晶圓級(jí)凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種晶圓級(jí)凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]在對(duì)晶圓級(jí)凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割以及對(duì)凸點(diǎn)封裝進(jìn)行可靠性測(cè)試時(shí)，在工藝和測(cè)試過(guò)程中產(chǎn)生了絕緣層開裂等現(xiàn)象。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，針對(duì)該技術(shù)問(wèn)題，企業(yè)的做法一般是更換保護(hù)膠以減小保護(hù)膠、絕緣層以及硅的熱失配，從而減少保護(hù)膠對(duì)絕緣層的拉扯，進(jìn)而降低進(jìn)行封裝可靠性測(cè)試時(shí)凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)發(fā)生的失效現(xiàn)象。
[0004]這種做法的不足之處為，更換保護(hù)膠增加了封裝成本，而且換膠對(duì)產(chǎn)品可靠性的改善程度有限；同時(shí)，換膠對(duì)切割過(guò)程中的裹膠現(xiàn)象沒(méi)有改善。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本部分的目的在于概述本發(fā)明的實(shí)施例的一些方面以及簡(jiǎn)要介紹一些較佳實(shí)施例。在本部分以及本申請(qǐng)的說(shuō)明書摘要和發(fā)明名稱中可能會(huì)做些簡(jiǎn)化或省略以避免使本部分、說(shuō)明書摘要和發(fā)明名稱的目的模糊，而這種簡(jiǎn)化或省略不能用于限制本發(fā)明的范圍。
[0006]鑒于上述和/或現(xiàn)有晶圓級(jí)凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)切割以及測(cè)試過(guò)程中存在的絕緣層開裂問(wèn)題，提出了本發(fā)明。
[0007]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種晶圓級(jí)凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，降低了凸點(diǎn)封裝工藝中作為緩沖層的保護(hù)層在后續(xù)封裝工藝及測(cè)試過(guò)程中對(duì)封裝可靠性的負(fù)面影響。
[0008]按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述晶圓級(jí)凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，包括如下步驟:
(O提供集成了芯片電極和絕緣層的晶圓；
(2)在晶圓上制作保護(hù)層；
(3)將芯片電極上方的保護(hù)層去除形成第一開口，將晶圓上的芯片切割位置的保護(hù)層去除形成第二開口；
(4)在第一開口處制作凸點(diǎn)下金屬層和凸點(diǎn)層；
(5)沿第二開口的位置進(jìn)行切割，得到單顆晶圓級(jí)凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)。
[0009]進(jìn)一步的，所述保護(hù)層為高分子聚合物。
[0010]進(jìn)一步的，所述保護(hù)層為苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚四氟乙烯或聚酰亞胺。
[0011 ] 進(jìn)一步的，所述步驟(3 )形成第一開口和第二開口，具體包括:將芯片電極正上方的保護(hù)去除除形成第一開口，裸露出芯片電極的表面；同時(shí)，將相鄰芯片電極之間切割位置處的保護(hù)層去除，裸露出絕緣層的表面，形成第二開口。
[0012]進(jìn)一步的，所述步驟(4)在第一開口處制作凸點(diǎn)下金屬層和凸點(diǎn)層，具體包括:
(I)在保護(hù)層、第一開口和第二開口上制作凸點(diǎn)下金屬層，凸點(diǎn)下金屬層覆蓋保護(hù)層、第一開口和第二開口；
(2)在凸點(diǎn)下金屬層的表面制作光刻膠，將第一開口位置處的光刻膠去除，露出芯片電極正上方凸點(diǎn)下金屬層的表面；
(3)在第一開口處制作凸點(diǎn)層；
(4)去除光刻膠；
(5)以凸點(diǎn)層作為掩膜，采用濕法刻蝕法刻蝕凸點(diǎn)下金屬層直至露出凸點(diǎn)層以外區(qū)域的絕緣層和保護(hù)層。
[0013]進(jìn)一步的，所述凸點(diǎn)下金屬層為鈦、鉻、鎢、鎳中的一種或它們的組合。
[0014]進(jìn)一步的，所述凸點(diǎn)層的材料為鎳、銅、鈀或其合金。
[0015]本發(fā)明具有以下優(yōu)勢(shì):
(I)涂覆保護(hù)層后，將芯片電極暴露出來(lái)，同時(shí)形成預(yù)定切割道上第二開口的結(jié)構(gòu)，避免了在以后工藝過(guò)程中因熱失配而導(dǎo)致保護(hù)層拉扯絕緣層的應(yīng)力過(guò)大的問(wèn)題，從而提高了封裝可靠性；且在提高可靠性的同時(shí)，并沒(méi)有增加工藝步驟。
[0016](2)在切割晶圓過(guò)程中，由于去除了預(yù)定切割位置處的保護(hù)膠，形成第二開口，使保護(hù)層避開了切割道，消除了切割時(shí)保護(hù)層對(duì)絕緣層的拉扯，減少了切割時(shí)芯片本體的崩邊現(xiàn)象。同時(shí)，避免了保護(hù)層的裹刀現(xiàn)象，提高了產(chǎn)品良率。
【附圖說(shuō)明】
[0017]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單的介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0018]圖1?圖8為本發(fā)明所述晶圓級(jí)凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的各步驟得到的產(chǎn)品的不意圖。其中:
圖1為所述晶圓的不意圖。
[0019]圖2為制作保護(hù)層后的示意圖。
[0020]圖3為制作凸點(diǎn)下金屬層后的示意圖。
[0021]圖4為制作光刻膠后的示意圖。
[0022]圖5為制作凸點(diǎn)層后的示意圖。
[0023]圖6為去除光刻膠后的示意圖。
[0024]圖7為去除多余凸點(diǎn)下金屬層后的示意圖。
[0025]圖8為切割得到晶圓級(jí)凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0026]圖中序號(hào):晶圓Tl、芯片本體1、芯片電極2、絕緣層3、第一開口 4、保護(hù)層5、第二開口 6、凸點(diǎn)下金屬層7、光刻膠8、凸點(diǎn)層9。
【具體實(shí)施方式】
[0027]為了使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合具體附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0028]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0029]其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)施制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0030]另，本發(fā)明中提出的術(shù)語(yǔ)“表面”等指示方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，而不是要求本發(fā)明必須以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0031]本發(fā)明所述晶圓級(jí)凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，如圖1?圖8所示，該生產(chǎn)工藝包括如下步驟:提供集成了芯片電極和絕緣層的晶圓，在晶圓上制作保護(hù)層，將晶圓上的芯片切割位置的保護(hù)層去除形成第二開口，將芯片電極上方的保護(hù)層去除形成第一開口 ；在第一開口處制作凸點(diǎn)下金屬層和凸點(diǎn)層后沿第二開口的位置進(jìn)行切割