一種小束斑x射線設備的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種小束斑X射線設備。傳統(tǒng)的燈絲電子槍陰極發(fā)射點源面積大，電子源尺寸也比較大。本實用新型在X射線密封套筒內(nèi)裝有場發(fā)射電子槍陰極裝置，所場發(fā)射電子槍陰極裝置包括連接閃光電源的場發(fā)射燈絲，場發(fā)射燈絲與場發(fā)射電源陽極之間連接場發(fā)射電源；場發(fā)射燈絲在場發(fā)射電源產(chǎn)生的強電場下發(fā)射出電子束，電子束通過加速電源向加速電源陽極運動，加速后獲得高能量，使其成為高能電子束，高能電子束照射到利用環(huán)狀靶材冷卻水裝置冷卻的靶上，產(chǎn)生X射線；產(chǎn)生的X射線通過鈹窗射出X射線密封套筒。本實用新型使用場發(fā)射陰極所產(chǎn)生的束斑尺寸很小的電子束來激發(fā)陽極靶材，使X射線的光斑效果能夠達到近似點光源效果。
【專利說明】一種小束斑X射線設備
【技術(shù)領域】
[0001]本實用新型屬于醫(yī)療器械【技術(shù)領域】，涉及一種小束斑X射線設備。
【背景技術(shù)】
[0002]在醫(yī)學和工業(yè)生產(chǎn)中，為診斷使用X射線設備。這種X射線設備具有X射線輻射器，該X射線輻射器又包括用于產(chǎn)生X射線的X射線管。在抽成真空的X射線管中，設有發(fā)射電子的陰極。通過高壓，這些電子朝陽極的方向加速，最后穿透到陽極材料中，由此產(chǎn)生X射線。
[0003]傳統(tǒng)的燈絲電子槍陰極發(fā)射點源面積大，因此電子源尺寸也比較大(約50?100 μ m),使得陰極X射線管所產(chǎn)生的X射線的束斑面積較大，成像質(zhì)量較差，而且，由于X射線光子具有散射性，當大束斑的X射線作用于被檢體時，不需要檢查的身體部位也會接收到部分X射線的照射，從而對被檢體造成傷害。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種小束斑X射線設備。
[0005]本實用新型解決技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案為:
[0006]小束斑X射線設備，在X射線密封套筒內(nèi)裝有場發(fā)射電子槍陰極裝置，所述的場發(fā)射電子槍陰極裝置包括連接閃光電源的場發(fā)射燈絲，場發(fā)射燈絲與場發(fā)射電源陽極之間連接場發(fā)射電源；場發(fā)射燈絲在場發(fā)射電源產(chǎn)生的強電場下發(fā)射出電子束，電子束通過加速電源向加速電源陽極運動，加速后獲得高能量，使其成為高能電子束，高能電子束照射到利用環(huán)狀靶材冷卻水裝置冷卻的靶上，產(chǎn)生X射線；產(chǎn)生的X射線通過鈹窗射出X射線密封套筒。
[0007]本實用新型的有益效果:本裝置使用場發(fā)射陰極所產(chǎn)生的束斑尺寸很小(可以到nm量級)的電子束來激發(fā)陽極靶材，使X射線的光斑效果能夠達到近似點光源效果。在X射線無損檢測中使用本裝置，在成像時會使X射線圖像清晰度更高，且可以避免對身體其他部位造成不必要的傷害。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0009]如圖1所示，在真空的X射線密封套筒I內(nèi)裝有場發(fā)射電子槍陰極裝置。該場發(fā)射電子槍陰極裝置包括連接閃光電源2的場發(fā)射燈絲3。場發(fā)射燈絲3與場發(fā)射電源陽極4之間連接場發(fā)射電源5。場發(fā)射燈絲3在場發(fā)射電源5產(chǎn)生的強電場下發(fā)射出電子束6。電子束6通過加速電源7向加速電源陽極8運動，加速后獲得很高的能量，高能電子束照射到利用環(huán)狀靶材冷卻水裝置9冷卻的靶10上產(chǎn)生X射線11，由于靶10較薄，產(chǎn)生的X射線 11則通過鈹窗12射出X射線管。
【權(quán)利要求】
1.一種小束斑X射線設備，其特征在于:在X射線密封套筒內(nèi)裝有場發(fā)射電子槍陰極裝置，所述的場發(fā)射電子槍陰極裝置包括連接閃光電源的場發(fā)射燈絲，場發(fā)射燈絲與場發(fā)射電源陽極之間連接場發(fā)射電源；場發(fā)射燈絲在場發(fā)射電源產(chǎn)生的強電場下發(fā)射出電子束，電子束通過加速電源向加速電源陽極運動，加速后獲得高能量，使其成為高能電子束，高能電子束照射到利用環(huán)狀靶材冷卻水裝置冷卻的靶上，產(chǎn)生X射線；產(chǎn)生的X射線通過鈹窗射出X射線密封套筒。
【文檔編號】H01J35/06GK203415538SQ201320408643
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年7月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月10日
【發(fā)明者】李紅霞, 席俊華, 季振國, 李陽陽, 張峻 申請人:杭州電子科技大學