外壁的下部和上部,而且輸送管和排出管可以布置成關(guān)于殼體相互對稱。真空蒸發(fā)裝置還可以包括至少一個設(shè)置在封閉空間內(nèi)且處于輸送管和排出管之間的冷卻感應(yīng)管。真空蒸鍍裝置還可以包括適合于封閉開口于坩堝和殼體之間的冷卻源上部的冷卻罩,該冷卻罩由殼體支撐并延伸至坩堝。旋轉(zhuǎn)部件可以適合于旋轉(zhuǎn)所述多個蒸發(fā)源,每個加熱裝置可以包括適合于加熱適宜蒸發(fā)的主加熱的第一加熱裝置,和適宜初加熱的第二加熱裝置。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面,操作真空蒸鍍裝置的方法可以包括提供包括多個蒸發(fā)源的蒸鍍裝置;適合旋轉(zhuǎn)所述多個蒸發(fā)源的旋轉(zhuǎn)部件;以及適合在任何時候阻擋所述多個蒸發(fā)源中除了一個以外的其它所有蒸發(fā)源的涂鍍的擋板,所述多個蒸發(fā)源中的每一個都包括一個殼體、一個設(shè)置在所述殼體內(nèi)的坩堝、裝在所述坩堝內(nèi)的蒸發(fā)材料、設(shè)置在坩堝外部并適合加熱和蒸發(fā)所述蒸發(fā)材料的加熱裝置、以及適合阻擋由加熱裝置產(chǎn)生的熱向外傳遞的冷卻裝置,加熱所述多個蒸發(fā)源中的所述沒有受所述涂鍍擋板阻擋的一個,同時初加熱所述多個蒸發(fā)源中相鄰的一個,將所述多個蒸發(fā)源旋轉(zhuǎn)θ角度,以使得所述多個蒸發(fā)源中所述相鄰一個不再受到所述涂鍍擋板的阻擋,所述角度θ等于360°×((t-1)/s),其中,t和s滿足0<((t-1)/s)≤1.0,其中,s為蒸發(fā)源的總數(shù),t為自然數(shù),360°是第n個(nth)蒸發(fā)源旋轉(zhuǎn)一次所需要的角度。s可以≥2。t和s可以滿足不等式1<t≤s。在蒸發(fā)源中,第n個蒸發(fā)源由第一加熱裝置加熱,其中第n-1個蒸發(fā)源由第二加熱裝置加熱。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面,蒸鍍裝置可以包括多個蒸發(fā)源、一個適合旋轉(zhuǎn)該多個蒸發(fā)源的旋轉(zhuǎn)部件、一個適合在任何時候阻擋所述多個蒸發(fā)源中除了一個以外的其它所有蒸發(fā)源的涂鍍擋板,所述多個蒸發(fā)源中的每一個都包括一個殼體、一個設(shè)置在所述殼體內(nèi)的坩堝、在坩堝內(nèi)的蒸發(fā)材料、一個設(shè)置在坩堝外部并適合加熱和蒸發(fā)所述蒸發(fā)材料的加熱裝置、以及一個設(shè)置在加熱裝置外部并適合防止由加熱裝置產(chǎn)生的熱穿過其傳遞的冷卻裝置。
所述冷卻裝置可以包括至少一個適合反射由加熱裝置產(chǎn)生并在冷卻裝置方向傳播的熱的反射器。冷卻裝置可以包括一個第一反射器和一個設(shè)置在該第一反射器外部的第二反射器,第一反射器和第二反射器中的每一個都適合于反射由加熱裝置所產(chǎn)生并在冷卻裝置方向傳播的熱。冷卻裝置可以包括充有冷卻水并配置在加熱裝置外部的封閉空間。冷卻裝置可以包括連接到封閉空間上并適合將冷卻水傳遞到封閉空間及從封閉空間排出的供水管和排水管。


通過參照結(jié)合附圖的以下詳細說明,本發(fā)明更完整的理解及其許多附帶的優(yōu)點將變得更加明顯和更好理解,在附圖中,相同的附圖標記表示相同或類似的元件。
圖1是大致示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有多個蒸發(fā)源的真空蒸鍍裝置的截面圖。
圖2是一幅放大了的截面圖,示出了圖1所示的真空蒸鍍裝置中一個蒸發(fā)源。
圖3至5是圖2中蒸發(fā)源冷卻裝置的各種變化。
圖6是圖1所示蒸鍍裝置的平面圖。
圖7示出了圖6所示蒸鍍裝置的旋轉(zhuǎn)狀態(tài)。
具體實施例方式
參照附圖,圖1是一幅截面圖,大致示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有多個蒸發(fā)源110的真空蒸鍍裝置100。參照圖1,板20安裝在真空腔10內(nèi),蒸鍍裝置100安裝在真空腔10上以允許蒸鍍材料的蒸發(fā)涂鍍。蒸鍍裝置100包括幾個蒸發(fā)源110、其上安裝有所述幾個蒸發(fā)源110的旋轉(zhuǎn)部件120、固定在真空腔10上、允許旋轉(zhuǎn)部件120旋轉(zhuǎn)的固定護罩130和一個電源部分140。
蒸發(fā)源110設(shè)置成可以旋轉(zhuǎn)360°,這樣每個蒸發(fā)源110形成彼此相同的角度。在旋轉(zhuǎn)部件120中是幾個用于旋轉(zhuǎn)的軸承122,應(yīng)該使用真空密封以防止旋轉(zhuǎn)部件120的真空狀態(tài)的損壞。
蒸鍍擋板132安裝在固定護罩130的上部,使得能阻擋從非主加熱蒸發(fā)源110釋放出來的蒸鍍材料。蒸鍍擋板132形成具有特定角度的開口,使得只有當前受到主加熱的一個蒸發(fā)源能將材料釋放到真空腔10中。蒸鍍擋板固定在固定護罩130上。
現(xiàn)在參看圖2,圖2是圖1所示蒸發(fā)源110之一的放大截面圖。參照圖2,蒸發(fā)源110包括一個坩堝111、一個位于坩堝111外部加熱坩堝111的加熱裝置112、一個將加熱裝置112連接至電源部分140的電路接頭113、一個安裝有電路接頭113的殼體114、以及一個防止由坩堝111和加熱裝置112所產(chǎn)生的熱向外傳遞的冷卻裝置。
冷卻裝置包括一個覆蓋加熱裝置112以阻擋來自加熱裝置112和坩堝111的熱散出的反射器150。冷卻裝置還包括具有冷卻水162流入和流出的封閉空間160,封閉空間160和冷卻水162在殼體114內(nèi)處于內(nèi)壁114a和外壁114b之間。
反射器150優(yōu)選由幾個元件組成,包括反射從加熱裝置112和坩堝111發(fā)散出的高溫?zé)岬牡谝环瓷淦?50a。第一反射器150a位于加熱裝置112附近。反射器150還包括反射由第一反射器150a傳播的高溫?zé)岬牡诙瓷淦?50b。
在第一和第二反射器150a和150b之間優(yōu)選地形成的具有一些空間。此外,第一和第二反射器150a和150b優(yōu)選位于加熱裝置112和殼體114的內(nèi)壁114a之間的空間內(nèi)。反射器150用來防止不需要的向蒸發(fā)源外部的熱傳遞。
封閉空間160優(yōu)選通過在內(nèi)壁114a和外壁114b的上部和下部安裝封堵材料114c來密封。封堵材料114c可以用來隔絕殼體114的內(nèi)壁114a和外壁114b。殼體114具有雙壁結(jié)構(gòu),在這個雙壁結(jié)構(gòu)內(nèi)部就是封閉空間160。
輸送管164和排出管166分別安裝在外壁114b的下部和上部。輸送管164和排出管166都連接到封閉空間160上,使得冷卻水162可以供應(yīng)到封閉空間160中并從封閉空間160中排出。優(yōu)選輸送管164連接到位于外部的供水箱(未示出)上,并配置一個單獨的泵(未示出)以通過輸送管164向封閉空間160提供冷卻水162。排出管166也優(yōu)選連接到排水箱(未示出)上??梢园惭b另一個泵(未示出),以通過排出管166將冷卻水162排出封閉空間160到水箱。
還包括冷卻罩170,以阻擋熱量從位于坩堝111的上側(cè)和內(nèi)壁114a之間的開口處的蒸發(fā)源110的上端散出。冷卻罩170優(yōu)選延伸到坩堝111的端部,并由上部封堵材料114支撐。冷卻罩170可以由與反射器150相同的材料制成,或由一些其它絕緣材料制成。
現(xiàn)在參看圖3至5。圖3至5示出了圖2中冷卻裝置的各種變化。參照圖3,隔板180設(shè)置在封閉空間160內(nèi)部,使得輸送管164和排出管166能夠進一步彼此分開。輸送管164和排出管166優(yōu)選分別位于隔板180的相對側(cè)面上。這種結(jié)構(gòu)允許由輸送管164提供的水在由排出管166從封閉空間160排出之前變熱。
參照圖4,輸送管164和排出管166位于殼體114的相對側(cè)面上,二者在徑向上彼此相對。圖4這種布置的目的在于,僅在冷卻水162由輸送管164供給之后已經(jīng)有機會充分流過整個封閉空間160之后,才通過排出管166將冷卻水162排出。
參照圖5,冷卻裝置還包括一個或多個設(shè)置在封閉空間160內(nèi)的感應(yīng)管190。在圖5中,優(yōu)選使用多于一根的感應(yīng)管190,使得能夠減小吸熱范圍。優(yōu)選的是,感應(yīng)管190的一端位于封閉空間160的上端,并附裝在排出管166上,而每個感應(yīng)管190的另一端位于封閉空間160的下端,并附裝在輸送管164上。
參照圖6和7,示出了相對于蒸鍍擋板130和主及輔助加熱器的具有多個蒸發(fā)源的真空蒸鍍裝置的控制方法。圖6是圖1所示蒸鍍裝置的平面圖,圖7示出了圖6中蒸發(fā)源移動到下一過程時狀態(tài)的平面圖。圖6示出了初始位置,圖7示出了在旋轉(zhuǎn)一個位置后蒸發(fā)源的位置。
參照圖6,其內(nèi)帶有冷卻裝置的幾個蒸發(fā)源110是這樣設(shè)置的,即,通過旋轉(zhuǎn)部件120,這些蒸發(fā)源可以旋轉(zhuǎn)360°。旋轉(zhuǎn)部件120聯(lián)接于蒸發(fā)源110和為旋轉(zhuǎn)部件120提供旋轉(zhuǎn)能量的電源部分140。一個控制部件通過電源部分140的旋轉(zhuǎn)能量測量并控制旋轉(zhuǎn)部件120的旋轉(zhuǎn)角度。旋轉(zhuǎn)部件120是通常安裝在旋轉(zhuǎn)型蒸鍍裝置100中的裝置,在此省略其詳細說明。
蒸鍍擋板132僅允許受主加熱的蒸發(fā)源110a的釋放,并阻擋其它剩余蒸鍍源110b、110c…的釋放。這樣,只有受主加熱裝置200加熱的蒸發(fā)源110a的蒸鍍材料被允許涂鍍到圖1中的板20上。
設(shè)定蒸發(fā)源110a受第一(主)加熱裝置200加熱的位置和蒸發(fā)源110b受第二(初)加熱裝置210加熱的位置。第一和第二加熱裝置200、210如圖6和7所示彼此靠近地布置。
如圖6所示,第一蒸發(fā)源110a受第一(主)加熱裝置200的加熱,以允許蒸鍍。在受主加熱裝置110a加熱的蒸發(fā)源附近的一個位置上是受第二(初)加熱裝置120加熱的第二蒸發(fā)源110b。這樣就完成了一個過程。
換句話說,具有冷卻裝置的幾個蒸發(fā)源中的第n個蒸發(fā)源110a受到第一(主)加熱裝置200加熱,第n-1個蒸發(fā)源110b在等待主加熱的同時受第二(初)加熱裝置210加熱。當受主加熱裝置200加熱的第n個蒸發(fā)源110a的蒸鍍完成時,受初加熱裝置210加熱的第n-1個蒸發(fā)源110b移動到主加熱位置,使得其能受第一(主)加熱裝置200的加熱,如圖7所示。同時,圖6中的第n-2個蒸發(fā)源110c移動到圖7中初加熱裝置210的位置上。這樣,圖7就示出了旋轉(zhuǎn)部件210一個增量旋轉(zhuǎn)后的結(jié)果。
當蒸發(fā)源110的一個過程完成之后,如果蒸發(fā)源110的旋轉(zhuǎn)用等式1來表示,那么旋轉(zhuǎn)裝置在一個過程中旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)角度θ可以如下表示,其中s為蒸發(fā)源的總數(shù),360°為當?shù)趎個蒸發(fā)源旋轉(zhuǎn)一次時的角度等式1θ=360°×((t-1)/s)在這里,等式1應(yīng)該滿足0<(t-1)/s≤1.0其中,蒸發(fā)源的總數(shù)應(yīng)該滿足s≥2。
同時,自然數(shù)t應(yīng)該滿足1<t≤s。
類似地,主加熱位置和初加熱位置應(yīng)該彼此靠近的原因是從蒸發(fā)源110a和110b釋放出來的高溫?zé)崮芡ㄟ^為每個蒸發(fā)源110安裝一個冷卻裝置來阻擋和冷卻。
根據(jù)前述的本發(fā)明,因為由受主和輔助加熱裝置加熱的蒸發(fā)源產(chǎn)生的高溫?zé)岜环乐瓜蚋浇舭l(fā)源傳遞,所以顯著降低了加熱除了受主加熱裝置加熱的蒸發(fā)源以外的蒸發(fā)源而導(dǎo)致的蒸鍍材料釋放。同樣,主加熱裝置的位置和初加熱裝置的位置彼此靠近,因此根據(jù)其初始目的增加了利用初加熱裝置的效率。
盡管已經(jīng)示出并說明了本發(fā)明的一些實施例,但是,本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解,在不脫離本發(fā)明原則和精神的情況下可以做出改變,本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物來限定。
權(quán)利要求
1.一種蒸鍍裝置,包括多個蒸發(fā)源;一個適合旋轉(zhuǎn)該多個蒸發(fā)源的旋轉(zhuǎn)部件;一個適合在任何時候阻擋所述多個蒸發(fā)源中除了一個以外的其它所有蒸發(fā)源的涂鍍擋板,所述多個蒸發(fā)源中的每一個都包括一個殼體、一個設(shè)置在所述殼體內(nèi)的坩鍋、設(shè)置在該坩鍋內(nèi)的蒸發(fā)材料、一個設(shè)置在坩鍋外部并適合加熱和蒸發(fā)所述蒸發(fā)材料的加熱裝置、一個適合于阻擋由該加熱裝置產(chǎn)生的熱向外傳遞的冷卻裝置。
2.如權(quán)利要求1的蒸發(fā)源,所述冷卻裝置包括至少一個反射器,該至少一個反射器適合于覆蓋該加熱裝置。
3.如權(quán)利要求1的蒸發(fā)源,其中殼體具有包括內(nèi)壁、外壁及內(nèi)壁和外壁之間的封閉空間的雙層結(jié)構(gòu),該殼體適合于向所述封閉空間供應(yīng)冷卻水并將冷卻水從封閉空間排出。
4.如權(quán)利要求3的蒸發(fā)源,還包括分別設(shè)置在內(nèi)壁和外壁的上部和下部的上和下遮擋部,該上和下遮擋部適合于將所述封閉空間封閉。
5.如權(quán)利要求3的蒸發(fā)源,其中輸送管和排出管分別設(shè)置在外壁的上部和下部上。
6.如權(quán)利要求5的蒸發(fā)源,還包括設(shè)置在封閉空間內(nèi)并適合將輸送管與排出管隔離開的隔板,該隔板設(shè)置在每個輸送管和排出管的附近。
7.如權(quán)利要求5的蒸發(fā)源,其中輸送管和排出管分別設(shè)置在外壁的下部和上部,其中輸送管和排出管設(shè)置的關(guān)于殼體相互對稱。
8.如權(quán)利要求3的蒸發(fā)源,還包括至少一個設(shè)置在所述封閉空間內(nèi)部輸送管和排出管之間的冷卻感應(yīng)管。
9.如權(quán)利要求4的蒸發(fā)源,還包括一個適合于阻擋開口于坩鍋和殼體之間的冷卻源上部的冷卻罩,該冷卻罩由殼體支撐并延伸到坩鍋。
10.如權(quán)利要求1的真空蒸發(fā)單元,其中旋轉(zhuǎn)部件適合旋轉(zhuǎn)所述多個蒸發(fā)源,每個加熱裝置包括適合加熱適宜蒸發(fā)的主加熱的第一加熱裝置和適宜初加熱的第二加熱裝置。
11.控制蒸鍍裝置的方法,包括提供一蒸鍍裝置,其包括多個蒸發(fā)源;一個適合旋轉(zhuǎn)該多個蒸發(fā)源的旋轉(zhuǎn)部件;一個適合在任何時候阻擋所述多個蒸發(fā)源中除了一個以外的其它所有蒸發(fā)源的涂鍍擋板,所述多個蒸發(fā)源的每一個都包括一個殼體、一個設(shè)置在所述殼體內(nèi)的坩鍋、在坩鍋內(nèi)的蒸發(fā)材料、一個設(shè)置在坩鍋外部并適合加熱和蒸發(fā)所述蒸發(fā)材料的加熱裝置以及一個適合于阻擋所述加熱裝置所產(chǎn)生的熱向外傳遞的冷卻裝置;加熱所述多個蒸發(fā)源中所述沒有受到涂渡擋板的遮擋的一個,同時初加熱所述多個蒸發(fā)源中相鄰的一個;使所述多個蒸發(fā)源旋轉(zhuǎn)θ角度,使得所述多個蒸發(fā)源中所述相鄰一個不再受所述涂鍍擋板的遮擋,所述角度θ等于=360°×((t-1)/s),其中t和s滿足0<(t-1)/s≤1.0,同時s為蒸發(fā)源的總數(shù),t為自然數(shù),360°是當?shù)趎個蒸發(fā)旋轉(zhuǎn)一次時所獲得的角度。
12.如權(quán)利要求11的方法,其中s≥2。
13.如權(quán)利要求11的方法,其中1<t≤s。
14.如權(quán)利要求11的方法,其中在蒸發(fā)源中,第n個蒸發(fā)源受第一加熱裝置加熱,其中第n-1個蒸發(fā)源受第二加熱裝置加熱。
15.一種蒸鍍裝置,包括多個蒸發(fā)源;一個適合旋轉(zhuǎn)該多個蒸發(fā)源的旋轉(zhuǎn)部件;一個適合在任何時候遮擋所述多個蒸發(fā)源中除了一個以外的其它所有蒸發(fā)源的涂鍍擋板,該多個蒸發(fā)源中的每一個都包括一個殼體、一個設(shè)置在所述殼體內(nèi)的坩鍋、在坩鍋內(nèi)的蒸發(fā)材料、一個設(shè)置在坩鍋外部并適合加熱和蒸發(fā)所述蒸發(fā)材料的加熱裝置、一個設(shè)置在該加熱裝置外部并適合防止由加熱裝置產(chǎn)生的熱穿過其傳遞的冷卻裝置。
16.如權(quán)利要求15的蒸發(fā)裝置,所述冷卻裝置包括至少一個適合反射由加熱裝置產(chǎn)生并在冷卻裝置方向傳播的熱的反射器。
17.如權(quán)利要求15的蒸發(fā)裝置,所述冷卻裝置包括一個第一反射器和一個設(shè)置在該第一反射器外部的第二反射器,第一反射器和第二反射器中的每一個適合于反射由加熱裝置產(chǎn)生并在冷卻裝置方向傳播的熱。
18.如權(quán)利要求15的蒸發(fā)裝置,所述冷卻裝置包括充有冷卻水并設(shè)置在加熱裝置外部的封閉空間。
19.如權(quán)利要求16的蒸發(fā)裝置,所述冷卻裝置包括充有冷卻水并設(shè)置在加熱裝置外部的封閉空間。
20.如權(quán)利要求18的蒸發(fā)裝置,還包括連接到封閉空間并適合向封閉空間供應(yīng)冷卻水及從封閉空間排出冷卻水的供水管和排水管。
全文摘要
一種多真空蒸鍍裝置及其控制方法。真空蒸鍍裝置包括多個蒸發(fā)源、適合旋轉(zhuǎn)該多個蒸發(fā)源的旋轉(zhuǎn)部件和適合在任何時候遮擋所述多個蒸發(fā)源中除了一個以外的其它所有蒸發(fā)源的涂鍍擋板,所述多個蒸發(fā)源中的每一個都包括一個殼體、一個設(shè)置在所述殼體內(nèi)的坩鍋、在坩鍋內(nèi)的蒸發(fā)材料、一個設(shè)置在坩鍋外部并適合加熱和蒸發(fā)所述蒸發(fā)材料的加熱裝置、一個適合阻擋由加熱裝置產(chǎn)生的熱向外傳遞的冷卻裝置。
文檔編號C23C14/54GK1854332SQ200610091638
公開日2006年11月1日 申請日期2006年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月9日
發(fā)明者李星昊, 金秀渙, 黃珉婷 申請人:三星Sdi株式會社
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