一種交叉電極結(jié)構(gòu)的sed陰極基板的絲網(wǎng)印刷方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的絲網(wǎng)印刷方法，先在基板上濺射形成電極陣列，然后在其上印刷掃描電極，再在掃描電極上印刷介質(zhì)層，接著在介質(zhì)層上印刷尋址電極，最后濺射表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜，即得到交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板。其中在印刷介質(zhì)層時，使介質(zhì)層由掃描電極處分別向上下兩側(cè)縱向延伸，并使延伸部分的介質(zhì)層的厚度沿延伸方向逐漸減小，這樣既能保證介質(zhì)層的絕緣性，又減小了介質(zhì)層的厚度，并且能減小橫縱電極的高度差，從而抑制尋址電極的擴散，降低絲網(wǎng)印刷制作交叉電極的難度，提高SED陰極基板制作的成功率，是一種新型的用于SED陰極基板制作的絲網(wǎng)印刷方法。
【專利說明】—種交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的絲網(wǎng)印刷方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示器件領(lǐng)域，涉及一種介質(zhì)層的印刷方法，具體涉及一種交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的絲網(wǎng)印刷方法。
【背景技術(shù)】
[0002]日本佳能公司提出的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射顯示器(Surface-conductionElectron-emitter Display, SED),作為FED的一種,其顯示效果在目前平板顯示器件中非常的突出。
[0003]SED的顯像原理與傳統(tǒng)的陰極射線顯像管(Cathode Ray Tube, CRT)類似，不同于CRT的是，SED將涂有熒光材料的玻璃板與鋪有大量表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射源的玻璃底板平行擺放，這樣的結(jié)構(gòu)使得SED的厚度可以做得相當薄，易于平板化、大型化。同時，SED的能耗也比較低。
[0004]通過佳能公布的電子源陣列結(jié)構(gòu)及SED驅(qū)動方法可知其陰極基板的大致布局，其中電極呈交叉狀分布，且橫向電極連接驅(qū)動電路的掃描電路，縱向電極連接信號調(diào)制電路，橫向和縱向電極分別連接電子源的兩端。在制作交叉結(jié)構(gòu)的電極時需要進行分次多層的印刷，印刷完成底層結(jié)構(gòu)以后，底層結(jié)構(gòu)與基板之間會產(chǎn)生不可忽略的高度差，尤其在電極交叉位置會有更大的高度差，這個高度差使絲網(wǎng)受到的壓力不均勻，對下一層結(jié)構(gòu)的印刷造成困難，會使交叉部分特別容易擴散而未交叉部分不容易承印，使電極制作的成功率變低，制作工藝變得難以重復，這就給絲網(wǎng)印刷制作交叉電極結(jié)構(gòu)的陰極板帶來了困難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的絲網(wǎng)印刷方法，該方法既能保證介質(zhì)層的絕緣性，又能減小橫縱電極的高度差，從而抑制尋址電極的擴散，降低絲網(wǎng)印刷制作交叉電極的難度，提高SED陰極基板制作的成功率。
[0006]為達到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案包括以下步驟:
[0007]I)用磁控濺射法在基板上濺射若干組電極，形成電極陣列，其中每組電極包括縱向的第一電極和橫向的第二電極，且每組電極中第一電極和第二電極之間有8?20μπι的間隙；
[0008]2)用絲網(wǎng)印刷法在電極陣列上印刷若干行橫向的掃描電極，使電極陣列中每行的第一電極共用一個掃描電極，印刷時將掃描電極印刷在第一電極遠離第二電極的一端，使第一電極靠近第二電極的一端露出；
[0009]3)先用絲網(wǎng)印刷法在掃描電極上印刷若干個介質(zhì)層，然后用絲網(wǎng)印刷法在電極陣列和介質(zhì)層上印刷若干列縱向的尋址電極，使掃描電極和尋址電極的交叉部分通過介質(zhì)層間隔開并絕緣，并使電極陣列中每列的第二電極共用一個尋址電極，印刷時將尋址電極印刷在第二電極遠離第一電極的一端，使第二電極靠近第一電極的一端露出；
[0010]其中在印刷每個介質(zhì)層時，使介質(zhì)層由掃描電極處分別向上下兩側(cè)縱向延伸，并使延伸部分的介質(zhì)層的厚度沿延伸方向逐漸減??；
[0011]4)用磁控濺射法在第一電極和第二電極相互靠近的一端及其間隙上濺射表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜。
[0012]所述的介質(zhì)層由掃描電極處分別向上下兩側(cè)縱向延伸至其一端靠近或相切于本單元的第二電極的上邊緣，另一端靠近或相切于上一單元的第二電極的下邊緣；或者一端靠近或相切于本單元的第二電極的下邊緣，另一端靠近或相切于下一單元的第二電極的上邊緣。
[0013]所述的介質(zhì)層包括至少兩層絕緣介質(zhì)，各層絕緣介質(zhì)均采用絲網(wǎng)印刷法通過移位承印面板或絲網(wǎng)的位置依次印刷制得，使得到的介質(zhì)層中位于掃描電極上的部分的厚度大于兩側(cè)延伸部分的厚度，并使延伸部分的介質(zhì)層的厚度沿延伸方向逐漸減??；其中絲網(wǎng)印刷各層絕緣介質(zhì)的印刷參數(shù)為:刮刀角度為76?78°，刮刀速度為1.5?2cm/s，基板與刮刀的距離為12.5?15臟。
[0014]所述的介質(zhì)層包括三層絕緣介質(zhì)，分別為第一層絕緣介質(zhì)、第二層絕緣介質(zhì)和第三層絕緣介質(zhì)；印刷時先將第一層絕緣介質(zhì)印刷在下移的設(shè)計位置、上移的設(shè)計位置和設(shè)計位置中的任意一處，然后將第二層絕緣介質(zhì)印刷在剩余兩處位置中的任意一處，最后將第三層絕緣介質(zhì)印刷在最終剩余的位置上；其中印刷在設(shè)計位置上的絕緣介質(zhì)的橫軸與掃描電極的橫軸重合；印刷在下移的設(shè)計位置上的絕緣介質(zhì)的上邊緣與掃描電極的上邊緣重合；印刷在上移的設(shè)計位置上的絕緣介質(zhì)的下邊緣與掃描電極的下邊緣重合。
[0015]所述的介質(zhì)層中每層絕緣介質(zhì)的厚度為8?12 μ m，介質(zhì)層中位于掃描電極上的部分的厚度為24?32 μ m。
[0016]構(gòu)成介質(zhì)層的材料為日本NORITAKE公司生產(chǎn)的NP-7858R型絕緣材料，其主要成分為一氧化鉛。
[0017]構(gòu)成第一電極和第二電極的材料包括鉬、銅、鎳、鉻及其復合材料，其厚度為10?20nm ；
[0018]所述的掃描電極和尋址電極的厚度為10?15 μ m，構(gòu)成掃描電極和尋址電極為銀；
[0019]所述的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜的厚度為30nm?60nm，構(gòu)成表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜的材料包括氧化鋅或氧化鈀。
[0020]所述的步驟I)中磁控濺射的具體參數(shù)為:工作氣壓為0.13Pa，基板溫度為150?220°C, Ar氣流量為20?25sccm，濺射功率為150W，濺射時間為60?240s。
[0021]絲網(wǎng)印刷法印刷掃描電極和尋址電極的具體參數(shù)為:刮刀角度為76?78°，刮刀速度為2?2.5cm/s,基板與刮刀的距離為12.5?15_。
[0022]所述的步驟4)中磁控濺射的具體參數(shù)為:工作氣壓為0.2Pa，基板溫度為135?150°C, Ar氣流量為20?25sccm，O2氣流量為5?30sccm，濺射功率為100?150W，濺射時間為40?600s。
[0023]相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果為:
[0024]在制作立體結(jié)構(gòu)交叉電極時，制作尋址電極前橫向電極與縱向電極交叉部分由于印刷介質(zhì)層會高出基片一定距離，給尋址電極的均勻印刷造成了困難，容易使絲網(wǎng)受壓不均造成交叉部分擴散嚴重而圖案邊緣部分無法承印。為解決這一問題，本發(fā)明提供了一種交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的絲網(wǎng)印刷方法，先在基板上濺射第一電極和第二電極，然后在第一電極上印刷掃描電極，再在掃描電極上印刷介質(zhì)層，接著在介質(zhì)層和第二電極上印刷尋址電極，最后在第一電極和第二電極的間隙處濺射表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜，即完成了交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的制作。特別是在印刷介質(zhì)層時，使介質(zhì)層由掃描電極處分別向上下兩側(cè)縱向延伸，并使延伸部分的介質(zhì)層的厚度沿延伸方向逐漸減小，這樣既能保證介質(zhì)層的絕緣性，又減小了介質(zhì)層的厚度，并且能減小橫縱電極的高度差，從而抑制尋址電極的擴散，降低絲網(wǎng)印刷制作交叉電極的難度，提高SED陰極基板制作的成功率，是一種新型的用于SED陰極基板制作的絲網(wǎng)印刷方法。
[0025]進一步的，本發(fā)明在具體印刷介質(zhì)層時，是通過移位承印面板或者絲網(wǎng)位置印刷至少兩層絕緣介質(zhì)，既保證了掃描電極上的那部分介質(zhì)層是由多層絕緣介質(zhì)疊加印刷得到的，使該部分的厚度足以滿足對掃描電極和尋址電極間的絕緣要求，同時又擴大了整個介質(zhì)層的覆蓋面積，不僅減小了電極短路的幾率，而且使整個介質(zhì)層的厚度能夠平滑的過渡，能夠減小橫縱電極的高度差，在保證介質(zhì)層絕緣性的前提下降低了其整體厚度，使得印刷尋址電極時的刮板壓力更容易控制，有效地抑制了尋址電極的擴散，引線部分也更加容易印刷，降低了絲網(wǎng)印刷制作交叉電極的難度，提高了 SED陰極基板制作的成功率。本發(fā)明提供的印刷方法可廣泛用于絲網(wǎng)印刷制作多層立體結(jié)構(gòu)中的中間層，能夠在保證重要部位印刷厚度的同時減小因立體結(jié)構(gòu)帶來的印刷制作困難，具有良好的使用效果和應(yīng)用前景。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1是表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射顯示器(SED)像素的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2是一種交叉電極(陣列)結(jié)構(gòu)的SED陰極基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖3是另一種交叉電極(陣列)結(jié)構(gòu)的SED陰極基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖4是本發(fā)明提供的印刷方法針對圖2結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的流程圖；
[0030]圖5是本發(fā)明提供的印刷方法針對圖3結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的流程圖；
[0031]其中:100為下玻璃基板、110為上玻璃基板、130為電子發(fā)射源、150為器件電極、160為陰極器件電壓、170為高電壓陽極、180為熒光粉、200為掃描電極、210為尋址電極、220為介質(zhì)層、221為第一層介質(zhì)、222為第二層介質(zhì)、223為第三層介質(zhì)、230為第一電極、231為第二電極、250為表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜。
[0032]圖6是傳統(tǒng)絲印工藝和本發(fā)明提供的印刷方法制得的交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的對比圖，其中a為傳統(tǒng)絲印工藝制得的交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板、b為本發(fā)明提供的印刷方法制得的交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板。
【具體實施方式】
[0033]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明。
[0034]圖1示出SED顯示器一個像素的結(jié)構(gòu)，SED包含了下玻璃基板100和上玻璃基板110，每個像素單元包含紅綠藍三個子像素，電子發(fā)射源130制作在下玻璃基板100上。表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射電子源包括兩個器件電極150 (即橫向的掃描電極200和縱向的尋址電極210)和表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜250。SED顯示器件還包含一個高電壓陽極170和陰極器件電壓160。當在器件電極150上施加直流電壓時，表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜250會發(fā)射電子，在高電壓陽極170的電壓加速下，電子轟擊熒光粉180發(fā)光。
[0035]圖2和圖3示出本發(fā)明的交叉電極陣列SED陰極基板的結(jié)構(gòu)布局設(shè)計，圖2和圖3中SED陰極基板主要由掃描電極200、尋址電極210、介質(zhì)層220和表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜250四個部分組成，整個陰極基板布局的設(shè)計尺度均較小。在SED陰極基板的結(jié)構(gòu)布局中，掃描電極200和尋址電極210的寬度為150μπι，兩電極的縫隙部分最小間距為IOym (由第一電極230和第二電極231構(gòu)成)，縫隙長200 μ m，表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜250覆蓋在裂縫上,大小為180 μ mX 180 μ m，為了達到10 μ m的精度要求采用磁控濺射的方法制作了第一電極230和第二電極231構(gòu)造兩電極的裂縫部分；介質(zhì)層220將掃描電極和尋址電極在重疊部分絕緣開，大小為250 μ mX 250 μ m。交叉電極的結(jié)構(gòu)設(shè)計可以使64X64交叉電極陣列SED陰極基板驅(qū)動每一個像素。此SED陰極基板的像素大小為600 μ mX600 μ m,則SED器件的發(fā)光區(qū)域面積為38.4mmX 38.4mm。
[0036]而發(fā)明人在64X64交叉電極陣列SED陰極基板的制作中發(fā)現(xiàn)存在如下問題:制作時要先后經(jīng)過掃描電極、介質(zhì)層和尋址電極的印刷，介質(zhì)層必須印刷三次以上才能有效絕緣橫縱電極，使得介質(zhì)厚度較大(25?30 μ m)，且掃描電極厚度也約為10?15 μ m,故在前兩步印刷以后，樣片的厚度差大于30 μ m，因此在印刷尋址電極前，基片表面不再平整。尋址電極的圖形設(shè)計要求其必須能夠很好的印刷在玻璃基底上(引線部分)，又能將圖形印刷在介質(zhì)層之上(橫縱電極重疊部分)，所以在印刷尋址電極時，刮板壓力無法均與分布在樣片上，尋址電極的印刷就變的很困難:引線部分不容易印到基片上，橫縱重疊部分易擴散到掃描電極上造成短路。因此發(fā)明人對交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的絲網(wǎng)印刷方法進行了改進。
[0037]圖4是本發(fā)明提供的改進后的印刷方法的流程圖。其具體工藝步驟為:絲網(wǎng)印刷第一層介質(zhì)221時,對準之后通過位移承印面板將樣片向上移動75 μ m,使第一層介質(zhì)221印刷在偏離設(shè)計位置且向下75 μ m處，介質(zhì)正方形的下邊緣正好和本單元的尋址電極210的第二電極231的上邊緣相切，其上邊緣與掃描電極200的上邊緣重合。與之對應(yīng)，在印刷第二層介質(zhì)222時,樣片對準之后向反方向向下移動75μηι,使第二層介質(zhì)222印刷在偏離設(shè)計位置且向上75 μ m的地方，介質(zhì)正方形的上邊緣與上一個單元尋址電極210的第二電極231下邊緣相切，下邊緣與本單元掃描電極200的下邊緣重合。第三層介質(zhì)223即可印刷在設(shè)計位置，保證掃描電極200上方及附近范圍還是具有三層印刷介質(zhì)的厚度，能夠起到良好的絕緣作用。這里需要說明的是，上述移動的75 μ m為設(shè)計布局圖中的尺寸，在實際印刷時需考慮介質(zhì)層的擴散，故上下移動40-50 μ m即可，具體情況根據(jù)刮板壓力、介質(zhì)稀稠度和實驗室溫度來確定。
[0038]圖5是本發(fā)明提供的改進后的印刷方法的流程圖。其具體工藝步驟為:絲網(wǎng)印刷第一層介質(zhì)221時，對準之后通過位移絲網(wǎng)位置將絲網(wǎng)向上移動75 μ m,使第一層介質(zhì)221印刷在偏離設(shè)計位置且向上75 μ m處，介質(zhì)正方形的上邊緣正好和本單元的尋址電極210的第二電極231的下邊緣相切，其下邊緣與掃描電極200的下邊緣重合。與之對應(yīng)，在印刷第二層介質(zhì)222時，對準之后將絲網(wǎng)向反方向向下移動75 μ m,使第二層介質(zhì)222印刷在偏離設(shè)計位置且向上75 μ m的地方，介質(zhì)正方形的下邊緣與下一個單元尋址電極210的第二電極231上邊緣相切，上邊緣與本單元掃描電極200的上邊緣重合。第三層介質(zhì)223即可印刷在設(shè)計位置，保證掃描電極200上方及附近范圍還是具有三層印刷介質(zhì)的厚度，能夠起到良好的絕緣作用。這里需要說明的是，上述移動的75 μ m為設(shè)計布局圖中的尺寸，在實際印刷時需考慮介質(zhì)層的擴散，故上下移動40-50 μ m即可，具體情況根據(jù)刮板壓力、介質(zhì)稀稠度和實驗室溫度來確定。
[0039]下面通過具體的實施例對本發(fā)明提供的交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的絲網(wǎng)印刷方法作進一步詳細說明。
[0040]實施例1
[0041]I)用磁控濺射法在基板上濺射若干組厚度為10nm、材質(zhì)為鉬的電極，形成電極陣列，其中每組電極包括縱向的第一電極230和橫向的第二電極231，且每組電極中第一電極230和第二電極231之間有10 μ m的間隙；磁控濺射的工藝條件為:工作氣壓為0.13Pa，基板溫度為220°C，Ar氣流量為25SCCm，濺射功率為150W，濺射時間為240s ；
[0042]2)用絲網(wǎng)印刷法在電極陣列上印刷若干行厚度為10 μ m、材質(zhì)為銀的橫向的掃描電極200,使電極陣列中每行的第一電極230共用一個掃描電極200,印刷時將掃描電極200印刷在第一電極230遠離第二電極231的一端,使第一電極230靠近第二電極231的一端露出；絲網(wǎng)印刷掃描電極的印刷參數(shù)為:刮刀角度為76。，刮刀速度為2cm/s，根據(jù)基板厚度，調(diào)整基板到刮刀的距離為12.5mm，從而保證印刷過程中刮刀能夠均勻壓在基板上，每次印刷得到的掃描電極的厚度為IOym ;
[0043]3)先用絲網(wǎng)印刷法在掃描電極200上印刷若干個介質(zhì)層220，然后用絲網(wǎng)印刷法在電極陣列和介質(zhì)層220上印刷若干列厚度為10 μ m、材質(zhì)為銀的縱向的尋址電極210，使掃描電極200和尋址電極210的交叉部分通過介質(zhì)層220間隔開并絕緣，并使電極陣列中每列的第二電極231共用一個尋址電極210，印刷時將尋址電極210印刷在第二電極231遠離第一電極230的一端，使第二電極231靠近第一電極230的一端露出；絲網(wǎng)印刷尋址電極的印刷參數(shù)為:刮刀角度為為76。，刮刀速度為2cm/s，根據(jù)基板厚度，調(diào)整基板到刮刀的距離為12.5mm，從而保證印刷過程中刮刀能夠均勻壓在基板上，每次印刷得到的尋址電極的厚度為ΙΟμL? ;
[0044]其中在印刷每個介質(zhì)層220時，使介質(zhì)層220由掃描電極200處分別向上下兩側(cè)縱向延伸其一端與本單元的第二電極231的上邊緣相切，另一端與上一單元的第二電極231的下邊緣相切，使得到的介質(zhì)層220中位于掃描電極200上的部分的厚度大于兩側(cè)延伸部分的厚度，并使延伸部分的介質(zhì)層220的厚度沿延伸方向逐漸減??；其中介質(zhì)層220中位于掃描電極200上的部分的厚度為27 μ m,且介質(zhì)層220的厚度沿掃描電極200的橫軸對稱分布；介質(zhì)層220包括三層絕緣介質(zhì)，分別為第一層絕緣介質(zhì)221、第二層絕緣介質(zhì)222和第三層絕緣介質(zhì)223 ;參見圖4，印刷時通過位移承印面板，先將第一層絕緣介質(zhì)221印刷在下移的設(shè)計位置處，然后將第二層絕緣介質(zhì)222印刷在上移的設(shè)計位置處，最后將第三層絕緣介質(zhì)223印刷在設(shè)計位置處；其中印刷在下移的設(shè)計位置上的第一層絕緣介質(zhì)221的上邊緣與掃描電極200的上邊緣重合，下邊緣與本單元的第二電極231的上邊緣相切；印刷在上移的設(shè)計位置上的第二層絕緣介質(zhì)222的下邊緣與掃描電極200的下邊緣重合，上邊緣與上一單元的第二電極231的下邊緣相切；印刷在設(shè)計位置上的第三層絕緣介質(zhì)223的橫軸與掃描電極200的橫軸重合；每層絕緣介質(zhì)的印刷參數(shù)為:刮刀角度為76°，刮刀速度為1.5cm/s，根據(jù)基板厚度，調(diào)整基板到刮刀的距離為12.5mm，從而保證印刷過程中刮刀能夠均勻壓在基板上，每層絕緣介質(zhì)的厚度為9 μ m。介質(zhì)層的材料為NP-7858R，主要成分為一氧化鉛，由日本NORITAKE公司生產(chǎn)，可以有效的將下板發(fā)光反射到上板,增強器件發(fā)光亮度，也同樣具有很好的絕緣性能；
[0045]4)用磁控濺射法在第一電極230和第二電極231相互靠近的一端及其間隙上濺射厚度為30nm的氧化鈀材質(zhì)的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜250 ;磁控濺射參數(shù)為:工作氣壓為0.2Pa，基板溫度為135°C，Ar氣流量為20sccm，02氣流量為30sccm，濺射功率為100W，濺射時間為40s。
[0046]實施例2
[0047]I)用磁控濺射法在基板上濺射若干組厚度為16nm、材質(zhì)為鎳的電極，形成電極陣列，其中每組電極包括縱向的第一電極230和橫向的第二電極231，且每組電極中第一電極230和第二電極231之間有8 μ m的間隙；磁控濺射的工藝條件為:工作氣壓為0.13Pa，基板溫度為150°C，Ar氣流量為20SCCm，濺射功率為150W，濺射時間為120s ；
[0048]2)用絲網(wǎng)印刷法在電極陣列上印刷若干行厚度為15 μ m、材質(zhì)為銀的橫向的掃描電極200,使電極陣列中每行的第一電極230共用一個掃描電極200,印刷時將掃描電極200印刷在第一電極230遠離第二電極231的一端,使第一電極230靠近第二電極231的一端露出；絲網(wǎng)印刷掃描電極的印刷參數(shù)為:刮刀角度為78°，刮刀速度為2.5cm/s，根據(jù)基板厚度，調(diào)整基板到刮 刀的距離為15mm，從而保證印刷過程中刮刀能夠均勻壓在基板上，每次印刷得到的掃描電極的厚度為15μπι ;
[0049]3)先用絲網(wǎng)印刷法在掃描電極200上印刷若干個介質(zhì)層220，然后用絲網(wǎng)印刷法在電極陣列和介質(zhì)層220上印刷若干列厚度為15 μ m、材質(zhì)為銀的縱向的尋址電極210,使掃描電極200和尋址電極210的交叉部分通過介質(zhì)層220間隔開并絕緣，并使電極陣列中每列的第二電極231共用一個尋址電極210，印刷時將尋址電極210印刷在第二電極231遠離第一電極230的一端，使第二電極231靠近第一電極230的一端露出；絲網(wǎng)印刷尋址電極的印刷參數(shù)為:刮刀角度為為78°，刮刀速度為2.5cm/s，根據(jù)基板厚度，調(diào)整基板到刮刀的距離為15mm，從而保證印刷過程中刮刀能夠均勻壓在基板上，每次印刷得到的尋址電極的厚度為15μL? ;
[0050]其中在印刷每個介質(zhì)層220時，使介質(zhì)層220由掃描電極200處分別向上下兩側(cè)縱向延伸其一端與本單元的第二電極231的下邊緣相切，另一端與下一單元的第二電極231的上邊緣相切，使得到的介質(zhì)層220中位于掃描電極200上的部分的厚度大于兩側(cè)延伸部分的厚度，并使延伸部分的介質(zhì)層220的厚度沿延伸方向逐漸減??；其中介質(zhì)層220中位于掃描電極200上的部分的厚度為30 μ m,且介質(zhì)層220的厚度沿掃描電極200的橫軸對稱分布；介質(zhì)層220包括三層絕緣介質(zhì)，分別為第一層絕緣介質(zhì)221、第二層絕緣介質(zhì)222和第三層絕緣介質(zhì)223;參見圖5，印刷時通過位移絲網(wǎng)，先將第一層絕緣介質(zhì)221印刷在上移的設(shè)計位置處，然后將第二層絕緣介質(zhì)222印刷在下移的設(shè)計位置處，最后將第三層絕緣介質(zhì)223印刷在設(shè)計位置處；其中印刷在上移的設(shè)計位置上的第一層絕緣介質(zhì)221的下邊緣與掃描電極200的下邊緣重合，上邊緣與本單元的第二電極231的下邊緣相切；印刷在下移的設(shè)計位置上的第二層絕緣介質(zhì)222的上邊緣與掃描電極200的上邊緣重合，下邊緣與下一單元的第二電極231的上邊緣相切；印刷在設(shè)計位置上的第三層絕緣介質(zhì)223的橫軸與掃描電極200的橫軸重合；每層絕緣介質(zhì)的印刷參數(shù)為:刮刀角度為78°，刮刀速度為2cm/s，根據(jù)基板厚度，調(diào)整基板到刮刀的距離為15mm，從而保證印刷過程中刮刀能夠均勻壓在基板上，每層絕緣介質(zhì)的厚度為?ο μ m。介質(zhì)層的材料為NP-7858R，主要成分為一氧化鉛，由日本NORITAKE公司生產(chǎn)，可以有效的將下板發(fā)光反射到上板，增強器件發(fā)光亮度，也同樣具有很好的絕緣性能；
[0051]4)用磁控濺射法在第一電極230和第二電極231相互靠近的一端及其間隙上濺射厚度為60nm的氧化鋅材質(zhì)的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜250 ;磁控濺射參數(shù)為:工作氣壓為
0.2Pa，基板溫度為150°C，Ar氣流量為20sccm，O2氣流量為5sccm，濺射功率為150W，濺射時間為600s。
[0052]實施例3
[0053]I)用磁控濺射法在基板上濺射若干組厚度為15nm、材質(zhì)為銅的電極，形成電極陣列，其中每組電極包括縱向的第一電極230和橫向的第二電極231，且每組電極中第一電極230和第二電極231之間有10 μ m的間隙；磁控濺射的工藝條件為:工作氣壓為0.13Pa，基板溫度為150°C ，Ar氣流量為22SCCm，濺射功率為150W，濺射時間為60s ；
[0054]2)用絲網(wǎng)印刷法在電極陣列上印刷若干行厚度為10 μ m、材質(zhì)為銀的橫向的掃描電極200,使電極陣列中每行的第一電極230共用一個掃描電極200,印刷時將掃描電極200印刷在第一電極230遠離第二電極231的一端,使第一電極230靠近第二電極231的一端露出；絲網(wǎng)印刷掃描電極的印刷參數(shù)為:刮刀角度為76。，刮刀速度為2cm/s，根據(jù)基板厚度，調(diào)整基板到刮刀的距離為12.5mm，從而保證印刷過程中刮刀能夠均勻壓在基板上，每次印刷得到的掃描電極的厚度為IOym ;
[0055]3)先用絲網(wǎng)印刷法在掃描電極200上印刷若干個介質(zhì)層220，然后用絲網(wǎng)印刷法在電極陣列和介質(zhì)層220上印刷若干列厚度為15 μ m、材質(zhì)為銀的縱向的尋址電極210,使掃描電極200和尋址電極210的交叉部分通過介質(zhì)層220間隔開并絕緣，并使電極陣列中每列的第二電極231共用一個尋址電極210，印刷時將尋址電極210印刷在第二電極231遠離第一電極230的一端，使第二電極231靠近第一電極230的一端露出；絲網(wǎng)印刷尋址電極的印刷參數(shù)為:刮刀角度為為78°，刮刀速度為2.5cm/s，根據(jù)基板厚度，調(diào)整基板到刮刀的距離為15mm，從而保證印刷過程中刮刀能夠均勻壓在基板上，每次印刷得到的尋址電極的厚度為15μL? ;
[0056]其中在印刷每個介質(zhì)層220時，使介質(zhì)層220由掃描電極200處分別向上下兩側(cè)縱向延伸其一端與本單元的第二電極231的下邊緣相切，另一端與下一單元的第二電極231的上邊緣相切，使得到的介質(zhì)層220中位于掃描電極200上的部分的厚度大于兩側(cè)延伸部分的厚度，并使延伸部分的介質(zhì)層220的厚度沿延伸方向逐漸減?。黄渲薪橘|(zhì)層220中位于掃描電極200上的部分的厚度為30 μ m,且介質(zhì)層220的厚度沿掃描電極200的橫軸對稱分布；介質(zhì)層220包括三層絕緣介質(zhì)，分別為第一層絕緣介質(zhì)221、第二層絕緣介質(zhì)222和第三層絕緣介質(zhì)223 ;參見圖5，印刷時通過位移承印面板，先將第一層絕緣介質(zhì)221印刷在上移的設(shè)計位置處，然后將第二層絕緣介質(zhì)222印刷在下移的設(shè)計位置處，最后將第三層絕緣介質(zhì)223印刷在設(shè)計位置處；其中印刷在上移的設(shè)計位置上的第一層絕緣介質(zhì)221的下邊緣與掃描電極200的下邊緣重合，上邊緣與本單元的第二電極231的下邊緣相切；印刷在下移的設(shè)計位置上的第二層絕緣介質(zhì)222的上邊緣與掃描電極200的上邊緣重合，下邊緣與下一單元的第二電極231的上邊緣相切；印刷在設(shè)計位置上的第三層絕緣介質(zhì)223的橫軸與掃描電極200的橫軸重合；每層絕緣介質(zhì)的印刷參數(shù)為:刮刀角度為78。，刮刀速度為2cm/s，根據(jù)基板厚度，調(diào)整基板到刮刀的距離為15mm，從而保證印刷過程中刮刀能夠均勻壓在基板上，每層絕緣介質(zhì)的厚度為10 μ m。介質(zhì)層的材料為NP-7858R，主要成分為一氧化鉛，由日本NORITAKE公司生產(chǎn)，可以有效的將下板發(fā)光反射到上板，增強器件發(fā)光亮度，也同樣具有很好的絕緣性能；
[0057]4)用磁控濺射法在第一電極230和第二電極231相互靠近的一端及其間隙上濺射厚度為40nm的氧化鈀材質(zhì)的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜250 ;磁控濺射參數(shù)為:工作氣壓為
0.2Pa，基板溫度為140°C，Ar氣流量為20sccm，02氣流量為20sccm，濺射功率為110W，濺射時間為60s。
[0058]實施例4
[0059]I)用磁控濺射法在基板上濺射若干組厚度為16nm、材質(zhì)為鉻的電極，形成電極陣列，其中每組電極包括縱向的第一電極230和橫向的第二電極231，且每組電極中第一電極230和第二電極231之間有8 μ m的間隙；磁控濺射的工藝條件為:工作氣壓為0.13Pa，基板溫度為150°C，Ar氣流量為23SCCm，濺射功率為150W，濺射時間為120s ；
[0060]2)用絲網(wǎng)印刷法在電極陣列上印刷若干行厚度為15 μ m、材質(zhì)為銀的橫向的掃描電極200,使電極陣列中每行的第一電極230共用一個掃描電極200,印刷時將掃描電極200印刷在第一電極230遠離第二電極231的一端,使第一電極230靠近第二電極231的一端露出；絲網(wǎng)印刷掃描電極的印刷參數(shù)為:刮刀角度為78°，刮刀速度為2.5cm/s，根據(jù)基板厚度，調(diào)整基板到刮 刀的距離為15mm，從而保證印刷過程中刮刀能夠均勻壓在基板上，每次印刷得到的掃描電極的厚度為15μπι ;
[0061]3)先用絲網(wǎng)印刷法在掃描電極200上印刷若干個介質(zhì)層220，然后用絲網(wǎng)印刷法在電極陣列和介質(zhì)層220上印刷若干列厚度為10 μ m、材質(zhì)為銀的縱向的尋址電極210，使掃描電極200和尋址電極210的交叉部分通過介質(zhì)層220間隔開并絕緣，并使電極陣列中每列的第二電極231共用一個尋址電極210，印刷時將尋址電極210印刷在第二電極231遠離第一電極230的一端，使第二電極231靠近第一電極230的一端露出；絲網(wǎng)印刷尋址電極的印刷參數(shù)為:刮刀角度為為76。，刮刀速度為2cm/s，根據(jù)基板厚度，調(diào)整基板到刮刀的距離為12.5mm，從而保證印刷過程中刮刀能夠均勻壓在基板上，每次印刷得到的尋址電極的厚度為ΙΟμL? ;
[0062]其中在印刷每個介質(zhì)層220時，使介質(zhì)層220由掃描電極200處分別向上下兩側(cè)縱向延伸其一端與本單元的第二電極231的上邊緣相切，另一端與上一單元的第二電極231的下邊緣相切，使得到的介質(zhì)層220中位于掃描電極200上的部分的厚度大于兩側(cè)延伸部分的厚度，并使延伸部分的介質(zhì)層220的厚度沿延伸方向逐漸減?。黄渲薪橘|(zhì)層220中位于掃描電極200上的部分的厚度為27 μ m，且介質(zhì)層220的厚度沿掃描電極200的橫軸對稱分布；介質(zhì)層220包括三層絕緣介質(zhì)，分別為第一層絕緣介質(zhì)221、第二層絕緣介質(zhì)222和第三層絕緣介質(zhì)223 ;參見圖4，印刷時通過位移絲網(wǎng)，先將第一層絕緣介質(zhì)221印刷在下移的設(shè)計位置處，然后將第二層絕緣介質(zhì)222印刷在上移的設(shè)計位置處，最后將第三層絕緣介質(zhì)223印刷在設(shè)計位置處；其中印刷在下移的設(shè)計位置上的第一層絕緣介質(zhì)221的上邊緣與掃描電極200的上邊緣重合，下邊緣與本單元的第二電極231的上邊緣相切；印刷在上移的設(shè)計位置上的第二層絕緣介質(zhì)222的下邊緣與掃描電極200的下邊緣重合，上邊緣與上一單元的第二電極231的下邊緣相切；印刷在設(shè)計位置上的第三層絕緣介質(zhì)223的橫軸與掃描電極200的橫軸重合；每層絕緣介質(zhì)的印刷參數(shù)為:刮刀角度為76°，刮刀速度為
1.5cm/s，根據(jù)基板厚度，調(diào)整基板到刮刀的距離為12.5mm，從而保證印刷過程中刮刀能夠均勻壓在基板上，每層絕緣介質(zhì)的厚度為9 μ m。介質(zhì)層的材料為NP-7858R，主要成分為一氧化鉛，由日本NORITAKE公司生產(chǎn)，可以有效的將下板發(fā)光反射到上板，增強器件發(fā)光亮度，也同樣具有很好的絕緣性能；
[0063]4)用磁控濺射法在第一電極230和第二電極231相互靠近的一端及其間隙上濺射厚度為50nm的氧化鋅材質(zhì)的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜250 ;磁控濺射參數(shù)為:工作氣壓為
0.2Pa，基板溫度為145°C，Ar氣流量為25sccm，O2氣流量為lOsccm，濺射功率為140W，濺射時間為500s。
[0064]實施例5
[0065]I)用磁控濺射法在基板上濺射若干組厚度為18nm、材質(zhì)為鎳和鈷的復合材料的電極，形成電極陣列，其中每組電極包括縱向的第一電極230和橫向的第二電極231，且每組電極中第一電極230和第二電極231之間有20μπι的間隙；磁控濺射的工藝條件為:工作氣壓為0.13Pa，基板溫度為160°C，Ar氣流量為21sCCm，濺射功率為150W，濺射時間為120s ；
[0066]2)用絲網(wǎng)印刷法在電極陣列上印刷若干行厚度為12 μ m、材質(zhì)為銀的橫向的掃描電極200,使電極陣列中每行的第一電極230共用一個掃描電極200,印刷時將掃描電極200印刷在第一電極230遠離第二電極231的一端,使第一電極230靠近第二電極231的一端露出；絲網(wǎng)印刷掃描電極的印刷參數(shù)為:刮刀角度為77°，刮刀速度為2.2cm/s，根據(jù)基板厚度，調(diào)整基板到刮刀的距離為12.5mm，從而保證印刷過程中刮刀能夠均勻壓在基板上，每次印刷得到的掃描電極的厚度為12ym;
[0067]3)先用絲網(wǎng)印刷法在掃描電極200上印刷若干個介質(zhì)層220，然后用絲網(wǎng)印刷法在電極陣列和介質(zhì)層220上印刷若干列厚度為15 μ m、材質(zhì)為銀的縱向的尋址電極210,使掃描電極200和尋址電極210的交叉部分通過介質(zhì)層220間隔開并絕緣，并使電極陣列中每列的第二電極231共用一個尋址電極210，印刷時將尋址電極210印刷在第二電極231遠離第一電極230的一端，使第二電極231靠近第一電極230的一端露出；絲網(wǎng)印刷尋址電極的印刷參數(shù)為:刮刀角度為為77°，刮刀速度為2.2cm/s，根據(jù)基板厚度，調(diào)整基板到刮刀的距離為12.5mm，從而保證印刷過程中刮刀能夠均勻壓在基板上，每次印刷得到的尋址電極的厚度為15 μ m ;
[0068]其中在印刷每個介質(zhì)層220時，使介質(zhì)層220由掃描電極200處分別向上下兩側(cè)縱向延伸其一端靠近于本單元的第二電極231的上邊緣，另一端靠近于上一單元的第二電極231的下邊緣，使得到的介質(zhì)層220中位于掃描電極200上的部分的厚度大于兩側(cè)延伸部分的厚度，并使延伸部分的介質(zhì)層220的厚度沿延伸方向逐漸減??；其中介質(zhì)層220中位于掃描電極200上的部分的厚度為24 μ m,且介質(zhì)層220的厚度沿掃描電極200的橫軸對稱分布；介質(zhì)層220包括兩層絕緣介質(zhì)，分別為第一層絕緣介質(zhì)221和第二層絕緣介質(zhì)222 ;印刷時通過位移絲網(wǎng)，先將第一層絕緣介質(zhì)221印刷在下移的設(shè)計位置處，然后將第二層絕緣介質(zhì)222印刷在上移的設(shè)計位置處；其中印刷在下移的設(shè)計位置上的第一層絕緣介質(zhì)221的上邊緣與掃描電極200的上邊緣重合，下邊緣靠近于本單元的第二電極231的上邊緣；印刷在上移的設(shè)計位置上的第二層絕緣介質(zhì)222的下邊緣與掃描電極200的下邊緣重合,上邊緣靠近于上一單元的第二電極231的下邊緣；每層絕緣介質(zhì)的印刷參數(shù)為:刮刀角度為77°，刮刀速度為1.7cm/s，根據(jù)基板厚度，調(diào)整基板到刮刀的距離為12.5mm，從而保證印刷過程中刮刀能夠均勻壓在基板上，每層絕緣介質(zhì)的厚度為12 μ m。介質(zhì)層的材料為NP-7858R，主要成分為一氧化鉛，由日本NORITAKE公司生產(chǎn)，可以有效的將下板發(fā)光反射到上板，增強器件發(fā)光亮度，也同樣具有很好的絕緣性能；
[0069]4)用磁控濺射法在第一電極230和第二電極231相互靠近的一端及其間隙上濺射厚度為55nm的氧化鋅材質(zhì)的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜250 ;磁控濺射參數(shù)為:工作氣壓為0.2Pa，基板溫度為150°C，Ar氣流量為25sccm，O2氣流量為8sccm，濺射功率為150W，濺射時間為550s。
[0070]實施例6
[0071]I)用磁控濺射法在基板上濺射若干組厚度為20nm、材質(zhì)為銅和鎳的復合材料的電極，形成電極陣列，其中每組電極包括縱向的第一電極230和橫向的第二電極231，且每組電極中第一電極230和第二電極231之間有15 μ m的間隙；磁控派射的工藝條件為:工作氣壓為0.13Pa，基板溫度為150°C，Ar氣流量為24sCCm，濺射功率為150W，濺射時間為60s ；
[0072]2)用絲網(wǎng)印刷法在電極陣列上印刷若干行厚度為15 μ m、材質(zhì)為銀的橫向的掃描電極200,使電極陣列中每行的第一電極230共用一個掃描電極200,印刷時將掃描電極200印刷在第一電極230遠離第二電極231的一端,使第一電極230靠近第二電極231的一端露出；絲網(wǎng)印刷掃描電極的印刷參數(shù)為:刮刀角度為77°，刮刀速度為2.3cm/s，根據(jù)基板厚度，調(diào)整基板到刮刀的距離為15mm，從而保證印刷過程中刮刀能夠均勻壓在基板上，每次印刷得到的掃描電極的厚度為15μπι ;
[0073]3)先用絲網(wǎng)印刷法在掃描電極200上印刷若干個介質(zhì)層220，然后用絲網(wǎng)印刷法在電極陣列和介質(zhì)層220上印刷若干列厚度為12 μ m、材質(zhì)為銀的縱向的尋址電極210，使掃描電極200和尋址電極210的交叉部分通過介質(zhì)層220間隔開并絕緣，并使電極陣列中每列的第二電極231共用一個尋址電極210，印刷時將尋址電極210印刷在第二電極231遠離第一電極230的一端，使第二電極231靠近第一電極230的一端露出；絲網(wǎng)印刷尋址電極的印刷參數(shù)為:刮刀角度為為77°，刮刀速度為2.lcm/s，根據(jù)基板厚度，調(diào)整基板到刮刀的距離為15mm，從而保證印刷過程中刮刀能夠均勻壓在基板上，每次印刷得到的尋址電極的厚度為12μL? ;
[0074]其中在印刷每個介質(zhì)層220時，使介質(zhì)層220由掃描電極200處分別向上下兩側(cè)縱向延伸其一端靠近于本單元的第二電極231的下邊緣，另一端靠近于下一單元的第二電極231的上邊緣，使得到的介質(zhì)層220中位于掃描電極200上的部分的厚度大于兩側(cè)延伸部分的厚度，并使延伸部分的介質(zhì)層220的厚度沿延伸方向逐漸減??；其中介質(zhì)層220中位于掃描電極200上的部分的厚度為32 μ m，且介質(zhì)層220的厚度沿掃描電極200的橫軸對稱分布；介質(zhì)層220包括四層絕緣介質(zhì)，分別為第一層絕緣介質(zhì)221、第二層絕緣介質(zhì)222、第三層絕緣介質(zhì)223和第四層絕緣介質(zhì)；印刷時通過位移承印面板，先將第一層絕緣介質(zhì)221印刷在下移的設(shè)計位置處，然后將第二層絕緣介質(zhì)222印刷在上移的設(shè)計位置處，再將第三層絕緣介質(zhì)223印刷在下移的設(shè)計位置處，最后將第四層絕緣介質(zhì)印刷在上移的設(shè)計位置處；其中印刷在下移的設(shè)計位置上的第一層絕緣介質(zhì)221和第三層絕緣介質(zhì)的上邊緣與掃描電極200的上邊緣重合，下邊緣靠近于本單元的第二電極231的上邊緣；印刷在上移的設(shè)計位置上的第二層絕緣介質(zhì)222和第四層絕緣介質(zhì)的下邊緣與掃描電極200的下邊緣重合,上邊緣靠近于上一單元的第二電極231的下邊緣；每層絕緣介質(zhì)的印刷參數(shù)為:刮刀角度為77°，刮刀速度為1.8cm/s，根據(jù)基板厚度，調(diào)整基板到刮刀的距離為15mm，從而保證印刷過程中刮刀能夠均勻壓在基板上，每層絕緣介質(zhì)的厚度為8 μ m。介質(zhì)層的材料為NP-7858R，主要成分為一氧化鉛，由日本NORITAKE公司生產(chǎn)，可以有效的將下板發(fā)光反射到上板，增強器件發(fā)光亮度，也同樣具有很好的絕緣性能；
[0075]4)用磁控濺射法在第一電極230和第二電極231相互靠近的一端及其間隙上濺射厚度為35nm的氧化鈀材質(zhì)的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜250 ;磁控濺射參數(shù)為:工作氣壓為
0.2Pa，基板溫度為135°C，Ar氣流量為22sccm，02氣流量為25sccm，濺射功率為120W，濺射時間為50s。
[0076]為了證明本發(fā)明的良好效果，以制備64X64交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板為例進行了對比實驗，結(jié)果表明，與傳統(tǒng)的絲印工藝相比，本發(fā)明提供的印刷方法將移位介質(zhì)印刷方法和絲網(wǎng)傾斜印刷方法結(jié)合使用，使64X64交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的質(zhì)量有了明顯的改善，廢品率從傳統(tǒng)絲印工藝的大于80%降低至小于30%，效果明顯。圖6a中所示為金相顯微鏡下使用傳統(tǒng)絲印工藝制備的64X64交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的實物圖，圖中上方較大的圓圈標明了介質(zhì)層的分布范圍，下方較小的圓圈表示縱向?qū)ぶ冯姌O(Ag電極)的分布范圍。由圖6a可見，傳統(tǒng)絲印工藝所制備的64X64交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板縱向電極的擴散情況是很嚴重的，小圈中所標示的縱向電極寬度幾乎為原設(shè)計寬度的3倍，甚至更大，這樣縱向?qū)ぶ冯姌O非常容易擴散到橫向的掃描電極的第一電極部分而使交叉電極短路。另一方面，為了控制Ag漿料在介質(zhì)間的擴散，縱向?qū)ぶ冯姌O的引線部分難以連續(xù)印刷，往往會出現(xiàn)電極斷路的情況，只能在印刷完成后人為的進行Ag漿料補償使電極連續(xù)。圖6b所示為金相顯微鏡下本發(fā)明提供的印刷方法制備出的64X64交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的實物圖，二者比較可看出，經(jīng)過本發(fā)明的改進工藝后制備的介質(zhì)層覆蓋范圍明顯增大，介質(zhì)方形結(jié)構(gòu)之間只有縱向?qū)ぶ冯姌O的第二電極部分，大大降低了電極短路的概率，并且使得連續(xù)印刷的難度大大降低。
【權(quán)利要求】
1.一種交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的絲網(wǎng)印刷方法，其特征在于，包括以下步驟: 1)用磁控濺射法在基板上濺射若干組電極，形成電極陣列，其中每組電極包括縱向的第一電極(230)和橫向的第二電極(231)，且每組電極中第一電極(230)和第二電極(231)之間有8~20 μ m的間隙； 2)用絲網(wǎng)印刷法在電極陣列上印刷若干行橫向的掃描電極(200)，使電極陣列中每行的第一電極(230)共用一個掃描電極(200),印刷時將掃描電極(200)印刷在第一電極(230)遠離第二電極(231)的一端,使第一電極(230)靠近第二電極(231)的一端露出； 3)先用絲網(wǎng)印刷法在掃描電極(200)上印刷若干個介質(zhì)層(220)，然后用絲網(wǎng)印刷法在電極陣列和介質(zhì)層(220)上印刷若干列縱向的尋址電極(210)，使掃描電極(200)和尋址電極(210)的交叉部分通過介質(zhì)層(220)間隔開并絕緣，并使電極陣列中每列的第二電極(231)共用一個尋址電極(210)，印刷時將尋址電極(210)印刷在第二電極(231)遠離第一電極(230)的一端,使第二電極(231)靠近第一電極(230)的一端露出； 其中在印刷每個介質(zhì)層(220)時，使介質(zhì)層(220)由掃描電極(200)處分別向上下兩側(cè)縱向延伸，并使延伸部分的介質(zhì)層(220)的厚度沿延伸方向逐漸減?。? 4)用磁控濺射法在第一電極(230)和第二電極(231)相互靠近的一端及其間隙上濺射表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜(250 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的絲網(wǎng)印刷方法，其特征在于:所述的介質(zhì)層(220)由掃描電極(200)處分別向上下兩側(cè)縱向延伸至其一端靠近或相切于本單元的第二電極(231)的上邊緣，另一端靠近或相切于上一單元的第二電極(231)的下邊緣；或者一端靠近或相切于本單元的第二電極(231)的下邊緣，另一端靠近或相切于下一單元的第二電極(231)的上邊緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的絲網(wǎng)印刷方法，其特征在于:所述的介質(zhì)層(220)包括至少兩層絕緣介質(zhì)，各層絕緣介質(zhì)均采用絲網(wǎng)印刷法通過移位承印面板或絲網(wǎng)的位置依次印刷制得，使得到的介質(zhì)層(220)中位于掃描電極(200)上的部分的厚度大于兩側(cè)延伸部分的厚度，并使延伸部分的介質(zhì)層(220)的厚度沿延伸方向逐漸減?。黄渲薪z網(wǎng)印刷各層絕緣介質(zhì)的印刷參數(shù)為:刮刀角度為76~78。，刮刀速度為1.5~2cm/s,基板與刮刀的距離為12.5~15mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的絲網(wǎng)印刷方法，其特征在于:所述的介質(zhì)層(220)包括三層絕緣介質(zhì)，分別為第一層絕緣介質(zhì)(221)、第二層絕緣介質(zhì)(222)和第三層絕緣介質(zhì)(223);印刷時先將第一層絕緣介質(zhì)(221)印刷在下移的設(shè)計位置、上移的設(shè)計位置和設(shè)計位置中的任意一處，然后將第二層絕緣介質(zhì)(222)印刷在剩余兩處位置中的任意一處，最后將第三層絕緣介質(zhì)(223)印刷在最終剩余的位置上；其中印刷在設(shè)計位置上的絕緣介質(zhì)的橫軸與掃描電極(200)的橫軸重合；印刷在下移的設(shè)計位置上的絕緣介質(zhì)的上邊緣與掃描電極(200)的上邊緣重合；印刷在上移的設(shè)計位置上的絕緣介質(zhì)的下邊緣與掃描電極(200)的下邊緣重合。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的絲網(wǎng)印刷方法，其特征在于:所述的 介質(zhì)層(220)中每層絕緣介質(zhì)的厚度為8~12 μ m，介質(zhì)層(220)中位于掃描電極(200)上的部分的厚度為24~32 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的絲網(wǎng)印刷方法，其特征在于:構(gòu)成介質(zhì)層(220)的材料為日本NORITAKE公司生產(chǎn)的NP-7858R型絕緣材料，其主要成分為一氧化鉛。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的絲網(wǎng)印刷方法，其特征在于:構(gòu)成第一電極(230)和第二電極(231)的材料包括鉬、銅、鎳、鉻及其復合材料，其厚度為 10 ~20nm ； 所述的掃描電極(200)和尋址電極(210)的厚度為10~15μπι，構(gòu)成掃描電極(200)和尋址電極(210)為銀； 所述的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜(250)的厚度為30nm~60nm，構(gòu)成表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射薄膜(250)的材料包括氧化鋅或氧化鈕。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的絲網(wǎng)印刷方法，其特征在于:所述的步驟I)中磁控濺射的具體參數(shù)為:工作氣壓為0.13Pa，基板溫度為150~220°C，Ar氣流量為20~25sccm，濺射功率為150W，濺射時間為60~240s。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的絲網(wǎng)印刷方法，其特征在于:絲網(wǎng)印刷法印刷掃描電極和尋址電極的具體參數(shù)為:刮刀角度為76~78°，刮刀速度為.2~2.5cm/s,基板與刮刀的距離為12.5~15mm。
10.根據(jù)權(quán)利要 求7所述的交叉電極結(jié)構(gòu)的SED陰極基板的絲網(wǎng)印刷方法，其特征在于:所述的步驟4)中磁控濺射的具體參數(shù)為:工作氣壓為0.2Pa，基板溫度為135~150°C，Ar氣流量為20~25sccm，02氣流量為5~30sccm，濺射功率為100~150W，濺射時間為.40 ~600so
【文檔編號】H01J9/02GK103935145SQ201410131877
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年4月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月2日
【發(fā)明者】吳勝利, 王曉, 周子云, 張勁濤, 王文江, 劉震 申請人:西安交通大學