磁分析器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種磁分析器，包括軛鐵和設(shè)于軛鐵外的磁鐵，所述軛鐵包圍形成的離子飛行管道內(nèi)設(shè)有束板，所述束板上開有多個穿透束板的離子通道，每個所述離子通道對應(yīng)一特定質(zhì)荷比離子的偏轉(zhuǎn)半徑。本發(fā)明能夠一次性析出多種離子，實現(xiàn)了阱注入工藝多種離子的一次性注入，提高了離子注入的效率，降低了制造周期，提高了生產(chǎn)效率。
【專利說明】磁分析器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及離子注入領(lǐng)域，特別是涉及一種磁分析器。

【背景技術(shù)】
[0002] 在一般的互補型金屬氧化物半導體（CMOS)制造流程中，第一步往往是定義 M0SFET的有源區(qū)。現(xiàn)在的許多亞微米工藝通常采用雙阱工藝來定義nMOS和pMOS晶體管的 有源區(qū)，阱注入工藝在決定了晶體管閾值電壓的同時，還涉及到CMOS電路門鎖效應(yīng)和其它 一些可靠性方面的問題。
[0003] 傳統(tǒng)的制造工藝中，每個阱的形成都至少包括三到五步主要步驟，嚴重影響制造 周期（cycle time)。為滿足客戶快速搶占市場的需求，在既定產(chǎn)能的條件下，有效改善 cycle time刻不容緩。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 基于此，有必要提供一種能提高離子注入的效率的磁分析器。
[0005] -種磁分析器，包括軛鐵和設(shè)于軛鐵外的磁鐵，所述軛鐵包圍形成的離子飛行管 道內(nèi)設(shè)有束板，所述束板上開有多個穿透束板的離子通道，每個所述離子通道對應(yīng)一特定 質(zhì)荷比離子的偏轉(zhuǎn)半徑。
[0006] 在其中一個實施例中，所述離子通道是通孔。
[0007] 在其中一個實施例中，所述離子通道是狹縫。
[0008] 在其中一個實施例中，所述束板的材質(zhì)為石墨。
[0009] 在其中一個實施例中，還包括固定設(shè)置于所述束板上的固定件和與所述固定件活 動連接的擋片，所述擋片可將所述離子通道遮擋。
[0010] 上述磁分析器能夠一次性析出多種離子，實現(xiàn)了阱注入工藝多種離子的一次性注 入，提高了離子注入的效率，降低了制造周期（cycle time)，提高了生產(chǎn)效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 圖1是一實施例中磁分析器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012] 圖2是一實施例中束板的剖視圖。

【具體實施方式】
[0013] 為使本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具 體實施方式做詳細的說明。
[0014] 阱注入使用的離子注入設(shè)備包含磁分析器，用于選擇出需要注入的離子。傳統(tǒng)的 磁分析器一次只能選擇出一種質(zhì)荷比的離子，對于需要注入多種離子的阱注入工藝，制造 周期（cycle time)較長。
[0015] 因此，本發(fā)明提供一種可以一次析出多種離子的磁分析器，包括軟磁材料的軛鐵， 軛鐵外壁貼設(shè)有磁鐵，通過軛鐵包圍形成供離子束通過的離子飛行管。請參照圖1，本發(fā)明 在軛鐵包圍形成的離子飛行管道內(nèi)增設(shè)了一塊束板10。圖2是一實施例中束板10的剖視 圖，束板10上開有多個穿透束板的離子通道，每個離子通道對應(yīng)一特定質(zhì)荷比的離子的偏 轉(zhuǎn)半徑。我們知道根據(jù)帶電粒子在磁場中運動的原理，質(zhì)荷比不同的離子在某一吸極電壓 和磁場強度條件下，其偏轉(zhuǎn)半徑不同，本發(fā)明于磁分析器預(yù)設(shè)的電場強度和磁場強度條件 下，計算出阱注入工藝所需幾種特定離子的偏轉(zhuǎn)半徑，再于束板10上開設(shè)出與偏轉(zhuǎn)半徑對 應(yīng)的離子通道。
[0016] 圖2所示實施例中需要析出3種離子，其偏轉(zhuǎn)半徑分別為R1、R2、R3。磁分析器在 工作時，被選擇的偏轉(zhuǎn)半徑為Rl、R2、R3的離子都能通過磁分析器，其余離子則被束板所阻 擋。通過磁分析器的離子再通過聚焦裝置聚焦在一起，從而實現(xiàn)多種離子一次性注入。離 子通道可以是至少一個通孔，也可以是縫隙。
[0017] 上述磁分析器能夠一次性析出多種離子，實現(xiàn)了阱注入工藝多種離子的一次性注 入，降低了制造周期（cycle time),提高了生產(chǎn)效率。
[0018] 在其中一個實施例中，束板為石墨束板。
[0019] 在優(yōu)選的實施例中，可以于束板上每個離子通道處增設(shè)活動機構(gòu)，每個活動機構(gòu) 可以實現(xiàn)對應(yīng)離子通道的遮擋/打開，以適應(yīng)不同的阱注入工藝。在其中一個實施例中，磁 分析器包括固定設(shè)置于束板上的固定件和與固定件活動連接的擋片，通過移動擋片可以實 現(xiàn)對離子通道的遮擋/打開。
[0020] 以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并 不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保 護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
【權(quán)利要求】
1. 一種磁分析器，包括軛鐵和設(shè)于軛鐵外的磁鐵，其特征在于，所述軛鐵包圍形成的離 子飛行管道內(nèi)設(shè)有束板，所述束板上開有多個穿透束板的離子通道，每個所述離子通道對 應(yīng)一特定質(zhì)荷比離子的偏轉(zhuǎn)半徑。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁分析器，其特征在于，所述離子通道是通孔。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁分析器，其特征在于，所述離子通道是狹縫。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁分析器，其特征在于，所述束板的材質(zhì)為石墨。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁分析器，其特征在于，還包括固定設(shè)置于所述束板上的固 定件和與所述固定件活動連接的擋片，所述擋片可將所述離子通道遮擋。
【文檔編號】H01J37/05GK104103479SQ201310114301
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2013年4月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月2日
【發(fā)明者】郭楠, 曹志偉 申請人:無錫華潤上華科技有限公司