專利名稱:激光鉆出具有改良錐度的孔洞的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本揭示是關(guān)于激光處理一工作件,且具體言之,是關(guān)于在多層電子基板中激光鉆 出孔洞用以達成形成通孔(via)以允許在該等層之間進行電性互連的目的的方法和裝置。 明確地說,本揭示是關(guān)于在一工作件中激光鉆出具有可選擇錐度的孔洞。
背景技術(shù):
目前已制造的電子產(chǎn)品幾乎全部是藉由將電子組件附接至基板所建構(gòu)而成的,例 如其包含下面的器件計算機、蜂窩式電話、以及其它消費性電子器件。電子組件包含集成 電路、被動式器件、顯示器、以及連接器?;迨怯脕韺⒃摰入娮咏M件固定在正確的地方并 且在具有所希機械特性、熱特性、以及電性特性的組件之間提供電性連接?;逋ǔ0?結(jié)合復(fù)數(shù)個導(dǎo)電成分的一或復(fù)數(shù)層非導(dǎo)電層,該等導(dǎo)電成分在電性方面會協(xié)同該等電子組 件來發(fā)揮功能。形成非導(dǎo)體層的材料可能包含結(jié)晶材料,例如硅或藍寶石;非晶體材料, 例如非結(jié)晶硅或玻璃;燒結(jié)陶瓷材料,例如氧化鋁;或是有機材料,例如FR-4、聚酰亞胺、或 ABF ;或是前述材料的組合。導(dǎo)體會藉由各種工藝形成在該基板之上或之中,該等工藝包含 光刻沉積導(dǎo)體材料,例如多晶硅、鋁、或銅;使用網(wǎng)版印刷技術(shù)或噴墨技術(shù)來沉積導(dǎo)體油墨; 或是在基板之上或之中的迭層及/或圖案化導(dǎo)體層。 該些工藝的共同需求是互連可能因非導(dǎo)電材料層而被分離的導(dǎo)電體。電子基板通 常是由被排列成平面形式的導(dǎo)體層與非導(dǎo)體層所組成。圖l所示的便是由導(dǎo)電層或無機層 10、12、以及14所組成的一多層基板的示意圖,該等導(dǎo)電層或無機層會藉由非導(dǎo)電層或有 機層20來分離,其可能含有一或多層強化層24。 激光通孔鉆鑿系統(tǒng)的效能是根據(jù)數(shù)項準(zhǔn)則來評估,其包含總處理量、精確性、以及 通孔質(zhì)量。決定通孔質(zhì)量的因素包含位置、形狀、碎片、以及錐度。錐度所指的是該等通孔 側(cè)壁的形狀與角度。側(cè)壁錐度非常重要,因為在經(jīng)過鉆鑿之后,通孔通常會被鍍上一導(dǎo)電材 料,例如鍍銅,用以電性連接一多層基板中的復(fù)數(shù)層。高錐度(其中,該等壁部會非常平行) 允許達成高質(zhì)量且非常耐用的電鍍層。 本領(lǐng)域非常希望鉆出具有一特定錐度的高質(zhì)量通孔,因為這會使其在該通孔底部 的導(dǎo)體及頂端的導(dǎo)體之間提供良好的電性與機械性接觸。再者,提供一沒有任何碎片或是 殘余有機"污斑(smear)"的良好、有組織的表面,還可在該底部導(dǎo)體及該電鍍層之間達成良 好的電性接觸,從而進一步改良通孔質(zhì)量。同時,本領(lǐng)域還希望盡可能地維持極高的系統(tǒng)總 處理量,其意味著鉆鑿一通孔所花費的時間應(yīng)該盡可能越少越好。在假定一激光的最大重 復(fù)率的前提下,這通常意味著在所希的錐度及質(zhì)量一致下,要盡可能利用越少的脈沖來鉆 鑿該通孔。最后,本領(lǐng)域還希望實現(xiàn)一種系統(tǒng)與方法,用于以合理的成本與復(fù)雜度來達成上 面的目的。 Arai等人所提申,已受讓給Hitachi Via Mechanics, Ltd.的美國專利案第 6, 479, 788號便試圖在鉆鑿?fù)讜r藉由改變實質(zhì)上為方形脈沖的脈沖寬度來解決此問題。 此方式的困難在于其需要在非常高的速度下非常精確地控制該等激光脈沖。因為現(xiàn)今的激
3光可能每秒超過30, 000個脈沖,所以,此系統(tǒng)需要能夠在非常高脈沖率、非常高功率處來 修正具有可能為納秒分辨率的脈沖的控制與光學(xué)器件,其可能會降低系統(tǒng)可靠度并且提高 成本。接著,本領(lǐng)域亦希望不需要對每一個脈沖進行精密的實時控制便可達成所希的錐度、 質(zhì)量、以及總處理量。 因此,對于用以在電子裝配件中激光鉆出通孔的裝置的需求從未間斷,其必須能 夠形成具有高錐度的通孔,同時維持可接受的系統(tǒng)總處理量、精確性、以及總質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容
所以,本揭示的一目的便是提供一種具有激光處理系統(tǒng)的形式的方法與裝置,其 具有在包括電子基板的工作件中微加工高錐度通孔的改良能力。 于一實施例中,會藉由調(diào)整激光脈沖參數(shù)來控制通孔錐度與質(zhì)量,用以產(chǎn)生所希 的結(jié)果。于要鉆鑿一盲孔貫穿有機材料抵達該基板內(nèi)一非有機層的情況中,通孔鉆鑿可被 分成兩個階段。在第一階段中,會盡可能利用少數(shù)的脈沖移除該通孔中的有機材料,同時維 持該通孔所希的頂端直徑。在第二階段中,會從該通孔底部處移除剩余的有機材料,同時維 持所希的底部直徑并且不會對該通孔底部處的無機導(dǎo)體造成破壞。本揭示的目的便是決定 單一組激光脈沖參數(shù),其能夠?qū)崿F(xiàn)此工藝第一與第二兩個階段的鉆鑿并且從而在該鉆鑿過 程中達成更大的效率。 可被調(diào)整用以達成上面所述效果的激光脈沖參數(shù)包含脈沖能量、脈沖注量 (pulse fluence)、脈沖持續(xù)長度、脈沖重復(fù)率、脈沖數(shù)量、脈沖光點尺寸、脈沖時間形狀、脈 沖空間分布、以及波長。本揭示的目的是提供一種方法與裝置來選擇可用于單一通孔的兩 個鉆鑿階段的單一組激光脈沖參數(shù)。藉由使用單一組參數(shù),便可以簡化該系統(tǒng)的控制架構(gòu), 因為其不必在鉆鑿期間于行進中變更參數(shù)。鉆鑿效能亦可能會提高,在參數(shù)花費的時間大 于該激光的脈沖間間隔的情況中,部分脈沖會需要被舍棄,而無法用來對該工作件進行加 工。 側(cè)壁的角度是通孔質(zhì)量的一項重要決定性因素。假設(shè)側(cè)壁具有所希的筆直拓撲, 那么側(cè)壁角度或錐度便是該孔洞底部直徑與該孔洞頂端直徑的比率,其會以百分比來表 示。圖2所示的是一具有約75%的錐度的通孔30,其中,該通孔30的底部處的外露導(dǎo)體直 徑約為該通孔的頂端直徑的75%。圖2顯示出一具有一電鍍層36的通孔,該電鍍層是用來 將導(dǎo)體10電性連接至導(dǎo)體12。錐度很重要的其中一項理由是,低錐度會讓已電鍍通孔更 容易受到因所使用的各種材料之間的熱膨脹系數(shù)差異所造成的熱應(yīng)力的影響。低錐度的通 孔會比高錐度的通孔呈現(xiàn)更大比率的電鍍層破裂(cracking)與剝離(delamination)。側(cè) 壁應(yīng)該非常筆直并且在該孔洞底部的直徑大于頂端處不應(yīng)該呈現(xiàn)錐度。盲孔洞質(zhì)量的另一 項決定性因素是在該側(cè)壁和該底部導(dǎo)體接合的該孔洞底部處是否存在一有機材料"覆蓋區(qū) (foot)",較佳的是,不存在一有機材料"覆蓋區(qū)"。不存在覆蓋區(qū)非常重要是因為該電鍍層 質(zhì)量的決定性因素中其中一項是和被電鍍在該通孔底部處的導(dǎo)體的面積有關(guān)。
藉由將具有預(yù)設(shè)脈沖參數(shù)的一或多道激光脈沖導(dǎo)引至該基板上實質(zhì)相同的位置 來照射該基板的表面便可達成通孔鉆鑿的目的。該激光脈沖的直徑和要被鉆鑿的通孔的尺 寸具有相同等級。該等一或多道脈沖中的每一道脈沖均會移除該孔洞的材料,直到抵達所 希的層為止。于此位置點處,倘若其判斷出在該通孔的底部處存在有機材料要被移除的話,
4一或多道具有相同預(yù)設(shè)脈沖參數(shù)組的激光脈沖便會被導(dǎo)引至相同的位置,用以清除該通孔 底部的剩余有機材料,同時維持該孔洞所希的底部直徑。
圖1所示的是一多層工作件的剖面圖。 圖2所示的是一位于圖1的工作件中的電鍍通孔的示意圖。
圖3所示的是一具有高斯時間分布的C02激光脈沖的關(guān)系圖。
圖4所示的是在通孔鉆鑿期間材料移除的關(guān)系圖。 圖5所示的是針對具有高斯空間分布的脈沖介于激光脈沖能量與通孔頂端直徑 之間的關(guān)系圖。 圖6所示的是針對具有"高帽(top hat)"空間分布的脈沖介于激光脈沖能量與通 孔頂端直徑之間的關(guān)系圖。 圖7所示的是介于激光脈沖能量與通孔底部直徑之間的關(guān)系圖。
圖8所示的是根據(jù)本文所述的方法所鉆鑿的通孔的圖式。
具體實施例方式
較佳的C02處理激光是操作在波長介于約9 ii m與約11 ii m之間的脈沖式C02激光。 一示范性的市售脈沖式C02激光為位于美國康乃迪克州布隆菲爾德市的Coherent-DEOS所 制造的型號為Q600的Q開關(guān)式激光(9. 3 m)。因為C02激光無法有效地鉆鑿?fù)棕灤┙?屬層12與14,所以,利用C02處理激光來鉆鑿的多層工作件10會沒有金屬層12與14,或 是在制備時會先利用UV激光來預(yù)先鉆鑿或使用另一工藝(舉例來說,化學(xué)蝕刻)來預(yù)先蝕 刻一目標(biāo)位置,用以露出介電層20。 C02Q開關(guān)式激光所呈現(xiàn)的時間輪廓通常是以"高斯"來描述;不過,檢查圖3顯示 出,實質(zhì)上高斯脈沖會被"尾部"所修正,該尾部代表當(dāng)激光作用下降時來自激光腔的能量 泄漏。本案申請人研究顯示,此脈沖形狀可有效地用來在多層材料中鉆鑿高錐度通孔。高 斯時間分布和高斯空間分布不同,高斯空間分布是激光脈沖剖面的函數(shù)。本文所討論的激 光脈沖兼具高斯時間分布和高斯空間分布。在本文所揭示的激光裝置中亦可以使用其它的 固態(tài)激光激射物(lasant)或是操作在不同波長處的C02激光。本發(fā)明亦涵蓋各種類型的激 光腔配置、固態(tài)激光的諧振生成、固態(tài)激光與C02激光的Q開關(guān)式操作、激升技術(shù)、以及用于 C02激光的脈沖生成方法。對于使用非Q開關(guān)式激光的情況來說,可能會使用額外的脈沖整 形光學(xué)器件從較長的脈沖中形成較短的脈沖,直到并且包含操作在連續(xù)波(CW)模式中的 激光為止。 圖4所示的是在通孔鉆鑿過程期間材料移除的關(guān)系圖。X軸代表燒蝕深度而Y軸代
表脈沖的數(shù)量。如圖4中所示,脈沖0至N。會移除該通孔的大部份材料(bulk material),
從而會在脈沖N。處抵達下方的無機導(dǎo)體。接著會使用選配的SN脈沖來清除該通孔底部
的剩余有機材料。N。的范圍通??赡苁菑?至數(shù)十個或數(shù)百個脈沖,端視于該等脈沖參數(shù)
(例如脈沖注量及波長)以及要被移除的材料數(shù)額而定。SN的范圍通??赡苁菑腛至數(shù)
十個或數(shù)百個脈沖,其同樣端視于該等脈沖參數(shù)以及要被移除的材料數(shù)額而定。 對于配合有機聚合物的C02激光相互作用來說,材料移除主要是經(jīng)由激光誘發(fā)的熱降解來達成,其可能發(fā)生在達到蒸發(fā)點之前。特定蒸發(fā)作用亦可能經(jīng)由相態(tài)轉(zhuǎn)變而發(fā)生 (固態(tài)_玻璃態(tài)_熔融_蒸發(fā))。對C02激光照射來說,因為聚合物的吸收深度約為10 m, 其代表該激光射束能夠穿透聚合物至非常深的深度,因而會造成體加熱而非僅造成表面加 熱。 目前的鉆鑿實行工作已經(jīng)顯示出,單一激光脈沖便能夠爆發(fā)性地移除銅觸墊上厚 度約35 m的整個ABF樹脂層。不過,為達良好通孔形狀的目的,較佳的是,藉由一群短脈 沖來移除該大部份的樹脂材料,每一道脈沖均僅會小心地移除總材料深度的一小部分,而 非爆發(fā)性地移除,這會對該體加熱過程進行更佳的控制。 對一一階近似式來說,用于經(jīng)由熱分解來燒蝕聚合物的高斯C02激光脈沖的每個 脈沖的燒蝕速率(x)可以表示如下 (1) x鳴.尸,l + _L 其中,k。與、為和材料常數(shù)有關(guān)的系數(shù);F為脈沖注量;1為尖峰功率強度。對一 給定的尖峰功率強度I來說,每個脈沖的燒蝕深度x是受控于脈沖注量F。脈沖注量可以 尖峰功率強度I乘以脈沖寬度t來近似
(2) Dt " F = I t 脈沖注量為通孔頂端直徑的主要決定性因素。當(dāng)脈沖注量提高時,材料移除便會 變得更為爆發(fā)性并且比較不受控制,尤其是對高斯時間脈沖來說。圖5所示的是一具有實 質(zhì)高斯空間射束分布的激光脈沖的脈沖注量的空間分布剖面圖。對一給定的材料來說,該 孔洞的尺寸會與每道脈沖的注量有關(guān)。本案申請人的實驗結(jié)果顯示,對一給定的光點尺寸 來說,有一小范圍的脈沖注量數(shù)值會產(chǎn)生所希的通孔頂端直徑。這顯示在圖5中,其中,A 與02為利用兩種不同脈沖注量來鉆鑿的通孔頂端直徑。從圖中可以看出,對脈沖注量^來 說,脈沖能量會超過直徑D工的介電質(zhì)燒蝕臨界值,而具有脈沖注量F2的脈沖則會超過直徑 D2的介電質(zhì)臨界值,從而會鉆出一具有該頂端直徑的孔洞。 此原理適用于高斯分布以外的射束空間分布。如Dunsky等人的美國專利案第 6, 433, 301號及第6, 791, 060號中所述,具有"高帽(top hat)"分布的激光脈沖亦可用來 鉆鑿?fù)?,本文以引用的方式將每一案并入。圖6所示的便是具有高帽空間分布的脈沖的 剖面圖。如圖6中所示,具有高帽空間分布的激光脈沖在脈沖注量、燒蝕、以及通孔頂端直 徑之間所呈現(xiàn)的關(guān)系雷同于高斯空間分布所呈現(xiàn)的關(guān)系。 通孔鉆鑿的另一項原理是關(guān)于該通孔底部的尺寸與質(zhì)量。和通孔頂端直徑不同的 是,底部直徑并非單純?yōu)槊}沖注量的函數(shù)。讓鉆鑿變復(fù)雜的原因為構(gòu)成該通孔底部的非有 機層。此非有機層通常是由銅所構(gòu)成,不過亦可能包含其它導(dǎo)體材料。此層可能會在下面數(shù) 個方面改變通孔鉆鑿過程首先,該非有機層傾向于反射該激光能量,而不會如有機材料般 地吸收它。此被反射的能量可能會對該等有機層造成不必要的侵蝕,從而對該等有機層造 成下切作用,這會讓錐度變成負值,其為不樂見的結(jié)果。有機導(dǎo)體還會充當(dāng)一散熱片,用以 在通孔被鉆鑿時將熱導(dǎo)離該通孔。此冷卻該通孔底部的作用會促使已蒸發(fā)的有機材料重新 沉積在該底部上,從而讓后續(xù)的電鍍層無法完全電性接觸該接觸點底部的導(dǎo)體材料。另外, 該非有機層亦可能藉由用來鉆鑿該通孔的激光脈沖而部分熔化,從而導(dǎo)致該通孔的底部呈 現(xiàn)一光滑、玻璃狀的外貌,不同于典型的結(jié)節(jié)狀或粗糙的外貌。此光滑樣態(tài)會使得后續(xù)的電
6鍍更難以附著于該通孔的底部并且可能有礙于達成良好的電性接觸效果。所有該些效應(yīng)均 與底部直徑直接或間接相關(guān)。 接著,非常重要的是,當(dāng)該等激光脈沖抵達該通孔的預(yù)期底部時必須套用正確的 功率數(shù)額,方能達成正確的直徑,而不會造成不良的效應(yīng)。本案申請人的研究指出,通孔的 底部直徑具有下面等式的函數(shù)
(3) Db " F/ t 1/2 其顯示出,Db(通孔的底部直徑)與脈沖注量F除以脈沖寬度t的平方根成正比。 圖7所示的是介于通孔的底部直徑、對該通孔底部所造成的破壞、以及脈沖注量除以脈沖 寬度的平方根之間的關(guān)系。從圖7中可以看出,脈沖注量與脈沖寬度必須經(jīng)過調(diào)整,方能達 成所希的底部直徑,同時避免破壞該觸墊或破壞該通孔的底部。 激光鉆出一具有所希頂端直徑與底部直徑的通孔同時避免破壞該通孔底部的問 題的解決方法可藉由同時解出等式(1)與(3)來達成,其額外的條件限制如下
(4)Db = (T)Dt 其中,Db與Dt為所希的底部直徑與頂端直徑;而T為錐度,其是以-1與+1之間 的分?jǐn)?shù)來表示。因為脈沖注量為脈沖寬度與尖峰功率強度兩者的函數(shù),所以,上面的等式會 存在一個以上的解答。事實上,脈沖寬度與尖峰功率強度存在一個范圍來解決該問題。于 此解答空間內(nèi),會選擇一特殊的脈沖寬度與尖峰功率,以便有助于最小化鉆鑿耗時數(shù),也就 是,最小化鉆鑿該通孔所需的脈沖數(shù)量,并且與所選擇的激光及光學(xué)器件的能力相符。
圖8所示的是使用利用上面的方法算出的激光脈沖在一多層基板中所鉆鑿的通 孔的圖式。該基板有機材料為ABF GX3(位于日本東京的Anjinomoto Co丄td.所售),其在 該通孔的底部具有一銅質(zhì)非有機觸墊。該已鉆鑿的通孔具有53微米的頂端直徑以及80% 的錐度。該通孔是利用上面所提及的型號為Q-600的CW Q開關(guān)式2.4W尖峰功率強度的 C02激光所鉆出的,其是操作在30KHz的脈沖重復(fù)率處。其需要用到五個脈沖來鉆出如圖所 示的通孔。從圖8中可以看出,該通孔沒有任何碎片,而且該通孔的底部呈現(xiàn)出一種表示其 并未被熔化或破壞的組織。 熟習(xí)本技術(shù)的人士便會明白,可以對上面所述的本發(fā)明的實施例的細節(jié)進行許多 變更,其并不會脫離本發(fā)明的基本原理。所以,本發(fā)明的范疇?wèi)?yīng)該僅取決于下面的申請專利 范圍。
權(quán)利要求
一種使用激光脈沖在一包含導(dǎo)體層與介電層的電子基板中形成一通孔的方法,該通孔具有一體積、一深度、以及一由頂端直徑及底部直徑所定義的錐度,而該等激光脈沖是由預(yù)設(shè)的脈沖參數(shù)來定義,該方法包括藉由同時最佳化用來決定一通孔的頂端直徑及該通孔的底部的等式來計算該等預(yù)設(shè)的脈沖參數(shù);以及產(chǎn)生以該等預(yù)設(shè)的脈沖參數(shù)為特征的一或多道激光脈沖并且將它們導(dǎo)引入射在該基板上,用以移除實質(zhì)上全部的介電層材料,以便形成該通孔的體積,其并不會導(dǎo)致實質(zhì)破壞該通孔底部的導(dǎo)體層材料并且同時會維持一預(yù)設(shè)的錐度以及最小化用來從該通孔中移除實質(zhì)上全部該介電層材料的激光脈沖的數(shù)量。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中,該通孔錐度大于或等于一。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中,該等通孔頂端直徑與底部直徑介于約20微米與約 500微米之間。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中,該等預(yù)設(shè)的脈沖參數(shù)會經(jīng)過選擇用以最大化與該 經(jīng)決定的頂端直徑相符的該等激光脈沖之一注量數(shù)值,并且用以讓該注量數(shù)值除以該脈沖 寬度的平方根會與該經(jīng)決定的底部直徑相符。
5. 如權(quán)利要求4所述的方法,其中,該脈沖寬度介于約1與約100ns之間,而該脈沖能 量所產(chǎn)生的注量數(shù)值介于約1. 0與約10. 0J/cm2之間。
6. —種在包含導(dǎo)體層與介電層的電子基板中形成通孔的系統(tǒng),該等通孔具有體積、深 度、以及由頂端直徑及底部直徑所定義的錐度,其包括一激光,用以產(chǎn)生激光脈沖,該等激光脈沖會沿著一激光射束路徑傳播并且以預(yù)設(shè)的 脈沖參數(shù)為特征;激光射束光學(xué)器件,用以將該等激光射束脈沖照射在該電子基板上;以及 一控制器,其可運作用以計算該等激光脈沖參數(shù)并且指示該系統(tǒng)用以產(chǎn)生與該等參數(shù) 相符的該等激光脈沖,該控制器會藉由同時最佳化用來決定每一個該等通孔的該通孔的一 頂端直徑及一底部的等式來計算該等預(yù)設(shè)的脈沖參數(shù),并且指示該激光用以產(chǎn)生以該等預(yù) 設(shè)的脈沖參數(shù)為特征的一或多道激光脈沖,用以移除實質(zhì)上全部的介電層材料,以便形成 該通孔的體積,其并不會導(dǎo)致實質(zhì)破壞該通孔底部的導(dǎo)體層材料并且同時會維持一預(yù)設(shè)的 錐度以及最小化用來從該通孔中移除實質(zhì)上全部該介電層材料的激光脈沖的數(shù)量。
7. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,該通孔錐度大于或等于一。
8. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,該等通孔頂端直徑與底部直徑介于約20微米與約 500微米之間。
9. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,該等預(yù)設(shè)的脈沖參數(shù)會經(jīng)過選擇用以最大化與該 經(jīng)決定的頂端直徑相符的該等激光脈沖之一注量數(shù)值,并且用以讓該注量數(shù)值除以該脈沖 寬度的平方根會與該經(jīng)決定的底部直徑相符。
10. 如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng),其中,該脈沖寬度介于約1與約100ns之間,而該脈沖能 量所產(chǎn)生的注量數(shù)值介于約1. 0與約10. 0J/cm2之間。
全文摘要
一種用以在多層電子基板中鉆出具有可選擇錐度的盲孔的方法與裝置,用以允許在各層之間形成電性連接,同時維持質(zhì)量與總處理量。該方法有賴于了解該通孔的頂端直徑與該通孔的底部直徑(它們會定義該錐度)為兩組不同等式的函數(shù)。同時解出該些等式便會產(chǎn)生一解答空間,用以使用具有相同脈沖參數(shù)的時間未經(jīng)修正的Q開關(guān)式CO2激光脈沖來促成總處理量的最佳化,同時維持選定的錐度及質(zhì)量。并不需要進行實時脈沖修整;所以,可以降低系統(tǒng)復(fù)雜度與成本。
文檔編號B23K26/38GK101743089SQ200880018392
公開日2010年6月16日 申請日期2008年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月1日
發(fā)明者孫云龍, 松本久志, 桂格·哈迪, 類維生 申請人:伊雷克托科學(xué)工業(yè)股份有限公司