專利名稱：半導體制造設備及其維護方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造工藝，更具體地說，本發(fā)明涉及一種半導體制造設備及其維護方法。
背景技術：
在半導體制造過程中，對于很多工藝，需要向處理腔室中通入工藝氣體，例如對于半導體刻蝕工藝，需要向處理腔室中通入刻蝕氣體或者向處理腔室中通入其它輔助氣體。圖I示意性地示出了根據現有技術的這類半導體制造設備的框圖。如圖I所示，根據現有技術的這類半導體制造設備包括處理腔室I、氣體源2以及氣體線路3。其中，所述氣體線路3的第一端連接至所述氣體源2，并且所述氣體線路3的第二端連接至所述處理腔室1，從而向處理腔室I提供處理氣體。但是，對于圖I所示的根據現有技術的半導體制造設備，存在一個問題，即，在對根據現有技術的這類半導體制造設備進行定期維護或者不定期維護時，需要打開處理腔室I;由此，在處理腔室I打開時，處理腔室I會暴露至大氣氛圍中，而且，與處理腔室I相連的氣體線路3同樣會暴露至大氣氛圍中。此時，如果氣體線路3所傳輸的工藝氣體與大氣中的水汽等作用而產生殘留，那么在氣體線路3表面容易形成顆粒殘留，則會使得氣體線路3由于與大氣接觸而受到污染。例如，對于某些刻蝕工藝，工藝氣體溴化氫與大氣接觸會形成HBR (溴化氫的水溶液)，從而損壞氣體線路3。因此，希望能夠提供一種能夠在半導體制造設備進行定期維護或者不定期維護時 有效防止氣體線路由于暴露至大氣而與大氣中的水汽等作用而受到污染的解決方案。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷，提供一種能夠在對半導體制造設備進行定期維護或者不定期維護時有效防止氣體線路由于暴露至大氣而與大氣中的水汽等作用而受到污染的半導體制造設備及其維護方法。為了實現上述技術目的，根據本發(fā)明的第一方面，提供了一種半導體制造設備，其包括處理腔室、氣體源以及氣體線路；其中，所述氣體線路的第一端連接至所述氣體源，并且所述氣體線路的第二端連接至所述處理腔室，從而向處理腔室提供工藝氣體；所述半導體制造設備還包括布置在所述氣體線路上的閥門；所述閥門用于關閉或者打開所述氣體線路。優(yōu)選地，在上述半導體制造設備中，所述閥門布置在所述氣體線路的連接至所述處理腔室的位置處。優(yōu)選地，在上述半導體制造設備中，所述半導體制造設備是半導體刻蝕設備。優(yōu)選地，在上述半導體制造設備中，所述工藝氣體為溴化氫。根據本發(fā)明的第二方面，提供了一種半導體制造設備維護方法，其特征在于包括第一步驟關閉閥門，從而關閉用于向處理腔室提供工藝氣體的氣體線路；第二步驟打開所述處理腔室，并進行所述處理腔室的維護；第三步驟在完成所述處理腔室的維護后關閉所述處理腔；第四步驟在關閉所述處理腔室之后打開所述閥門從而打開所述氣體線路30優(yōu)選地，在上述半導體制造設備維護方法中，所述閥門布置在所述氣體線路的連接至所述處理腔室的位置處。優(yōu)選地，在上述半導體制造設備維護方法中，所述半導體制造設備是半導體刻蝕設備。優(yōu)選地，在上述半導體制造設備維護方法中，所述工藝氣體為溴化氫。
根據本發(fā)明，能夠在對半導體制造設備進行定期維護或者不定期維護時，有效防止氣體線路由于暴露至大氣而與大氣中的水汽等作用，由此有效防止氣體線路受到污染。


結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中圖I示意性地示出了根據現有技術的半導體制造設備的框圖。圖2示意性地示出了根據本發(fā)明第一實施例的半導體制造設備的第一示例的框圖。圖3示意性地示出了根據本發(fā)明第一實施例的半導體制造設備的第二示例的框圖。圖4示意性地示出了根據本發(fā)明第二實施例的半導體制造設備的半導體制造設備維護方法的流程圖。需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內容進行詳細描述。<第一實施例>圖2示意性地示出了根據本發(fā)明第一實施例的半導體制造設備的第一示例的框圖。例如，在具體實施例中，所述半導體制造設備是半導體刻蝕設備。如圖2所示，根據本發(fā)明第一實施例的半導體制造設備包括處理腔室I、氣體源2以及氣體線路3。其中，所述氣體線路3的第一端31連接至所述氣體源2，并且所述氣體線路3的第二端32連接至所述處理腔室1，從而向處理腔室I提供工藝氣體。例如，上述半導體制造設備可用于工藝氣體為溴化氫的情況。與圖I所示的根據現有技術的半導體制造設備不同的是，根據本發(fā)明第一實施例的半導體制造設備還包括布置在所述氣體線路3上的閥門4。所述閥門4可關閉或者打開所述氣體線路3。由此，在將要對半導體制造設備進行維護時，可先關閉所述閥門4從而關閉所述氣體線路3。此后，打開所述處理腔室1，并進行所述處理腔室I的維護；并且，在完成所述處理腔室I的維護后關閉所述處理腔室I。最后，在關閉所述處理腔室I之后打開所述閥門4從而打開所述氣體線路3。由此，對于上 述半導體制造設備，能夠在對半導體制造設備進行定期維護或者不定期維護時，有效防止氣體線路由于暴露至大氣而與大氣中的水汽等作用，由此有效防止氣體線路受到污染。圖3示意性地示出了根據本發(fā)明第一實施例的半導體制造設備的第二示例的框圖。例如，在具體實施例中，所述半導體制造設備是半導體刻蝕設備。如圖3所示，優(yōu)選地，所述閥門4布置在所述氣體線路3的第二端32的位置處，即所述閥門4布置在所述氣體線路3的連接至所述處理腔室I的位置處。由此，可以最大程度地防止氣體線路由于暴露至大氣而與大氣中的水汽等作用而受到污染。<第二實施例>圖4示意性地示出了根據本發(fā)明第二實施例的半導體制造設備的半導體制造設備維護方法的流程圖。如圖4所示，根據本發(fā)明第二實施例的半導體制造設備的半導體制造設備維護方法包括第一步驟SI :關閉所述閥門4，從而關閉用于向處理腔室I提供工藝氣體的所述氣體線路3 ；第二步驟S2 :打開所述處理腔室1，并進行所述處理腔室I的維護；第三步驟S3 :在完成所述處理腔室I的維護后關閉所述處理腔I ;第四步驟S4 :在關閉所述處理腔室I之后打開所述閥門4從而打開所述氣體線路3。例如，上述半導體制造設備維護方法可用于工藝氣體為溴化氫的情況。同樣，對于上述半導體制造設備維護方法，能夠在對半導體制造設備進行定期維護或者不定期維護時，有效防止氣體線路由于暴露至大氣而與大氣中的水汽等作用，由此有效防止氣體線路受到污染。同樣，優(yōu)選地，所述閥門4布置在所述氣體線路3的第二端32的位置處，即所述閥門4布置在所述氣體線路3的連接至所述處理腔室I的位置處。由此，可以最大程度地防止氣體線路由于暴露至大氣而與大氣中的水汽等作用而受到污染。此外，需要說明的是，說明書中的術語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關系或者順序關系等?？梢岳斫獾氖?，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領域的技術人員而言，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術內容對本發(fā)明技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案保護的范圍內。
權利要求
1.一種半導體制造設備，其特征在于包括處理腔室、氣體源以及氣體線路；其中，所述氣體線路的第一端連接至所述氣體源，并且所述氣體線路的第二端連接至所述處理腔室，從而向處理腔室提供工藝氣體； 所述半導體制造設備還包括布置在所述氣體線路上的閥門；所述閥門用于關閉或者打開所述氣體線路。
2.根據權利要求I所述的半導體制造設備，其特征在于，所述閥門布置在所述氣體線路的連接至所述處理腔室的位置處。
3.根據權利要求I或2所述的半導體制造設備，其特征在于，所述半導體制造設備是半導體刻蝕設備。
4.根據權利要求I或2所述的半導體制造設備，其特征在于，所述工藝氣體為溴化氫。
5.一種半導體制造設備維護方法，其特征在于包括 第一步驟關閉閥門，從而關閉用于向處理腔室提供工藝氣體的氣體線路； 第二步驟打開所述處理腔室，并進行所述處理腔室的維護； 第三步驟在完成所述處理腔室的維護后關閉所述處理腔； 第四步驟在關閉所述處理腔室之后打開所述閥門從而打開所述氣體線路3。
6.根據權利要求5所述的半導體制造設備維護方法，其特征在于，所述閥門布置在所述氣體線路的連接至所述處理腔室的位置處。
7.根據權利要求5或6所述的半導體制造設備維護方法，其特征在于，所述半導體制造設備是半導體刻蝕設備。
8.根據權利要求5或6所述的半導體制造設備維護方法，其特征在于，所述工藝氣體為溴化氫。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種半導體制造設備及其維護方法。根據本發(fā)明的半導體制造設備包括處理腔室、氣體源以及氣體線路；其中，所述氣體線路的第一端連接至所述氣體源，并且所述氣體線路的第二端連接至所述處理腔室，從而向處理腔室提供工藝氣體；所述半導體制造設備還包括布置在所述氣體線路上的閥門；所述閥門用于關閉或者打開所述氣體線路。優(yōu)選地，所述閥門布置在所述氣體線路的連接至所述處理腔室的位置處。根據本發(fā)明，能夠在對半導體制造設備進行定期維護或者不定期維護時，有效防止氣體線路由于暴露至大氣而與大氣中的水汽等作用，由此有效防止氣體線路受到污染。
文檔編號H01J37/305GK102800548SQ20121031276
公開日2012年11月28日 申請日期2012年8月29日 優(yōu)先權日2012年8月29日
發(fā)明者巴文林, 施海銘, 曹玖明, 杜廷衛(wèi) 申請人:上海宏力半導體制造有限公司