專(zhuān)利名稱(chēng)：反應(yīng)濺射二氧化硅與導(dǎo)電膜連鍍的氣體隔離裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及鍍膜技術(shù)中的專(zhuān)用設(shè)備，尤其是一種實(shí)現(xiàn)不同鍍膜層之間在線聯(lián)鍍的氣體隔離裝置。
氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)透明導(dǎo)電玻璃，是屬于高科技產(chǎn)品，廣泛的用于平面顯示器件，例如TN型和STN型液晶顯示器(LCD)。ITO透明導(dǎo)電玻璃由ITO導(dǎo)電膜、二氧化硅(SiO2)膜和基片玻璃組成，在LCD中ITO導(dǎo)電膜用作透明電極，SiO2膜鍍?cè)贗TO導(dǎo)電膜和基片玻璃之間，作為阻擋層，防止玻璃中的堿金屬離子擴(kuò)散到ITO膜中，影響導(dǎo)電性能。
在中國(guó)大陸，ITO透明導(dǎo)電玻璃生產(chǎn)廠家很多，所用的成套生產(chǎn)設(shè)備多數(shù)是進(jìn)口的，亦有少量是國(guó)產(chǎn)的，由于超薄平板基片玻璃生產(chǎn)和SiO2鍍膜技術(shù)難度大，有些廠家直接進(jìn)口已經(jīng)鍍好SiO2膜的基片玻璃，生產(chǎn)成本高；另一些工廠靠進(jìn)口超薄基片玻璃用射頻濺射工藝鍍制SiO2，最外面的ITO導(dǎo)電膜一般使用直流磁控濺射制備。
目前在ITO透明導(dǎo)電玻璃生產(chǎn)設(shè)備中，普遍應(yīng)用的是SiO2靶射頻磁控濺射工藝鍍制SiO2，工藝氣體是氬氣；應(yīng)用ITO靶直流磁控濺射鍍制ITO膜，工藝氣體是氬氣(Ar)，混有少量氧氣。其存在的不足在于SiO2鍍膜的沉積速率低，若工藝氣體Ar氣中的氧氣量多了就影響產(chǎn)品質(zhì)量(氧氣含量為氬氧總量的1％-5％之間為宜)。若采用Si靶，中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射制備鍍膜SiO2，由于工藝氣體除氬氣外，還要通入一定量反應(yīng)氣體氧氣。此工藝與ITO直流濺射工藝在線聯(lián)鍍時(shí)，由于兩種工藝的工藝氣體差別很大，特別是反應(yīng)濺射制備SiO2膜時(shí)通入較多的氧氣。由于SiO2鍍膜室與ITO鍍膜室之間連通，氧氣可能擴(kuò)散到ITO鍍膜室造成對(duì)ITO鍍膜工藝的影響，生產(chǎn)上習(xí)慣用語(yǔ)稱(chēng)為“串氣”，如何減小串氣，使SiO2鍍膜室的氧氣不影響ITO鍍膜室的工藝，這是雙靶反應(yīng)磁控濺射制備SiO2工藝能否在線應(yīng)用的關(guān)鍵。
本實(shí)用新型的目的意在克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種能大大減小串氣，不影響導(dǎo)電膜鍍膜質(zhì)量的反應(yīng)濺射二氧化硅與導(dǎo)電膜連鍍的氣體隔離裝置。
實(shí)現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案一種反應(yīng)濺射二氧化硅與導(dǎo)電膜連鍍的氣體隔離裝置，在SiO2鍍膜室與導(dǎo)電膜鍍膜室之間設(shè)置有隔離室，隔離室兩側(cè)開(kāi)有SiO2鍍膜室氣體入口和導(dǎo)電膜鍍膜室氣體入口，在隔離室上接有抽氣泵。
隔離室是兩個(gè)相通的隔離室，前后隔離室均開(kāi)有鍍膜室氣體入口，前后隔離室均接有抽氣泵。
隔離室兩側(cè)的鍍膜室氣體入口上置有閥門(mén)。
抽氣泵是分子泵。
前隔離室接的抽氣泵是分子泵，后隔離室接的抽氣泵是擴(kuò)散泵。
采用上述技術(shù)方案，以鍍制ITO導(dǎo)電膜為例，由于在SiO2鍍膜室與ITO鍍膜室之間巧妙地設(shè)置了過(guò)渡隔離室，利用過(guò)渡隔離室上抽氣泵的抽氣作用，隔離了兩個(gè)鍍膜室的氣氛，起到“氣阱”的作用。由于“氣阱”的作用，使SiO2鍍膜室的氧氣不影響ITO鍍膜室的工藝，既保證了SiO2鍍膜室的氧需要量，又保證不影響ITO鍍膜質(zhì)量，實(shí)現(xiàn)了本實(shí)用新型的目的。
經(jīng)實(shí)驗(yàn)測(cè)試當(dāng)SiO2鍍膜室充入30SCCM氧氣流量時(shí)，對(duì)ITO鍍膜室氣氛影響只相當(dāng)于在ITO鍍膜室中直接通入2 SCCM的氧流量，而ITO鍍膜室內(nèi)充入2 SCCM氧氣，尚處在鍍膜的工藝范圍之內(nèi)，況且實(shí)驗(yàn)是在SiO2鍍膜室中設(shè)有真正鍍膜時(shí)，也就是沒(méi)有因反應(yīng)消耗氧的情況下做的，所以可以認(rèn)為實(shí)驗(yàn)?zāi)M是可能出現(xiàn)的最壞情況，是保守的。實(shí)際鍍膜情況，SiO2鍍膜室在SiO2鍍制過(guò)程中，充入的氧氣一部份用于反應(yīng)生成SiO2，一部份被分子泵和擴(kuò)散泵抽走，少量的漂到ITO鍍膜室，量很小，處在ITO鍍膜工藝調(diào)整范圍之內(nèi)。
下面通過(guò)實(shí)施例詳述其結(jié)構(gòu)


圖1是本實(shí)用新型的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實(shí)用新型的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。
實(shí)施例一一種反應(yīng)濺射二氧化硅與導(dǎo)電膜連鍍的氣體隔離裝置，導(dǎo)電膜為ITO導(dǎo)電膜，在SiO2鍍膜室與ITO鍍膜室之間設(shè)置有
圖1所示的隔離裝置，該隔離裝置由隔離室1和抽氣泵4組成，隔離室1上開(kāi)有氣體入口2和氣體入口5，在氣體入口(2、5)上置有閥門(mén)(3、6)。抽氣泵4接在隔離室1的下方，抽氣泵4可以是分子泵、擴(kuò)散泵或其它各種類(lèi)型的抽氣泵。抽氣泵工作時(shí)，將從氣體入口2和氣體入口5進(jìn)入的各種氣體抽走，從而消除了前后鍍膜室之間不同種類(lèi)的工作氣體之間相互干擾，提高了鍍膜質(zhì)量。
實(shí)施例二又一種反應(yīng)濺射二氧化硅與導(dǎo)電膜連鍍的氣體隔離裝置，在SiO2鍍膜室與ITO鍍膜室之間設(shè)置有圖2所示的隔離裝置，該隔離裝置由隔離室1、隔離室2、抽氣泵4和抽氣泵5組成，隔離室1上開(kāi)有氣體入口6，隔離室1接抽氣泵5，抽氣泵5采用分子泵，隔離室2上開(kāi)有氣體入口3，隔離室2接抽氣泵4，抽氣泵4可采用擴(kuò)散泵，隔離室(1、2)相通，隔離室(1、2)兩側(cè)的鍍膜室氣體入口(6、3)上置有閥門(mén)(7、8)。本實(shí)施例的抽氣效果優(yōu)于實(shí)施例一，保證了各鍍膜室鍍膜工藝的順利進(jìn)行。
權(quán)利要求1.一種反應(yīng)濺射二氧化硅與導(dǎo)電膜連鍍的氣體隔離裝置，其特征在于它是由隔離室和抽氣泵組成，隔離室的兩側(cè)有鍍膜室氣體入口，隔離室接抽氣泵。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述反應(yīng)濺射二氧化硅與導(dǎo)電膜連鍍的氣體隔離裝置，其特征在于隔離室是兩個(gè)相通的隔離室，肖后隔離室均開(kāi)有鍍膜室氣體入口，各隔離室接有抽氣泵。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述反應(yīng)濺射二氧化硅與導(dǎo)電膜連鍍的氣體隔離裝置，其特征在于隔離室兩側(cè)的鍍膜室氣體入口上置有閥門(mén)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述反應(yīng)濺射二氧化硅與導(dǎo)電膜連鍍的氣體隔離裝置，其特征在于抽氣泵是分子泵。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述反應(yīng)濺射二氧化硅與導(dǎo)電膜連鍍的氣體隔離裝置，其特征在于前隔離室接的抽氣泵是分子泵，后隔離室接的抽氣泵是擴(kuò)散泵。
專(zhuān)利摘要一種反應(yīng)濺射二氧化硅與導(dǎo)電膜連鍍的氣體隔離裝置,它是由隔離室和抽氣泵組成,隔離室的兩側(cè)有鍍膜室氣體入口,隔離室兩側(cè)的鍍膜室氣體入口上置有閥門(mén),隔離室接抽氣泵。由于“氣阱”的作用,本實(shí)用新型巧妙地使不同鍍膜室之間在線聯(lián)鍍時(shí)的“串氣”現(xiàn)象得到了充分有效的抑制,特別是對(duì)于現(xiàn)中頻反應(yīng)濺射SiO
文檔編號(hào)C23C14/10GK2441813SQ0024894
公開(kāi)日2001年8月8日 申請(qǐng)日期2000年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2000年8月18日
發(fā)明者許生, 范垂禎, 李自鵬, 顏遠(yuǎn)全, 王建峰 申請(qǐng)人:深圳威士達(dá)真空系統(tǒng)工程有限公司