專(zhuān)利名稱(chēng)：電子槍和含該電子槍的陰極射線(xiàn)管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可在整個(gè)熒光屏范圍內(nèi)獲得均衡的優(yōu)良聚焦特性以及歸因于熒光屏上電子束光點(diǎn)微小直徑的良好分辨率的電子槍。本發(fā)明還涉及含有該電子槍的陰極射線(xiàn)管。
在至少具有由多個(gè)電極構(gòu)成的電子槍、偏轉(zhuǎn)裝置以及熒光屏的各陰極射線(xiàn)管中，至今已提出了各種技術(shù)作為在從中心部分到其邊緣部分的熒光屏的范圍上獲得良好重現(xiàn)圖象的手段。
例如，如在日本特許公開(kāi)公報(bào)第103752/1983中所公開(kāi)的，組成主透鏡的電極形成有為非圓形的電子束通孔。
對(duì)于這種結(jié)構(gòu)的電子槍?zhuān)ㄟ^(guò)僅在陽(yáng)極內(nèi)安裝電場(chǎng)校正板而達(dá)到實(shí)際的象散校正，因?yàn)楹线m的象散校正與熒光屏上電子束的合適靜態(tài)聚集不相容。
以上，存在兩個(gè)要求象散校正的原因。第一個(gè)原因是，由于當(dāng)今所使用的具有三個(gè)排列成一字的電子槍的彩色陰極射線(xiàn)管利用偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的不均勻分布，以便簡(jiǎn)化會(huì)聚電路，從而抑制由于偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)作用造成陰極射線(xiàn)管屏幕邊緣的分辨率的降低。
第二個(gè)原因是打算校正在電子束穿過(guò)如特許公報(bào)所指出的非圓形電子束通孔時(shí)出現(xiàn)的象散。
尤其在如特許公報(bào)所指出的以非圓形形成電子束通孔的情況下，已發(fā)生的象散的作用是加速歸因于偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的分辨率降低。
因此，基于電場(chǎng)校正板的象散校正量大，并且當(dāng)與主透鏡的球面象差比較時(shí)實(shí)際上該象散是不可忽略的。
所以，熒光屏上電子束光點(diǎn)的直徑不能降低到對(duì)應(yīng)于由非圓形電子束通孔所造成的電子透鏡擴(kuò)大的程度。
在日本特許公告公報(bào)第36225/1989號(hào)中所公開(kāi)的電子槍中，構(gòu)成主透鏡的電極的電子束通孔做成圓形，并僅在構(gòu)成主透鏡的由聚焦電極和陽(yáng)極組成的電極對(duì)陽(yáng)極上校正象散。
日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)卦S公告公報(bào)第1344/1990號(hào)公開(kāi)了前述日本特許公告第36225/1989號(hào)的結(jié)構(gòu)的改型，其特征在于安裝在陽(yáng)極內(nèi)的象散校正部分形狀為一個(gè)槽，其在小于設(shè)置于陽(yáng)極并由金屬板構(gòu)成的電子束通孔直徑的范圍內(nèi)以三個(gè)電子槍的一字排列陣列方向延伸。
此外，日本實(shí)用新型特許公開(kāi)公報(bào)第18164/1975號(hào)中公開(kāi)了一種電子槍?zhuān)渲须妶?chǎng)校正的“U-形”輔助電極安裝在構(gòu)成主透鏡的各電極的內(nèi)側(cè)。
另外，日本特許公告公報(bào)第7375/1985號(hào)公開(kāi)了一種電子槍?zhuān)渲锌拷鼰晒馄烈粋?cè)上的陽(yáng)極部分配備有平行于一字排列陣列的方向切開(kāi)并豎起的電場(chǎng)校正部分，而在陽(yáng)極的電子束通孔與聚焦電極之間聚焦電極以垂直于一字式陣列方向的方向配備有切開(kāi)并豎起的部分。
對(duì)陰極射線(xiàn)管聚焦特性的要求是電子束整個(gè)電流范圍內(nèi)的分辨率在熒光屏的整個(gè)區(qū)域內(nèi)有效，以及整個(gè)屏幕的分辨率在整個(gè)電流范圍內(nèi)是均勻的。
設(shè)計(jì)同時(shí)滿(mǎn)足這多個(gè)特征的電子槍需要高技術(shù)程度。
借助于日本特許公開(kāi)公報(bào)第103752/1983，日本特許公告第36225/1989號(hào)和日本特許公告第1344/1990號(hào)中所公開(kāi)的任何現(xiàn)有技術(shù)，在配備有同等地具有大孔徑的電子透鏡的電子槍中，構(gòu)成主透鏡的電極對(duì)的電極之間的電場(chǎng)分布是非軸對(duì)稱(chēng)的，但其是電光軸對(duì)稱(chēng)的，該電子槍?xiě)?yīng)用于其管頸直徑在有限值內(nèi)的陰極射線(xiàn)管，從而減小熒光屏上電子束光點(diǎn)的直徑并增強(qiáng)分辨率。為此目的，作為用于校正由非軸對(duì)稱(chēng)電場(chǎng)所造成的電子束軌跡畸變的裝置，僅對(duì)構(gòu)成主透鏡的電極的陽(yáng)極配備有電場(chǎng)校正部分，用以實(shí)現(xiàn)全面校正。
因此，使電子槍光軸附近的校正量和遠(yuǎn)離光軸的位置的校正量均衡是困難的，而且各電子束軌跡的校正量由于電場(chǎng)的畸變變得過(guò)量或不足。結(jié)果，現(xiàn)有技術(shù)存在熒光屏上電子束光點(diǎn)直徑不能令人滿(mǎn)意地減小的問(wèn)題。
因此本發(fā)明的第一個(gè)目的是提供一種電子槍?zhuān)渲惺闺娮訕尮廨S附近的校正量與遠(yuǎn)離光軸位置的校正量之間的均衡變得更為適當(dāng)，從而減輕電場(chǎng)的畸變程度并更加減小熒光屏上電子束光點(diǎn)的直徑，因此增加了熒光屏上的分辨率;并且還提供含有該電子槍的陰極射線(xiàn)管。
同時(shí)，在利用具有非軸對(duì)稱(chēng)分布的電場(chǎng)的主透鏡的電子槍中，安裝用于使熒光屏上電子束光點(diǎn)的形狀均勻化的電場(chǎng)校正機(jī)構(gòu)是必不可少的。
電場(chǎng)校正機(jī)構(gòu)的安裝位置和結(jié)構(gòu)需要在以陰極射線(xiàn)管的優(yōu)質(zhì)和合理價(jià)格的產(chǎn)品供應(yīng)市場(chǎng)的實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)合中保證高生產(chǎn)率。但是，由于涉及上述內(nèi)容的現(xiàn)有技術(shù)僅在陽(yáng)極中進(jìn)行電場(chǎng)校正，校正機(jī)構(gòu)必需安裝在有最大校正效果的位置并構(gòu)造為有最大校正效果的結(jié)構(gòu)。
這種提供最大校正效果的位置和結(jié)構(gòu)不可避免地對(duì)電場(chǎng)變化敏感。因此，所用部件要求有高的最后加工精度以及高安裝精度，結(jié)果妨礙校正機(jī)構(gòu)的生產(chǎn)率。
因此本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供一種即使降低電極精度容限其特性也幾乎不分散的電子槍。
而且，有排成一字形的三個(gè)電子槍的彩色陰極射線(xiàn)管需要用于將從三個(gè)電子槍發(fā)射的電子束聚集到熒光屏上的一點(diǎn)上的裝置。
通常，由電子槍電極結(jié)構(gòu)預(yù)先聚焦的三個(gè)電子束光點(diǎn)被裝配在陰極射線(xiàn)管管頸部分的磁性裝置以更高精度聚焦。
對(duì)于上述預(yù)聚焦的機(jī)構(gòu)來(lái)講，采用一種對(duì)構(gòu)成主透鏡的電極的相對(duì)部分的光軸進(jìn)行偏移的方法，和一種分布電極內(nèi)的電場(chǎng)以彎曲電子束軌跡等的方法。
當(dāng)用這樣的方法聚集電子束時(shí)，電子透鏡內(nèi)的電場(chǎng)不可避免地變?yōu)榉禽S對(duì)稱(chēng)，以致產(chǎn)生象散。
在電子槍的設(shè)計(jì)中，最好建立能夠大為改變象散的功能，該功能包含與電子束集聚同時(shí)出現(xiàn)的象散，而幾乎不影響電子束的集聚。
在這種情況下，實(shí)際應(yīng)用中可將電子束的集聚和象散作為獨(dú)立變量處理。因此，該設(shè)計(jì)的通用性增加，以利于設(shè)計(jì)所要求特性的電子槍。
因此本發(fā)明的第三個(gè)目的是提供一種具有以下結(jié)構(gòu)的電子槍?zhuān)纯瑟?dú)立地校正電子束的集聚和象散，以在屏幕的整個(gè)區(qū)域內(nèi)獲得適當(dāng)均衡的聚焦特性和良好的分辨率，以及提供含有該電子槍的陰極射線(xiàn)管。
實(shí)現(xiàn)其第一目的的本發(fā)明的特征在于將多個(gè)電場(chǎng)校正機(jī)構(gòu)設(shè)置在構(gòu)成主透鏡的電極之內(nèi)。
實(shí)現(xiàn)其第二和第三目的的本發(fā)明的特征在于相對(duì)于分隔三個(gè)電子束通孔的以及形成在相對(duì)部分上的部分將多個(gè)電場(chǎng)校正機(jī)構(gòu)設(shè)置在以光軸方向與構(gòu)成主透鏡的電極的相對(duì)部分相隔開(kāi)的位置。
實(shí)現(xiàn)其第一、第二和第三個(gè)目的的本發(fā)明特征在于電場(chǎng)校正機(jī)構(gòu)形成有非軸對(duì)稱(chēng)的電子束通孔，其特征還在于電子束通孔包含分別對(duì)應(yīng)于三個(gè)電子束的通孔和為三個(gè)電子束所公用的一個(gè)通孔。
由于在構(gòu)成主透鏡的電極之內(nèi)的多個(gè)位置配置象散校正機(jī)構(gòu)，因此有可能抑制現(xiàn)有技術(shù)中突然進(jìn)行象散校正所產(chǎn)生的熒光屏上電子束光點(diǎn)直徑的那些擴(kuò)散。
更具體說(shuō)來(lái)，沿該電子束的光軸逐漸地校正電子束軌跡，由此可適當(dāng)?shù)鼐夤廨S附近和在遠(yuǎn)離那里的某一位置的電場(chǎng)校正。
結(jié)果，可減小熒光屏上電子束光點(diǎn)的直徑并能增強(qiáng)熒光屏整個(gè)區(qū)域內(nèi)的分辨率。
此外，由于在以光軸方向與電極對(duì)的相對(duì)部分相隔開(kāi)的位置在構(gòu)成主透鏡的電極對(duì)的各電極上配備有電場(chǎng)校正機(jī)構(gòu)，有可能降低用在象散校正中的每個(gè)電場(chǎng)校正機(jī)構(gòu)的校正精度。
這樣，與相對(duì)部分的附近相比較，在與構(gòu)成主透鏡的電極對(duì)的相對(duì)部分隔開(kāi)的各側(cè)上電場(chǎng)減弱，因此即使降低電場(chǎng)校正機(jī)構(gòu)的精度，需建立的電場(chǎng)也不受什么影響。
電場(chǎng)校正機(jī)構(gòu)安裝在構(gòu)成主透鏡的各電極中，并使各個(gè)電場(chǎng)校正機(jī)構(gòu)的校正量少，從而允許雙側(cè)電場(chǎng)校正機(jī)構(gòu)的安裝位置以光軸方向與相對(duì)部分隔開(kāi)，并允許降低制備精度標(biāo)準(zhǔn)。
再者，由于在與構(gòu)成主透鏡的電極的相對(duì)部分隔開(kāi)的位置配備有電場(chǎng)校正機(jī)構(gòu)，熒光屏上三個(gè)電子束的集聚和用于校正象散的電場(chǎng)校正在實(shí)際應(yīng)用中是彼此獨(dú)立的，從而增加了電子槍設(shè)計(jì)的通用性。
這里，即使將電場(chǎng)校正機(jī)構(gòu)配置在與構(gòu)成主透鏡的電極對(duì)的相對(duì)部分隔開(kāi)的位置，在相對(duì)部分的屏蔽作用下象散校正是可能的，并且該配置對(duì)電子束集聚的影響是可忽略的。
另外，用在本發(fā)明中的詞語(yǔ)“非軸對(duì)稱(chēng)”表示除了以與圓心等距離的焦點(diǎn)表示的諸如圓形的形狀之外的任何形狀。例如，“非軸對(duì)稱(chēng)的射束點(diǎn)”意思是非圓形射束點(diǎn)。


圖1A和1B是說(shuō)明按照本發(fā)明的電子槍實(shí)施例的視圖;
圖2A和2B是用于闡明與現(xiàn)有技術(shù)相比較主透鏡系統(tǒng)中電子束的聚焦和發(fā)散功能的模型圖;
圖3A和3B是用于說(shuō)明圖1B中G5電極電場(chǎng)校正板的實(shí)例的視圖;
圖4A和4B是用于說(shuō)明圖1B中G5電極實(shí)例的視圖;
圖5是用于說(shuō)明電子束聚焦作用和圖1B中各電場(chǎng)校正板與相應(yīng)內(nèi)部電極之間距離關(guān)系的曲線(xiàn)圖;
圖6A到6D是用于說(shuō)明圖1B中G6電極實(shí)例的視圖，圖7A到7D是用于說(shuō)明圖1B中主電極的圖示;
圖8A到8D、圖9A到9D、圖10A到10D、圖11A到11D、圖12A到12D以及圖13A到13D是用于說(shuō)明G5電極各種可實(shí)行的實(shí)例的視圖;
圖14A到14D、圖15A到15D、圖16A到16D以及圖17A到17D是用于說(shuō)明G6電極各種可實(shí)行的實(shí)例的視圖;
圖18A和18B以及圖19A和19B是表示將本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)比較時(shí)陰級(jí)射線(xiàn)管的熒光屏上電子束光點(diǎn)形狀的說(shuō)明圖;
圖20是用于說(shuō)明配備有一字排列式電子槍的蔭罩型彩色陰極射線(xiàn)管的視圖;
圖21是用于說(shuō)明在熒光屏中央部分上形成圓形光點(diǎn)的電子束使熒光屏的邊緣發(fā)熒光的情況下電子束光點(diǎn)的圖形;
圖22是用于說(shuō)明電子束光點(diǎn)的變形的電子槍電光系統(tǒng)的模型圖;
圖23是結(jié)合圖22說(shuō)明的用于抑制在熒光屏邊緣部分圖象質(zhì)量下降的裝置的說(shuō)明圖;
圖24是用于說(shuō)明利用圖23所示透鏡系統(tǒng)的情況下熒光屏上電子束光點(diǎn)形狀的圖形。
首先，說(shuō)明利用按照本發(fā)明的電子槍增強(qiáng)陰極射線(xiàn)管的聚焦特性和分辨率的機(jī)構(gòu)。
圖20是配備有一字排列式電子槍的蔭罩型彩色陰極射線(xiàn)管的說(shuō)明視圖。彩色陰極射線(xiàn)管具有管頸107、玻錐108、容納于管頸107用于發(fā)射電子束100的電子槍組件109、偏轉(zhuǎn)線(xiàn)圈111、蔭罩板112、熒光膜113以及面板(屏幕)114(在隨后的描述中，其上淀積有熒光膜113的面板114將稱(chēng)之為“熒光屏14”)。
如該圖中所示，對(duì)于指定類(lèi)型的陰極射線(xiàn)管，電子槍109發(fā)射的電子束100通過(guò)蔭罩板112，同時(shí)由偏轉(zhuǎn)線(xiàn)圈111以水平和垂直方向偏轉(zhuǎn)，由此使熒光膜113發(fā)熒光。基于熒光的圖案在面板114的一側(cè)觀測(cè)為圖象。
圖21是用于說(shuō)明在熒光屏的中央部分上形成圓形光點(diǎn)的電子束使得熒光屏的邊緣發(fā)熒光的情況下電子束光點(diǎn)的圖形。參見(jiàn)該圖，標(biāo)號(hào)14表示熒光屏，在其上形成屏中心部分的射束點(diǎn)15。以水平方向(X-X方向)在該屏的邊緣形成射束點(diǎn)16，以垂直方向(Y-Y)方向在該屏的邊緣形成射束點(diǎn)18，以及以對(duì)角線(xiàn)方向(拐角部分)在該屏的邊緣形成射束點(diǎn)19。標(biāo)號(hào)17指出光暈。
在最新的彩色陰極射線(xiàn)管中，為了簡(jiǎn)化會(huì)聚控制，利用均勻磁場(chǎng)分布，其中水平偏轉(zhuǎn)場(chǎng)為枕形，而垂直場(chǎng)是桶形。
基于電子束的熒光點(diǎn)的形狀在熒光屏的邊緣部分未能成為圓形，其原因在于建立了如上所指出的磁場(chǎng)分布，電子束的軌跡在熒光屏的中心部分與邊緣部分不同，以及電子束在熒光屏的邊緣部分斜向地碰撞到熒光膜上。
如圖21所示，在屏幕水平邊緣的光點(diǎn)16橫向變長(zhǎng)，并與中心部分的圓形光點(diǎn)15相比出現(xiàn)光暈17。
結(jié)果，水平方向的光點(diǎn)尺寸放大，由于光暈的出現(xiàn)該光點(diǎn)的輪廓變得不清晰，因此分辨率降低，使圖象質(zhì)量急劇下降。
再者，在電子束電流量小的情況下，垂直方向的電子束直徑過(guò)度減小以致在垂直方向光干擾蔭罩板112的色調(diào)。因此出現(xiàn)網(wǎng)紋現(xiàn)象，并導(dǎo)致圖象質(zhì)量下降。
同時(shí)，由于偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)以垂直方向垂直地會(huì)聚電子束的原因，在屏幕14垂直末端的光點(diǎn)18成為橫向凸起的形狀。而且，該光點(diǎn)18出現(xiàn)光暈17并引起圖象質(zhì)量下降。
在熒光屏14的拐角部分的電子束光點(diǎn)19除了在其如光點(diǎn)16般橫向延長(zhǎng)與其象光點(diǎn)18一樣橫向凸起之間的最佳協(xié)合作用外包含電子束的旋轉(zhuǎn)。因此，該熒光點(diǎn)19不僅出現(xiàn)光暈17而且其自身的直徑放大，故圖象質(zhì)量急劇下降。
圖22是用于說(shuō)明上述電子束光點(diǎn)畸變的電子槍的電光系統(tǒng)的模型圖。在該圖中，用光系統(tǒng)代替了前述系統(tǒng)，以便于理解。
在圖22中，圖的上半部分表示熒光屏的垂直(Y-Y)區(qū)域，而下半部分表示熒光屏的水平(X-X)區(qū)域。
此處，標(biāo)號(hào)20和21指出預(yù)聚焦透鏡，標(biāo)號(hào)22表明前級(jí)主透鏡，以及標(biāo)號(hào)23表明主透鏡。預(yù)聚焦透鏡20、21，前級(jí)主透鏡22以及主透鏡23構(gòu)成對(duì)應(yīng)于圖20中電子槍109的電光系統(tǒng)。
此外，標(biāo)號(hào)24指出由垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)形成的透鏡。標(biāo)號(hào)25所表示的是代表水平偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)所形成透鏡的等效透鏡，同時(shí)由于它在熒光屏14上的斜向碰撞而明顯在水平方向增強(qiáng)了所偏轉(zhuǎn)的電子束。
首先，由陰極K發(fā)射并且其區(qū)域在熒光屏14的垂直方向上的電子束27在預(yù)聚焦透鏡20和21之間距離陰極K達(dá)Lc之處形成一交叉點(diǎn)P。此后，由前級(jí)主透鏡22以及透鏡23將電子束27會(huì)聚到熒光屏14。
電子束通過(guò)該熒光屏不含偏轉(zhuǎn)的中心部分的軌跡28撞擊在熒光屏14上。然而，在熒光屏14的邊緣部分，電子束在垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)形成的透鏡24的作用下通過(guò)軌跡29形成橫向凸起的光束點(diǎn)。
而且，由于主透鏡23具有球面象差，如軌跡30所指出的，電子束部分在到達(dá)熒光屏14之前就聚焦。這正是光點(diǎn)18在熒光屏的垂直邊緣部分或光點(diǎn)19在其拐角部分出現(xiàn)光暈17的原因如圖21所示。
另一方面，從陰極K發(fā)射且其區(qū)域在熒光屏14的水平方向的電子束31類(lèi)似于垂直區(qū)域的電子束27由預(yù)聚焦透鏡20、21，前極主透鏡22和主透鏡23會(huì)聚。它通過(guò)該屏幕偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)無(wú)作用的中心部分的軌跡撞擊在熒光屏14上。
即使在偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)起作用的熒光屏14區(qū)域內(nèi)，盡管在歸因于水平偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的透鏡25的發(fā)散作用下電子束31通過(guò)軌跡33形成橫向長(zhǎng)的光點(diǎn)形狀，在水平方向無(wú)光暈出現(xiàn)。
但是，就是在圖21中水平末端部分的電子束光點(diǎn)16(其上不含垂直偏轉(zhuǎn)作用)也發(fā)生光暈17，這是因?yàn)橹魍哥R23與熒光屏14之間的距離在該屏幕的水平末端部分比在其中心部分要長(zhǎng)，因而電子束部分在達(dá)到熒光屏14之前在垂直區(qū)域聚焦。
以這種方式，在屏中心部分電子束光點(diǎn)形狀做成圓形的情況下，在其中電子槍的透鏡系統(tǒng)在水平和垂直方向由相同系統(tǒng)構(gòu)成的結(jié)構(gòu)的軸對(duì)稱(chēng)透鏡系統(tǒng)中，屏邊緣部分的電子束形狀發(fā)生畸變而急劇降低圖象質(zhì)量。
圖23是用于抑制如結(jié)合圖22所說(shuō)明的熒光屏邊緣圖象質(zhì)量的下降的裝置的說(shuō)明性圖形表示。
如圖23所表示，屏14垂直區(qū)域中主透鏡23-1的會(huì)聚作用與水平區(qū)域的主透鏡23相比較被削弱。
這樣，即使電子束已通過(guò)垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)所形成的透鏡24之后，它沿所示出的軌跡29前進(jìn)，而不發(fā)生圖22所示的末端橫向凸起。此外，光暈也變得難以出現(xiàn)。
然而，在熒光屏14中心部分的軌跡28以增加電子束光點(diǎn)直徑的方向移動(dòng)。
圖24是用于說(shuō)明在利用圖23所示透鏡系統(tǒng)的情況下熒光屏14上形成的電子束光點(diǎn)形狀的模型圖。在水平邊緣部分的光點(diǎn)16、垂直邊緣部分的光點(diǎn)18以及拐角部分的光點(diǎn)19中，亦即，在熒光屏14的外圍部分的光點(diǎn)中抑制了光暈，因此在這些位置的分辨率得到增強(qiáng)。
但是，在熒光屏14的中心部分的光點(diǎn)15中，其在垂直方向的直徑dY變得大于其在水平方向的直徑dX，垂直方向的分辨率下降。
因此，從同時(shí)增強(qiáng)整個(gè)屏幕上的分辨率的觀點(diǎn)來(lái)看，建立其中主透鏡23的聚焦效果在屏幕的垂直和水平方向不同的這種結(jié)構(gòu)的非軸對(duì)稱(chēng)電場(chǎng)系統(tǒng)并未形成基本解決方法。
基于如上考慮，本發(fā)明通過(guò)采取前面所指出的措施同時(shí)增強(qiáng)了電子束的會(huì)聚和屏幕上的分辨率?，F(xiàn)在參照附圖具體描述實(shí)施例。
圖1A和1B示出按照本發(fā)明的電子槍的實(shí)施例，其中圖1A是從電子槍陽(yáng)極側(cè)所見(jiàn)的電子槍正視圖，而圖1B是沿Z-Z軸(陰極射線(xiàn)管的軸)截取的電子槍的X-X剖面圖。
參見(jiàn)該圖，電子槍組件含有G1電極1、G2電極2、G3電極3、G4電極4、G5電極5、G6電極6以及陰極K。此外，G3電極3和G5電極5為聚焦電極，G6電極6是陽(yáng)極。用G5電極(聚焦電極)5和G6電極(陽(yáng)級(jí))6組成的電極對(duì)的相對(duì)部分形成主透鏡。
這些電極中的相互鄰接的電極以適當(dāng)?shù)木嚯x彼此隔開(kāi)，并由未示出的玻璃絕緣球夾持。
在電子槍的操作期間，抑制電源連接到G2電級(jí)2和G4電極4，聚焦電源連接到G3電極3和G5電極5，陽(yáng)極電源連接到G6電極6。此外，G1電極1接地。
另外，標(biāo)號(hào)51表明與G6電極6相對(duì)的G5電極5的部分，標(biāo)號(hào)52表示G5電極5的內(nèi)部電極，標(biāo)號(hào)53表示G5內(nèi)部電極52的開(kāi)口，標(biāo)號(hào)54表示G5電極的校正板，標(biāo)號(hào)55和56表示G5電場(chǎng)校正板54的開(kāi)口，標(biāo)號(hào)57和58表示G5電極5的側(cè)壁部分，以及標(biāo)號(hào)59表示靠G4電極4一側(cè)的G5電極5的電子束通孔。
而且，標(biāo)號(hào)61表明與G5電極5相對(duì)的G6電極6的部分，標(biāo)號(hào)62指出G6電極6的內(nèi)部電極，標(biāo)號(hào)63表示G6的內(nèi)部電極62的開(kāi)口，標(biāo)號(hào)64表示一屏蔽蓋，標(biāo)號(hào)65表示G6電場(chǎng)校正板，而標(biāo)號(hào)66和67表示G6電場(chǎng)校正板65的開(kāi)口。
在所示組件中，以這樣的方法來(lái)形成主透鏡，即主要由相對(duì)著G6電極6的G5電極5的部分51以及G5的內(nèi)部電極52，加上相對(duì)著G5電極5的G6電極6的部分61以及G6的內(nèi)部電極62確定G5內(nèi)部電極52與G6內(nèi)部電極62之間的電場(chǎng)，在管軸Z-Z方向比G5內(nèi)部電極52離對(duì)著G6電極6的部分51更遠(yuǎn)的內(nèi)側(cè)的電場(chǎng)由G5電場(chǎng)校正板54確定，而在軸方向比G6內(nèi)部電極62離相對(duì)G5電極5的部分61更遠(yuǎn)的內(nèi)側(cè)的電場(chǎng)由G6電場(chǎng)校正板65確定。
如圖1A和1B所示的結(jié)構(gòu)中，用屏蔽罩64部分替代G6電場(chǎng)校正板65。
在所示出的實(shí)施例中，G5內(nèi)部電極52的開(kāi)口53和G6內(nèi)部電極62的開(kāi)口63不是圓形的，G5電極5相對(duì)G6電極6的部分51和G6電極6相對(duì)G5電極5的部分61也不是圓形的。因此，陰極射線(xiàn)管工作期間在G5內(nèi)部電極52與G6內(nèi)部電極62之間發(fā)生的電子束會(huì)聚和發(fā)散作用在電子槍組件的一字排列方向上與垂直于一字排列方向的方向之間是不同的。然而，在G6電極一側(cè)，由于電子束通過(guò)主透鏡的聚焦作用可使在一字排列方向上的會(huì)聚作用與垂直方向的會(huì)聚作用一致，這是通過(guò)使G6電場(chǎng)校正板65的開(kāi)口66、67的形狀及G6電極62與G6電場(chǎng)校正板65之間的距離12適當(dāng)而達(dá)到的。
然而，在這方面，為使在一字排列方向上和在垂直方向上主透鏡的聚焦作用一致，G5電場(chǎng)校正板54的開(kāi)口和G6電場(chǎng)校正板65的開(kāi)口的形狀和位置并不是唯一地確定的。
舉例來(lái)說(shuō)，即使G5電場(chǎng)校正板54的電場(chǎng)校正作用無(wú)效時(shí)，在一字排列方向和垂直方向的主透鏡聚焦作用可通過(guò)在適當(dāng)?shù)臓顟B(tài)設(shè)置G6電場(chǎng)校正板65的電場(chǎng)校正功能使其一致。
然而，由于主透鏡的作用是在陰極射線(xiàn)管的熒光屏上聚焦更小的電子束光點(diǎn)，所以?xún)H僅使主透鏡在一字排列方向上與垂直方向上的聚焦作用一致是不能令人滿(mǎn)意的。
一般，由主透鏡對(duì)電子束的聚焦最好應(yīng)盡可能地平緩，以便在熒光屏上聚焦更小直徑的電子束。
通過(guò)以陰極射線(xiàn)管的軸向和主透鏡的徑向平滑和逐漸地改變主透鏡內(nèi)的電場(chǎng)可實(shí)現(xiàn)這種狀態(tài)。
按照本發(fā)明，這種電場(chǎng)變化是能夠?qū)崿F(xiàn)的。
在圖1A和1B的實(shí)施例中，為了如上所述平滑和逐步地改變主透鏡內(nèi)的電場(chǎng)分布，在G5電極5中設(shè)置電場(chǎng)校正板54，并在G6電極6中設(shè)置電場(chǎng)校正板65。
在G5電極5的內(nèi)部，由電場(chǎng)校正板54的作用使一字排列方向和垂直方向上的電子束會(huì)聚作用基本上一致。此外在G6電極6的內(nèi)部，由電場(chǎng)校正板65的作用使一字排列方向和垂直方向上的電子束會(huì)聚作用基本上一致。
圖2A和2B是用于說(shuō)明主透鏡系統(tǒng)與現(xiàn)有技術(shù)相比較的會(huì)聚和發(fā)散電子束的作用的模型圖。圖2A示出現(xiàn)有技術(shù)，而圖2B示出本發(fā)明。在各圖中，為便于說(shuō)明用光學(xué)透鏡系統(tǒng)來(lái)表示電子束透鏡系統(tǒng)。
在每一圖形中，光學(xué)系統(tǒng)的中心軸(Z-Z)以上的部分表示在垂直于電子槍組件的一字排列方向的方向(Y方向)上的區(qū)域，而該軸以下的部分示出一字排列方向上(X方向)的區(qū)域。在X方向和Y方向具有相同作用的部分以字母X和Y附著在該部分的標(biāo)號(hào)之后。
標(biāo)號(hào)25表示與靠近圖1B中G5內(nèi)部電極52的會(huì)聚作用等效的凸透鏡。在該實(shí)施例的情況下，在Y區(qū)域的會(huì)聚作用比X區(qū)域的會(huì)聚作用要弱。標(biāo)號(hào)75表示與圖1B中G6內(nèi)部電極62附近的發(fā)散作用等效的凹透鏡。
而且，凸透鏡85與基于G5電極5中所安裝電場(chǎng)校正板54的G5內(nèi)部電極52附近會(huì)聚作用的增長(zhǎng)等效。凹透鏡86等效于基于G6電極6中所安裝電場(chǎng)校正板65的G6內(nèi)部電極62附近發(fā)散作用的增長(zhǎng)。
圖2A對(duì)應(yīng)于僅G6電極6配備有電場(chǎng)校正板65的現(xiàn)有技術(shù)。對(duì)于該結(jié)構(gòu)來(lái)講，由于用僅具有Y區(qū)域發(fā)散功能的電場(chǎng)校正板65來(lái)實(shí)現(xiàn)整個(gè)校正，則在電場(chǎng)校正板65附近的電場(chǎng)中發(fā)生混亂，而且減小熒光屏14上電子束光點(diǎn)的直徑是困難的。
另一方面，按照本發(fā)明的圖2B結(jié)構(gòu)利用了僅在G5電極5內(nèi)的X區(qū)域具有會(huì)聚作用的G5電場(chǎng)校正板54，以及僅在Y區(qū)域具有發(fā)散作用的G6電場(chǎng)校正板65。
基于G5電場(chǎng)校正板54與G6電場(chǎng)校正板65的組合的X和Y區(qū)域的整個(gè)系統(tǒng)的會(huì)聚作用被設(shè)定與圖2A結(jié)構(gòu)的會(huì)聚作用相等效。
在圖2B的結(jié)構(gòu)中，在兩個(gè)地方實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)校正，從而基于電場(chǎng)校正板的電場(chǎng)變化更為緩慢。并且電子束軌跡的畸變與圖2A的結(jié)構(gòu)中相比更小。因此，可使熒光屏14上電子束光點(diǎn)的直徑比圖2A結(jié)構(gòu)中的更小。
在前述圖1B的實(shí)施例中，電場(chǎng)校正板54由形成有三個(gè)獨(dú)立開(kāi)口55、56的平面導(dǎo)體構(gòu)件制成，類(lèi)似地電場(chǎng)校正板65由形成有三個(gè)獨(dú)立開(kāi)口66、67的平面導(dǎo)體構(gòu)件制成。
偶而也可由屏蔽罩64的部分或獨(dú)立于屏蔽罩64的元件形成電場(chǎng)校正板65。
圖3A和3B分別是表示圖1B中G5電場(chǎng)校正板54的實(shí)例的正視圖和沿圖3A中線(xiàn)X-X截取的剖視圖。在該電場(chǎng)校正板54中，電子槍組件的中央電子槍(中心電子束)的開(kāi)口55和側(cè)面電子槍(側(cè)面電子束)的開(kāi)口56在電子槍組件的一字排列方向上分別具有開(kāi)口寬度W1和W2。
按照整個(gè)主透鏡系統(tǒng)的所要求特征確定寬度W1和W2的具體數(shù)值。
具體地說(shuō)，在中心電子槍和邊側(cè)電子槍的結(jié)構(gòu)與圖1A和1B中實(shí)施例不相等的情況下，寬度W1和W2變?yōu)椴煌臄?shù)值。
作為整個(gè)主透鏡系統(tǒng)所要求的特性還確定如圖3A所指出的在垂直于一字排列方向的方向上的開(kāi)口寬度h1。
另外在這時(shí)里，中心電子槍和各個(gè)側(cè)面電子槍之間的開(kāi)口寬度h1值可以不同。
圖4A和4B分別是表示圖1B中G5電極5的實(shí)例的正視圖和沿圖4A中線(xiàn)X-X截取的剖視圖。
參照?qǐng)D4A和4B，電場(chǎng)校正板54設(shè)置在與G6電極相對(duì)的部分51相隔大過(guò)內(nèi)部電極52的位置上。
這樣來(lái)構(gòu)造內(nèi)部電極52，與排成一字的三個(gè)電子槍中央的那一個(gè)相配的開(kāi)口53為在一字排列方向上具有較小直徑的橢圓形，與兩個(gè)側(cè)面電子槍相配的各部分的靠近中心電子槍的內(nèi)側(cè)也為在一字排列方向上具有較小直徑的橢圓形，而其遠(yuǎn)離中心電子槍的外側(cè)不配備任何板狀部分。此外，該板狀部分由G5電極5的側(cè)壁部分57的部分代替。
設(shè)定內(nèi)部電極52與電場(chǎng)校正板54之間的距離l1，以獲得諸如電子槍的聚焦特性及從三個(gè)電子槍射出的電子束在熒光屏上的靜態(tài)集中一類(lèi)特性的平衡狀態(tài)，這是考慮到內(nèi)部電極52的形狀以及內(nèi)部電極52與G6電極相對(duì)的部分51之間的距離。
實(shí)際上，在本發(fā)明中主透鏡的組成電極G5電極5和G6電極6二者分別配備有電場(chǎng)校正板54和65，因此各電場(chǎng)校正板的要求校正量比在單獨(dú)使用任何一個(gè)校正板的情況下要小，因此內(nèi)部電極52與電場(chǎng)校正板54之間的距離l1可假設(shè)為大數(shù)值。
因此，在形成主透鏡的電場(chǎng)中，電場(chǎng)校正板對(duì)一字排列方向上和垂直于一字排列方向的方向上的電子束會(huì)聚作用施加大的影響，但是它們對(duì)歸因于內(nèi)部電極52的屏蔽作用的熒光屏上的電靜態(tài)集聚產(chǎn)生小的影響。
此外，由于該原因，當(dāng)電場(chǎng)校正板54將在設(shè)計(jì)電子槍組件過(guò)程中設(shè)定它的開(kāi)口形狀和它的位置時(shí)，電子束的會(huì)聚作用和在熒光屏上靜態(tài)地集聚三個(gè)電子束的作用可處理為基本上獨(dú)立的變量，這給設(shè)計(jì)帶來(lái)顯著增加通用性的優(yōu)點(diǎn)。
圖5是用于說(shuō)明電子束會(huì)聚作用與圖1B中電場(chǎng)校正板與內(nèi)部電極之間距離(l1或l2)的關(guān)系的曲線(xiàn)圖。在該圖中，橫坐標(biāo)軸表示上述距離(l1或l2)，縱軸表示(一字排列方向上最佳聚焦電壓)-(垂直于一字排列陣列的方向上最佳聚焦電壓)的差值。
首先，考慮安裝在G5電極5中的電場(chǎng)校正板54，其對(duì)會(huì)聚作用的影響隨電場(chǎng)校正板54與內(nèi)部電極52之間的距離(l1)的增加而減小，如圖5所示。
這表明當(dāng)將電場(chǎng)校正板54放置在與內(nèi)部電極52隔開(kāi)的位置時(shí)，即使在電場(chǎng)校正板的精度上出現(xiàn)某些誤差其對(duì)色散特性的影響是很小的。
此外，由內(nèi)部電極52的形狀、G5電級(jí)5與G6電極6之間的距離、與G6電極6相對(duì)的G5電極5的部分51的形狀、所要求電子槍組件的特性等來(lái)確定電場(chǎng)校正板54的開(kāi)口的形狀和該板54與內(nèi)部電極52的位置關(guān)系。
基本上類(lèi)似于安裝在G5電極5中的電場(chǎng)校正板54來(lái)確定安裝在G6電極6中的電場(chǎng)校正板65的規(guī)格說(shuō)明。
圖6A到6D示出了G6電極6的實(shí)例，其中圖6A是在屏蔽罩64側(cè)的正視圖，圖6B是沿圖6A中線(xiàn)X-X截取的剖視圖，圖6C是在G5電極5側(cè)面的正視圖，以及圖6D是沿圖6c中線(xiàn)Y-Y截取的剖視圖。
如圖6A到圖6D所示，作為安裝在G6電極6中的電場(chǎng)校正板65的電子束通孔的三個(gè)開(kāi)口采取矩形形狀。
現(xiàn)在，對(duì)按照本發(fā)明的電子槍組件的組成電極按順序進(jìn)行描述。
圖7A到7D是用于說(shuō)明圖1A和1B中主電極的結(jié)構(gòu)視圖。亦即，圖7A示出G2電極2，圖7B和7c示出G3電極3，以及圖7D示出G4電極4。
參見(jiàn)圖7A，沿每個(gè)電子束通孔2C并在G2電極2的電子束輸出出側(cè)2b上形成狹槽2d，該狹槽的縱向軸的方向平行于一字排列式電子槍的陣列的方向X-X。
狹槽2d的深度D，即其在陰極射線(xiàn)管軸方向的尺寸，以及該狹槽在垂直于管軸的方向上的尺寸W5和W6被指定，以便滿(mǎn)足包含其它電極的特性的陰極射線(xiàn)管整個(gè)聚焦特性的要求。
滿(mǎn)足整個(gè)聚焦特性要求的這種規(guī)定并非總是唯一的。
如從圖7B所見(jiàn)，G3電極3的電子束入口3a形成有圍繞電子束通孔3c的槽3d。
狹槽3d在垂直于一字排列陣列方向的方向上沿電子束通孔3c具有縱軸，在該實(shí)例中，在G2電極2側(cè)的G3電極3的帽形電極的側(cè)壁上形成作為槽3d的凹口。
此外，槽3d未限制為所示出的形狀，但是它很可能為沿其縱軸的槽末端被封閉的這樣一種形狀。
以象G2電極2一樣的方式，確定槽3d的深度和寬度尺寸，以滿(mǎn)足包含其它電極的聚焦特性的陰極射線(xiàn)管整個(gè)聚焦特性的要求，從而它們也不是唯一的。
順便提一下，圖7C是沿圖7B中線(xiàn)X-X截取的剖視圖。
圖7D示出了G4電極4的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。沿每電子束通孔4c和在電極4的電子束出口4b中形成一狹槽4d，該槽4d在垂直于一字排列陣列的方向X-X的方向Y-Y上具有一縱向軸。
在該情況下，象G2電極或G3電極一樣，確定槽4d的深度和寬度大小，以便滿(mǎn)足包含其它電極的聚焦特性的陰極射線(xiàn)管的整個(gè)聚焦特性的要求，因此它們也不是唯一的。
圖8A到8D、圖9A到9D、圖10A到10D、圖11A到11D、圖12A到12D以及圖13A到13D是用于說(shuō)明G5電極(聚焦電極)5的各種可實(shí)施實(shí)例的結(jié)構(gòu)圖。標(biāo)以A的各圖是從G6電極(陽(yáng)級(jí))6一側(cè)所見(jiàn)的G5電極5的正視圖，標(biāo)有B的各圖是沿標(biāo)A的圖中線(xiàn)X-X截取的剖視圖，標(biāo)有C的各圖是電場(chǎng)校正板54的正視圖，標(biāo)有D的各圖是沿標(biāo)C的圖中線(xiàn)X-X截取的剖視圖。
在圖8A-8D的實(shí)施例中，電場(chǎng)校正板54形成有矩形的電子束通孔，每個(gè)側(cè)面電子束通孔56配備有由一字排列方向切開(kāi)并豎立到光軸的Z方向的突起部分541、542，以?shī)A入相應(yīng)電子束。
此處，在遠(yuǎn)離中心電子束通孔55的側(cè)面電子束通孔56一側(cè)上的突起部分541的高度Hs朝著內(nèi)部?jī)?nèi)極52設(shè)定得大于靠近中心孔55一側(cè)的升起部分542的高度Hc。
由中心電子束通孔55和邊側(cè)電子束通孔56的X方向開(kāi)口寬度、校正板54相對(duì)于內(nèi)部電極52的距離以及該電極52的開(kāi)口形狀及尺寸，外加電子槍組件的整個(gè)特性來(lái)確定高度Hs和Hc的數(shù)值。
在圖9A-9D的實(shí)例中，如圖8A-8D所示的電場(chǎng)校正板54設(shè)置有彎曲板形狀的突起部分，該部分包圍相應(yīng)的一個(gè)邊側(cè)電子束通孔56。
彎曲板形狀的突起部分也可如圖8A-8D以相同方式使得在遠(yuǎn)離中心孔55的邊側(cè)電子束通孔56的一側(cè)上較高。
在圖10A-10D的實(shí)例中，電場(chǎng)校正板54形成有突起部分544，其每對(duì)與一字排列方向垂直，以?shī)A入相應(yīng)的一個(gè)邊側(cè)電子束通孔56，三電子束的內(nèi)部電極52的電子束通孔53分別形成為圓形。
在圖11A-11D的實(shí)例中，將圖10A-10D所示的內(nèi)部電極52的電子束通孔53做成矩形(中央電子束的為矩形，邊側(cè)電子束的為U形)。
圖12A-12D的實(shí)例是這樣的，即各電子束的電場(chǎng)校正板54的突起部分由彼此獨(dú)立的構(gòu)件構(gòu)成。更具體地說(shuō)，為中央電子束通孔55提供突起部分548，而為各個(gè)邊側(cè)電子束通孔56設(shè)置突起部分546和547。
圖13A-13B的實(shí)例是這樣的，即設(shè)置在電場(chǎng)校正板中的突起部分544對(duì)中央電子束以及對(duì)各個(gè)旁邊的電子束來(lái)說(shuō)具有不相等的間隔(X-方向的寬度)。在該示圖中，中央電子束的突起部分的間隔Wc大于旁邊的電子束的突起部分的寬度Ws。
圖14A到14D、圖15A到15D、圖16A到16D以及圖17A到17D是用于說(shuō)明不同于G5電極(聚焦電極)5的實(shí)施例的G6電極(陽(yáng)極)6的各種可實(shí)施實(shí)例的結(jié)構(gòu)性視圖。標(biāo)有A的各圖是從陰極射線(xiàn)管的屏一側(cè)所見(jiàn)的G6電極6的正視圖，標(biāo)有B的各圖是沿標(biāo)A的圖中線(xiàn)X-X截取的剖視圖，標(biāo)有C的各圖是從G5電極5一側(cè)所見(jiàn)的正視圖，以及標(biāo)有D的各圖是沿標(biāo)C的圖中線(xiàn)Y-Y截取的剖視圖。
在圖14A-14D的實(shí)例中，由中央電子束的圓形孔和各旁邊電子束的在X方向具有長(zhǎng)軸的橢圓孔形成電場(chǎng)校正板65的開(kāi)口。
在圖15A-15D的實(shí)例則將圖14A-14D所示電場(chǎng)校正板65的開(kāi)口做成矩形。
在圖16A-16D的實(shí)例是以各具有X方向的長(zhǎng)袖的矩形形成圖15A-15D所示的電場(chǎng)校正板65的開(kāi)口。
在圖17A-17D的實(shí)例是對(duì)應(yīng)三個(gè)電子束將圖15A-15D所示電場(chǎng)校正板65的開(kāi)口分別做成圓形。
可以與G5電極5相同的方式按照電子槍組件的所要求特性來(lái)適當(dāng)?shù)卮_定上述電場(chǎng)校正板65和組成G6電極6的內(nèi)部電極62的形狀、大小及安裝位置。
圖18A和18B以及圖19A和19B是用于說(shuō)明陰極射線(xiàn)管的熒光屏上電子束光點(diǎn)形狀的圖形。標(biāo)有A的各圖表示熒光屏上的光點(diǎn)，標(biāo)有B的各圖表示熒光屏上的測(cè)量點(diǎn)。
圖18A和18B對(duì)應(yīng)于為比較起見(jiàn)而示出的利用現(xiàn)有技術(shù)電子槍組件的情況，圖19A和19B是利用按照本發(fā)明的電子槍組件的情況。
通過(guò)比較圖18A和19A可以看出，在熒光屏14的中心部分的電子束光點(diǎn)Sc的直徑在按照本發(fā)明的圖19A情況下比圖18A的現(xiàn)有技術(shù)情況下要小。
而且，當(dāng)將在按照本發(fā)明的圖19A情況下熒光屏14的拐角部分的電子束光點(diǎn)Ss與圖18A的現(xiàn)有技術(shù)情況比較時(shí)，該電子束光點(diǎn)的核心部分Co較小，而且其對(duì)圖象質(zhì)量有極大影響光暈部分Ho更為小。
精確的測(cè)量已揭示出，按照本發(fā)明的熒光屏上電子束光點(diǎn)的直徑相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)整個(gè)減小大約10%。
如上所述，構(gòu)成主透鏡的聚焦電極和陽(yáng)極的內(nèi)部引入了電場(chǎng)較正板，由此可在陰極射線(xiàn)管的整個(gè)熒光屏表面獲得平衡的聚焦特性。
雖然上面描述了本發(fā)明的各種可實(shí)行的實(shí)例，本發(fā)明未限制于前面提到的所謂EA-UB型電子槍。按照本發(fā)明，電場(chǎng)校正結(jié)構(gòu)分別構(gòu)造在組成各種類(lèi)型的任何電子槍的主透鏡的電極對(duì)內(nèi)部，所述各種類(lèi)型電子槍包含(a)BPF型，(b)UPF型，(c)HI-FO型(高聚焦電壓BPF)，(d)HI-UPF型(高聚焦電壓UPF)，(e)B-U型(BPF-UPF混合型)，以及(f)TPF型，和以其它包括多級(jí)聚焦型電子槍的各種形式，由此可以平衡方式增強(qiáng)陰極射線(xiàn)管熒光屏整個(gè)范圍內(nèi)的聚焦特性，并可形成高分辨率的陰極射線(xiàn)管。
如上所述，按照本發(fā)明，以構(gòu)成主透鏡的電極對(duì)的各電極實(shí)現(xiàn)象散校正，因此電子束在象散校正的電場(chǎng)中不會(huì)發(fā)生突然的變化。
因此，電子束的軌跡變得不易發(fā)生混亂，并可形成在熒光屏上具有較小的電子束光點(diǎn)的高分辨率陰極射線(xiàn)管。
更具體地說(shuō)，與僅在一個(gè)構(gòu)成主透鏡的電極中提供電場(chǎng)校正板組成的電場(chǎng)校正結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)情況相比較本發(fā)明可將熒光屏上電子束光點(diǎn)的平均直徑減小約10%的量值。
此外，按照本發(fā)明，通過(guò)采用電場(chǎng)校正板組成的電場(chǎng)校正結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)象散校正，該電場(chǎng)校正結(jié)構(gòu)設(shè)置在以光軸方向與構(gòu)成主透鏡的電極對(duì)的相對(duì)部分隔開(kāi)的位置上的電極對(duì)的各電極之內(nèi)。這樣，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的精確度來(lái)講每個(gè)電場(chǎng)校正結(jié)構(gòu)的精度要求可降低約三分之一。
而且，按照本發(fā)明，象散校正結(jié)構(gòu)安裝在光軸方向上與電極對(duì)的相對(duì)部分隔開(kāi)的位置上的構(gòu)成主透鏡的電極對(duì)的各電極中，因此，由于電極對(duì)的相對(duì)部分的屏蔽作用，相對(duì)于對(duì)熒光屏上三電子束聚焦的作用來(lái)講電場(chǎng)校正板的結(jié)構(gòu)顯然是粗略的。
因此，本發(fā)明獲得電子槍設(shè)計(jì)的通用性增加以方便設(shè)計(jì)的顯著效果。
權(quán)利要求
1.一種在構(gòu)成主透鏡的一對(duì)電極的軸向相對(duì)部分之間建立的電場(chǎng)具有非軸對(duì)稱(chēng)分布的電子槍中，一個(gè)電子槍?zhuān)涮卣髟谟谒性O(shè)置在電極對(duì)的各電極中的電場(chǎng)校正板，借助該校正板使得對(duì)電子束的透鏡作用基本上是軸對(duì)稱(chēng)的。
2.如權(quán)利要求1所述的電子槍?zhuān)涮卣髟谟谠跇?gòu)成所述主透鏡的所述電極對(duì)的所述軸向相對(duì)部分形成的電子束通孔為非軸對(duì)稱(chēng)的形狀。
3.如權(quán)利要求1所述的電子槍?zhuān)涮卣髟谟谠跇?gòu)成所述主透鏡的所述電極上形成非圓形的電子束通孔。
4.如權(quán)利要求2所述的電子槍?zhuān)涮卣髟谟谠跇?gòu)成所述主透鏡的所述電極上形成非圓形的電子束通孔。
5.一種在構(gòu)成主透鏡的聚焦電極與陽(yáng)極的相對(duì)部分之間建立的電場(chǎng)具有非軸對(duì)稱(chēng)分布的電子槍中，一個(gè)電子槍?zhuān)涮卣髟谟诤性O(shè)置在所述陽(yáng)極中的電場(chǎng)校正部分，借助該部分對(duì)從所述主透鏡的實(shí)際中間位置延伸到所述陽(yáng)極的空間中的電子束產(chǎn)生基本上軸對(duì)稱(chēng)的發(fā)散或會(huì)聚作用，以及設(shè)置在所述聚焦電極中和以光軸方向與所述相對(duì)部分隔開(kāi)的位置并在垂直于所述光軸以及彼此正交的兩個(gè)方向具有不同的會(huì)聚作用的電場(chǎng)校正部分。
6.如權(quán)利要求5所述的電子槍?zhuān)涮卣髟谟谠谒鼍劢闺姌O和構(gòu)成所述主透鏡的所述陽(yáng)極中設(shè)置非圓形電子束通孔。
7.含有如權(quán)利要求1到6中任何一項(xiàng)所限定的所述電子槍的陰極射線(xiàn)管。
全文摘要
一種電子槍?zhuān)渲性跇?gòu)成主透鏡的一對(duì)電極的軸向相對(duì)部分之間建立的電場(chǎng)具有非軸對(duì)稱(chēng)分布；在各電極(5，6)中設(shè)置有電場(chǎng)校正板(圖中的54、65)，從而使得對(duì)電子束的透鏡作用實(shí)際是軸對(duì)稱(chēng)的。允許電子束在陰極射線(xiàn)管的熒光屏上形成較小的光點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01J29/50GK1060182SQ9110919
公開(kāi)日1992年4月8日 申請(qǐng)日期1991年9月17日 優(yōu)先權(quán)日1990年9月17日
發(fā)明者御園正義, 鶴風(fēng)淳 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所