專利名稱：具有排列的凹槽來提高拋光介質(zhì)利用的化學(xué)機(jī)械拋光墊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)領(lǐng)域。具體地說，本發(fā)明涉及具有一些凹槽的CMP拋光墊，這些凹槽排列成能提高拋光介質(zhì)利用率。
背景技術(shù)：
在集成電路和其他電子器件的制造過程中，多層導(dǎo)電，半導(dǎo)體和介電材料被沉積到半導(dǎo)體晶片表面上，然后又從半導(dǎo)體晶片表面上清除?？梢允褂靡恍┏练e技術(shù)沉積導(dǎo)電，半導(dǎo)體和介電材料薄層。現(xiàn)代晶片加工中的常規(guī)沉積技術(shù)包括物理蒸氣沉積(PVD)(也被稱為濺射)，化學(xué)蒸氣沉積(CVD)，等離子體輔助的化學(xué)蒸氣沉積(PECVD)和電化學(xué)鍍等。常規(guī)清除技術(shù)包括濕法和干法的各向同性和各向異性蝕刻等。
隨著材料層被順序沉積和清除，晶片的最上層表面變得不平坦。由于隨后的半導(dǎo)體加工(例如金屬化)要求該晶片具有平坦表面，所以需要對(duì)該晶片進(jìn)行平面化。平面化適合于清除不需要的表面形貌和表面缺陷，例如粗糙表面，成團(tuán)材料，晶格損壞，劃痕和被污染的層或材料。
化學(xué)機(jī)械平面化或即化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是用來使半導(dǎo)體晶片等工件平面化的常用技術(shù)。在常規(guī)CMP中，晶片載體或拋光頭被固定在載體組合件上。拋光頭握住晶片，使該晶片與CMP裝置中拋光墊的拋光層接觸。載體組合件在晶片和拋光墊之間提供受控的壓力。同時(shí)使?jié){料或其他拋光介質(zhì)在拋光墊上流動(dòng)，流入晶片和拋光層之間的空隙中。為了進(jìn)行拋光，拋光墊和晶片作相對(duì)運(yùn)動(dòng)，通常是轉(zhuǎn)動(dòng)。晶片表面由拋光層和表面上拋光介質(zhì)的化學(xué)和機(jī)械作用而被拋光而變平。拋光墊在晶片下面旋轉(zhuǎn)時(shí)，晶片通常掃過一環(huán)形的拋光軌跡(或稱為拋光區(qū)域)，其中該晶片表面直接面對(duì)拋光層。
在設(shè)計(jì)拋光層時(shí)，需要考慮的重要問題中包括拋光介質(zhì)在拋光層表面上的分布，新鮮拋光介質(zhì)進(jìn)入拋光軌跡的流動(dòng)，用過的拋光介質(zhì)從拋光軌跡中的流出，以及流過拋光區(qū)域基本未被利用的拋光介質(zhì)的量等等。解決這些問題的一種方法是使拋光層具有凹槽。這些年來，實(shí)現(xiàn)了許多不同的凹槽圖案和結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)有技術(shù)的凹槽圖案包括輻射狀，同心圓狀，笛卡兒格子狀和螺旋狀等?，F(xiàn)有技術(shù)凹槽結(jié)構(gòu)包括所有凹槽的深度都相同，以及各個(gè)凹槽深度都不相同的結(jié)構(gòu)。
CMP的從業(yè)人員都知道，某些凹槽圖案在達(dá)到類似材料清除速率的同時(shí)會(huì)導(dǎo)致高于其他圖案的漿料消耗。不與拋光層外緣相連的圓形凹槽往往消耗比輻射狀凹槽更少的漿料，輻射狀凹槽在拋光墊旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的力作用下為漿料到達(dá)墊的外緣提供了最短的可能路徑。笛卡兒格子狀凹槽則提供了到達(dá)拋光層外緣不同長度的路徑，其到達(dá)外緣的路徑長度處于前兩種圖案之間。
現(xiàn)有技術(shù)中公開了試圖降低漿料消耗和使?jié){料在拋光層上的保持時(shí)間最大的各種凹槽圖案。例如，Osterheld等人的美國專利第6241596號(hào)公開了一種轉(zhuǎn)動(dòng)型拋光墊，它具有從墊中心沿著輻射方向大體向外延伸的之字形凹槽。在一個(gè)實(shí)施方式中，Osterheld等人的拋光墊中包括矩形的“x-y”格子狀凹槽。之字形溝道是通過選擇性堵塞x和y方向凹槽之間的一些交叉部位，保持其他交叉部分不被堵塞而形成的。在另一個(gè)實(shí)施方式中，Osterheld等人的拋光墊中包括大量分隔的，基本呈輻射狀的之字形凹槽。一般來說，在x-y格子狀凹槽中形成的之字形溝道或者由分立的之字形凹槽形成的之字形溝道會(huì)阻止?jié){料流過相應(yīng)的凹槽，至少是相對(duì)于未被阻隔的矩形x-y格子狀凹槽和直線輻射狀凹槽的那些凹槽。據(jù)稱能增加漿料保持時(shí)間的另一種現(xiàn)有技術(shù)凹槽圖案是一種螺旋形凹槽圖案，預(yù)計(jì)能在墊旋轉(zhuǎn)的力作用下向拋光層中心推動(dòng)漿料。
目前對(duì)CMP的研究和模型建立，包括現(xiàn)有技術(shù)的計(jì)算機(jī)流體動(dòng)力學(xué)模擬，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在具有固定或逐漸變化深度的凹槽網(wǎng)絡(luò)中，有相當(dāng)多漿料沒有接觸晶片，這是因?yàn)槊總€(gè)凹槽最深部分中的漿料在沒有接觸晶片時(shí)就流動(dòng)離開了晶片。雖然凹槽必須具有隨著拋光層表面的磨損而仍能可靠地傳送漿料的最小深度，但是，任何過大的深度會(huì)使提供給拋光層的一些漿料未被利用，因?yàn)樵趥鹘y(tǒng)拋光層中，工件下面存在連續(xù)不斷的流路，其中流動(dòng)的漿料沒有參加拋光工作。因此，需要提出具有這樣一種凹槽排列方式的拋光層，這種凹槽排列方式能降低拋光層上漿料的未利用量，從而減少漿料浪費(fèi)。
發(fā)明概述本發(fā)明一方面提供了一種拋光墊，它包括a)拋光層，其結(jié)構(gòu)能在拋光介質(zhì)存在條件下，拋光至少一個(gè)磁性，光學(xué)或半導(dǎo)體基片的表面，該拋光層包括旋轉(zhuǎn)軸、外緣和與該旋轉(zhuǎn)軸同心的環(huán)狀拋光軌跡；和形成在拋光層中的大量凹槽，包括完全位于環(huán)形拋光軌跡中的第一組凹槽，第一組的每個(gè)凹槽i)與第一組凹槽中的其它凹槽在相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸的徑向隔開；ii)與第一組凹槽中的其它凹槽在相對(duì)于拋光墊的圓周方向隔開；iii)與至少在相對(duì)于拋光墊非圓形取向的部分有一縱軸，形成拋光介質(zhì)的不連續(xù)流動(dòng)，該處的凸起區(qū)域中斷了至外緣的流動(dòng)。
本發(fā)明另一方面提出了一種拋光墊，包括a)拋光層，其結(jié)構(gòu)能在拋光介質(zhì)存在條件下，拋光至少一個(gè)磁性，光學(xué)或半導(dǎo)體基片表面，該拋光層包括i)旋轉(zhuǎn)軸；ii)外緣；iii)與該旋轉(zhuǎn)軸同心的環(huán)狀拋光軌跡；和iv)位于環(huán)形拋光軌跡和外緣之間的周邊區(qū)域；和b)形成于拋光層中的大量凹槽，這些凹槽包括i)完全位于環(huán)形拋光軌跡中的第一組凹槽，第一組的至少某些凹槽中的每個(gè)凹槽A)與第一組中的其它凹槽在相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸的徑向隔開；和B)與第一組中的其它凹槽在相對(duì)于拋光墊的圓周方向隔開；和ii)第二組凹槽，各自只位于環(huán)形拋光軌跡和周邊區(qū)域，形成拋光介質(zhì)的不連續(xù)流動(dòng)，該處的凸起區(qū)域中斷了至外緣的流動(dòng)。
附圖簡要說明

圖1是本發(fā)明化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)系統(tǒng)的部分透視圖；圖2是圖1拋光墊的俯視圖；圖3是本發(fā)明的三種不同拋光墊片段構(gòu)成的復(fù)合物的俯視圖，說明三種不同凹槽排列。
發(fā)明具體說明參見附圖，圖1所示為本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)系統(tǒng)，一般用數(shù)字100表示。CMP系統(tǒng)100包括拋光墊104，拋光墊104具有拋光層108，拋光層108上有大量凹槽112，這些凹槽112的排列和結(jié)構(gòu)能提高拋光半導(dǎo)體晶片120或玻璃，硅晶片和磁信息存儲(chǔ)盤等其他工件時(shí)，施加在該拋光墊上的拋光介質(zhì)116的利用率。為了方便起見，在以下的說明中使用術(shù)語“晶片”。但是本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解，除了晶片之外的工件也屬于本發(fā)明的范圍之內(nèi)。以下具體說明拋光墊104及其特征。
CMP系統(tǒng)100可以包括被板式驅(qū)動(dòng)裝置(未示出)驅(qū)動(dòng)繞軸128旋轉(zhuǎn)的拋光壓板124。壓板124可以具有安裝了拋光墊104的上表面。能繞軸136旋轉(zhuǎn)的晶片載體132可以支撐在拋光層108上方。晶片載體132可以具有與晶片120接觸的下表面。晶片120具有面對(duì)拋光層108的表面140，在拋光過程中被平面化。適合旋轉(zhuǎn)晶片120的載體支撐組合件(未示出)支撐著晶片載體132，并提供向下壓力的F，將晶片表面140壓在拋光層108上，使得在拋光過程中使晶片表面和拋光層之間存在要求的壓力。
CMP系統(tǒng)100可以還包括為拋光層108供應(yīng)拋光介質(zhì)116的供應(yīng)系統(tǒng)144。供應(yīng)系統(tǒng)144可以包括盛裝拋光介質(zhì)116的儲(chǔ)槽(未示出)，例如溫控槽。導(dǎo)管148可將拋光介質(zhì)116從儲(chǔ)槽輸送到靠近拋光墊104的位置，把拋光介質(zhì)分布在拋光層108上。可以用流量控制閥(未示出)控制拋光墊104上拋光介質(zhì)116的分配。
在拋光操作中，板式驅(qū)動(dòng)裝置轉(zhuǎn)動(dòng)拋光板124和拋光墊104，啟動(dòng)供應(yīng)系統(tǒng)144，在旋轉(zhuǎn)的拋光墊上分配拋光介質(zhì)116。拋光介質(zhì)116因?yàn)閽伖鈮|104的旋轉(zhuǎn)而散布在拋光層108上，包括在晶片120和拋光墊104之間的空隙中。晶片載體132可以以選定速度旋轉(zhuǎn)，例如0-150轉(zhuǎn)/分，因此晶片表面140相對(duì)拋光層108運(yùn)動(dòng)。還可以控制晶片載體132，提供向下的力F，在晶片120和拋光墊104之間產(chǎn)生要求的壓力，例如0-15磅/平方英寸(0-103千帕)。拋光壓板124通常以0-150轉(zhuǎn)/分的速度旋轉(zhuǎn)。拋光墊104在晶片120下旋轉(zhuǎn)時(shí)，晶片表面140掃過通常環(huán)形的晶片軌跡，或者是拋光層108上的拋光軌跡152。
注意到在某些情況下，拋光軌跡152可能并非嚴(yán)格環(huán)形的。例如，如果晶片120的表面140在一個(gè)維度上大于另一個(gè)維度，且晶片和拋光墊104以特定速度旋轉(zhuǎn)，使這些維度總是在拋光層108上的相同位置以相同方式取向，則拋光軌跡152通常是環(huán)形的，但是其寬度從較長維度變化到較短維度。如果晶片120的表面140是雙軸對(duì)稱的，例如是圓形或正方形，則特定旋轉(zhuǎn)速度下會(huì)產(chǎn)生類似效果，但是該晶片相對(duì)于表面的旋轉(zhuǎn)中心是偏心固定的。在另一個(gè)實(shí)施例中，拋光軌跡152并非完全環(huán)形，當(dāng)晶片120在平行于拋光層108的平面中振動(dòng)時(shí)，拋光墊104的旋轉(zhuǎn)速度使晶片因?yàn)橄鄬?duì)于拋光層的振動(dòng)所處的位置與拋光墊每次旋轉(zhuǎn)的位置相同。在所有這些例外情況下，拋光軌152仍然是環(huán)形的，因此認(rèn)為它們?nèi)匀粚儆跈?quán)利要求中所用術(shù)語“環(huán)形”的范圍之內(nèi)。
圖2以比圖1更詳細(xì)的方式顯示了圖1的拋光墊104。凹槽112排列在拋光軌跡152內(nèi)，使它們在和相對(duì)于拋光墊104的旋轉(zhuǎn)特性的徑向156和圓周方向相互隔開。拋光時(shí)，當(dāng)晶片以面對(duì)拋光墊104的關(guān)系例如在旋轉(zhuǎn)方向166上旋轉(zhuǎn)時(shí)，主要只在晶片120的作用下，拋光介質(zhì)例如圖1的拋光介質(zhì)116從拋光軌跡152內(nèi)的凹槽112運(yùn)動(dòng)到凹槽112(箭頭164所示)。由于拋光介質(zhì)一般只有在晶片120存在時(shí)才運(yùn)動(dòng)，這種拋光介質(zhì)比具有不間斷地延伸通過拋光軌跡的常規(guī)墊(未示出)情況能被更有效地利用。這是因?yàn)樵跓o論晶片是否存在下由于墊的旋轉(zhuǎn)作用，拋光介質(zhì)在這些不間斷的凹槽中流動(dòng)通過拋光軌跡。結(jié)果，這些情況下，常規(guī)拋光墊使用拋光介質(zhì)常常比本發(fā)明的拋光墊例如墊104更迅速。這種由常規(guī)拋光墊更迅速使用拋光介質(zhì)存在許多缺陷，包括比最佳需要消耗的量更多的拋光介質(zhì)，以及對(duì)通過拋光副產(chǎn)物增強(qiáng)的拋光情況，副產(chǎn)物量低于最佳值。
除了徑向和圓周方向相互隔開的凹槽112外，要求每一凹槽的縱軸168的至少一部分相對(duì)于拋光墊104非圓周地取向。換句話說，要求凹槽112的縱軸168并不只是與拋光墊104的旋轉(zhuǎn)軸128同心的圓的弧。提供這樣的凹槽112可以使拋光介質(zhì)在隨拋光墊104旋轉(zhuǎn)時(shí)由于旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力作用而流動(dòng)。在此例子中，凹槽112一般是螺旋形的弧，因此沿其整個(gè)長度是非圓周的。在本發(fā)明的某些但并不一定的所有的凹槽排列中，要求各凹槽沿連接端點(diǎn)的直線上端點(diǎn)之間的距離小于進(jìn)行拋光的基片表面的最小尺寸，該最小尺寸延伸通過該表面的旋轉(zhuǎn)中心。例如，對(duì)繞其同心中心旋轉(zhuǎn)的圓形表面，采用這種標(biāo)準(zhǔn)，各凹槽端點(diǎn)之間的直線距離會(huì)小于該表面的直徑。另一方面，對(duì)有長度L的長邊和長度S的短邊的長方形，以這種標(biāo)準(zhǔn)，凹槽端點(diǎn)之間的直線距離小于短邊長度S。
凹槽112還可以包括一個(gè)次組凹槽172，它們部分地位于拋光軌跡152徑向向內(nèi)的拋光層108的中心區(qū)域176以及部分在該拋光軌跡中。凹槽112的這一次組凹槽172在如圖1所示的CMP系統(tǒng)100的拋光系統(tǒng)中有用，其中的拋光介質(zhì)分布到中心區(qū)域176，能促進(jìn)拋光介質(zhì)從中心區(qū)流向拋光軌跡152。此外，凹槽112可包括次組凹槽180，它們從拋光軌跡152延伸到徑向向外的拋光軌跡的周邊區(qū)域(如果有的話)。如果需要，在次組180中的凹槽112還可以延伸到拋光墊104的周邊188。凹槽112的次組凹槽180對(duì)例如促進(jìn)拋光介質(zhì)從拋光軌跡152流出有用。
由下面討論的圖3可以容易地理解，凹槽112可以有各種排列和結(jié)構(gòu)。但是，圖2中，凹槽112以各組192首尾相連地排列，使得各組的凹槽沿一相應(yīng)平滑路徑延伸，在這里沿螺旋路徑194延伸，該路徑是從中心區(qū)176通過拋光軌跡152延伸到周邊188。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，凹槽112的各組192可以以類似的方式沿其它形狀的平滑路徑排列和取向，如直線和徑向，直線和與拋光墊104的設(shè)計(jì)旋轉(zhuǎn)方向198成角度接近或遠(yuǎn)離，圓形弧狀和通常的徑向、圓形弧狀和非徑向，等等。
圖3所示為本發(fā)明不同拋光墊304、404、504的三個(gè)圓形片段300、400、500構(gòu)成的復(fù)合拋光墊200。片段300、400、500包括三個(gè)彼此不同的各凹槽排列308、408、508。但是，三個(gè)片段都提供拋光介質(zhì)“中斷”的路徑，當(dāng)晶片與拋光墊304、404、504面對(duì)面地旋轉(zhuǎn)時(shí)，主要在相應(yīng)晶片316、416、516的影響下拋光介質(zhì)在各自的拋光軌跡312、412、512中運(yùn)動(dòng)。如上面討論的，這些中斷的路徑由隔開的凹槽320、420、520形成，它們一般使拋光介質(zhì)在拋光墊片段304、404、504的旋轉(zhuǎn)作用下流動(dòng)。與此不同，在凹槽320、420、520之間的凸起區(qū)域324、424、524一般阻止拋光介質(zhì)的運(yùn)動(dòng)，除了當(dāng)各晶片316、416、516與凸起區(qū)域面對(duì)面地旋轉(zhuǎn)時(shí)。在各片段300、400、500的各自箭頭328、428、528代表由相應(yīng)的晶片316、416、516在所示的旋轉(zhuǎn)方向332、432、532上旋轉(zhuǎn)引起拋光介質(zhì)在凸起區(qū)域324、424、524上的運(yùn)動(dòng)。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，每個(gè)凹槽320、420、520的端點(diǎn)之間的直線距離小于相應(yīng)晶片的直徑。通常，這種特征能防止拋光漿料在相應(yīng)晶片316、416、516的下面未受阻止地通過，而不參與拋光。
每個(gè)凹槽排列308、408、508包括各自的凹槽336、436、536，這些凹槽從在相應(yīng)拋光軌跡312、412、412內(nèi)至少延伸到相應(yīng)的周邊區(qū)域340、440、540，并且在某些情況延伸到周邊的邊緣344、444、544。凹槽336、436、536一般促進(jìn)了拋光介質(zhì)從拋光軌跡312、412、512的輸送出去。各凹槽排列308、408、508還分別包括凹槽348、448、548，這些凹槽從相應(yīng)的中心區(qū)352、452、552延伸到拋光軌跡312、412、512。當(dāng)這些拋光墊片段304、404、504中任何一個(gè)與拋光系統(tǒng)，如圖1的CMP系統(tǒng)100使用時(shí)，該系統(tǒng)向各自的中心區(qū)352、452、552中的墊供給拋光介質(zhì)，相應(yīng)的凹槽348、448、548會(huì)促進(jìn)拋光介質(zhì)從中心區(qū)向拋光軌跡312、412、512的傳送。與凹槽320、420、520相似，在相應(yīng)拋光軌跡312、412、512內(nèi)的每個(gè)凹槽336、436、536、348、448、548的端點(diǎn)與相同凹槽穿過拋光軌跡邊界的點(diǎn)之間的直線距離，較好也小于各晶片316、416、516的直徑。與圖2的拋光墊104一樣，在別的實(shí)施方式中，都不必提供凹槽336、426、526或凹槽348、448、548，或者這兩組凹槽。
排列308、408各自包括以規(guī)則圖案排列的凹槽320、336、348、420、436、448。在排列308的情況，凹槽320、336、348具有兩種通常的構(gòu)型，即部分圓形結(jié)構(gòu)和線型結(jié)構(gòu)。與圖2的凹槽112一樣，凹槽320在徑向和圓周上相互隔開，并具有非圓周部分。如上所述，每個(gè)凹槽320的端點(diǎn)之間的直線距離較好小于晶片316的直徑。不難想像代替使用完全圓形的凹槽(未示出)，例如是從排列中除去插入的凹槽320、336、348，而使剩余的部分圓形凹槽成為完全圓形。如果需要，也可以使用其它部分閉合或完全閉合的凹槽形狀，如多邊形或橢圓形。
排列408通常是在凹槽的長方形格子上的一種變體。但是，替代這樣的彼此成十字形而形成交叉點(diǎn)的格子的連續(xù)凹槽，排列408的凹槽420、436、448的構(gòu)造成消除了交叉點(diǎn)。如同圖2的凹槽112，排列408的凹槽420在該排列的拋光軌跡412內(nèi)與其它凹槽420在徑向和圓周上隔開，并且相對(duì)于拋光墊404是完全非圓周的。如上面所述，每個(gè)凹槽420、436、448的長度較好地小于晶片416的直徑。或者根據(jù)其它十字形排列，例如菱形格子和包含波狀曲線形或Z字形凹槽的格子，是容易想像到的。
在此揭示的幾種排列中，排列508最好地說明了本發(fā)明可以基本概念的極大范圍。排列508的凹槽520通常是自由形式，可以有各種構(gòu)形、取向和長度。然而，即使是排列508，可以看出在拋光軌跡512內(nèi)的凹槽520在徑向和圓周上都相互隔開，并且相對(duì)于拋光墊504(大多數(shù))是非圓周的。而且，完全位于晶片軌跡512內(nèi)的任何自由形式的凹槽520的端點(diǎn)之間的直線距離較好小于晶片516的直徑，即使在某些情況下沿凹槽形狀的距離超過晶片的直徑。此外，對(duì)部分地位于晶片軌跡512內(nèi)和部分地在該軌跡外面的任何凹槽548、536，每個(gè)這樣的凹槽在晶片軌跡內(nèi)的端點(diǎn)與凹槽穿過晶片軌跡邊界的點(diǎn)之間的距離較好也小于晶片的直徑。結(jié)果，這些自由形式的凹槽520、536、548的作用彼此一致，基本上只是在晶片516的作用下，通過使拋光介質(zhì)從一個(gè)凹槽運(yùn)動(dòng)至下一個(gè)凹槽來提高拋光介質(zhì)的利用率。
權(quán)利要求
1.一種拋光墊，包括a)拋光層，構(gòu)造成在拋光介質(zhì)存在條件下，能拋光至少一個(gè)磁性，光學(xué)或半導(dǎo)體基片的表面，該拋光層包括旋轉(zhuǎn)軸、外緣和與該旋轉(zhuǎn)軸同心的環(huán)狀拋光軌跡；b)形成在拋光層中的大量凹槽，包括完全位于環(huán)形拋光軌跡中的第一組凹槽，第一組的每個(gè)凹槽i)與第一組中其它凹槽在相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸的徑向隔開；ii)與第一組中其它凹槽在相對(duì)于拋光墊的圓周方向隔開；iii)至少在相對(duì)于拋光墊非圓周取向的一部分有一縱軸，形成拋光介質(zhì)的不連續(xù)流動(dòng)，此時(shí)凸起區(qū)域中斷了至外緣的流動(dòng)。
2.如權(quán)利要求1所述的拋光墊，其特征在于，晶片表面有一個(gè)旋轉(zhuǎn)中心，包括沿一延伸通過旋轉(zhuǎn)中心的線段的最小尺寸，第一組凹槽中的每個(gè)凹槽具有第一端以及與第一端隔開的第二端，相隔距離小于該表面的最小尺寸。
3.如權(quán)利要求1所述的拋光墊，其特征在于，多個(gè)凹槽排列成多個(gè)組，每組包含沿平滑路徑首尾相連排列的多個(gè)凹槽。
4.如權(quán)利要求3所述的拋光墊，其特征在于，多個(gè)凹槽各自為曲線形。
5.如權(quán)利要求1所述的拋光墊，其特征在于，所述拋光層還包括在環(huán)形拋光軌跡和外緣之間延伸的周邊區(qū)域，多個(gè)凹槽還包括第二組凹槽，它們各自只存在在環(huán)形拋光軌跡和周邊區(qū)域中。
6.如權(quán)利要求1所述的拋光墊，其特征在于，環(huán)形拋光軌跡具有形成拋光層中心區(qū)的內(nèi)周邊，多個(gè)凹槽還包括第三組凹槽，它們各自只存在在環(huán)形拋光軌跡和中心區(qū)內(nèi)。
7.一種拋光墊，包括a)拋光層，構(gòu)造成在拋光介質(zhì)存在條件下，拋光至少一個(gè)磁性，光學(xué)或半導(dǎo)體基片的表面，該拋光層包括i)旋轉(zhuǎn)軸；ii)外緣；iii)與該旋轉(zhuǎn)軸同心的環(huán)狀拋光軌跡；iv)位于環(huán)形拋光軌跡和外緣之間的周邊區(qū)域；b)形成在拋光層中的大量凹槽，這些凹槽包括i)完全位于環(huán)形拋光軌跡中的第一組凹槽，第一組凹槽的至少某些凹槽中的每個(gè)凹槽A)與第一組中的其它凹槽在相對(duì)于拋光層旋轉(zhuǎn)軸的徑向隔開；B)與第一組中的其它凹槽在相對(duì)于拋光墊的圓周方向隔開；ii)第二組凹槽，各自只位于環(huán)形拋光軌跡和周邊區(qū)域中，形成拋光介質(zhì)的不連續(xù)流動(dòng)，此時(shí)凸起區(qū)域中斷了至外緣的流動(dòng)。
8.如權(quán)利要求7所述的拋光墊，其特征在于，拋光軌跡還包括一內(nèi)周邊，拋光層還包括a)與旋轉(zhuǎn)軸同心的中心區(qū)，由環(huán)形拋光軌跡的內(nèi)周邊形成；b)第三組凹槽，各自只位于中心區(qū)和環(huán)形拋光軌跡中。
9.如權(quán)利要求7所述的拋光墊，其特征在于，在第一組凹槽中的每個(gè)凹槽至少在相對(duì)于拋光墊非圓周取向的一部分有一縱軸。
10.如權(quán)利要求7所述的拋光墊，其特征在于，多個(gè)凹槽排列成多個(gè)組，每組凹槽各自含有沿平滑路徑首尾相連排列的多個(gè)凹槽。
全文摘要
一種拋光墊(104，304，404，504)，具有環(huán)形拋光軌跡(152，312，412，512)，它用來拋光晶片(120，316，416，516)。多個(gè)凹槽(112，320，420，520)排列在晶片軌跡內(nèi)，使得它們在相對(duì)于拋光墊的旋轉(zhuǎn)特性的徑向和圓周上相互隔開，并且相對(duì)于拋光墊是至少部分非圓周的。
文檔編號(hào)B24B39/06GK1790625SQ20051013165
公開日2006年6月21日 申請(qǐng)日期2005年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月14日
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