導光組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了導光組件，與至少一發(fā)光組件配合構成一光源模塊，所述發(fā)光組件具有一發(fā)光區(qū)域，所述導光組件包含一導光本體，所述導光本體具有一入光部及一底面，所述入光部具有一入光面及一凹槽，所述入光面鄰接于所述底面，所述入光面及所述底面配合界定一底邊，所述導光本體上界定一與所述底邊平行的第一方向，所述凹槽沿著所述第一方向延伸，所述凹槽在一垂直于所述第一方向的第二方向的長度介于所述發(fā)光區(qū)域在所述第二方向的長度的1/10至1/3?？梢越档瓦M入其內并傳遞至后端面的光線的光量，破壞指向性，使大部分的光線都能提早發(fā)散，進而通過出光面出射，以此提高入射至導光組件的光線的光利用效率。
【專利說明】導光組件

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種導光組件，尤指一種可以有效提高光使用效率的導光組件。

【背景技術】
[0002]參閱圖1，為已知光源模塊的結構不意圖。光源模塊10包含一導光板12及一發(fā)光組件14。導光板12包含一入光面120、一出光面122、一底面124及一后端面126,出光面122鄰接于入光面120，底面124相反于出光面122并鄰接于入光面120，后端面126相反于入光面120并同時鄰接于出光面122及底面124。出光面122及/或底面124上設置有圖案狀的微結構128。在圖1中，微結構128是設置在導光板12的出光面122，微結構128用以萃取光線。
[0003]發(fā)光組件14設置鄰近于入光面120并朝向入光面120發(fā)出光線，使大部分的光線得以進入導光板12。發(fā)光組件14與導光板12配合構成一側光式的光源模塊,藉此，由導光板12側向的入光面120入射的大部分光線，會通過位于導光板12正向的出光面122向外界出射。
[0004]進入導光板12的光線可以依據(jù)傳遞方式的不同而分為三類:第一類光線LI在接觸到出光面122時，部分發(fā)生散射或折射直接地通過出光面122出光，部分反射回導光板12，微結構128的設計可以控制出光量；第二類光線L2通常設計為在底面124發(fā)生全內反射(totalinternal reflect1n)進而在導光板12內部傳遞,第二類光線L2在傳遞至出光面122的微結構128時，相當于第一類光線LI，部分發(fā)生散射或折射直接地通過出光面122出光，部分反射回導光板12持續(xù)到其能量被耗盡。第三類光線L3指向性地朝向導光板12的后端面126傳遞，并在遠光側形成前述第一類光線LI或第二類光線L2。光源模塊10對應于圖1所示的視角的配光曲線Cl如圖2所示。
[0005]從圖2所示，由于第三類光線L3具有高度指向性，須經(jīng)過較長的光程，方能在較接近導光板12的后端面126的位置被轉換成前述第一類光線LI或第二類光線L2進而出光，意即第三類光線L3在導光板12內部能量最多，但出光效率卻最差，致使光源模塊10的光利用效率降低。其中，光源模塊10的光利用效率是指由入光面120入射的光線與由出光面122出射的光線的比值。
[0006]雖然，業(yè)內亦有加工入光面120微結構的設計，以提升導光板12所能接收之光源模塊10提供的光量；但其均著眼于霧化光源模塊10提供的光線或均勻化入光面120所接收到的光線，亦即提升光源模塊10進入到入光面120的光量。在前述光利用效率的定義下，并無助于提升由入光面120入射到導光板12的光線，與由出光面122出射的光線的比值。前述加工入光面120微結構的設計，亦多為重復布局的圖樣，無助于對前述第三類光線L3特別處理。


【發(fā)明內容】

[0007]鑒于現(xiàn)有技術所述，本發(fā)明在于提供一種導光組件，此導光組件可以降低進入其內并傳遞至后端面的光線的光量，破壞指向性，使大部分的光線都能提早發(fā)散，進而通過出光面出射，藉以提高入射至導光組件的光線的光利用效率。
[0008]本發(fā)明一實施方式提供一種導光組件，導光組件與至少一發(fā)光組件配合構成一光源模塊，發(fā)光組件具有一發(fā)光區(qū)域，導光組件包含一導光本體，導光本體具有一入光部及一底面，入光部具有一入光面及一凹槽，入光面鄰接于底面，入光面及底面配合界定一底邊，導光本體上界定一與底邊平行的第一方向，凹槽沿著第一方向延伸，凹槽在一垂直于第一方向的第二方向的長度介于發(fā)光區(qū)域在第二方向的長度的1/10至1/3。
[0009]本發(fā)明其它實施方式中，凹槽的夾角可設計為60至120度，以取得特定的展光效果O
[0010]另一方面，凹槽的結構從剖面觀之，可為一第一表面與一第二表面所組成，當然亦可延伸設計一第三表面；
[0011]申言之，凹槽與導光本體配合界定一第一表面及一第二表面，第一表面鄰接于入光面,第二表面鄰接于入光面及第一表面。
[0012]舉例而言，第一表面及第二表面可于一實施方式中設計為平面，第一表面以一角度傾斜地鄰接于入光面，第二表面以另一角度傾斜地連接于入光面及第一表面。
[0013]在另一實施方式中，第一表面可設計為大致垂直于入光面，第二表面則設計為以一角度傾斜地鄰接于入光面及第一表面。
[0014]在又一實施方式中，第一表面可設計為大致垂直于入光面，第二表面則設計為呈弧狀地鄰接于入光面及第一表面。
[0015]當然，在其它實施方式中，凹槽亦可僅具有一曲率呈連續(xù)分布的內凹表面；或由一第一表面、一第二表面與一第三表面所組成，進而在截面上呈現(xiàn)三個線段相連的結構。
[0016]由另一個角度觀之，在本發(fā)明其它實施方式中，凹槽可由多個沿著第一方向呈間隔排列的凹穴組成，亦可由二個以上沿著第二方向間隔排列，且在第一方向平行延伸的刻痕組成。
[0017]通過上述技術方案，本發(fā)明的有益效果是:
[0018]藉此，前述諸實施方式的凹槽，其第二方向的長度介于發(fā)光區(qū)域在第二方向的長度的1/10至1/3，可有益地破壞光源模塊所提供之指向性光線的光型，改變光源模塊的配光曲線，提升前述第三類光線L3的使用效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為現(xiàn)有之光源模塊的結構示意圖。
[0020]圖2為對應圖1所示的光源模塊的配光曲線圖。
[0021]圖3為本發(fā)明第一實施方式的導光板的立體圖。
[0022]圖4為本發(fā)明第一實施方式的光源模塊的結構示意圖。
[0023]圖5為對應圖4所示的光源模塊的配光曲線圖。
[0024]圖6至圖10為本發(fā)明第一實施方式的光源模塊對應不同角度的凹槽的配光曲線圖。
[0025]圖11為本發(fā)明第二實施方式的導光組件的結構示意圖。
[0026]圖12為本發(fā)明第三實施方式的導光組件的結構示意圖。
[0027]圖13為本發(fā)明第四實施方式的導光組件的結構示意圖。
[0028]圖14為本發(fā)明第五實施方式的導光組件的立體圖。
[0029]圖15為本發(fā)明第六實施方式的導光組件的立體圖。
[0030]圖16為本發(fā)明第七實施方式的導光組件的立體圖。
[0031]圖17為反向教示實驗例的光源模塊的結構示意圖。
[0032]圖18為對應圖17所示的光源模塊的配光曲線圖。
[0033]符號說明
[0034]10、2O、5O 光源模塊
[0035]12、22 導光板
[0036]120、220、320 入光面
[0037]122、222、342 出光面
[0038]124、224 底面
[0039]126、226、340 后端面
[0040]128、228、346 微結構
[0041]14、24、40 發(fā)光組件
[0042]2200 凸部
[0043]30,30A,30B,30C,30D,30E,30F 導光組件
[0044]3U31A,31B,31C,31D,31E,31F 導光本體
[0045]32、32D、32E、32F 入光部
[0046]322、322A、322B、322C、322D、322E、322F、323F 凹槽 3220D、3220F 刻痕
[0047]3220E、3222F 凹穴
[0048]324、324A、324B、324C 第一表面
[0049]326、326A、326B 第二表面
[0050]33 底面
[0051]330 底邊
[0052]C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8 配光曲線
[0053]Dl第一方向
[0054]D2第二方向
[0055]D3第三方向
[0056]LI第一光線
[0057]L2第二光線
[0058]L3第三光線

【具體實施方式】
[0059]請參考附圖所示，本發(fā)明的額外目的、特征及優(yōu)點將透過下列多個實施方式，闡釋性及非限制性詳細描敘予以更好地理解。
[0060]參閱圖3，為本發(fā)明第一實施方式的導光組件的立體圖。導光組件30為使用透明樹脂材料或透明塑料，如:聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate, PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene，PS)制成的板狀體；導光組件30用以引導入射于其內的光線的行進方向，藉以提供一面型光源。
[0061]導光組件30與一發(fā)光組件40配合構成一光源模塊50，如圖4所示。發(fā)光組件40具有一發(fā)光區(qū)域400，發(fā)光區(qū)域400是指發(fā)光組件40可供發(fā)出光線的地方。在本實施方式中，光源模塊50為側光型(side view)光源模塊。發(fā)光組件40可例如(但不限制為)側向發(fā)光型(side view)的發(fā)光二極管(light emitting d1de, LED)。
[0062]同時參閱圖3及圖4。導光組件30具有一導光本體31，導光本體31具有一入光部32及一底面33，入光部32具有一入光面320及一凹槽322。入光面320鄰接于底面33，入光面320及底面33配合界定一底邊330，導光本體31上界定一與底邊330平行的第一方向D1，凹槽322沿著第一方向Dl延伸，凹槽322在一垂直于第一方向Dl的第二方向D2的長度介于發(fā)光區(qū)域400在第二方向D2的長度的1/10至1/3。發(fā)光組件40設置入光面320一側，并朝向入光面320發(fā)出光線。經(jīng)實驗，若凹槽322長度不滿足所述介于發(fā)光區(qū)域400長度1/10至1/3的限制，則難以有效將發(fā)光區(qū)域400發(fā)出的光包予以展開，對光型形成有益的破壞性干擾。
[0063]在本實施方式中，凹槽322恰好位于入光面320在第二方向D2的中央位置，凹槽322的開口面位于一垂直于第一方向Dl的第三方向D3，且凹槽322連續(xù)地形成在入光部32上。發(fā)光組件40對應設置在凹槽322前方，實際實施時則不以此為限。在此要說明的是，當發(fā)光組件40的數(shù)量大于一個時，則多個發(fā)光組件40沿著第一方向Dl間隔排列，且相鄰二發(fā)光組件40的間距依據(jù)各發(fā)光組件40的發(fā)光強度不同而調整。
[0064]凹槽322與導光本體31界定一鄰接于入光面320的第一表面324及一鄰接于第一表面324及入光面320的第二表面326,第一表面324及第二表面326分別為平面,并分別具有一角度傾斜地鄰接于入光面320，使凹槽322呈V形并具有一夾角Θ。
[0065]發(fā)光組件40發(fā)出的光線通過入光面320、第一表面324及第二表面326進入導光本體31，由于第一表面324及第二表面326分別具有一角度傾斜地連接入光面320，故通過第一表面324及第二表面326進入導光本體31的光線的傳遞方向不同于單純通過入光面320進入導光本體31的光線的傳遞方向(如圖4所示)，藉此其可有益地破壞光型的指向性，使進入導光本體31的大部分光線都可以經(jīng)由出光面342出射，進而使光源模塊50的發(fā)光效率提高。其中，出光面342相反于底面33并鄰接于入光面320及后端面340。
[0066]在一般狀況下，導光本體31有二相反側面344，各側面344分別鄰接于入光面320、后端面340、出光面342及底面33。凹槽322形成在導光本體31上的長度等于側面344的長度。然亦不以此為限，本實施方式的設計在于凹槽322與發(fā)光區(qū)域400在第二方向D2上的比例，凹槽322在第一方向Dl上的參數(shù)設計自當可基于本實施方式的教示，而隨各種形狀的導光本體31變化，例如二相反側面344呈一夾角外擴或內縮。
[0067]為了使導光組件30達成均勻出光的效果，出光面342及底面344中至少一個設置有圖案狀的微結構346。設置于出光面342的微結構346是用以散射光線，使光線通過出光面342后向外出射(意即使光線離開導光本體31);設置于底面344的微結構346是用以反射傳遞至底面344的光線，使光線能夠傳遞至出光面342，并通過出光面342向外出射(意即使光線離開導光本體31)。在本實施方式中，微結構346是以設置在底面344為例。其次，為了使得通過出光面342出射的光線的光強度均勻，微結構346的布設面積、布設密度及布設深度可以依據(jù)各微結構所能接收到的光強度而調整，例如(但不限定)微結構346的布設面積、布設密度及布設深度與所接收到的光強度成反比。
[0068]參閱圖5，為對應圖4的光源模塊的配光曲線圖。圖5所示的配光曲線C2是以圖4所示的視角量測所得；入光面320是貼合于坐標軸O度兩側各90度的聯(lián)機，且入光面320在第二方向D2的中心點對齊于坐標軸O度。藉由比較圖2及圖5可以得知:在導光本體31上形成凹槽322可以有效地降低坐標軸O度兩側各10度范圍內的光強度；其次，在導光本體31上形成凹槽322可以使光線的傳遞角度由圖2所示的坐標軸O度兩側各40度提高為圖5所示的坐標軸O度兩側各約45度。因此，在導光本體31上形成凹槽322可以有效地降低朝向后端面340傳遞的高指向性光量，并提高傳遞至出光面342及底面344的光量，進而達成提高光利用效率之效果。
[0069]此外，要說明的是，凹槽322的夾角Θ影響光型變化，圖6至圖10為本發(fā)明第一實施方式的光源模塊對應不同角度的凹槽的配光曲線圖。
[0070]圖6所示的配光曲線C3為對應夾角30度的凹槽所完成的配光曲線圖。藉由比較圖2及圖6可以得知；夾角Θ為30度的凹槽322雖然有效地降低了傳遞至后端面340的光線的強度，但同時也讓傳遞至坐標軸O度兩側各20至30度位置的光強度大幅地降低，導致進入導光本體31的光線在遠光側較弱，且近光側太強，即坐標軸40度位置明顯分光，易產(chǎn)生近光源的亮線，導致光強度整體不均勻，故僅限于特殊應用。
[0071]圖7所示的配光曲線C4為對應夾角60度的凹槽所完成的配光曲線圖。藉由比較圖2及圖7可以得知:夾角Θ為60度的凹槽322有效降低了坐標軸O度兩側各約15度范圍內的光線的強度，減少傳遞至后端面340的光量。且夾角Θ為60度的凹槽322同時也讓光線的傳遞角度達到坐標軸O度兩側各約43度，使坐標軸O度的光線分散在坐標軸O度兩側各15至43度范圍內，讓更多的光提早碰觸出光面342及底面344，有效地提高光利用效率，適于應用在小尺寸的導光本體31。
[0072]圖8所示的配光曲線C5為對應夾角90度的凹槽所完成的配光曲線圖。藉由比較圖2及圖8可以得知:夾角Θ為90度的凹槽322降低了傳遞至坐標軸兩側各約5度范圍內的光線的強度，藉以降低傳遞至后端面340的光量。因為坐標軸O度方向降低的比例較小，相較于圖7，更適于應用在中尺寸的導光本體31。夾角Θ為90度的凹槽322有效地維持了在坐標軸兩側各5至40度范圍內的光線的強度，并使得光線的傳遞角度達到坐標軸兩側各約43度的位置。
[0073]圖9所示的配光曲線C6為對應夾角120度的凹槽所完成的配光曲線圖。藉由比較圖2及圖9可以得知:夾角Θ為120度的凹槽322可以降低傳遞至坐標軸O度兩側各15至40度范圍內的光線的強度。其次，坐標軸O度兩側各O至15度范圍內的光線的強度大致相同于圖2所示的配光曲線Cl在坐標軸O度兩側各O至15度范圍內的光線的強度，藉以避免長光程的光源模塊在靠近后端面340處產(chǎn)生亮度不足的問題，適于應用在大尺寸的導光本體31。
[0074]圖10所示的配光曲線C7為對應夾角150度的凹槽所完成的配光曲線圖。藉由比較圖2及圖10可以得知:夾角Θ為150度的凹槽322進入導光本體31的光線的配光曲線C7大致相同于圖2所示的配光區(qū)線Cl，破壞光型的效果并不明顯。
[0075]由前述內容可知，夾角Θ介于60度至120度間的凹槽322能夠有效地降低傳遞至后端面340的光線，進而達成光源模塊50光利用效率的提高。
[0076]參閱圖11，為本發(fā)明第二實施方式的導光組件的結構示意圖。圖11所示的導光組件30A與第一實施方式的導光組件30類似，且相同的組件標示以相同的符號。值得注意的是，兩者的差異在于:圖11所示的導光組件30A的導光本體31A與凹槽322A配合界定一第一表面324A及一第二表面326A,第一表面324A鄰接于入光面320并大致垂直于入光面320，第二表面326A設計為平面，第二表面326A具有一角度傾斜地鄰接于入光面320及第一表面324A。
[0077]通過第一表面324A及第二表面326A進入導光本體3IA的光線的傳遞方向不同于通過入光面320進入導光本體31A的光線的傳遞方向，藉以降低光線直接地傳遞至一相反于入光面320的端面340，使進入導光本體31A的大部分光線都可以經(jīng)由一鄰接入光面320及后端面340之出光面342出射，進而使得具有導光組件30A之光源模塊的發(fā)光效率提高。導光組件30A的各組件之功用與相關說明，實際上與第一實施方式的導光組件30相同，在此不予贅述。導光組件30A至少可達到與導光組件30相同的功能。
[0078]配合參閱圖12，為本發(fā)明第三實施方式之導光組件之結構示意圖。圖12所示之導光組件30B與第一實施方式的導光組件30類似,且相同的組件標不以相同的符號。值得注意的是，兩者的差異在于:圖12所示的導光組件30B的導光本體31B與凹槽322B配合界定一第一表面324B及一第二表面326B ;第一表面324B鄰接于入光面320并大致垂直于入光面320，第二表面326B呈弧狀地鄰接于入光面320及第一表面324B。
[0079]通過第一表面324B及第二表面326B進入導光本體31B的光線的傳遞方向不同于通過入光面320進入導光本體31B的光線的傳遞方向，藉以降低光線直接地傳遞至一相反于入光面320的后端面340，使進入導光本體31B的大部分光線都可以經(jīng)由一鄰接于入光面320及后端面340的出光面342出射，進而使得具有導光組件30B的光源模塊的發(fā)光效率提高。導光組件30B的各組件的功用與相關說明，實際上與第一實施方式的導光組件30相同，在此不予贅述。導光組件30B至少可達到與導光組件30相同的功能。
[0080]參閱圖13，為本發(fā)明第四實施方式的導光組件的結構示意圖。圖13所示的導光組件30C與第一實施方式的導光組件30類似，且相同的組件標示以相同的符號。值得注意的是，兩者的差異在于:圖13所示的導光組件30C的導光本體31C與凹槽322C配合界定一第一表面324C及一第二表面324C，第一表面324C鄰接于入光面320，第二表面326C鄰接于入光面320及第一表面324C ;第一表面324C及第二表面326C分別為弧面，且第一表面及第二表面相鄰接處的曲率呈連續(xù)分布。
[0081]通過第一表面324C及第二表面326C進入導光本體31C的光線的傳遞方向不同于通過入光面320進入導光本體31C的光線的傳遞方向，藉以降低光線直接地傳遞至一相反于入光面320的后端面340，使進入導光本體31C的大部分光線都可以經(jīng)由一鄰接于入光面320及后端面340的出光面342出射，進而使得具有導光組件30C的光源模塊的發(fā)光效率提高。導光組件30C的各組件的功用與相關說明，實際上與第一實施方式的導光組件30相同，在此不予贅述。導光組件30C至少可達到與導光組件30相同的功能。
[0082]參閱圖14，為本發(fā)明第五實施方式的導光組件的立體圖。圖14所示的導光組件30D與第一實施方式的導光組件30類似，且相同的組件標示以相同的符號。值得注意的是，兩者的差異在于:圖14所示的導光組件30D的入光部32D上形成有一由多個刻痕3220D組成的凹槽322D。
[0083]各刻痕3220D沿著第一方向Dl延伸，這些刻痕3220D沿著第二方向D2呈等距間隔排列。各刻痕3220D可供用以改變入射的光線傳遞方向，藉以降低進入導光本體3ID的光線被傳遞至后端面340的光量，進而達成光利率效率的提升。導光組件30D的各組件的功用與相關說明，實際上與第一實施方式的導光組件30相同，在此不予贅述。導光組件30D至少可達到與導光組件30相同的功能。
[0084]參閱圖15，為本發(fā)明第六實施方式的導光組件的立體圖。圖15所示的導光組件30E與第一實施方式的導光組件30類似，且相同的組件標示以相同的符號。值得注意的是，兩者的差異在于:圖15所示的導光組件30E的入光部32E上形成有一由多個凹穴3220E組成的凹槽322E。這些凹穴3220E沿著第一方向Dl呈等距間隔排列。
[0085]各凹穴3220E可供用以改變入射的光線傳遞方向，藉以降低進入導光本體31E的光線被傳遞至后端面340，進而達成光利率效率的提升。導光組件30E的各組件的功用與相關說明，實際上與第一實施方式的導光組件30相同，在此不予贅述。導光組件30E至少可達到與導光組件30相同的功能。
[0086]參閱圖16，為本發(fā)明第七實施方式的導光組件的立體圖。圖16所示的導光組件30F與第一實施方式的導光組件30類似，且相同的組件標示以相同的符號。值得注意的是，兩者的差異在于:圖16所示的導光組件30的入光部32F上形成有一由多個刻痕3220F及多個凹穴3222F組成的凹槽322F。凹穴3222F沿著第一方向Dl呈等距間隔排列，且凹穴3222F位于相鄰的二刻痕3220F之間，這些凹穴3222F與相鄰的二刻痕3220F呈等間距排列。
[0087]這些刻痕3220F及這些凹穴3222F可供用以改變入射的光線傳遞方向，藉以降低進入導光本體31F的光線被傳遞至后端面340的光量，進而達成光利率效率的提升。導光組件30F的各組件的功用與相關說明，實際上與第一實施方式的導光組件30相同，在此不予贅述。導光組件30F至少可達到與導光組件30相同的功能。
[0088]參閱圖17，為反向教示實驗例的光源模塊的結構示意圖。本案創(chuàng)作人為求嚴謹，實驗與前述凹槽反向的凸部2200結構如下:光源模塊20包含一導光板22及一發(fā)光組件24，導光板包含一入光面220、一出光面222、一底面224及一后端面226。出光面222鄰接于入光面220，底面224相反于出光面222并鄰接于入光面220，后端面226相反于入光面220并鄰接于出光面222及底面224。出光面222及/或底面224設置有復數(shù)微結構228，這些微結構228用以改變傳遞至其上的光線的行進路徑。
[0089]入光面220具有一相反于后端面226方向凸出的凸部2200，發(fā)光組件24對應設置于凸部2200前方，并朝向入光面220發(fā)出光線。光源模塊20對應于圖17所示的視角的配光曲線C8如圖18所示。
[0090]藉由比較圖2的配光曲線Cl及圖18的配光曲線C8可以得知，形成于入光面220的凸部2200會使得投射至導光板22的后端面226的光量提升，如此一來，會造成出光面222出射的光量更加地降低，進而導致光源模塊20的光利用效率降低。
[0091]然以上所述者，僅為本發(fā)明的較佳實施方式，當不能限定本發(fā)明實施的范圍，即凡依本發(fā)明申請專利范圍所作的均等變化與修飾等，皆應仍屬本發(fā)明的專利涵蓋范圍意圖保護之范疇。
【權利要求】
1.導光組件，與至少一發(fā)光組件配合構成一光源模塊，所述發(fā)光組件具有一發(fā)光區(qū)域，其特征在于，所述導光組件包含: 一導光本體，具有一底面； 一入光部，位于所述導光本體上，具有一入光面，所述入光面鄰接于所述底面，所述入光面及所述底面配合界定一底邊，所述導光本體上界定一與所述底邊平行的第一方向；及 一凹槽，位于所述入光部，所述凹槽沿著所述第一方向延伸，所述凹槽在一垂直于所述第一方向的第二方向的長度介于所述發(fā)光區(qū)域在所述第二方向的長度的1/10至1/3。
2.如權利要求1所述的導光組件，其特征在于，其中所述凹槽的夾角為60至120度。
3.如權利要求1所述的導光組件，其特征在于，其中所述凹槽與所述導光本體配合界定一第一表面及一第二表面，所述第一表面鄰接于所述入光面，所述第二表面鄰接于所述入光面及所述第一表面。
4.如權利要求3所述的導光組件，其特征在于，其中所述第一表面及所述第二表面分別為平面，所述第一表面具有一角度傾斜地鄰接于所述入光面，所述第二表面具有一角度傾斜地連接于所述入光面及所述第一表面。
5.如權利要求3所述的導光組件，其特征在于，其中所述第一表面大致垂直于所述入光面，所述第二表面具有一角度傾斜地鄰接于所述入光面及所述第一表面。
6.如權利要求3所述的導光組件，其特征在于，其中所述第一表面大致垂直于所述入光面，所述第二表面呈弧狀地鄰接于所述入光面及所述第一表面。
7.如權利要求1所述的導光組件，其特征在于，其中所述凹槽由多個沿著所述第一方向呈間隔排列的凹穴所組成。
8.如權利要求1所述的導光組件，其特征在于，其中所述凹槽由二個以上沿著所述第二方向間隔排列，且在所述第一方向平行延伸的刻痕組成。
9.如權利要求1所述的導光組件，其特征在于，其中所述凹槽系由多個沿著所述第一方向呈間隔排列的凹穴，與二個以上沿著所述第二方向間隔排列，且在所述第一方向平行延伸的刻痕組成。
【文檔編號】F21Y101/02GK104280812SQ201310275678
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2013年7月3日 優(yōu)先權日:2013年7月3日
【發(fā)明者】葉鈞皓 申請人:蘇州茂立光電科技有限公司