干蝕刻機(jī)及干蝕刻機(jī)的下電極的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本申請(qǐng)涉及一種干蝕刻機(jī)及其下電極，該干蝕刻機(jī)用于對(duì)基板進(jìn)行干蝕刻處理，該干蝕刻機(jī)包括：上電極；以及下電極，與該上電極相對(duì)設(shè)置，該下電極的用以承載該基板的上表面形成有多個(gè)凸點(diǎn)，所述凸點(diǎn)排布在該下電極的上表面的周?chē)?，或者所述凸點(diǎn)以“十”字型或“田”字型排布在該下電極的上表面上。本申請(qǐng)能改善黏片現(xiàn)象，并能有效進(jìn)行冷卻，同時(shí)不會(huì)造成凸點(diǎn)波紋，由此提高產(chǎn)品的合格率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】干蝕刻機(jī)及干蝕刻機(jī)的下電極
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請(qǐng)涉及一種干蝕刻機(jī)及干蝕刻機(jī)的下電極。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的干蝕刻機(jī)中用于承載待進(jìn)行干蝕刻處理的基板(例如，玻璃基板)的下電極通常為平面式下電極，但這種平面式下電極在使用一段時(shí)間之后，會(huì)因?yàn)楸砻婺p造成下電極與其上承載的基板之間形成短暫的真空現(xiàn)象，進(jìn)而在舉起銷(xiāo)以移除處理后的基板時(shí)由于下電極與基板粘貼(即，黏片)而使基板破損，即，產(chǎn)生破片現(xiàn)象。并且由于基板傳送過(guò)程異常會(huì)導(dǎo)致正常產(chǎn)品刮傷、殘留物缺陷而報(bào)廢，進(jìn)而降低產(chǎn)品生產(chǎn)率，并增加人力的成本花費(fèi)。
[0003]為了避免上述破片現(xiàn)象，目前采用一種凸點(diǎn)型(emboss type)下電極。如圖2所示，這種凸點(diǎn)型下電極12的上表面上具有以棋盤(pán)狀矩陣形式排布的多個(gè)凸點(diǎn)101，另外，圖2中的附圖標(biāo)記102表示用于將待處理的基板固定至下電極12的上表面上的銷(xiāo)。由于下電極12的上表面上設(shè)置有凸點(diǎn)101，所以該下電極12與其上承載的待處理基板之間形成有間隙，從而在移除處理后的基板時(shí)二者之間不會(huì)產(chǎn)生真空現(xiàn)象，從而改善了黏片現(xiàn)象。而且，在使用例如氦氣進(jìn)行冷卻時(shí)，氦氣可以分布在下電極12與基板之間，進(jìn)而快速進(jìn)行冷卻。
[0004]但是這種凸點(diǎn)型的下電極12雖然可以改善破片現(xiàn)象并有效冷卻，但仍存在以下問(wèn)題:如圖3所示，通常在基板13經(jīng)過(guò)蝕刻處理之后，為了使產(chǎn)品符合輕薄短小的規(guī)則，會(huì)對(duì)基板13進(jìn)行薄化，在薄化的過(guò)程中，由于應(yīng)力會(huì)造成基板13下表面的與下電極12的凸點(diǎn)101接觸的地方形成應(yīng)力集中現(xiàn)象，進(jìn)而在基板13上產(chǎn)生棋盤(pán)狀矩陣的凸點(diǎn)波紋(emboss mura) 14,由此會(huì)影響產(chǎn)品的合格率。
[0005]針對(duì)于此，亟須一種既能改善黏片現(xiàn)象并能有效冷卻，但又不會(huì)造成凸點(diǎn)波紋的干蝕刻機(jī)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對(duì)上述缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種能改善黏片現(xiàn)象的干蝕刻機(jī)及干蝕刻機(jī)的下電極。
[0007]本發(fā)明的另一目的在于提供一種能有效冷卻的干蝕刻機(jī)及干蝕刻機(jī)的下電極。
[0008]本發(fā)明的再一目的在于提供一種不會(huì)造成凸點(diǎn)波紋的干蝕刻機(jī)及干蝕刻機(jī)的下電極。
[0009]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種干蝕刻機(jī)，用于對(duì)基板進(jìn)行干蝕刻處理，該干蝕刻機(jī)包括:上電極；以及下電極，與該上電極相對(duì)設(shè)置，該下電極的用以承載該基板的上表面形成有多個(gè)凸點(diǎn)，所述凸點(diǎn)排布在該下電極的上表面的周?chē)?br> [0010]其中，所述凸點(diǎn)可以以“口”字形排布在該下電極的上表面的周?chē)?br> [0011]其中，所述凸點(diǎn)可以以“回”字形排布在該下電極的上表面的周?chē)?br> [0012]其中，所述凸點(diǎn)所形成的圖案的寬度可以為8mm。[0013]本發(fā)明還提供一種干蝕刻機(jī)，用于對(duì)基板進(jìn)行干蝕刻處理，該干蝕刻機(jī)包括:上電極；以及下電極，與該上電極相對(duì)設(shè)置，該下電極的用以承載該基板的上表面形成有多個(gè)凸點(diǎn)，所述凸點(diǎn)以“十”字形或“田”字形排布在該下電極的上表面上。
[0014]本發(fā)明還提供一種干蝕刻機(jī)的下電極，該干蝕刻機(jī)用于對(duì)基板進(jìn)行干蝕刻處理，該下電極的上表面用以承載該基板，且該上表面形成有多個(gè)凸點(diǎn)，所述凸點(diǎn)排布在該下電極的上表面的周?chē)?br> [0015]其中，所述凸點(diǎn)可以以“口”字形排布在該下電極的上表面的周?chē)?br> [0016]其中，所述凸點(diǎn)可以以“回”字形排布在該下電極的上表面的周?chē)?br> [0017]其中，所述凸點(diǎn)所形成的圖案的寬度可以為8mm。
[0018]本發(fā)明還提供一種干蝕刻機(jī)的下電極，該干蝕刻機(jī)用于對(duì)基板進(jìn)行干蝕刻處理，該下電極的上表面用以承載該基板，且該上表面形成有多個(gè)凸點(diǎn)，所述凸點(diǎn)以“十”字形或“田”字形排布在該下電極的上表面上。
[0019]本申請(qǐng)包括如下所述的多個(gè)優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)然，實(shí)施本申請(qǐng)的任一產(chǎn)品并不一定需要同時(shí)達(dá)到以上所述的所有優(yōu)點(diǎn)。
[0020]本發(fā)明的干蝕刻機(jī)及干蝕刻機(jī)的下電極能在基板與支撐基板的下電極之間形成真空以改善黏片現(xiàn)象，從而避免基板破損。
[0021]本發(fā)明的干蝕刻機(jī)及干蝕刻機(jī)的下電極允許冷卻氣體進(jìn)入基板與下電極之間，從而可快速有效地進(jìn)行冷卻。
[0022]在本發(fā)明的干蝕刻機(jī)及干蝕刻機(jī)中，下電極上的凸點(diǎn)僅分布在與基板的無(wú)效區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域上，因而即使由于應(yīng)力集中在基板上產(chǎn)生凸點(diǎn)波紋，這種凸點(diǎn)波紋也僅存在于基板的無(wú)效區(qū)上，而不會(huì)形成在最終得到的產(chǎn)品上，從而提升了產(chǎn)品的合格率。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1A-圖1H示出了將基板放置于下電極上以及將基板從下電極移走的示意圖。
[0024]圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)中干蝕刻機(jī)的凸點(diǎn)型下電極的上表面的示圖。
[0025]圖3示出了使用現(xiàn)有技術(shù)的凸點(diǎn)型下電極進(jìn)行蝕刻所得到的基板的下表面的示圖。
[0026]圖4為根據(jù)本申請(qǐng)的干蝕刻機(jī)的基本結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0027]圖5為根據(jù)本申請(qǐng)的干蝕刻機(jī)的下電極的剖視圖。
[0028]圖6為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的上表面排布有“田”字形凸點(diǎn)的下電極的俯視圖。
[0029]圖7為根據(jù)本申請(qǐng)另一實(shí)施例的上表面排布有“回”字形凸點(diǎn)的下電極的俯視圖。
[0030]圖8為根據(jù)本申請(qǐng)又一實(shí)施例的上表面排布有“口”字形凸點(diǎn)的下電極的俯視圖。
[0031]圖9為根據(jù)本申請(qǐng)?jiān)僖粚?shí)施例的上表面排布有“十”字形凸點(diǎn)的下電極的俯視圖。
[0032]圖10為示出基板的無(wú)效區(qū)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]首先將參考圖4對(duì)干蝕刻機(jī)I的基本配置進(jìn)行描述。如圖4所示，其示出了干蝕刻機(jī)的基本結(jié)構(gòu)的示意圖，干蝕刻機(jī)I具有一反應(yīng)腔10，該反應(yīng)腔10的上部設(shè)置有上電極11，該反應(yīng)腔10的下部與上電極11相對(duì)地配置有下電極12，該下電極12上可承載待進(jìn)行干蝕刻處理的基板13。該上電極11連接至電源31，該下電極12接地。該反應(yīng)腔10還設(shè)置有供蝕刻氣體進(jìn)入其內(nèi)的進(jìn)氣管道21以及供處理后的氣體從其排出的排氣管道22。
[0034]然后將說(shuō)明利用上述干蝕刻機(jī)I進(jìn)行蝕刻處理的過(guò)程。首先，通過(guò)臂部20 (參見(jiàn)圖1A-圖1H)將待進(jìn)行干蝕刻處理的基板13放置到下電極12的上表面上，然后對(duì)相對(duì)配置的上電極11和下電極12提供高頻電功率，并經(jīng)由進(jìn)氣管道21將例如等離子體之類(lèi)的蝕刻氣體供應(yīng)到反應(yīng)腔10中以對(duì)基板13進(jìn)行蝕刻處理。在蝕刻處理完成后，將氣體經(jīng)由排氣管道21從反應(yīng)腔10排出，并利用臂部20將處理后的基板13傳送出來(lái)。最后，根據(jù)所需面板的尺寸，對(duì)處理后的基板13進(jìn)行切割。
[0035]對(duì)于干蝕刻機(jī)而言，其傳送基板的方式是以臂部進(jìn)行傳送，以基板一進(jìn)一出的方式，完成傳送動(dòng)作之后，再在干蝕刻機(jī)的下電極上開(kāi)始進(jìn)行工藝動(dòng)作?，F(xiàn)在將參考圖1A-圖1H對(duì)基板的傳送過(guò)程進(jìn)行說(shuō)明。首先將參考圖1A-圖1D描述將蝕刻后的基板從下電極取出的過(guò)程。如圖1A所示，附圖標(biāo)記13A表示蝕刻處理后的基板，其承載在下電極12上，而附圖標(biāo)記13’表示待傳送到下電極12上進(jìn)行蝕刻處理的基板，其承載在第一臂部20上。為了將蝕刻后的基板13A從下電極12傳送出來(lái)，沿箭頭所示方向使四個(gè)銷(xiāo)102向上立起，從而將蝕刻后的基板13A頂起。然后參見(jiàn)圖1B，第二臂部21沿箭頭所示方向伸入蝕刻后的基板13A的下方。之后參見(jiàn)圖1C，銷(xiāo)102被放下，從而蝕刻后的基板13A置于第二臂部21上。接著，如圖1D所示，第二臂部21承載著蝕刻后的基板13A沿箭頭所示方向向外收回，從而將蝕刻后的基板13A從下電極12傳送出來(lái)。
[0036]接著將參考圖1E-圖1H描述將待蝕刻處理的基板傳送到下電極上的過(guò)程。如圖1E所示，第一臂部20承載著待蝕刻處理的基板13’沿箭頭方向移到下電極12上。然后，如圖1F所示，銷(xiāo)102立起以支撐待處理的基板13’。接著，第一臂部20收回，如圖1G所示。最后，如圖1H所示，銷(xiāo)102放下，從而待蝕刻處理的基板13’放置在下電極12的上表面上。
[0037]在使用現(xiàn)有技術(shù)的凸點(diǎn)型下電極的情況下，會(huì)在基板背面接觸的地方形成應(yīng)力集中現(xiàn)象，從而在薄化的時(shí)候，會(huì)在基板背面形成與下電極的凸點(diǎn)對(duì)應(yīng)的棋盤(pán)狀的凸點(diǎn)波紋。
[0038]為了避免現(xiàn)有技術(shù)的這一缺陷，本發(fā)明對(duì)下電極的凸點(diǎn)的排布進(jìn)行了改進(jìn)。具體地說(shuō)，在基板13 (見(jiàn)圖4)進(jìn)行了蝕刻處理并傳送出來(lái)之后，將會(huì)根據(jù)所需面板的尺寸對(duì)其進(jìn)行切割，以期得到所需要的面板尺寸?；宓倪@種被切割的部分不會(huì)成為最終的面板，即，這種被切割的部分為無(wú)效區(qū)。也就是說(shuō)，蝕刻處理后的基板13需要進(jìn)行不同的切割以得到所需大小的面板，例如3.5寸、4.7寸、7寸、14寸等等。當(dāng)所需要的面板較大時(shí)，只需要對(duì)基板的邊緣進(jìn)行切割，此時(shí)基板13的邊緣為無(wú)效區(qū)，例如圖10中的無(wú)效區(qū)30。當(dāng)所需要的面板較小時(shí)，除了需要將基板的邊緣進(jìn)行切割之外，還需要以例如十字形切割基板13以將其分成四等份，此時(shí)基板13的邊緣以及十字形區(qū)域均為無(wú)效區(qū)，例如圖10中的邊緣無(wú)效區(qū)30以及十字形無(wú)效區(qū)40。
[0039]由于基板的這種無(wú)效區(qū)不會(huì)成為最終的面板，因而即使形成凸點(diǎn)波紋也不會(huì)影響最終面板的品質(zhì)。因而，將下電極12的用于承載基板13的上表面上的凸點(diǎn)設(shè)置在與其所承載的基板13的無(wú)效區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，即，將凸點(diǎn)排布在與待在干蝕刻處理后進(jìn)行切割的基板的區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域內(nèi)。
[0040]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖6所示，多個(gè)凸點(diǎn)101以“田”字型布置在下電極12的上表面。這樣，凸點(diǎn)101使得基板13與下電極12之間形成間隙，因而不會(huì)在傳遞基板13時(shí)由于基板13與下電極12之間形成真空而導(dǎo)致基板13破損，而且會(huì)使得冷卻氣體可以進(jìn)入基板13與下電極12之間，進(jìn)而快速有效地進(jìn)行冷卻。此外，由于凸點(diǎn)101僅分布在與基板13的無(wú)效區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域上，因而即使由于應(yīng)力集中在基板13上產(chǎn)生凸點(diǎn)波紋，這種凸點(diǎn)波紋也僅存在于基板13的無(wú)效區(qū)上，而不會(huì)形成在最終得到的產(chǎn)品上，從而提升了產(chǎn)品的合格率。
[0041]在另一個(gè)實(shí)施例中，如圖7所示，多個(gè)凸點(diǎn)101以“回”字型圍繞下電極12的上表面的周邊形成?？梢愿鶕?jù)基板13的邊緣無(wú)效區(qū)(即，待切割區(qū))的大小來(lái)設(shè)置這兩圈凸點(diǎn)101所占據(jù)位置的大小。例如，在基板13的邊緣無(wú)效區(qū)為Icm的情況，兩圈凸點(diǎn)101的寬度可為8_。這樣可以確保將基板13的形成凸點(diǎn)波紋的區(qū)域全部切割，而且滿(mǎn)足所需的面板尺寸。
[0042]在又一個(gè)實(shí)施例中，如圖8所示，多個(gè)凸點(diǎn)101以“ 口”字型圍繞下電極12的上表面的周邊形成。與上一實(shí)施例類(lèi)似，也可以根據(jù)基板13的邊緣無(wú)效區(qū)(即，待切割區(qū))的大小來(lái)設(shè)置這一圈凸點(diǎn)101所占據(jù)位置的大小。例如，在基板13的邊緣無(wú)效區(qū)為Icm的情況，這一圈凸點(diǎn)101的寬度可為8_或更小。這樣可以確保將基板13的形成凸點(diǎn)波紋的區(qū)域全部切割，而且滿(mǎn)足所需的面板尺寸。
[0043]在再一個(gè)實(shí)施例中，如圖9所示，多個(gè)凸點(diǎn)101以“十”字型在下電極12的上表面上形成，該十字形例如可將下電極12平均分成四等份。
[0044]在上述圖7-圖9所示的實(shí)施例中，與圖6所示實(shí)施例類(lèi)似，凸點(diǎn)101均能使得基板13與下電極12之間形成間隙，因而不會(huì)在傳遞基板13時(shí)由于基板13與下電極12之間形成真空而導(dǎo)致基板13破損，而且允許冷卻氣體進(jìn)入基板13與下電極12之間，進(jìn)而快速有效地進(jìn)行冷卻。此外，由于凸點(diǎn)101僅分布在與基板13的無(wú)效區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域上，因而即使由于應(yīng)力集中在基板13上產(chǎn)生凸點(diǎn)波紋，這種凸點(diǎn)波紋也僅存在于基板13的無(wú)效區(qū)上，而不會(huì)形成在最終得到的產(chǎn)品上，從而提升了產(chǎn)品的合格率。
[0045]下面將參考圖5描述根據(jù)本申請(qǐng)的干蝕刻機(jī)的下電極12的剖視圖。如圖5所示，下電極12具有一基底104，該基底104上設(shè)有鍍有一層鈷的陶瓷106，該陶瓷106內(nèi)設(shè)有母材103以及與母材103間隔開(kāi)且位于母材103上方的鎢105，該陶瓷106的上表面形成有如上所述的多個(gè)凸點(diǎn)101。
[0046]最后，將描述根據(jù)本申請(qǐng)的干蝕刻機(jī)，該干蝕刻機(jī)用于對(duì)基板進(jìn)行干蝕刻處理，且包括:上電極；以及下電極，與該上電極相對(duì)設(shè)置，該下電極的用以承載該基板的上表面形成有多個(gè)凸點(diǎn)，所述凸點(diǎn)排布在與待在該干蝕刻處理之后被切割的基板的區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域內(nèi)。
[0047]例如，上述凸點(diǎn)可以排布在該下電極的上表面的周?chē)?。?yōu)選地，上述凸點(diǎn)以“ 口”字形排布在該下電極的上表面的周?chē)?，或者上述凸點(diǎn)以“回”字形排布在該下電極的上表面的周?chē)?。且上述凸點(diǎn)所形成的圖案的寬度可為8mm。
[0048]或者，例如，上述凸點(diǎn)可以以“十”字形或“田”字形排布在該下電極的上表面上。
[0049]根據(jù)本申請(qǐng)的干蝕刻機(jī)包括具有如上所述構(gòu)造的下電極。
[0050]本申請(qǐng)的干蝕刻機(jī)及其下電極具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0051]1.由于本申請(qǐng)的干蝕刻機(jī)的下電極在承載待蝕刻處理基板的上表面上排布有凸點(diǎn)，所以可以避免在抬起銷(xiāo)時(shí)基板與下電極黏緊而造成破片。[0052]2.由于不會(huì)產(chǎn)生黏片現(xiàn)象，使得基板傳送正常，因而不會(huì)影響到蝕刻機(jī)內(nèi)其它正常產(chǎn)品，即，不會(huì)造成正常產(chǎn)品刮傷、殘留物缺陷。從而可減少產(chǎn)品的報(bào)廢(scrap)，減少制程成本，并提升產(chǎn)品的生產(chǎn)率(yield)。
[0053]3.由于不會(huì)產(chǎn)生黏片現(xiàn)象，因而可降低操作人員的負(fù)擔(dān)(loading)，減少人力的成本花費(fèi)，進(jìn)而使得提高人力(man power)運(yùn)用效率。
[0054]4.由于不會(huì)產(chǎn)生黏片現(xiàn)象，因而可減少蝕刻機(jī)的當(dāng)機(jī)時(shí)間(down time)，提升蝕刻機(jī)的使用率(up time)，使產(chǎn)能利用率發(fā)揮至最大效率。
[0055]5.現(xiàn)有技術(shù)中的平面式下電極需定期保養(yǎng)并清洗機(jī)臺(tái)零件，而本申請(qǐng)由于使用了凸點(diǎn)型下電極，所以可以增加定期維修(PM)時(shí)數(shù)，并延長(zhǎng)保養(yǎng)周期。
[0056]6.本申請(qǐng)還可以使生產(chǎn)成本大幅降低。
[0057]7.由于本申請(qǐng)的下電極上排布有凸點(diǎn)，可使得下電極與其上承載的待處理基板之間形成有間隙，進(jìn)而利于冷卻氣體進(jìn)入期間從而快速進(jìn)行冷卻。
[0058]8.由于本申請(qǐng)的下電極上排布的凸點(diǎn)僅分布在與基板的無(wú)效區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，因而頂多會(huì)在基板的將被切割掉的無(wú)效區(qū)上產(chǎn)生凸點(diǎn)波紋，從而不會(huì)影響產(chǎn)品的合格率。
[0059]總之，本申請(qǐng)的干蝕刻機(jī)及其下電極同時(shí)具有現(xiàn)有技術(shù)中凸點(diǎn)型下電極的優(yōu)點(diǎn)以及平面式下電極的優(yōu)點(diǎn)，可使得PM時(shí)數(shù)增加，延長(zhǎng)保養(yǎng)周期，提升良率并節(jié)省成本。
【權(quán)利要求】
1.一種干蝕刻機(jī)，用于對(duì)基板進(jìn)行干蝕刻處理，該干蝕刻機(jī)包括:上電極；以及下電極，與該上電極相對(duì)設(shè)置，該下電極的用以承載該基板的上表面形成有多個(gè)凸點(diǎn)，所述凸點(diǎn)排布在該下電極的上表面的周?chē)?br> 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干蝕刻機(jī)，其中， 所述凸點(diǎn)以“口”字形排布在該下電極的上表面的周?chē)?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干蝕刻機(jī)，其中，所述凸點(diǎn)以“回”字形排布在該下電極的上表面的周?chē)?br> 4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的干蝕刻機(jī)，其中，所述凸點(diǎn)所形成的圖案的寬度為8mm。
5.一種干蝕刻機(jī)，用于對(duì)基板進(jìn)行干蝕刻處理，該干蝕刻機(jī)包括:上電極；以及下電極，與該上電極相對(duì)設(shè)置，該下電極的用以承載該基板的上表面形成有多個(gè)凸點(diǎn)，所述凸點(diǎn)以“十”字形或“田”字形排布在該下電極的上表面上。
6.一種干蝕刻機(jī)的下電極，該干蝕刻機(jī)用于對(duì)基板進(jìn)行干蝕刻處理，該下電極的上表面用以承載該基板，且該上表面形成有多個(gè)凸點(diǎn)，所述凸點(diǎn)排布在該下電極的上表面的周?chē)?br> 7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的干蝕刻機(jī)，其中，所述凸點(diǎn)以“口 ”字形排布在該下電極的上表面的周?chē)?br> 8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的干蝕刻機(jī)，其中，所述凸點(diǎn)以“回”字形排布在該下電極的上表面的周?chē)?br> 9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的干蝕刻機(jī)，其中，所述凸點(diǎn)所形成的圖案的寬度為8mm。
10.一種干蝕刻機(jī)的下電極，該干蝕刻機(jī)用于對(duì)基板進(jìn)行干蝕刻處理，該下電極的上表面用以承載該基板，且該上表面形成有多個(gè)凸點(diǎn)，所述凸點(diǎn)以“十”字形或“田”字形排布在該下電極的上表面上。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK103903953SQ201410150959
【公開(kāi)日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2014年4月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月15日
【發(fā)明者】曾瑞軒, 林志明 申請(qǐng)人:上海和輝光電有限公司