專利名稱：真空蒸汽沉積設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種真空蒸汽沉積設(shè)備，該設(shè)備將如有機(jī)材料的蒸發(fā)材料蒸發(fā)和沉積到如用于平板顯示器的基片的工件的表面上以形成薄膜。
背景技術(shù)：
在一種真空蒸汽沉積設(shè)備中，蒸發(fā)材料容納在設(shè)置于汽化室中的坩鍋內(nèi)，而且通過(guò)來(lái)自該汽化室的側(cè)壁(熱壁)的輻射熱對(duì)該蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱以使其汽化，從而蒸發(fā)材料沉積在工件的表面上以形成薄膜。
在傳統(tǒng)的真空蒸汽沉積設(shè)備中，采用如圖18A和18B所示的坩鍋。應(yīng)指出的是，對(duì)采用已知坩鍋的真空蒸汽沉積設(shè)備進(jìn)行公開(kāi)的公知相關(guān)技術(shù)的文獻(xiàn)包括例如以下的專利文獻(xiàn)1。在圖18A中示出的坩鍋1是簡(jiǎn)單的盒型容器，并用于在其內(nèi)部容納作為真空蒸汽沉積的原材料的蒸發(fā)材料2。在圖18B中示出的坩鍋3是簡(jiǎn)單的圓柱型容器，并用于在其內(nèi)部容納蒸發(fā)材料2。盒型坩鍋1的容納部分的寬度以及圓柱型坩鍋3的容納部分的直徑例如約30毫米。為了采用這樣已知的坩鍋1或3對(duì)工件的待涂布區(qū)域的尺寸增加進(jìn)行處理，需要布置多個(gè)盒型坩鍋1或多個(gè)圓柱型坩鍋3。
例如，近年來(lái)，真空蒸汽沉積設(shè)備不僅用于金屬材料的沉積(形成金屬薄膜)，而且還用于有機(jī)材料的沉積(形成有機(jī)薄膜)、如用于平板顯示器(以下簡(jiǎn)稱為FPD)等的有機(jī)電致發(fā)光元件(以下簡(jiǎn)稱為有機(jī)EL元件)的多種有機(jī)材料的共沉積(形成聚合物薄膜)。另外，隨著近來(lái)FPD的普及，F(xiàn)PD基片的尺寸在增加。隨著FPD基片尺寸的這一增加，F(xiàn)PD基片的同時(shí)進(jìn)行沉積的待涂布區(qū)域的尺寸也在增加(見(jiàn)圖1)。
因此，為了對(duì)FPD基片的待涂布區(qū)域的這種尺寸增加進(jìn)行處理，需要以如圖19A或19B示出的分散方式在汽化室4內(nèi)沿FPD基片的待涂布區(qū)域的縱向方向(與FPD基片傳輸方向垂直的方向)布置多個(gè)盒型坩鍋1或多個(gè)圓柱型坩鍋3。通過(guò)電加熱器(未示出)對(duì)汽化室4的側(cè)壁(熱壁)5進(jìn)行加熱。利用來(lái)自熱壁5的輻射熱T，通過(guò)輻射加熱使容納在坩鍋1或3內(nèi)的蒸發(fā)材料(有機(jī)材料)2汽化。在這一情形下，蒸發(fā)材料2不僅直接被輻射加熱，而且還被從輻射加熱的坩鍋1或3傳導(dǎo)來(lái)的熱加熱。
專利文獻(xiàn)1日本待決專利公開(kāi)No.S61-73875然而，在如圖19A或19B所示布置多個(gè)已知的盒型坩鍋1或多個(gè)已知的圓柱型坩鍋3的情形下，存在以下的問(wèn)題。
(1)一個(gè)已知的坩鍋1或坩鍋3的加熱表面區(qū)域，即坩鍋的與蒸發(fā)材料2接觸的區(qū)域較小。因此，為了獲得期望的蒸發(fā)材料2的汽化量，需要通過(guò)增加電加熱器的功率將熱壁5加熱到較高的溫度或布置較多的坩鍋1或3。因此，就產(chǎn)生如下問(wèn)題，例如蒸發(fā)源的尺寸增加、布置坩鍋的工作增加、和系統(tǒng)的成本增加。
(2)如果以分散的方式布置多個(gè)坩鍋1或3，就傾向于出現(xiàn)在蒸發(fā)材料2的汽化的不均勻。結(jié)果，在基片上形成的薄膜的膜厚分布就變得不均勻。即使采用電加熱器對(duì)熱壁5的溫度進(jìn)行控制，也存在如下情形，即如圖19A和19B示出的那樣，例如在熱壁5的部分P處的溫度(如350℃)與在熱壁5的部分Q處的溫度(如300℃)之間產(chǎn)生差別。在這一情形下，在位于前側(cè)的坩鍋1或3內(nèi)的蒸發(fā)材料2主要接收來(lái)自部分P的輻射熱T以汽化，而在位于后側(cè)的坩鍋1或3內(nèi)的蒸發(fā)材料2主要接收來(lái)自部分Q的輻射熱T以汽化。因此，在位于前側(cè)的坩鍋1或3和位于后側(cè)的坩鍋1或3之間出現(xiàn)蒸發(fā)材料2的汽化量的不均勻(差別)。因此，為了對(duì)此進(jìn)行處理，需要通過(guò)減小坩鍋1或3的尺寸來(lái)以較小的間隔布置大量的坩鍋1或3。在這一情形下，也引起例如布置坩鍋的工作增加以及系統(tǒng)成本增加的問(wèn)題。特別地，在用于有機(jī)EL的真空蒸汽沉積設(shè)備中，容易出現(xiàn)這樣的問(wèn)題，因?yàn)榇坎紖^(qū)域的尺寸已經(jīng)隨著FPD基片尺寸的增加而增加。
(3)在少量蒸發(fā)材料2汽化的情形下，即在量最初較小的蒸發(fā)材料2汽化或蒸發(fā)材料2的量由于汽化而減小而變得較小的情形下，在蒸發(fā)材料2的汽化進(jìn)行相對(duì)較快的外圍部分與坩鍋1或3的內(nèi)表面之間產(chǎn)生距離，而從坩鍋1或3到蒸發(fā)材料2的熱傳導(dǎo)的效率變得較低。因此，就易于出現(xiàn)坩鍋1或3中蒸發(fā)材料2的汽化量的不均勻，而且膜厚分布傾向于變得不均勻。因此，為了對(duì)此進(jìn)行處理，也需要布置大量的坩鍋1或3。結(jié)果，就引起例如布置坩鍋的工作增加以及系統(tǒng)成本增加的問(wèn)題。特別地，在用于有機(jī)EL的真空蒸汽沉積設(shè)備中，容易出現(xiàn)這樣的問(wèn)題，因?yàn)樾纬衫绾穸燃s為400埃的非常薄的膜，因而宿主材料和摻雜材料的量非常少(例如約2克)，這些宿主材料和摻雜材料是有機(jī)材料并用于形成該膜。
因此，考慮到上述情況，本發(fā)明的目的在于提供一種包括坩鍋的真空蒸汽沉積設(shè)備，該坩鍋具有如下結(jié)構(gòu)，通過(guò)該結(jié)構(gòu)能容易地以較低的成本對(duì)工件的待涂布區(qū)域的尺寸的增加、少量的蒸發(fā)材料等進(jìn)行處理。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)現(xiàn)上述目的的本發(fā)明第一方面的真空蒸汽沉積設(shè)備是如下真空蒸汽沉積設(shè)備，其中蒸發(fā)材料容納在設(shè)置于汽化室內(nèi)的坩鍋內(nèi)，而且作為該汽化室的側(cè)壁的熱壁通過(guò)來(lái)自這些熱壁的輻射熱對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱以使蒸發(fā)材料汽化(也包括升華的情形)，從而蒸發(fā)材料沉積在工件表面上以形成薄膜。該坩鍋由在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)構(gòu)成，并在坩鍋上表面內(nèi)具有多個(gè)凹槽。這些凹槽具有從坩鍋上表面的一端到其另一端的長(zhǎng)度，并起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。
應(yīng)指出的是，通過(guò)加熱升華以汽化的升華材料適于作為容納在所述多個(gè)凹槽內(nèi)的蒸發(fā)材料。另外，作為狹窄開(kāi)口的凹槽，如狹縫凹槽適于作為所述多個(gè)凹槽。
本發(fā)明第二方面的真空蒸汽沉積設(shè)備是如下真空蒸汽沉積設(shè)備，其中蒸發(fā)材料容納在設(shè)置于汽化室內(nèi)的坩鍋內(nèi)，而且作為該汽化室的側(cè)壁的熱壁通過(guò)來(lái)自這些熱壁的輻射熱對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱以使蒸發(fā)材料汽化(也包括升華的情形)，從而蒸發(fā)材料沉積在工件表面上以形成薄膜。該坩鍋由在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)構(gòu)成，并在坩鍋上表面內(nèi)具有凹槽。該凹槽具有從坩鍋上表面的一端到其另一端的長(zhǎng)度，并起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。
應(yīng)指出的是，通過(guò)加熱熔化以汽化的熔融材料適于作為容納在該凹槽內(nèi)的蒸發(fā)材料。
本發(fā)明第三方面的真空蒸汽沉積設(shè)備是如下真空蒸汽沉積設(shè)備，其中蒸發(fā)材料容納在設(shè)置于汽化室內(nèi)的坩鍋內(nèi)，而且作為該汽化室的側(cè)壁的熱壁通過(guò)來(lái)自這些熱壁的輻射熱對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱以使蒸發(fā)材料汽化(也包括升華的情形)，從而蒸發(fā)材料沉積在工件表面上以形成薄膜。該坩鍋由成束布置成在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的多個(gè)構(gòu)件構(gòu)成，并在坩鍋上表面內(nèi)具有多個(gè)凹槽。這些凹槽具有從坩鍋上表面的一端到其另一端的長(zhǎng)度，并起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。
本發(fā)明第四方面的真空蒸汽沉積設(shè)備是如下真空蒸汽沉積設(shè)備，其中蒸發(fā)材料容納在設(shè)置于汽化室內(nèi)的坩鍋內(nèi)，而且作為該汽化室的側(cè)壁的熱壁通過(guò)來(lái)自這些熱壁的輻射熱對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱以使蒸發(fā)材料汽化(也包括升華的情形)，從而蒸發(fā)材料沉積在工件表面上以形成薄膜。該坩鍋由在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)構(gòu)成，或者由成束布置成在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的多個(gè)構(gòu)件構(gòu)成，并在坩鍋上表面內(nèi)具有多個(gè)孔。這些孔起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。
本發(fā)明第五方面的真空蒸汽沉積設(shè)備是本發(fā)明第一至第四方面中的任一方面的真空蒸汽沉積設(shè)備，其中坩鍋分成多個(gè)區(qū)域。在坩鍋的下表面之下為相應(yīng)區(qū)域設(shè)置單獨(dú)的加熱裝置。因此，能通過(guò)這些加熱裝置為相應(yīng)區(qū)域單獨(dú)控制溫度。
本發(fā)明第六方面的真空蒸汽沉積設(shè)備是如下真空蒸汽沉積設(shè)備，其中蒸發(fā)材料容納在設(shè)置于汽化室內(nèi)的坩鍋內(nèi)，而且作為該汽化室的側(cè)壁的熱壁通過(guò)來(lái)自這些熱壁的輻射熱對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱以使蒸發(fā)材料汽化(也包括升華的情形)，從而蒸發(fā)材料沉積在工件表面上以形成薄膜。該坩鍋由在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)構(gòu)成，具有沿工件的寬度方向延伸的狹長(zhǎng)形狀，并在坩鍋上表面內(nèi)具有至少一個(gè)凹槽。所述至少一個(gè)凹槽沿坩鍋的縱向方向延伸，并起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。
本發(fā)明第七方面的真空蒸汽沉積設(shè)備是如下真空蒸汽沉積設(shè)備，其中蒸發(fā)材料容納在設(shè)置于汽化室內(nèi)的坩鍋內(nèi)，而且作為該汽化室的側(cè)壁的熱壁通過(guò)來(lái)自這些熱壁的輻射熱對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱以使蒸發(fā)材料汽化(也包括升華的情形)，從而蒸發(fā)材料沉積在工件表面上以形成薄膜。該坩鍋由在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)構(gòu)成，具有沿工件的寬度方向延伸的狹長(zhǎng)形狀，并在坩鍋上表面內(nèi)具有多個(gè)凹槽。這些凹槽沿與坩鍋的縱向方向垂直的方向延伸，并起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。
本發(fā)明第八方面的真空蒸汽沉積設(shè)備是如下真空蒸汽沉積設(shè)備，其中蒸發(fā)材料容納在設(shè)置于汽化室內(nèi)的坩鍋內(nèi)，而且作為該汽化室的側(cè)壁的熱壁通過(guò)來(lái)自這些熱壁的輻射熱對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱以使蒸發(fā)材料汽化(也包括升華的情形)，從而蒸發(fā)材料沉積在工件表面上以形成薄膜。該坩鍋由在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)構(gòu)成，具有沿工件的寬度方向延伸的狹長(zhǎng)形狀，并在坩鍋上表面內(nèi)具有多個(gè)孔。這些孔起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。
本發(fā)明第九方面的真空蒸汽沉積設(shè)備是本發(fā)明第六至第八方面中任一方面的真空蒸汽沉積設(shè)備，其中坩鍋至少在縱向方向上分成多個(gè)區(qū)域。在坩鍋下表面之下為相應(yīng)區(qū)域設(shè)置單獨(dú)的加熱裝置。因此，能通過(guò)這些加熱裝置為相應(yīng)區(qū)域單獨(dú)控制溫度。
本發(fā)明第十方面的真空蒸汽沉積設(shè)備是本發(fā)明第六至第九方面中任一方面的真空蒸汽沉積設(shè)備，其中蒸發(fā)材料為有機(jī)材料，而且其中工件為用于平板顯示器的基片。有機(jī)材料沉積在基片的表面上以形成有機(jī)電致發(fā)光元件的薄膜。
本發(fā)明第十一方面的真空蒸汽沉積設(shè)備是本發(fā)明第六至第九方面中任一方面的真空蒸汽沉積設(shè)備，其中蒸發(fā)材料為有機(jī)材料，而且工件為用于照明裝置的基片。有機(jī)材料沉積在基片的表面上以形成有機(jī)電致發(fā)光元件的薄膜。
根據(jù)實(shí)現(xiàn)前述目的的本發(fā)明第十二方面，提供一種采用本發(fā)明第五和第九方面中的任一方面的真空蒸汽沉積設(shè)備制造有機(jī)電致發(fā)光元件的薄膜的方法。采用有機(jī)材料作為蒸發(fā)材料。對(duì)坩鍋的所述相應(yīng)區(qū)域測(cè)量溫度，而且根據(jù)所述相應(yīng)區(qū)域的測(cè)量溫度而對(duì)那些加熱裝置的輸出進(jìn)行單獨(dú)控制，使得所述相應(yīng)區(qū)域的溫度變得恒定。
在本發(fā)明第一和第二方面的真空蒸汽沉積設(shè)備中，坩鍋由在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)構(gòu)成，并在坩鍋上表面內(nèi)具有至少一個(gè)凹槽。所述至少一個(gè)凹槽具有從坩鍋上表面的一端到其另一端的長(zhǎng)度，并起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。因此，坩鍋的加熱表面區(qū)域(坩鍋與蒸發(fā)材料接觸的區(qū)域)變得較大。因此，無(wú)需將熱壁加熱到較高的溫度、布置較多的坩鍋等，就能獲得所期望的蒸發(fā)材料汽化量。另外，因?yàn)檑徨伿钦w結(jié)構(gòu)，即使在熱壁內(nèi)的位置中存在溫度差別，由于坩鍋上表面的沒(méi)有形成所述至少一個(gè)凹槽的部分(護(hù)堤部分)內(nèi)以及在所述至少一個(gè)凹槽之下的部分內(nèi)的熱傳導(dǎo)，在整個(gè)坩鍋上溫度也是均勻的。因此，能夠防止蒸發(fā)材料的汽化的不均勻，并能夠使得工件的膜厚分布均勻。而且，通過(guò)合適地設(shè)定所述至少一個(gè)凹槽的數(shù)量和尺寸(寬度、深度等)也能容易地處理少量的蒸發(fā)材料。因此，無(wú)需將熱壁加熱到較高的溫度、布置較多的坩鍋等，就能容易地以較低的成本對(duì)工件的待涂布區(qū)域的尺寸的增加、少量的蒸發(fā)材料等進(jìn)行處理。因此還能減小設(shè)備的成本。
在本發(fā)明第三方面的真空蒸汽沉積設(shè)備中，坩鍋由成束布置成在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的多個(gè)構(gòu)件構(gòu)成，并在坩鍋上表面內(nèi)具有多個(gè)凹槽。這些凹槽具有從坩鍋上表面的一端到其另一端的長(zhǎng)度，并起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。因此，例如，在對(duì)如大尺寸基片的較大工件難于形成較大的整體坩鍋的情形下，通過(guò)在汽化室的整個(gè)區(qū)域上成束布置多個(gè)坩鍋能夠提供較大的整體坩鍋的等同物。因此，能獲得與本發(fā)明的前述第一和第二方面的效果相當(dāng)?shù)男Ч?br> 在本發(fā)明第四方面的真空蒸汽沉積設(shè)備中，坩鍋由在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)構(gòu)成，或者由成束布置成在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的多個(gè)構(gòu)件構(gòu)成，并在坩鍋上表面內(nèi)具有多個(gè)孔。這些孔起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。因此，坩鍋的加熱表面區(qū)域(坩鍋與蒸發(fā)材料接觸的區(qū)域)變得較大。因此，無(wú)需將熱壁加熱到較高的溫度、布置較多的坩鍋等，就能獲得所期望的蒸發(fā)材料汽化量。另外，因?yàn)檑徨伿钦w結(jié)構(gòu)或幾乎是整體結(jié)構(gòu)，即使在熱壁內(nèi)的位置中存在溫度差別，由于坩鍋上表面的沒(méi)有形成孔的部分(護(hù)堤部分)內(nèi)以及在這些孔之下的部分內(nèi)的熱傳導(dǎo)，在整個(gè)坩鍋上溫度也是均勻的。因此，能夠防止蒸發(fā)材料汽化的不均勻，并能夠使得工件的膜厚分布均勻。而且，通過(guò)合適地設(shè)定這些孔的數(shù)量和尺寸(直徑、深度等)也能容易地處理少量的蒸發(fā)材料。因此，無(wú)需將熱壁加熱到較高的溫度、布置較多的坩鍋等，就能容易地以較低的成本對(duì)工件的待涂布區(qū)域的尺寸的增加、少量的蒸發(fā)材料等進(jìn)行處理。因此還能減小設(shè)備的成本。另外，在該第四方面中，即使蒸發(fā)材料的量非常少，這些孔也能以分散的方式設(shè)置在坩鍋的整個(gè)上表面上。因此，與如在上述第一方面中設(shè)置凹槽的情形相比，該第四方面對(duì)蒸發(fā)材料的量較小的情形是特別有效的。
在本發(fā)明第五方面的真空蒸汽沉積設(shè)備中，坩鍋分成多個(gè)區(qū)域，在坩鍋的下表面之下為相應(yīng)區(qū)域設(shè)置單獨(dú)的加熱裝置，從而能通過(guò)這些加熱裝置為相應(yīng)區(qū)域單獨(dú)控制溫度。因此，對(duì)每個(gè)區(qū)域控制坩鍋的溫度并控制蒸發(fā)材料的溫度。因此，能更可靠地防止蒸發(fā)材料的汽化的不均勻。因而，能更可靠地對(duì)工件的待涂布區(qū)域的尺寸的增加、少量的蒸發(fā)材料等進(jìn)行處理。
在本發(fā)明第六方面的真空蒸汽沉積設(shè)備中，坩鍋由在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)構(gòu)成，具有沿工件的寬度方向延伸的狹長(zhǎng)形狀，并在坩鍋上表面內(nèi)具有至少一個(gè)凹槽。所述至少一個(gè)凹槽沿坩鍋的縱向方向延伸，并起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。因此，坩鍋的加熱表面區(qū)域(坩鍋與蒸發(fā)材料接觸的區(qū)域)變得較大。因此，無(wú)需將熱壁加熱到較高的溫度、布置較多的坩鍋等，就能獲得所期望的蒸發(fā)材料汽化量。另外，因?yàn)檑徨伿钦w結(jié)構(gòu)，即使在熱壁內(nèi)的沿縱向方向的位置中存在溫度差別，由于坩鍋上表面的沒(méi)有形成所述至少一個(gè)凹槽的部分(護(hù)堤部分)內(nèi)以及在所述至少一個(gè)凹槽之下的部分內(nèi)的熱傳導(dǎo)，在整個(gè)坩鍋上溫度也是均勻的。因此，能夠防止蒸發(fā)材料的汽化在縱向方向上的不均勻，并能夠使得工件的膜厚分布均勻。而且，通過(guò)合適地設(shè)定所述至少一個(gè)凹槽的數(shù)量和尺寸(寬度、深度等)也能容易地處理少量的蒸發(fā)材料。因此，無(wú)需將熱壁加熱到較高的溫度、布置較多的坩鍋等，就能容易地以較低的成本對(duì)工件的待涂布區(qū)域的尺寸的增加、少量的蒸發(fā)材料等進(jìn)行處理。因此還能減小設(shè)備的成本。特別地，應(yīng)指出的是，在蒸發(fā)材料的量非常少的情形下，如果如在本發(fā)明的下述第七方面中那樣沿與縱向方向垂直的方向形成所述至少一個(gè)凹槽，則凹槽之間在縱向方向上的間隔就變得太大，易于出現(xiàn)蒸發(fā)材料的汽化的不均勻。然而，在該第六方面中，因?yàn)檠乜v向方向形成所述至少一個(gè)凹槽，所以不出現(xiàn)這一問(wèn)題。該第六方面在這一點(diǎn)上也是有利的。
在本發(fā)明第七方面的真空蒸汽沉積設(shè)備中，坩鍋由在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)構(gòu)成，具有沿工件的寬度方向延伸的狹長(zhǎng)形狀，并在坩鍋上表面內(nèi)具有多個(gè)凹槽。這些凹槽沿與坩鍋的縱向方向垂直的方向延伸，并起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。因此，坩鍋的加熱表面區(qū)域(坩鍋與蒸發(fā)材料接觸的區(qū)域)變得較大。因此，無(wú)需將熱壁加熱到較高的溫度、布置較多的坩鍋等，就能獲得所期望的蒸發(fā)材料汽化量。另外，因?yàn)檑徨伿钦w結(jié)構(gòu)，即使在熱壁內(nèi)的沿縱向方向的位置中存在溫度差別，由于坩鍋上表面的沒(méi)有形成凹槽的部分(護(hù)堤部分)內(nèi)以及在這些凹槽之下的部分內(nèi)的熱傳導(dǎo)，在整個(gè)坩鍋上溫度也是均勻的。因此，能夠防止蒸發(fā)材料的汽化在縱向方向上的不均勻，并能夠使得工件的膜厚分布均勻。而且，通過(guò)合適地設(shè)定這些凹槽的數(shù)量和尺寸(寬度、深度等)也能容易地處理少量的蒸發(fā)材料。因此，無(wú)需將熱壁加熱到較高的溫度、布置較多的坩鍋等，就能容易地以較低的成本對(duì)工件的待涂布區(qū)域的尺寸的增加、少量的蒸發(fā)材料等進(jìn)行處理。因此還能減小設(shè)備的成本。
在本發(fā)明第八方面的真空蒸汽沉積設(shè)備中，坩鍋由在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)構(gòu)成，具有沿工件的寬度方向延伸的狹長(zhǎng)形狀，并在坩鍋上表面內(nèi)具有多個(gè)孔。這些孔起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。因此，坩鍋的加熱表面區(qū)域(坩鍋與蒸發(fā)材料接觸的區(qū)域)變得較大。因此，無(wú)需將熱壁加熱到較高的溫度、布置較多的坩鍋等，就能獲得所期望的蒸發(fā)材料汽化量。另外，因?yàn)檑徨伿钦w結(jié)構(gòu)，即使在熱壁內(nèi)的沿坩鍋的縱向方向的位置中存在溫度差別，由于坩鍋上表面的沒(méi)有形成孔的部分(護(hù)堤部分)內(nèi)以及在這些孔之下的部分內(nèi)的熱傳導(dǎo)，在整個(gè)坩鍋上溫度也是均勻的。因此，能夠防止蒸發(fā)材料的汽化在縱向方向上的不均勻，并能夠使得工件的膜厚分布均勻。而且，通過(guò)合適地設(shè)定這些孔的數(shù)量和尺寸(直徑、深度等)也能容易地處理少量的蒸發(fā)材料。因此，無(wú)需將熱壁加熱到較高的溫度、布置較多的坩鍋等，就能容易地以較低的成本對(duì)工件的待涂布區(qū)域的尺寸的增加、少量的蒸發(fā)材料等進(jìn)行處理。因此還能減小設(shè)備的成本。另外，在該第八方面中，即使蒸發(fā)材料的量非常小，這些孔也能以分散的方式設(shè)置在坩鍋的整個(gè)上表面上。因此，與如在上述第六和第七方面中設(shè)置凹槽的情形相比，該第八方面對(duì)蒸發(fā)材料的量較小的情形是特別有效的。
在本發(fā)明第九方面的真空蒸汽沉積設(shè)備中，坩鍋至少在縱向方向上分成多個(gè)區(qū)域，在坩鍋下表面之下為相應(yīng)區(qū)域設(shè)置單獨(dú)的加熱裝置，從而能通過(guò)這些加熱裝置為相應(yīng)區(qū)域單獨(dú)控制溫度。因此，對(duì)每個(gè)區(qū)域控制坩鍋的溫度并控制蒸發(fā)材料的溫度。因此，能更可靠地防止蒸發(fā)材料的汽化在縱向方向上的不均勻。因而，能更可靠地對(duì)工件的待涂布區(qū)域的尺寸的增加、少量的蒸發(fā)材料等進(jìn)行處理。
在本發(fā)明第十和第十一方面的真空蒸汽沉積設(shè)備中，蒸發(fā)材料為有機(jī)材料，而且工件為用于平板顯示器的基片或用于照明裝置的基片。有機(jī)材料沉積在基片的表面上以形成有機(jī)電致發(fā)光元件的薄膜。因此能獲得與前述第六至第九方面中任一方面的效果類似的效果。因此，也能容易地對(duì)用于平板顯示器的基片或用于照明裝置的基片的尺寸的增加進(jìn)行處理。特別地，在應(yīng)用到大尺寸的用于FPD的基片或大尺寸的用于照明裝置的基片時(shí)，能實(shí)現(xiàn)用于有機(jī)EL的有用的真空蒸汽沉積設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明第十二方面的方法，該方法為在本發(fā)明第五和第九方面中的任一方面的真空蒸汽沉積設(shè)備中采用有機(jī)材料作為蒸發(fā)材料制造有機(jī)電致發(fā)光元件的薄膜的方法。另外，真空蒸汽沉積設(shè)備的坩鍋分成多個(gè)區(qū)域。對(duì)所述相應(yīng)區(qū)域測(cè)量溫度，而且根據(jù)所述相應(yīng)區(qū)域的測(cè)量溫度而對(duì)那些加熱裝置如加熱器的輸出進(jìn)行單獨(dú)控制，使得所述相應(yīng)區(qū)域的溫度變得恒定。因此，對(duì)每個(gè)區(qū)域控制坩鍋的溫度并控制蒸發(fā)材料的溫度。因此，能更可靠地防止蒸發(fā)材料的汽化在縱向方向上的不均勻。因而，能更可靠地對(duì)工件的待涂布區(qū)域的尺寸的增加、少量的蒸發(fā)材料等進(jìn)行處理。


從以下給出的詳細(xì)說(shuō)明和附圖中將更加完全地理解本發(fā)明，這些附圖是僅以示例方式給出的，從而不是對(duì)本發(fā)明的限制，在這些附圖中圖1為示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)的透視圖；圖2A為示出了卷軸式開(kāi)閉器另一結(jié)構(gòu)的視圖，而圖2B為對(duì)其操作進(jìn)行說(shuō)明的視圖；圖3為圖1的A部分的放大的透視圖；圖4A為如從圖3的箭頭B方向所見(jiàn)的橫截面圖(坩鍋的平面圖)，而圖4B為沿圖4A的直線C-C的放大的橫截面圖；
圖5為沿與坩鍋的縱向方向垂直的方向形成狹縫凹槽的情形的結(jié)構(gòu)圖(坩鍋的平面圖)；圖6A為具有一個(gè)狹縫凹槽的坩鍋的平面圖，而圖6B為沿圖6A的直線C′-C′的放大的橫截面圖；圖7為示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備基本部分的結(jié)構(gòu)的透視圖；圖8為如從圖7的箭頭D的方向所見(jiàn)的橫截面圖(電加熱器的平面圖)；圖9為對(duì)坩鍋的溫度控制的實(shí)例進(jìn)行說(shuō)明的流程圖；圖10為坩鍋和加熱器臺(tái)基設(shè)置為分離結(jié)構(gòu)的情形的結(jié)構(gòu)圖；圖11為示出了電加熱器布置的另一實(shí)例的視圖(電加熱器的平面圖)；圖12為示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備基本部分的結(jié)構(gòu)的透視圖；圖13A為如從圖12的箭頭E的方向所見(jiàn)的橫截面圖(坩鍋的平面圖)，而圖13B為沿圖13A的直線F-F的放大的橫截面圖；圖14為示出了孔布置的另一實(shí)例的視圖(坩鍋的平面圖)；圖15為示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備基本部分的結(jié)構(gòu)的透視圖；圖16為示出了坩鍋的另一結(jié)構(gòu)實(shí)例的透視圖；圖17為示出了坩鍋的另一結(jié)構(gòu)實(shí)例的透視圖；圖18A和18B為示出了傳統(tǒng)坩鍋的結(jié)構(gòu)的透視圖；圖19A和19B為示出了設(shè)有多個(gè)傳統(tǒng)坩鍋的實(shí)例的透視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，將根據(jù)附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。
第一實(shí)施例圖1為示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)的透視圖。圖3為圖1的A部分的放大的透視圖。圖4A為如從圖3的箭頭B方向所見(jiàn)的橫截面圖(坩鍋的平面圖)。圖4B為沿圖4A的直線C-C的放大的橫截面圖。應(yīng)指出的是，圖2A和2B為示出了第一實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備內(nèi)卷軸式開(kāi)閉器的結(jié)構(gòu)的另一實(shí)例的視圖。
如圖1所示，第一實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備包括蒸汽沉積設(shè)備的主系統(tǒng)12以及真空室11內(nèi)的基片傳輸系統(tǒng)(未示出)，該真空蒸汽沉積設(shè)備用于共沉積以及有機(jī)EL。主系統(tǒng)12起到蒸發(fā)源的作用?；瑐鬏斚到y(tǒng)設(shè)置在主系統(tǒng)12之上。
通過(guò)真空泵(未示出)將真空室11的內(nèi)部維持在低壓狀態(tài)(真空)下。因此，主系統(tǒng)12的內(nèi)部等當(dāng)然也維持在真空下。另外，當(dāng)基片傳輸系統(tǒng)在該真空下對(duì)作為工件的FPD基片10(如玻璃基片)以預(yù)定的速度在由箭頭X示出的基片傳輸方向上水平進(jìn)行傳輸時(shí)，從主系統(tǒng)12供應(yīng)的蒸發(fā)材料的蒸汽就被吸收到(沉積在)該FPD基片10表面(附圖中的下表面)的待涂布區(qū)域上，從而形成薄膜。
主系統(tǒng)12用于利用兩種有機(jī)材料的共沉積，并從而包括腔室13(真空容器)，該腔室13具有的形狀使得該腔室13的下部分支成兩個(gè)部分，而且該腔室13由銅等制成。該腔室13是所謂的熱壁腔室。該腔室13通過(guò)連接到其外圍部分上的電加熱器17而被加熱，從而將腔室13的溫度調(diào)節(jié)成適于蒸發(fā)材料蒸發(fā)的溫度。另外，在腔室13內(nèi)部，自頂?shù)降装匆韵麓涡蛟O(shè)置沉積室14、混合室15、以及汽化室16A和16B。
汽化室16A放置在基片傳輸方向的向后側(cè)上，而汽化室16B放置在基片傳輸方向的向前側(cè)上。另外，坩鍋22A設(shè)置在汽化室16A內(nèi)，而坩鍋22B設(shè)置在汽化室16B內(nèi)。盡管后面將給出詳細(xì)的描述，這些坩鍋22A和22B中的每個(gè)坩鍋都具有沿FPD基片10的板寬方向(與基片傳輸方向垂直的方向(箭頭Y的方向)以下簡(jiǎn)稱為“板寬方向”)延伸的狹長(zhǎng)形狀。一個(gè)坩鍋22A容納作為蒸發(fā)材料的有機(jī)摻雜材料30A，而另一個(gè)坩鍋22B容納作為蒸發(fā)材料的有機(jī)宿主材料30B。
在汽化16A和混合室15之間設(shè)置卷軸式開(kāi)閉19A，而在汽化室16B和混合室15之間也設(shè)置卷軸式開(kāi)閉器19B。卷軸式開(kāi)閉器19A和19B中的每個(gè)卷軸式開(kāi)閉器包括開(kāi)閉器塊20以及串聯(lián)地可旋轉(zhuǎn)地插入開(kāi)閉器塊20中的多個(gè)開(kāi)閉器軸21。在開(kāi)閉器塊20中形成與汽化室16A(在卷軸式開(kāi)閉器19A的情形下)或汽化室16B(在卷軸式開(kāi)閉器19B的情形下)以及混合室15連通的蒸汽孔20a。在開(kāi)閉器軸21中，蒸汽孔21a形成在能與開(kāi)閉器塊20的蒸汽孔20a連通的位置處。而且，所述多個(gè)蒸汽孔20a和所述多個(gè)蒸汽孔21a都設(shè)置在板寬方向上。因此，通過(guò)調(diào)節(jié)每個(gè)開(kāi)閉器軸21的旋轉(zhuǎn)位置以對(duì)每個(gè)開(kāi)閉器軸21的蒸汽孔21a與相關(guān)開(kāi)閉器塊20的相應(yīng)蒸汽孔20a之間的相對(duì)位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，能對(duì)流過(guò)蒸汽孔20a和21a中的每個(gè)蒸汽孔的蒸發(fā)材料蒸汽的量進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而蒸發(fā)材料蒸汽的量在板寬方向上的分布變得均勻。
應(yīng)指出的是，可采用具有在圖2A和2B中示出的結(jié)構(gòu)的一種卷軸式開(kāi)閉器作為第一實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備中的卷軸式開(kāi)閉器。盡管這里將示出并描述一個(gè)汽化室16A側(cè)，但是具有圖2A和2B示出的結(jié)構(gòu)的卷軸式開(kāi)閉器也可用于另一個(gè)汽化室16B。
如圖2A所示，卷軸式開(kāi)閉器81與側(cè)壁(熱壁)23接觸以構(gòu)成汽化室16A的上壁，并放置在支撐板80之上，該支撐板80在支撐板80的中央部分內(nèi)具有沿縱向方向的開(kāi)口部分。更具體地，卷軸式開(kāi)閉器81包括平面固定板82，該平面固定板82固定在支撐板80上并放置成覆蓋支撐板80的開(kāi)口部分；平面可移動(dòng)板83，該平面可移動(dòng)板83放置在固定板82的表面上，從而在固定板82的表面上可滑動(dòng)；擠壓機(jī)構(gòu)85，這些擠壓機(jī)構(gòu)85用于以可移動(dòng)板83可滑動(dòng)的方式將可移動(dòng)板83擠壓抵靠在固定板82上；以及移位裝置(未示出)，該移位裝置用于使可移動(dòng)板83沿固定板82的表面滑動(dòng)。在固定板82中形成在縱向方向上以預(yù)定長(zhǎng)度的間隔布置的多個(gè)蒸汽孔82a。另一方面，在可移動(dòng)板83內(nèi)形成多個(gè)蒸汽孔83a，這些蒸汽孔83a以與蒸汽孔82a的間隔相等的間隔布置，并具有比蒸汽孔82a小的開(kāi)口面積。應(yīng)指出的是，固定板82和可移動(dòng)板83是較長(zhǎng)的板，它們?cè)诎鍖挿较蛏暇哂信cFPD基片10的長(zhǎng)度相當(dāng)?shù)拈L(zhǎng)度。
在卷軸式開(kāi)閉器81中，在板寬方向上設(shè)置所述多個(gè)擠壓機(jī)構(gòu)85。在每個(gè)擠壓機(jī)構(gòu)85中設(shè)置兩個(gè)輥86，這些輥86用于在板寬方向上擠壓可移動(dòng)板83的兩個(gè)端部并用于使可移動(dòng)板83能夠在滑動(dòng)方向上移動(dòng)；支撐軸87，該支撐軸87用于以輥86可旋轉(zhuǎn)的方式支撐輥86；以及保持件88，這些保持件88固定在支撐板80上，并在向固定板82擠壓支撐軸87的同時(shí)保持支撐軸87。這些保持件88具有設(shè)置在它們的頂部上的彈簧89。彈簧89的擠壓力向固定板82擠壓支撐軸87。結(jié)果，輥86能以可移動(dòng)板83能滑動(dòng)的合適擠壓力向固定板82擠壓可移動(dòng)板83。
因此，在具有上述結(jié)構(gòu)的卷軸式開(kāi)閉器81中，通過(guò)調(diào)節(jié)可移動(dòng)板83的滑動(dòng)位置，以對(duì)固定板82的每個(gè)蒸汽孔82a與可移動(dòng)板83的相應(yīng)蒸汽孔83a之間的相對(duì)位置進(jìn)行調(diào)節(jié)(見(jiàn)圖2B)，能對(duì)流過(guò)蒸汽孔82a和83a中的每個(gè)蒸汽孔的蒸發(fā)材料蒸汽的量進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而蒸發(fā)材料蒸汽的量在板寬方向上的分布變得均勻。
另外，在沉積室14和混合室15之間設(shè)置穿孔板開(kāi)閉器24，而在沉積室14內(nèi)設(shè)置穿孔矯正板27。穿孔板開(kāi)閉器24包括固定板25，該固定板25具有多個(gè)在其內(nèi)形成的通孔25a以及多個(gè)可移動(dòng)板26，這些可移動(dòng)板26在板寬方向(箭頭Y的方向)上串聯(lián)設(shè)置，而且在這些可移動(dòng)板26中在通孔26a能與那些通孔25a連通的位置處形成多個(gè)通孔26a。通過(guò)調(diào)節(jié)每個(gè)可移動(dòng)板26在板寬方向(箭頭Y的方向)上的位置，以對(duì)每個(gè)可移動(dòng)板26的通孔26a和固定板25的相應(yīng)通孔25a之間的相對(duì)位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而對(duì)流過(guò)通孔25a和26a中的每個(gè)通孔的氣體混合物的流量進(jìn)行調(diào)節(jié)，使得從混合室15流動(dòng)到沉積室14的氣體混合物的流量的分布變得均勻。在穿孔矯正板27中形成比通孔25a和26a小的多個(gè)通孔27a。穿孔矯正板27用于進(jìn)一步矯正氣體混合物的流量分布和流動(dòng)。
因此，當(dāng)來(lái)自熱壁23的輻射熱使容納在坩鍋22A和22B內(nèi)的摻雜材料30A和宿主材料30B汽化(升華)時(shí)，摻雜材料的蒸汽在卷軸式開(kāi)閉器19A對(duì)板寬方向上的蒸汽量分布進(jìn)行調(diào)節(jié)的狀態(tài)下流入到混合室15內(nèi)，而宿主材料的蒸汽在卷軸式開(kāi)閉器19B對(duì)板寬方向上的蒸汽量分布進(jìn)行調(diào)節(jié)的狀態(tài)下流入到混合室15內(nèi)，這些熱壁23是汽化室16A和16B的被電加熱器17加熱的側(cè)壁(腔室13的壁)。在混合室15中，摻雜材料的蒸汽和宿主材料的蒸汽混合，以形成具有合適混合比的氣體混合物。而且，該氣體混合物通過(guò)穿孔板開(kāi)閉器24和穿孔矯正板27從而具有均勻的分布，然后蒸發(fā)(沉積)到FPD基片10的在沉積室14內(nèi)的表面(待涂布區(qū)域)上，從而形成厚度例如約為400埃的薄膜。即，在FPD基片10的表面上形成有機(jī)EL元件的發(fā)光層。
這里，應(yīng)指出的是，盡管FPD基片10的在板寬方向上的整個(gè)寬度上對(duì)FPD基片10的表面進(jìn)行同時(shí)涂布，但隨著基片傳輸系統(tǒng)對(duì)FPD基片10的傳輸，在基片傳輸方向上接連地對(duì)FPD基片10的表面進(jìn)行涂布，從而最終涂布了FPD基片10表面的整個(gè)待涂布區(qū)域。另外，因?yàn)镕PD基片10是板寬(箭頭Y方向上的寬度)為例如不小于0.4米(如，大約1米)的大尺寸的基片，所以FPD基片10表面上待涂布區(qū)域的在板寬方向上的長(zhǎng)度也是較長(zhǎng)的(如1米)。應(yīng)指出的是，F(xiàn)PD基片10的在板寬方向上的兩側(cè)上的邊緣部分是基片傳輸系統(tǒng)的輥所接觸的部分，從而是不要涂布的部分。
因此，與FPD基片10的待涂布區(qū)域在板寬方向上的長(zhǎng)度一致，腔室13、沉積室14、穿孔矯正板25、穿孔板開(kāi)閉器24、混合室15、卷軸式開(kāi)閉器21以及汽化室16A和16B在板寬方向上也長(zhǎng)到與FPD基片10的待涂布區(qū)域的長(zhǎng)度相當(dāng)?shù)某潭?。汽化?6A和16B是例如長(zhǎng)度(在基片傳輸方向上的寬度)約為0.05米、且寬度(在板寬方向上的寬度)不小于0.4米(如大約1米)的狹長(zhǎng)空間。
另外，坩鍋22A和22B也是與FPD基片10的狹長(zhǎng)待涂布區(qū)域一致地在板寬方向上延伸的狹長(zhǎng)坩鍋。坩鍋22A和22B中的每個(gè)坩鍋是整體結(jié)構(gòu)，并由具有較高導(dǎo)熱性和抗熱性的材料制成。用于這些坩鍋22A和22B的材料包括例如銅、鋁和SUS304等金屬、陶瓷、氟化硅、以及氮化硅。應(yīng)指出的是，坩鍋22A和22B具有相似的結(jié)構(gòu)，從而以下將詳細(xì)地描述坩鍋22A的結(jié)構(gòu)。
如圖1、3、4A和4B所示，坩鍋22A的寬度(在板寬方向上的寬度)比其長(zhǎng)度(在基片傳輸方向上的寬度)大，而且坩鍋22A在頂視圖中具有矩形形狀(見(jiàn)圖4A)。例如，坩鍋22A具有長(zhǎng)度為0.05米、寬度不小于0.4米(例如1米)的狹長(zhǎng)形狀。另外，在坩鍋22A的上表面31中形成多個(gè)(在附圖示出的實(shí)例中為5個(gè))狹縫凹槽32A。這些狹縫凹槽32A沿坩鍋22A的縱向方向(即板寬方向)延伸，并形成在坩鍋22A的幾乎整個(gè)寬度上。而且，這些狹縫凹槽32A在與坩鍋22A的縱向方向垂直的方向(即基片傳輸方向)上間隔開(kāi)。相鄰狹縫凹槽32A等之間的部分(即坩鍋22A的上表面31的沒(méi)有形成狹縫凹槽32A的部分)構(gòu)成護(hù)堤部分31a。至于狹縫凹槽32A的尺寸，例如，寬度約為1至5毫米，長(zhǎng)度不小于0.4米(例如約1米)，而深度約為1至2毫米。
而且，這些狹縫凹槽32A起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。即，坩鍋22A的狹縫凹槽32A容納摻雜材料30A，而坩鍋22B的狹縫凹槽32A容納宿主材料30B。應(yīng)指出的是，狹縫凹槽32A的實(shí)際尺寸(寬度、深度、和長(zhǎng)度)以及數(shù)量是根據(jù)蒸發(fā)材料(摻雜材料、宿主材料)的實(shí)際所需量、FPD基片10的待涂布區(qū)域的實(shí)際尺寸等而適當(dāng)設(shè)置的。
如上所述，在第一實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備中，坩鍋22A和坩鍋22B中的每個(gè)坩鍋是整體結(jié)構(gòu)并為沿板寬方向延伸的狹長(zhǎng)坩鍋，而且在其上表面31內(nèi)具有所述多個(gè)狹縫凹槽32A，這些狹縫凹槽32A沿坩鍋22A或22B的縱向方向延伸，并且這些狹縫凹槽32A起到用于容納蒸發(fā)材料(摻雜材料30A、宿主材料30B)的部分的作用。因此，坩鍋22A和22B的加熱表面區(qū)域(坩鍋22A和22B與蒸發(fā)材料接觸的區(qū)域)變得較大。因此，無(wú)需將熱壁加熱到較高的溫度、布置較多的坩鍋等，就能獲得所期望的蒸發(fā)材料汽化量。
另外，因?yàn)檑徨?2A和22B中的每個(gè)坩鍋是整體結(jié)構(gòu)，即使在熱壁23內(nèi)的沿縱向方向的位置中存在溫度差別，由于坩鍋22A和22B的上表面31的沒(méi)有形成狹縫凹槽32A的部分(護(hù)堤部分31a)內(nèi)以及在狹縫凹槽32A之下的部分內(nèi)的熱傳導(dǎo)，在整個(gè)坩鍋22A上和整個(gè)坩鍋22B上溫度也是均勻的。因此，能夠防止蒸發(fā)材料(摻雜材料30A、宿主材料30B)的汽化在縱向方向上的不均勻，并能夠使得FPD基片10的膜厚分布均勻。即，如圖4B所示的那樣，來(lái)自熱壁23的輻射熱不僅直接被摻雜材料30A接收，而且還被坩鍋22A的護(hù)堤部分31a接收。該熱在坩鍋22A內(nèi)熱傳導(dǎo)，以通過(guò)狹縫凹槽32A的內(nèi)表面(加熱表面)而最終傳導(dǎo)到摻雜材料30A上。狹縫凹槽32A以及護(hù)堤部分31a交替地設(shè)置成相互靠近。因此，狹縫凹槽32A內(nèi)的摻雜材料30A的溫度敏感地跟隨護(hù)堤部分31a的溫度。如果從輻射熱接收的熱量不波動(dòng)，則摻雜材料30A的溫度就保持均勻和恒定。坩鍋22B也具有與上述效果類似的效果。
而且，通過(guò)合適地設(shè)定狹縫凹槽32A的數(shù)量和尺寸(寬度、深度等)也能容易地處理少量的蒸發(fā)材料(摻雜材料30A、宿主材料30B)。
因此，無(wú)需將熱壁加熱到較高的溫度、布置較多的坩鍋等，就能容易地以較低的成本對(duì)FPD基片10的待涂布區(qū)域的尺寸的增加、少量的蒸發(fā)材料等進(jìn)行處理，其中FPD基片10的待涂布區(qū)域的尺寸的增加與FPD基片10的尺寸的增加相關(guān)。因此還能減小設(shè)備的成本。
應(yīng)指出的是，盡管在上述實(shí)例中狹縫凹槽32A沿坩鍋22A的縱向方向形成，但本發(fā)明并不必須限于此。如圖5所示，坩鍋22A的上表面31可具有多個(gè)狹縫凹槽32A，這些狹縫凹槽32A沿與縱向方向垂直的方向延伸，并起到用于容納摻雜材料的部分的作用。在這一情形下，也能獲得與上述效果類似的效果。然而，在這一情形下，當(dāng)將容納在狹縫凹槽32A內(nèi)的蒸發(fā)材料的量非常小時(shí)，狹縫凹槽32A的數(shù)量變小，而狹縫凹槽32A之間在縱向方向上的間隔變得太大。因此，容易出現(xiàn)蒸發(fā)材料的汽化在縱向方向上的不均勻。鑒于這一情形，更有利的是如上所述的那樣沿縱向方向形成狹縫凹槽32A。
另外，在蒸發(fā)材料是通過(guò)加熱升華以汽化的升華材料的情形下，作為容納蒸發(fā)材料的部分的凹槽優(yōu)選地為多個(gè)是窄開(kāi)口的凹槽，即如圖4A至5所示的上述狹縫凹槽32A。這是因?yàn)樵诓捎蒙A材料作為蒸發(fā)材料的情形下，在與升華材料接觸的區(qū)域較大的結(jié)構(gòu)中，即在設(shè)置所述多個(gè)狹縫凹槽32A的結(jié)構(gòu)中，升華材料溫度的不均勻變小。另一方面，在蒸發(fā)材料是通過(guò)加熱熔化以汽化的熔融材料的情形下，優(yōu)選地采用一個(gè)較寬的凹槽32B而不是所述多個(gè)狹縫凹槽32A作為用于容納蒸發(fā)材料的部分，該較寬的凹槽32B設(shè)置在汽化室16A的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體坩鍋22A的上表面中，并具有與從坩鍋22A的一端到坩鍋22A的另一端的長(zhǎng)度相當(dāng)?shù)拈L(zhǎng)度，如圖6A和6B所示。其原因如下在采用熔融材料30C作為蒸發(fā)材料的情形下，通過(guò)熔化而液化的熔融材料30C具有恒定的汽化面積以及與凹槽32B接觸的較大表面，并從該接觸表面接收熱以汽化；從而，無(wú)需采用多個(gè)狹縫凹槽，而是甚至一個(gè)狹縫凹槽就足夠了。應(yīng)指出的是，在圖6A和6B中，相同的附圖標(biāo)記表示與圖4A和4B中的部件相當(dāng)?shù)牟考?，并且這里將不對(duì)這些部件作進(jìn)一步描述。
而且，例如，在對(duì)如大尺寸基片的較大工件難于形成較大的整體坩鍋的情形下，通過(guò)成束布置多個(gè)坩鍋、將這些坩鍋放置在汽化室的整個(gè)區(qū)域上、并形成多個(gè)具有從坩鍋上表面的一端到坩鍋上表面的另一端的長(zhǎng)度的狹縫凹槽，能實(shí)現(xiàn)與上述整體坩鍋類似的作為單一結(jié)構(gòu)的較大坩鍋。為了進(jìn)一步改善溫度分布的均勻性，優(yōu)選地，在成束布置所述多個(gè)坩鍋時(shí)，將這些坩鍋設(shè)置成相互緊靠，以在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸。
第二實(shí)施例圖7為示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備基本部分的結(jié)構(gòu)的透視圖。圖8為如從圖7的箭頭D的方向所見(jiàn)的橫截面圖(電加熱器的平面圖)。圖9為對(duì)溫度控制進(jìn)行說(shuō)明的流程圖。
在圖7和圖8中示出的第二實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備中，還設(shè)置電加熱器41作為用于第一實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備內(nèi)的摻雜材料的坩鍋22A內(nèi)的加熱裝置。盡管沒(méi)有示出，但用于宿主材料的坩鍋22B也具有如在坩鍋22A內(nèi)那樣設(shè)置電加熱器41的結(jié)構(gòu)。除了以上所述之外，第二實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)(坩鍋的總體結(jié)構(gòu)和布置、真空蒸汽沉積設(shè)備的總體結(jié)構(gòu)等)與第一實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)(見(jiàn)圖1至6B)相同，從而在此將不示出也不詳細(xì)描述第二實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
如圖7和8所示，在坩鍋22A的下表面之下還設(shè)置與坩鍋22A成一體的加熱器臺(tái)42。在加熱器臺(tái)42的上表面內(nèi)形成用于加熱器的凹槽43。在坩鍋22A的下表面內(nèi)也形成用于加熱器的凹槽44。將那些電加熱器41設(shè)置成容納在凹槽43和44之間。沿坩鍋22A的縱向方向設(shè)置所述多個(gè)電加熱器41。這些電加熱器41分別連接到單獨(dú)的溫度控制器45上。即，坩鍋22A在縱向方向上分成多個(gè)區(qū)域，而且在坩鍋22A的下表面之下為相應(yīng)區(qū)域設(shè)置單獨(dú)的電加熱器41，從而能通過(guò)這些電加熱器41為相應(yīng)區(qū)域單獨(dú)控制溫度。溫度控制器45對(duì)將要供應(yīng)至相應(yīng)電加熱器41的能量進(jìn)行控制，使得坩鍋22A的對(duì)相應(yīng)區(qū)域的溫度探測(cè)信號(hào)(溫度探測(cè)值)指示出預(yù)定的恒定溫度，這些溫度探測(cè)信號(hào)由溫度傳感器46例如為相應(yīng)區(qū)域設(shè)置的熱電偶輸入。用于對(duì)腔室13進(jìn)行加熱的電加熱器17每個(gè)都具有例如1千瓦的功率，并能進(jìn)行大約從0到350℃的溫度調(diào)節(jié)，而電加熱器41每個(gè)都具有例如0.01千瓦的功率，并能進(jìn)行大約從0到2℃的溫度調(diào)節(jié)。
將采用圖9的流程圖對(duì)溫度調(diào)節(jié)控制的具體實(shí)例進(jìn)行描述。對(duì)來(lái)自用于坩鍋22A相應(yīng)區(qū)域的溫度傳感器46的溫度探測(cè)值Ti(i＝1，2，...，n-1，n)進(jìn)行測(cè)量(步驟S1)，并對(duì)相應(yīng)區(qū)域的溫度探測(cè)值Ti和相應(yīng)區(qū)域的目標(biāo)溫度值Tti(i＝1，2，...，n-1，n)進(jìn)行比較(步驟S2)。如果在某區(qū)域內(nèi)溫度探測(cè)值Ti比目標(biāo)溫度值Tti小，則將該相關(guān)區(qū)域內(nèi)的加熱器輸出控制成處于接通狀態(tài)(步驟S3)。另一方面，如果溫度探測(cè)值Ti不小于目標(biāo)溫度值Tti，則將該相關(guān)區(qū)域內(nèi)的加熱器輸出控制成處于斷路狀態(tài)(步驟S4)。因此，通過(guò)溫度控制器45分別對(duì)電加熱器41進(jìn)行控制，使得相應(yīng)區(qū)域的溫度探測(cè)值Ti指示出預(yù)定的恒定溫度。
因此，通過(guò)第二實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備，能獲得與上述第一實(shí)施例的效果類似的效果。
而且，在第二實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備中，坩鍋22A在縱向方向上分成多個(gè)區(qū)域，而且在坩鍋22A的下表面之下為相應(yīng)區(qū)域設(shè)置單獨(dú)的電加熱器41，從而能通過(guò)這些電加熱器41為相應(yīng)區(qū)域單獨(dú)控制溫度。因此，對(duì)每個(gè)區(qū)域微調(diào)坩鍋22A的溫度并微調(diào)蒸發(fā)材料(摻雜材料30A)的溫度。因此，能更可靠地防止蒸發(fā)材料(摻雜材料30A)的汽化在縱向方向上的不均勻。因而，能更可靠地對(duì)FPD基片10的待涂布區(qū)域的尺寸的增加、少量的蒸發(fā)材料等進(jìn)行處理。坩鍋22B也具有與上述效果類似的效果。
應(yīng)指出的是，盡管在上述實(shí)例中坩鍋22A和加熱器臺(tái)42是一體的(即電加熱器41屬于嵌入型)，而且與坩鍋22A的下表面接觸的電加熱器41直接將電加熱器41的熱傳遞到坩鍋22A，但本發(fā)明不限于此。如圖10所示，通過(guò)將坩鍋22A和加熱器臺(tái)42設(shè)置成分開(kāi)的結(jié)構(gòu)使得電加熱器41與坩鍋22A分離，可通過(guò)來(lái)自電加熱器41的輻射熱對(duì)坩鍋22A進(jìn)行加熱。在這一情形下，加熱器臺(tái)42(電加熱器41)可設(shè)置在汽化室16A(腔室13)的內(nèi)部或外部。在加熱器臺(tái)42設(shè)置在汽化室16A(腔室13)內(nèi)部的情形下，優(yōu)點(diǎn)在于從電加熱器41到坩鍋22A的熱傳遞的效率較高，因?yàn)樵谯徨?2A和電加熱器41之間不存在汽化室16A(腔室13)的壁。另一方面，在加熱器臺(tái)42設(shè)置在汽化室16A(腔室13)外部的情形下，優(yōu)點(diǎn)在于對(duì)加熱器臺(tái)42(電加熱器41)的維護(hù)、改變等較容易。
而且，電加熱器41并不限于如上所述那樣被設(shè)置成用于坩鍋22A在縱向方向上的相應(yīng)區(qū)域，而是可更加合適地進(jìn)行布置。例如，如圖11所述，坩鍋22A不僅可在縱向方向上、而且還可在與縱向方向垂直的方向上分成多個(gè)區(qū)域，在坩鍋22A的下表面之下為相應(yīng)區(qū)域設(shè)置單獨(dú)的電加熱器41，從而能通過(guò)這些電加熱器41為相應(yīng)區(qū)域單獨(dú)控制溫度。在這一情形下，因?yàn)椴粌H能調(diào)節(jié)坩鍋22A在縱向方向上的溫度分布，而且能調(diào)節(jié)坩鍋22A在與縱向方向垂直的方向上的溫度分布，所以能進(jìn)行更加細(xì)微的溫度控制。
第三實(shí)施例圖12為示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備基本部分的結(jié)構(gòu)的透視圖。圖13A為如從圖12的箭頭E的方向所見(jiàn)的橫截面圖(坩鍋的平面圖)。圖13B為沿圖13A的直線F-F的放大的橫截面圖。
如圖12至13B所示，在第三實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備中，代替狹縫凹槽，在用于上述第一實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備內(nèi)的摻雜材料的坩鍋22A的表面31內(nèi)設(shè)置孔51。盡管沒(méi)有示出，但用于宿主材料的坩鍋22B也具有如在坩鍋22A內(nèi)那樣設(shè)置孔51的結(jié)構(gòu)。除了以上所述之外，第三實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)(坩鍋的布置、真空蒸汽沉積設(shè)備的總體結(jié)構(gòu)等)與上述第一實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)(見(jiàn)圖1至6B)相同，從而在此將不示出也不詳細(xì)描述第三實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
如圖12至13B所示，坩鍋22A的寬度(在板寬方向上的寬度)比其長(zhǎng)度(在基片傳輸方向上的寬度)大，而且坩鍋22A在頂視圖中具有矩形形狀(見(jiàn)圖13A)。例如，坩鍋22A具有長(zhǎng)度為0.05米、寬度不小于0.4米(例如1米)的狹長(zhǎng)形狀。另外，在坩鍋22A的上表面31內(nèi)形成多個(gè)孔51。這些孔51形成在坩鍋22A的整個(gè)上表面31上，并在附圖示出的實(shí)例中被布置成交錯(cuò)陣列。這些孔51是相互間隔開(kāi)的。相鄰孔51等之間的部分(即坩鍋22A的上表面31的沒(méi)有形成孔51的部分)構(gòu)成護(hù)堤部分31a。至于孔51的尺寸，例如，直徑約為1至5毫米，而深度約為0.1至2毫米。
而且，這些孔51起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。即，坩鍋22A的孔51容納摻雜材料30A，而坩鍋22B的孔51容納宿主材料30B。應(yīng)指出的是，孔51的實(shí)際尺寸(直徑、深度等)和數(shù)量是根據(jù)蒸發(fā)材料(摻雜材料、宿主材料)的實(shí)際所需量、FPD基片10的待涂布區(qū)域的實(shí)際尺寸等而適當(dāng)設(shè)置的。而且孔51在頂視圖中的形狀也不必須限于如在附圖示出的實(shí)例中的圓形形狀，而是可為合適的形狀(如矩形形狀)。
如上所述，在第三實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備中，坩鍋22A和坩鍋22B中的每個(gè)坩鍋是整體結(jié)構(gòu)并為沿板寬方向延伸的狹長(zhǎng)坩鍋，而且在其上表面31內(nèi)具有所述多個(gè)孔51，而這些孔51起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。因此，坩鍋22A和22B的加熱表面區(qū)域(坩鍋22A和22B與蒸發(fā)材料接觸的區(qū)域)變得較大。因此，無(wú)需將熱壁加熱到較高的溫度、布置較多的坩鍋等，就能獲得所期望的蒸發(fā)材料汽化量。
另外，因?yàn)檑徨?2A和22B中的每個(gè)坩鍋是整體結(jié)構(gòu)，即使在熱壁23內(nèi)的沿坩鍋22A和22B的縱向方向的位置中存在溫度差別，由于坩鍋22A和坩鍋22B的上表面31的沒(méi)有形成孔51的部分(護(hù)堤部分31a)內(nèi)以及在孔51之下的部分內(nèi)的熱傳導(dǎo)，在整個(gè)坩鍋22A上和整個(gè)坩鍋22B上溫度也是均勻的。因此，能夠防止蒸發(fā)材料(摻雜材料30A、宿主材料30B)的汽化在縱向方向上的不均勻，并能夠使得FPD基片10的膜厚分布均勻。即，如圖13B所示的那樣，來(lái)自熱壁23的輻射熱不僅直接被摻雜材料30A接收，而且還被坩鍋22A的護(hù)堤部分31a接收。該熱在坩鍋22A內(nèi)熱傳導(dǎo)，以通過(guò)孔51的內(nèi)表面(加熱表面)而最終傳導(dǎo)到摻雜材料30A上?？?1以及護(hù)堤部分31a交替地設(shè)置成相互靠近。因此，孔51內(nèi)的摻雜材料30A的溫度敏感地跟隨護(hù)堤部分31a的溫度。如果接收的輻射熱量不波動(dòng)，則摻雜材料30A的溫度就保持均勻和恒定。坩鍋22B也具有與上述效果類似的效果。
而且，通過(guò)合適地設(shè)定孔51的數(shù)量和尺寸(直徑、深度等)也能容易地處理少量的蒸發(fā)材料(摻雜材料30A、宿主材料30B)。
因此，無(wú)需將熱壁加熱到較高的溫度、布置較多的坩鍋等，就能容易地以較低的成本對(duì)FPD基片10的待涂布區(qū)域的尺寸的增加、少量的蒸發(fā)材料等進(jìn)行處理，其中FPD基片10的待涂布區(qū)域的尺寸的增加與FPD基片10的尺寸的增加相關(guān)。因此還能減小設(shè)備的成本。而且，在第三實(shí)施例中，即使蒸發(fā)材料的量非常小，孔51也能以分散的方式設(shè)置在坩鍋22A和22B的整個(gè)上表面上。因而，與如在上述第一實(shí)施例中設(shè)置狹縫凹槽的情形相比，第三實(shí)施例對(duì)蒸發(fā)材料的量較小的情形是特別有效的。
應(yīng)指出的是，盡管在上述實(shí)例中孔51布置成交錯(cuò)陣列，但孔51的布置并不必須限于此，而是可為合適的布置。例如，可采用如下布置，其中如圖14所示，孔51簡(jiǎn)單成排成列布置。在這一情形下，也能獲得與上述效果類似的效果。
而且，例如，在對(duì)如大尺寸基片的較大工件難于形成較大的整體坩鍋的情形下，通過(guò)成束布置多個(gè)坩鍋、將這些坩鍋放置在汽化室的整個(gè)區(qū)域上、并在坩鍋上表面內(nèi)形成多個(gè)孔，能實(shí)現(xiàn)與上述整體坩鍋類似的作為單一結(jié)構(gòu)的較大坩鍋。為了進(jìn)一步改善溫度分布的均勻性，優(yōu)選地，在成束布置所述多個(gè)坩鍋時(shí)，將這些坩鍋設(shè)置成相互緊靠，以在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸。
第四實(shí)施例圖15為示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備基本部分的結(jié)構(gòu)的透視圖。
如圖15所示，在第四實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備中，還設(shè)置電加熱器41作為用于上述第三實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備內(nèi)的摻雜材料的坩鍋22A內(nèi)的加熱裝置。盡管沒(méi)有示出，但用于宿主材料的坩鍋22B也具有如在坩鍋22A內(nèi)那樣設(shè)置電加熱器41的結(jié)構(gòu)。除了以上所述之外，第四實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)(坩鍋的總體結(jié)構(gòu)和布置、真空蒸汽沉積設(shè)備的總體結(jié)構(gòu)等)與前述第一和第三實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)(見(jiàn)圖1至6B以及圖12至14)相同，從而在此將不示出也不詳細(xì)描述第四實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
另外，電加熱器41的布置等也與上述第二實(shí)施例(見(jiàn)圖7至11)的布置等類似，從而在此將不示出也不詳細(xì)描述電加熱器41的布置等。
因此，第四實(shí)施例的真空蒸汽沉積設(shè)備也具有與上述第一和第三實(shí)施例的效果類似的效果，且還具有與上述第二實(shí)施例的效果類似的效果。
其它實(shí)施例應(yīng)指出的是，盡管在根據(jù)如上述第一至第四實(shí)施例中的狹長(zhǎng)待涂布區(qū)域而構(gòu)造的狹長(zhǎng)坩鍋22A和22B的情形中特別發(fā)揮本發(fā)明的效果，但本發(fā)明并不必須限于構(gòu)造具有如此狹長(zhǎng)形狀的坩鍋的情形。例如，如圖16所示的那樣，坩鍋61在頂視圖中具有正方形形狀(如側(cè)邊長(zhǎng)度為幾十厘米的正方形形狀)，并設(shè)置在汽化室60內(nèi)，在坩鍋61的上表面62內(nèi)可形成多個(gè)狹縫凹槽63作為用于容納蒸發(fā)材料64的部分?？商鎿Q地，如圖17所示，坩鍋71在頂視圖中具有正方形形狀(如側(cè)邊長(zhǎng)度為幾十厘米的正方形形狀)，并設(shè)置在汽化室70內(nèi)，在坩鍋71的上表面72內(nèi)可形成多個(gè)孔73作為用于容納蒸發(fā)材料74的部分。另外，坩鍋61或71可分成多個(gè)區(qū)域，在坩鍋61或71的下表面之下為相應(yīng)區(qū)域設(shè)置單獨(dú)的加熱裝置(電加熱器等)，從而能通過(guò)這些加熱裝置為相應(yīng)區(qū)域單獨(dú)控制溫度。在這一情形下，也能獲得與上述效果類似的效果。另外，無(wú)需將熱壁加熱到較高的溫度、布置較多的坩鍋等，就能容易地以較低的成本對(duì)工件的待涂布區(qū)域的尺寸的增加、少量的蒸發(fā)材料等進(jìn)行處理。因此還能減小系統(tǒng)的成本。
而且，在上述第一至第四實(shí)施例中，公開(kāi)了其中用于摻雜材料的坩鍋22A和用于宿主材料的坩鍋22B具有類似結(jié)構(gòu)的實(shí)例。然而，可如下組合地采用在上述實(shí)施例中公開(kāi)的坩鍋例如，采用如在上述第一實(shí)施例內(nèi)那樣形成狹縫凹槽32A的坩鍋?zhàn)鳛橛糜趽诫s材料的坩鍋22A，而采用如在上述第二實(shí)施例內(nèi)那樣形成孔51的坩鍋?zhàn)鳛橛糜谒拗鞑牧系嫩徨?2B。
而且，本發(fā)明不僅能應(yīng)用到用于共沉積的真空蒸汽沉積設(shè)備中，而且還能應(yīng)用到用于單獨(dú)沉積的真空蒸汽沉積設(shè)備中。而且，本發(fā)明還能應(yīng)用到與用于有機(jī)EL的真空蒸汽沉積設(shè)備不同的真空蒸汽沉積設(shè)備中。
本發(fā)明涉及一種真空蒸汽沉積設(shè)備。特別地，本發(fā)明在應(yīng)用到用于有機(jī)EL的真空蒸汽沉積設(shè)備上的情形中是有用的，在該真空蒸汽沉積設(shè)備中，有機(jī)材料(摻雜材料和宿主材料)沉積在大尺寸的FPD基片的表面上，以形成有機(jī)EL元件的薄膜。
盡管已經(jīng)通過(guò)以上實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)理解到本發(fā)明并不限于此，而是可以以其它許多方式進(jìn)行變化或修改。這些變化或修改不應(yīng)視為偏離了本發(fā)明的精神和范圍，而且正如對(duì)本領(lǐng)域內(nèi)熟練技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的所有這些變化和修改將包括在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種真空蒸汽沉積設(shè)備，其中蒸發(fā)材料容納在設(shè)置于汽化室內(nèi)的坩鍋內(nèi)，而且作為該汽化室的側(cè)壁的熱壁通過(guò)來(lái)自這些熱壁的輻射熱對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱以使蒸發(fā)材料汽化，從而蒸發(fā)材料沉積在工件表面上以形成薄膜，其中，該坩鍋由在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)構(gòu)成，并在坩鍋上表面內(nèi)具有多個(gè)凹槽，而且這些凹槽具有從坩鍋上表面的一端到其另一端的長(zhǎng)度，并起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。
2.一種真空蒸汽沉積設(shè)備，其中蒸發(fā)材料容納在設(shè)置于汽化室內(nèi)的坩鍋內(nèi)，而且作為該汽化室的側(cè)壁的熱壁通過(guò)來(lái)自這些熱壁的輻射熱對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱以使蒸發(fā)材料汽化，從而蒸發(fā)材料沉積在工件表面上以形成薄膜，其中，該坩鍋由在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)構(gòu)成，并在坩鍋上表面內(nèi)具有凹槽，而且該凹槽具有從坩鍋上表面的一端到其另一端的長(zhǎng)度，并起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。
3.一種真空蒸汽沉積設(shè)備，其中蒸發(fā)材料容納在設(shè)置于汽化室內(nèi)的坩鍋內(nèi)，而且作為該汽化室的側(cè)壁的熱壁通過(guò)來(lái)自這些熱壁的輻射熱對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱以使蒸發(fā)材料汽化，從而蒸發(fā)材料沉積在工件表面上以形成薄膜，其中，該坩鍋由成束布置成在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的多個(gè)構(gòu)件構(gòu)成，并在坩鍋上表面內(nèi)具有多個(gè)凹槽，而且這些凹槽具有從坩鍋上表面的一端到其另一端的長(zhǎng)度，并起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。
4.一種真空蒸汽沉積設(shè)備，其中蒸發(fā)材料容納在設(shè)置于汽化室內(nèi)的坩鍋內(nèi)，而且作為該汽化室的側(cè)壁的熱壁通過(guò)來(lái)自這些熱壁的輻射熱對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱以使蒸發(fā)材料汽化，從而蒸發(fā)材料沉積在工件表面上以形成薄膜，其中，該坩鍋由在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)以及成束布置成在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的多個(gè)構(gòu)件中的任何結(jié)構(gòu)構(gòu)成，并在坩鍋上表面內(nèi)具有多個(gè)孔，而且這些孔起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的真空蒸汽沉積設(shè)備，其中坩鍋分成多個(gè)區(qū)域，在坩鍋下表面之下為相應(yīng)區(qū)域設(shè)置單獨(dú)的加熱裝置，從而能通過(guò)這些加熱裝置為相應(yīng)區(qū)域單獨(dú)控制溫度。
6.一種真空蒸汽沉積設(shè)備，其中蒸發(fā)材料容納在設(shè)置于汽化室內(nèi)的坩鍋內(nèi)，而且作為該汽化室的側(cè)壁的熱壁通過(guò)來(lái)自這些熱壁的輻射熱對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱以使蒸發(fā)材料汽化，從而蒸發(fā)材料沉積在工件表面上以形成薄膜，其中，該坩鍋由在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)構(gòu)成，具有沿工件的寬度方向延伸的狹長(zhǎng)形狀，并在坩鍋上表面內(nèi)具有至少一個(gè)凹槽；而且所述至少一個(gè)凹槽沿坩鍋的縱向方向延伸，并起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。
7.一種真空蒸汽沉積設(shè)備，其中蒸發(fā)材料容納在設(shè)置于汽化室內(nèi)的坩鍋內(nèi)，而且作為該汽化室的側(cè)壁的熱壁通過(guò)來(lái)自這些熱壁的輻射熱對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱以使蒸發(fā)材料汽化，從而蒸發(fā)材料沉積在工件表面上以形成薄膜，其中，該坩鍋由在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)構(gòu)成，具有沿工件的寬度方向延伸的狹長(zhǎng)形狀，并在坩鍋上表面內(nèi)具有多個(gè)凹槽；而且這些凹槽沿與坩鍋的縱向方向垂直的方向延伸，并起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。
8.一種真空蒸汽沉積設(shè)備，其中蒸發(fā)材料容納在設(shè)置于汽化室內(nèi)的坩鍋內(nèi)，而且作為該汽化室的側(cè)壁的熱壁通過(guò)來(lái)自這些熱壁的輻射熱對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱以使蒸發(fā)材料汽化，從而蒸發(fā)材料沉積在工件表面上以形成薄膜，其中，該坩鍋由在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)構(gòu)成，具有沿工件的寬度方向延伸的狹長(zhǎng)形狀，并在坩鍋上表面內(nèi)具有多個(gè)孔；而且這些孔起到用于容納蒸發(fā)材料的部分的作用。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8中的任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的真空蒸汽沉積設(shè)備，其中坩鍋至少在縱向方向上分成多個(gè)區(qū)域，在坩鍋下表面之下為相應(yīng)區(qū)域設(shè)置單獨(dú)的加熱裝置，從而能通過(guò)這些加熱裝置為相應(yīng)區(qū)域單獨(dú)控制溫度。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至9中的任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的真空蒸汽沉積設(shè)備，其中蒸發(fā)材料為有機(jī)材料，并且工件為用于平板顯示器的基片，而且有機(jī)材料沉積在基片的表面上以形成有機(jī)電致發(fā)光元件的薄膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求6至9中的任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的真空蒸汽沉積設(shè)備，其中蒸發(fā)材料為有機(jī)材料，并且工件為用于照明裝置的基片，而且有機(jī)材料沉積在基片的表面上以形成有機(jī)電致發(fā)光元件的薄膜。
12.一種采用根據(jù)權(quán)利要求5和9中的任一項(xiàng)權(quán)利要求的真空蒸汽沉積設(shè)備制造有機(jī)電致發(fā)光元件的薄膜的方法，其中采用有機(jī)材料作為蒸發(fā)材料，并且對(duì)坩鍋的所述相應(yīng)區(qū)域測(cè)量溫度，而且根據(jù)所述相應(yīng)區(qū)域的測(cè)量溫度而對(duì)那些加熱裝置的輸出進(jìn)行單獨(dú)控制，使得所述相應(yīng)區(qū)域的溫度變得恒定。
全文摘要
一種坩鍋為在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)，并具有至少一個(gè)設(shè)置在坩鍋上表面內(nèi)的狹縫凹槽。所述至少一個(gè)狹縫凹槽具有從該坩鍋上表面的一端到其另一端的長(zhǎng)度。所述至少一個(gè)狹縫凹槽用作為用于容納蒸發(fā)材料(摻雜材料等)的部分?？商鎿Q地，一種坩鍋為在汽化室的整個(gè)區(qū)域上延伸的整體結(jié)構(gòu)，并具有多個(gè)設(shè)置在坩鍋上表面內(nèi)的孔。這些孔用作為用于容納蒸發(fā)材料的部分。另外，該坩鍋分成多個(gè)區(qū)域，在坩鍋下表面之下為相應(yīng)區(qū)域設(shè)置單獨(dú)的電加熱器，從而能通過(guò)這些電加熱器為相應(yīng)區(qū)域單獨(dú)控制溫度。
文檔編號(hào)C23C14/24GK1807677SQ200610006228
公開(kāi)日2006年7月26日 申請(qǐng)日期2006年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月21日
發(fā)明者佐藤惠一, 小林敏郎, 加藤光雄, 神川進(jìn), 和田宏三 申請(qǐng)人:三菱重工業(yè)株式會(huì)社