專利名稱：用于照明的發(fā)光器件裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及用于照明的發(fā)光器件(LED)裝置。
背景技術(shù)：
‘發(fā)光器件(LED)涉及半導(dǎo)體器件，其通過經(jīng)由化合物半導(dǎo)體的PN結(jié)構(gòu)成光源從而產(chǎn)生各種光色。近來，已經(jīng)開發(fā)了使用具有良好物理和化學(xué)特性的氮化物的藍(lán)色LED和紫外線LED，同樣，藍(lán)色LED或紫外線LED與熒光材料的組合能夠產(chǎn)生白光或其他単色光，由此拓寬LED的應(yīng)用范圍。LED壽命長，被制造成小且輕的器件，具有強(qiáng)的光的方向性性能從而使得能夠以低電壓驅(qū)動(dòng)，對(duì)于撞擊和振動(dòng)有強(qiáng)的抵抗，不需要預(yù)熱時(shí)間和復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)，并且能夠封裝成各種形狀。由于這些特征，它們可適用于各種用途。近來，LED除了用作顯示器件的背光之外，還用作包括在包含普通照明、裝飾照明和點(diǎn)照明的各種照明設(shè)備中的高輸出、高效率光源。同樣，LED用作耦接到照明設(shè)備(illumination set)并且可被替換的裝置(engine)。在此情況下,需要開發(fā)允許LED容易地耦接到照明設(shè)備的ー種主體結(jié)構(gòu)，該主體結(jié)構(gòu)改善LED封裝的效率和光質(zhì)量諸如輸出。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用于照明的、具有良好的光質(zhì)量的發(fā)光器件(LED)裝置。額外的方面將在后面的描述中部分地闡述并且部分地通過描述而明顯，或者可以通過給出的實(shí)施方式的實(shí)踐而了解。根據(jù)本發(fā)明的一方面，發(fā)光器件(LED)裝置包括主體，具有通孔；設(shè)置在主體下面的發(fā)光模塊，包括至少ー個(gè)發(fā)光器件，并且該發(fā)光模塊設(shè)置為經(jīng)由通孔暴露發(fā)光表面；以及設(shè)置在主體下面的印刷電路板(PCB)，發(fā)光模塊耦接到該印刷電路板，該印刷電路板包括用于供給電能到發(fā)光模塊的端子単元。通孔可以形成在主體的中心部分中并具有圓形橫截面形狀，該圓形橫截面形狀具有預(yù)定直徑。主體可以具有從主體的頂表面凹入并且圍繞通孔的平坦表面。發(fā)光模塊可以經(jīng)由導(dǎo)電橡膠電連接到端子単元。至少ー個(gè)導(dǎo)熱墊可以設(shè)置在PCB下面。LED裝置還可以包括漫射單元(diffusion unit),該漫射單元設(shè)置在發(fā)光模塊上方并混合從發(fā)光模塊發(fā)出的光。LED裝置還可以包括光分布控制器，該光分布控制器設(shè)置在發(fā)光模塊上方并包括分別對(duì)應(yīng)于發(fā)光模塊的至少ー個(gè)發(fā)光器件的至少ー個(gè)透鏡部分。漫射單元可以形成為與發(fā)光模塊間隔開預(yù)定距離的漫射片，漫射片可以放置在平坦表面上。漫射片的至少ー個(gè)表面可以具有微圖案。漫射片可以包括漫射材料、樹脂材料和熒光材料。漫射單元可以通過填充包括樹脂材料和漫射材料的混合物達(dá)到通孔的預(yù)定高度以覆蓋發(fā)光模塊而形成，混合物還可以包括熒光材料。多個(gè)突起部可以形成在主體的下表面上，多個(gè)孔形成在PCB中并且分別對(duì)應(yīng)于突起部，其中主體壓入耦接到PCB基板。LED裝置還可以包括在主體的外壁上用干與外部設(shè)備耦接的多個(gè)凸起，用干與外部設(shè)備耦接的多個(gè)耦接孔可以形成在主體的上表面中。發(fā)光模塊可以包括基板和設(shè)置在基板上的至少ー個(gè)發(fā)光器件，以及用于以串聯(lián)、并聯(lián)或其組合連接至少ー個(gè)發(fā)光器件的連接部，其中連接部形成為覆蓋每個(gè)發(fā)光器件的一部分、基板的一部分以及相應(yīng)的相鄰發(fā)光器件的一部分的金屬層。不平坦結(jié)構(gòu)可以形成在基板的其上沒有形成金屬層的部分上，不平坦結(jié)構(gòu)可以具有鋸齒狀部分，該鋸齒狀部分具有傾斜的側(cè)表面。備選地，發(fā)光模塊可以包括基板和設(shè)置在基板上的多個(gè)發(fā)光器件、以及以串聯(lián)、 并聯(lián)或其組合連接多個(gè)發(fā)光器件的連接部，并且形成為覆蓋多個(gè)發(fā)光器件的每個(gè)的一部分、基板的一部分以及相應(yīng)的相鄰發(fā)光器件的一部分的金屬層，其中姆個(gè)發(fā)光器件包括發(fā)射藍(lán)光的有源層，以及多個(gè)發(fā)光器件包括包含紅光轉(zhuǎn)換部的發(fā)光器件和包含綠光轉(zhuǎn)換部的發(fā)光器件，該紅光轉(zhuǎn)換部具有紅光轉(zhuǎn)換材料，該綠光轉(zhuǎn)換部具有綠光轉(zhuǎn)換材料。多個(gè)發(fā)光器件中的一些可以包括既不包含綠光轉(zhuǎn)換部也不包含紅光轉(zhuǎn)換部的發(fā)光器件。綠光轉(zhuǎn)換部或紅光轉(zhuǎn)換部可以由兩個(gè)或多個(gè)相鄰的發(fā)光器件共用。


通過后文結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施方式的描述，這些和/或其它方面將變得明顯且更易于理解，附圖中圖I為根據(jù)本發(fā)明ー實(shí)施方式的發(fā)光器件(LED)裝置的透視示意外觀圖；圖2為圖I的LED裝置的一部分的透視截面詳圖；圖3為圖I的LED裝置的分解透視圖，從而解釋耦接結(jié)構(gòu)；圖4為圖3的LED裝置的主體的下表面的分解透視圖，從而解釋主體和PCB之間的壓入稱接；圖5為圖I的LED裝置的剖視圖；圖6為光分布控制器的透視圖，該光分布控制器可以被額外地包括在圖I的LED
裝置中；圖7為發(fā)光器件的剖視圖，該發(fā)光器件可應(yīng)用于圖I的LED裝置的發(fā)光模塊中；圖8為發(fā)光器件的一實(shí)例的剖視圖,該發(fā)光器件可應(yīng)用于圖I的LED裝置的發(fā)光模塊中；圖9為發(fā)光器件的另ー實(shí)例的剖視圖，該發(fā)光器件可應(yīng)用于圖I的LED裝置的發(fā)光模塊中；圖10為發(fā)光器件的另ー實(shí)例的剖視圖，該發(fā)光器件可應(yīng)用于圖I的LED裝置的發(fā)光模塊中；圖11為發(fā)光模塊的一實(shí)例的平面圖，該發(fā)光器件可應(yīng)用于圖I的LED裝置中；圖12A和圖12B分別為圖10的沿Α1-ΑΓ線和B1-B1’線截取的發(fā)光模塊的剖視圖；圖13為發(fā)光模塊的另ー實(shí)例的平面圖，該發(fā)光模塊可應(yīng)用于圖I的LED裝置中；圖14為圖13的沿Α1-ΑΓ線截取的發(fā)光模塊的剖視圖；圖15為圖13的發(fā)光模塊的ー變型實(shí)例的剖視圖；圖16為圖13的發(fā)光模塊的另一變型實(shí)例的剖視圖；圖17為圖I的LED裝置的主體的一變型實(shí)例的平面圖；圖18示出圖17的主體與外部器件的凸起耦接的ー實(shí)例；圖19示出圖17的主體與外部器件的螺釘稱接(screw coupling)的ー實(shí)例； 圖20為根據(jù)本發(fā)明的另ー實(shí)施方式的LED裝置的示意性剖視圖；圖21為根據(jù)本發(fā)明的另ー實(shí)施方式的LED裝置的示意性剖視圖；圖22為根據(jù)本發(fā)明的另ー實(shí)施方式的LED裝置的分解示意圖；以及圖23為根據(jù)本發(fā)明的另ー實(shí)施方式的LED裝置的分解示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)將詳細(xì)參考實(shí)施方式，其實(shí)例在附圖中示出，其中通篇相似的附圖標(biāo)記指示相似的元件，且為了清晰，可夸大元件的尺寸或厚度。在這點(diǎn)上，本實(shí)施方式可以具有不同的形式且不應(yīng)解釋為限于這里闡述的描述。因此，下文僅通過參考附圖描述了實(shí)施方式，從而解釋本描述的方面。諸如“至少ー個(gè)”的表述，當(dāng)出現(xiàn)在ー串元件之前時(shí)，修飾整串元件且不修飾該串中的個(gè)別元件。圖I為根據(jù)本發(fā)明ー實(shí)施方式的發(fā)光器件(LED)裝置100的透視示意外觀圖，圖2為圖I的LED裝置100的一部分的透視截面詳圖，圖3為圖I的LED裝置100的分解透視圖從而解釋耦接結(jié)構(gòu)，圖4為圖3的LED裝置100的主體110的下表面的分解透視圖從而解釋主體110與印刷電路板(PCB) 120之間的壓入耦接，圖5為圖I的LED裝置100的剖視圖。參考圖I至圖5，LED裝置100包括具有通孔TH的主體110，發(fā)光模塊130和漫射単元150設(shè)置在通孔TH中，漫射單元150設(shè)置在發(fā)光模塊130上方且混合從發(fā)光模塊130發(fā)出的光。發(fā)光模塊130包括基板S和設(shè)置在基板S上的至少ー個(gè)發(fā)光器件C。根據(jù)本實(shí)施方式的LED裝置100可以用于照明目的，并且例如可以用作用于點(diǎn)照明的裝置。LED裝置100具有可容易地應(yīng)用于各種照明設(shè)備中的結(jié)構(gòu)。發(fā)光模塊130可以包括一個(gè)或多個(gè)發(fā)光器件C。雖然不出的發(fā)光模塊130包括多個(gè)發(fā)光器件C，但是只要一個(gè)發(fā)光器件C足夠發(fā)射期望強(qiáng)度的光，那么發(fā)光模塊130可以包括僅ー個(gè)發(fā)光器件C。發(fā)光器件C包括第一類型半導(dǎo)體層、有源層和第二類型半導(dǎo)體層，當(dāng)電壓施加到其上吋，電子和空穴在有源層中復(fù)合，由此發(fā)射光，如下文參考圖7至圖16詳細(xì)描述。主體110形成LED裝置100的外形，還允許發(fā)光模塊130安裝在其中。主體110的形狀不限于示出的形狀，并且例如可以根據(jù)照明設(shè)備的要求而改變。LED裝置100還可以包括設(shè)置在主體110的下表面上的、形成通孔TH的下表面的印刷電路板(PCB) 120，發(fā)光模塊130可以耦接到PCB 120。例如，用于供應(yīng)電能到發(fā)光模塊130的端子單元(未示出)可以設(shè)置在PCB 120上，發(fā)光模塊130的電極墊可以電連接到PCB 120的端子単元。主體110的通孔TH可以具有如圖所示的具有預(yù)定直徑的圓形橫截面形狀。然而，通孔TH的形狀不限于此。主體110可以具有從主體110的頂表面IlOa凹入并且圍繞通孔TH的平坦表面IlOb0頂表面IlOa和平坦表面IlOb可以如圖所示地經(jīng)由傾斜表面IlOc連接。漫射單元150可以具有片形且可以放置在平坦表面IlOb上。如圖3和圖4所示,例如用于螺釘I禹接(screw-coupling)的孔IlOh可以形成在主體Iio的頂表面的相對(duì)側(cè)，用于壓入耦接的突出部115可以形成在主體110的下表面上。PCB 120具有用于與主體110耦接的多個(gè)孔120h，由此發(fā)光模塊130附接到其上的PCB 120利用孔120h與主體110耦接。然而，示出的耦接方法僅是ー實(shí)例，也可以使用各種其他耦 接方法。漫射單元150漫射且混合從發(fā)光模塊130發(fā)出的光，并發(fā)射具有減少的人為干涉(artifact interference)現(xiàn)象的光,該人為干涉現(xiàn)象會(huì)由于構(gòu)成發(fā)光模塊130的發(fā)光器件C的布置形狀而發(fā)生。如圖所示，漫射單元150可以是與發(fā)光模塊130間隔開預(yù)定距離的漫射片?；诰厶妓狨?PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等的透明塑料、玻璃或半透明塑料可以用作用于形成漫射單元150的材料。同樣，這些透明材料可以與漫射材料混合以用作漫射單元150。同樣，熒光材料可以進(jìn)一歩添加到形成漫射單元150的材料中，以改變從發(fā)光模塊130發(fā)出的光的顔色。片形的漫射單元150可以放置在階梯表面IlOs的平坦表面IlOb上。PCB120的下表面與平坦表面IlOb之間的高度hi可以等于或大于約3. 5mm且等于或小于4mm。備選地，hl/h2的高度比可以在約12/25至約I的范圍內(nèi)，其中hi為從PCB 120的下表面到放置漫射單元150的平坦表面IlOb的距離，h2為PCB 120的下表面到主體110的頂表面之間的距離?？紤]到從發(fā)光模塊130發(fā)出的光被混合之后具有均勻分布的光發(fā)射，漫射單元150的位置被適當(dāng)?shù)卮_定，從而達(dá)到光效率與光漫射效果之間的平衡。漫射片越靠近發(fā)光模塊130設(shè)置，會(huì)獲得越高的漫射效果。然而，光效率會(huì)降低。漫射片的厚度可以在約O. 8mm至約I. 5mm的范圍。漫射片可以具有在其至少ー個(gè)表面上的微圖案(未示出)。形成在漫射片的ー個(gè)表面或相對(duì)表面的微圖案可以漫射光，從而減少由發(fā)光器件C的陣列而發(fā)生的人為干涉現(xiàn)象，在此情況下，漫射片可以由沒有與漫射材料混合的透明材料形成，或者由包括透明材料和漫射材料的混合物形成。如上所述，由于包括漫射單元150，所以從LED裝置100發(fā)出的照明光可以總體具有均勻的分布。也就是說，LED裝置100具有減少的人為干涉現(xiàn)象且因此具有更平穩(wěn)的光分布，由此提供引起更少的眼疲勞的舒適照明光。圖6為光分布控制器140的透視圖，該光分布控制器140可以被額外地包括在圖I的LED裝置100中。光分布控制器140可以進(jìn)ー步設(shè)置在發(fā)光模塊130上。光分布控制器140可以包括與發(fā)光模塊130的至少ー個(gè)發(fā)光器件C對(duì)應(yīng)的至少ー個(gè)透鏡部142，由此能夠控制從發(fā)光模塊130的每個(gè)發(fā)光器件C發(fā)出的光的方向角。圖7為發(fā)光器件C的一實(shí)例的剖視圖，該發(fā)光器件C包括在圖I的LED裝置100的發(fā)光模塊130中。發(fā)光器件C包括發(fā)光芯片和圍繞發(fā)光芯片施加的突光層215,該發(fā)光芯片包括均設(shè)置在基板S上的第一類型半導(dǎo)體層202、有源層204和第二類型半導(dǎo)體層206?；錝可以是樹脂基板，例如，F(xiàn)R4或FR5基板。備選地，基板S可以替代地由陶瓷或玻璃纖維形成。第一類型半導(dǎo)體層202、有源層204和第二類型半導(dǎo)體層206的每個(gè)可以包括化合物半導(dǎo)體。例如，第一類型半導(dǎo)體層202和第二類型半導(dǎo)體層206的每個(gè)可以包括氮化物半導(dǎo)體，例如，AlxInyGa(1_x_y)N(0 ^ x ^ 1,0 ^ y ^ 1,0彡x+y彡I)，第一類型半導(dǎo)體層202和第二類型半導(dǎo)體層206可以分別摻雜有η型雜質(zhì)和ρ型雜質(zhì)。形成在第一類型半導(dǎo)體層202與第二類型半導(dǎo)體層206之間的有源層204可以由于電子和空穴的復(fù)合而發(fā)射具有預(yù)定能量級(jí)的光，有源層204可以具有包括多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)，該多個(gè)層的每個(gè)包括InxGa1^xN(O ^ x ^ I)以根據(jù)銦含量控制帶隙能量。在此情況下，有源層204可以具有多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)，在其中量子勢(shì)壘層和量子阱層交替堆疊，例如有源層204可以具有InGaN/GaN結(jié)構(gòu)，其銦含量可以被控制以發(fā)射藍(lán)光。熒光層215可以包括吸收藍(lán)光井發(fā)射紅光的熒光材料以及吸收藍(lán)光井發(fā)射綠光 的熒光材料。發(fā)射紅光的熒光材料的實(shí)例為由MAlSiNx: Re (I ^ x ^ 5)表示的氮化物基熒光材料和由MD: Re表示的硫化物基熒光材料，其中M包括從鋇(Ba)、鍶(Sr)、鈣(Ca)和鎂(Mg)構(gòu)成的組中選出的至少ー種，D包括從硫(S)、硒(Se)、碲(Te)組成的組中選出的至少ー種，Re 包括從銪(Eu)! (Y)、鑭(La)、鈰(Ce)、釹(Nd)、钷(Pm)、釤(Sm)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、欽(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、镥(Lu)、氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)和碘(I)組成的組中選出的至少一種。同樣，發(fā)射綠光的突光材料的實(shí)例為由M2Si04:Re表不的娃酸鹽基熒光材料、由MA2D4:Re表示的硫化物基熒光材料、由β -SiAlON: Re表示的熒光材料以及由MA’ 204:Re’表示的氧化物基熒光材料，其中M包括從鋇(Ba)、鍶(Sr)、鈣(Ca)和鎂(Mg)構(gòu)成的組中選出的至少ー種，D包括從硫⑶、硒(Se)、碲(Te)組成的組中選出的至少ー種，A’包括從鈧(Sc)、釔(Y)、釓(Gd)、鑭(La)、镥(Lu)、鋁(Al)和銦(In)組成的組中選出的至少ー種，Re包括從銪(Eu)、釔(Y)、鑭(La)、鈰(Ce)、釹(Nd)、钷(Pm)、釤(Sm)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、欽(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、镥(Lu)、氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)和碘(I)組成的組中選出的至少ー種，Re’包括從鈰(Ce)、釹(Nd)、钷(Pm)、釤(Sm)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、欽(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)和碘(I)組成的組中選出的至少ー種。從有源層204發(fā)出的ー些藍(lán)光轉(zhuǎn)變成紅光，剰余的藍(lán)光轉(zhuǎn)變成綠光，由此藍(lán)光、紅光和綠光混合以發(fā)射白光。熒光層215可以包括黃色熒光材料。黃色熒光材料的ー實(shí)例為釔鋁石榴石(YAG)熒光材料。在此情況下，從有源層204發(fā)出的一些藍(lán)光轉(zhuǎn)變成黃光，并且由于藍(lán)光與黃光的組合，產(chǎn)生白光。包括兩個(gè)分離部分的電極圖案208設(shè)置在基板S上。電極圖案208可以通過例如鍍敷例如導(dǎo)電材料(諸如，Cu、Pd、Ag或Ni/Au)來形成。第一類型半導(dǎo)體層202可以接觸電極圖案208的ー個(gè)部分，第二類型半導(dǎo)體層206可以利用導(dǎo)線W接觸電極圖案208的另ー個(gè)部分。同樣，蓋層217可以以透鏡形狀進(jìn)ー步形成在基板S上，從而保護(hù)發(fā)光芯片并控制從發(fā)光芯片發(fā)出的光的方向性能。蓋層217可以由透明材料諸如樹脂形成。蓋層217的形狀不限于圖示的透鏡形狀，并可以替代地為平坦的，從而僅保護(hù)發(fā)光芯片而不起透鏡作用。
圖8為發(fā)光器件C的另ー實(shí)例的剖視圖，該發(fā)光器件C包括在圖I的LED裝置100的發(fā)光模塊130中。根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光器件C與參考圖7描述的發(fā)光器件C在電極結(jié)構(gòu)方面不同。也就是說，包括第一類型半導(dǎo)體層202、有源層204和第二類型半導(dǎo)體層206的發(fā)光芯片被蝕刻成臺(tái)面(mesa)形狀，由此暴露第一類型半導(dǎo)體層202的一部分。第一類型半導(dǎo)體層202的暴露部分利用導(dǎo)線W接合到電極圖案209的ー個(gè)部分，第二類型半導(dǎo)體層206利用導(dǎo)線W接合到電極圖案209的另ー個(gè)部分。圖9為發(fā)光器件C的另ー實(shí)例的剖視圖，該發(fā)光器件C包括在圖I的LED裝置100的發(fā)光模塊130中。在根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光器件C中，突光層216僅施加到發(fā)光芯片的頂端。蓋層219的圖示形狀是平坦的。然而，蓋層219的形狀不限于此。例如，該層219可以具有透鏡形狀以控制從發(fā)光芯片發(fā)出的光的方向性能。 圖10為發(fā)光器件C的另ー實(shí)例的剖視圖，該發(fā)光器件C包括在圖I的LED裝置100的發(fā)光模塊130中。根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光器件C與圖9所不的發(fā)光器件C的區(qū)別在于取代了熒光層僅施加到發(fā)光芯片的頂端，蓋層221覆蓋整個(gè)發(fā)光芯片并且包括包含熒光材料和透明材料諸如樹脂的混合物。蓋層221還可以具有透鏡形狀以控制從發(fā)光芯片發(fā)出的光的方向性能。如上所述，參考圖7至圖10示范地描述的發(fā)光器件獨(dú)立地設(shè)置和封裝在基板S上并引線接合到形成在基板S上的電極圖案。同樣，根據(jù)形成在基板S上的電極圖案的形狀，相鄰的發(fā)光器件C可以串聯(lián)、并聯(lián)或以其組合連接。同樣，發(fā)光模塊130的各發(fā)光器件C可以通過諸如金屬層的連接部而不是導(dǎo)線來連接，并且整個(gè)結(jié)構(gòu)形成單一封裝。此后，將詳細(xì)描述此結(jié)構(gòu)。圖11為發(fā)光模塊131的平面圖，該發(fā)光模塊131作為可以應(yīng)用于圖I的LED裝置100中的發(fā)光模塊130的ー實(shí)例，圖12A和圖12B分別為圖11的沿A1-A1’線和A2-A2’線截取的發(fā)光模塊131的剖視圖。參考圖11和圖12A，根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光模塊131包括基板S和布置在基板S的上表面上的至少ー個(gè)發(fā)光器件C。發(fā)光器件C可以通過分隔(isolation)エ藝劃分半導(dǎo)體多層獲得，該半導(dǎo)體多層包括順序形成在基板S的上表面上的第一類型半導(dǎo)體層302、有源層304和第二類型半導(dǎo)體層306。備選地，多個(gè)發(fā)光器件C的每個(gè)通過生長エ藝單獨(dú)形成。如圖11、12A和12B所示，相鄰的發(fā)光器件C可以通過連接部315彼此連接。即，連接部315可以是施加到每個(gè)發(fā)光器件C的一部分、基板S的一部分以及相應(yīng)的相鄰發(fā)光器件C的一部分上的金屬層。具體地，每個(gè)發(fā)光器件C具有通過臺(tái)面(mesa)蝕刻而形成的第一類型半導(dǎo)體層302的暴露部分，連接部315是施加到第一類型半導(dǎo)體層302的暴露部分、基板S的一部分以及相應(yīng)的相鄰發(fā)光器件C的第二類型半導(dǎo)體層306的一部分上的金屬層。在圖示的實(shí)例中，發(fā)光器件C串聯(lián)連接，第一和第二耦接墊319a和319b可以形成在設(shè)置在串聯(lián)連接的相對(duì)端上的發(fā)光器件處，并連接到具有相應(yīng)極性的電極。透明電極313可以形成在第二類型半導(dǎo)體層306的頂表面上，透明電極313可以由透明導(dǎo)電材料諸如ITO或ZnO形成，可以執(zhí)行歐姆接觸和電流擴(kuò)散(currentdispersion)。同樣，絕緣層314可以形成在每個(gè)發(fā)光器件C的側(cè)部上以防止連接部315與不期望的區(qū)域連接。絕緣層314可以由本領(lǐng)域公知的材料諸如硅氧化物或硅氮化物形成。如圖所示，絕緣層314可以用作在每個(gè)發(fā)光器件C的幾乎整個(gè)側(cè)表面上的鈍化層。如在本實(shí)施方式中，由于沒有使用用于發(fā)光器件C之間的電連接的導(dǎo)線，所以可以降低短路的可能性且可以提高互連エ藝的簡便性。同樣，可以進(jìn)一歩在基板S的其上沒有形成連接部315的部分上形成不平坦結(jié)構(gòu)Plo該不平坦結(jié)構(gòu)Pl有效地引導(dǎo)被困(trap)在基板S中或者發(fā)射穿過基板S的側(cè)表面而被消耗的光L從而以朝上作為有效發(fā)射方向來行迸。不平坦結(jié)構(gòu)Pl可以具有鋸齒狀部分，該鋸齒狀部分具有傾斜側(cè)表面。根據(jù)本實(shí)施方式的不平坦結(jié)構(gòu)Pl可以通過濕蝕刻 或干蝕刻或者公知的光刻(lithography etching)來形成。雖然圖示的不平坦結(jié)構(gòu)Pl僅形成在沒有形成連接部315的區(qū)域上，但是如果需要，不平坦結(jié)構(gòu)也可以形成在形成有連接部315的區(qū)域上。例如，可以使用具有全部不平坦頂表面的基板S。同樣，不平坦結(jié)構(gòu)Pl可以提供到基板S的下表面，從而改善光提取效率。在本實(shí)施方式中，發(fā)光器件C串聯(lián)連接。然而，連接結(jié)構(gòu)僅是ー實(shí)例，例如，發(fā)光器件C可以替代地并聯(lián)連接或者以串聯(lián)和并聯(lián)的組合連接。同樣，雖然沒有示出，但是可以進(jìn)一歩使用蓋層來保護(hù)發(fā)光器件C并且蓋層可以具有透鏡形狀以控制行進(jìn)光的方向性能。同樣，為了改變發(fā)射的光的顔色，可以進(jìn)一歩使用熒光層或者蓋層可以由包括熒光材料的材料形成。圖13為發(fā)光模塊132的平面圖，該發(fā)光模塊132作為可以應(yīng)用于圖I的LED裝置100中的發(fā)光模塊130的另ー實(shí)例，圖14為圖13的沿線A-A’截取的發(fā)光模塊132的剖視圖，圖15為圖13的發(fā)光模塊132的變型實(shí)例的剖視圖。發(fā)光模塊132包括基板S和布置在基板S的上表面上的多個(gè)發(fā)光器件C。發(fā)光器件C可以通過分隔(isolation)エ藝劃分半導(dǎo)體多層來獲得，該半導(dǎo)體多層包括順序形成在基板S的上表面上的第一類型半導(dǎo)體層402、有源層404和第二類型半導(dǎo)體層406。備選地，多個(gè)發(fā)光器件C的每個(gè)由生長エ藝単獨(dú)地形成。發(fā)光器件C可以通過連接部406彼此電連接。發(fā)光器件C1、C2和C3的每個(gè)包括形成在基板S上的第一類型半導(dǎo)體層402、有源層403和第二類型半導(dǎo)體層404，發(fā)光器件C1、C2和C3可以通過連接部406而彼此串聯(lián)連接。連接部406可以是施加到每個(gè)發(fā)光器件C1、C2和C3的一部分、基板S的一部分以及相應(yīng)的相鄰發(fā)光器件的一部分上的金屬層。具體地，每個(gè)發(fā)光器件C1、C2和C3具有通過臺(tái)面蝕刻而形成的第一類型半導(dǎo)體層402的暴露部分，連接部406可以是施加到第一類型半導(dǎo)體層402的暴露部分、基板S的一部分以及相應(yīng)的相鄰發(fā)光器件的第二類型半導(dǎo)體層404的一部分上的金屬層。由例如透明導(dǎo)電氧化物形成的透明電極405可以設(shè)置在第二類型半導(dǎo)體層404上并可以執(zhí)行歐姆接觸和電流擴(kuò)散。同樣，絕緣層408可以插置在LED C1、C2和C3與連接部406之間，從而防止無意識(shí)的短路。電絕緣材料可以用作形成基板S的材料。同樣，可以替代地使用導(dǎo)電基板，在此情況下，絕緣層可以沉積在其上。在本實(shí)施方式中，每個(gè)發(fā)光器件C的有源層403發(fā)射藍(lán)光，例如，具有約430nm至約480nm的波段(wavelength band)的光。同樣，發(fā)光器件C可以包括發(fā)光器件Cl和發(fā)光器件C3，該發(fā)光器件Cl包括包含紅光轉(zhuǎn)換材料的紅光轉(zhuǎn)換部409R，該發(fā)光器件C3包括包含綠光轉(zhuǎn)換材料的綠光轉(zhuǎn)換部409G。每個(gè)紅光和綠光轉(zhuǎn)換部409R和409G可以包括熒光材料和量子點(diǎn)的至少ー種。參考圖7描述的材料可以用作在紅光轉(zhuǎn)換部409R中使用的紅色熒光材料和在綠光轉(zhuǎn)換部409G中使用的綠色熒光材料。同樣，量子點(diǎn)是包括芯和殼的納米晶體顆粒，其中芯的尺寸可以在約2nm至約IOOnm的范圍內(nèi)。量子點(diǎn)可以通過控制芯尺寸而用作發(fā)射各種光顏色(諸如，藍(lán)色(B)、黃色(Y)、緑色(G)、或紅色(R))的熒光材料。形成量子點(diǎn)的芯-殼結(jié)構(gòu)可以通過異質(zhì)接觸至少兩個(gè)半導(dǎo)體來形成，該至少兩個(gè)半導(dǎo)體選自由II-VI族化合物半導(dǎo)體(ZnS、ZnSe, ZnTe,CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、MgTe 等)、III-V 族化合物半導(dǎo)體(GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs, InSb、AlAs、A1P、AlSb、AlS 等)以及 IV 族半導(dǎo)體(Ge、Si、Pb 等)組成的組。在此情況下，可以使用例如油酸在量子點(diǎn)的殼的外表面上形成有機(jī)配位體(ligand)，從而阻止分子在殼的外表面處結(jié)合、抑制量子點(diǎn)的凝聚且改善其在樹脂(諸如，硅樹脂或環(huán)氧樹脂)中的可分散性、或者增強(qiáng)作為熒光材料的功能。在圖13中，紅光和綠光轉(zhuǎn)換部409R和409G占據(jù)比相應(yīng)的發(fā)光器件C更寬的區(qū)域。然而，根據(jù)エ藝條件或目的，每個(gè)紅光和綠光轉(zhuǎn)換部409R和409G可以形成在相應(yīng)的發(fā)光器件C的一部分表面上,例如,僅在相應(yīng)的發(fā)光器件C的頂表面上。同樣，在本實(shí)施方式中，一個(gè)發(fā)光器件C包括紅光和綠光轉(zhuǎn)換部409R和409G中的其中之一。然而，根據(jù)エ藝條件，兩個(gè)或多個(gè)發(fā)光器件C可以共用紅光和綠光轉(zhuǎn)換部409R和409G中的其中之一。同樣，雖然在圖14中，紅光和綠光轉(zhuǎn)換部409R和409G與相應(yīng)的發(fā)光器件C的表面一致并且具有與相應(yīng)的發(fā)光器件C相似的形狀，但是紅光和綠光轉(zhuǎn)換部409R和409G的形狀不限于此并且可以具有例如圓頂形狀，與相應(yīng)的發(fā)光器件C的表面不一致。另外，如圖15所示，兩個(gè)或多個(gè)發(fā)光器件Cl和C2可以共用ー個(gè)光轉(zhuǎn)換部409’。在上文所述的結(jié)構(gòu)中，從發(fā)光器件C發(fā)出的藍(lán)光可以與從紅光和綠光轉(zhuǎn)換部409R和409G發(fā)出的光混合以形成白光。可以不同時(shí)包括紅光和綠光轉(zhuǎn)換部409R和409G，根據(jù)一些實(shí)施方式，可以僅包括紅光和綠光轉(zhuǎn)換部409R和409G之一。同樣，由于可能存在沒有被紅光和綠光轉(zhuǎn)換部409R和409G轉(zhuǎn)換且穿過紅光和綠光轉(zhuǎn)換部409R和409G的藍(lán)光，所以所有的發(fā)光器件C可以包括紅光和綠光轉(zhuǎn)換部409R和 409G中的任意ー個(gè)。然而，為了改善演色性指數(shù)或者獲得具有低色溫的白光，一些發(fā)光器件C(例如，圖14的C2)中可以不具有光轉(zhuǎn)換部。紅光和綠光轉(zhuǎn)換部409R和409G的數(shù)量或布置方法可以根據(jù)色溫和演色性指數(shù)通過篩選(binning)來適當(dāng)?shù)卮_定。如上文所述，根據(jù)本實(shí)施方式，一個(gè)器件發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光，其數(shù)量和布置方法是根據(jù)目的可控制的。因此，根據(jù)本發(fā)明ー實(shí)施方式的LED裝置可以是適合于用作照明設(shè)備，諸如實(shí)現(xiàn)情感化照明的照明設(shè)備。圖16為圖13的發(fā)光模塊132的另ー變型實(shí)例的剖視圖。參考圖13，發(fā)光器件C被串聯(lián)電連接，具體地，發(fā)光器件C之間的連接是n-p連接。然而，如圖16所示，發(fā)光器件Cl的第二類型半導(dǎo)體層404可以電連接到發(fā)光器件C2的第二類型半導(dǎo)體層404，發(fā)光器件C2的第一類型半導(dǎo)體層402可以電連接到發(fā)光器件C3的第一類型半導(dǎo)體層402。此連接是在具有相同極性的半導(dǎo)體層之間的連接(p-p連接或n-n連接)。
除了圖13至圖16所示的連接結(jié)構(gòu)之外，多個(gè)發(fā)光器件C可以替代地并聯(lián)連接或以串聯(lián)和并聯(lián)的組合連接。雖然沒有示出，但是可以進(jìn)一歩形成蓋層以保護(hù)發(fā)光器件C，蓋層可以具有透鏡形狀以控制行進(jìn)光的方向性能。圖17為主體110’的平面圖，該主體110’作為圖I的LED裝置100的主體110的變型實(shí)例。參考圖18，用干與外部設(shè)備耦接的多個(gè)凸起B(yǎng)形成在主體110’的外壁上。同樣，用干與外部設(shè)備耦接的多個(gè)耦接孔H形成在主體110’的上表面中。在圖18中，示出了三個(gè)凸起B(yǎng)和三個(gè)耦接孔H。然而，凸起和耦接孔的數(shù)量不限于此。同樣，不必既包括凸起B(yǎng)又耦接孔H，可以僅包括凸起B(yǎng)和耦接孔H中的其中之一。圖18示出了圖17的主體110’與外部設(shè)備(例如，反射器R)的凸起耦接的ー實(shí)例。當(dāng)LED裝置安裝在反射器R內(nèi)部時(shí)，形成在主體110’的外壁上的凸起(boss)B可以插 入到例如形成在反射器R中的彎曲孔(crooked hole) RH中，由此LED裝置牢固地耦接到反射器R。圖19示出了圖17的主體110’與外部設(shè)備(例如，反射器R)的螺釘耦接的ー實(shí)例。LED裝置可以通過將螺釘(Screw)RS插入到形成主體110’中的孔中而牢固地耦接到反射器R，其中主體110’位于反射器R內(nèi)部。圖20是根據(jù)本發(fā)明的另ー實(shí)施方式的LED裝置101的示意性剖視圖。根據(jù)本實(shí)施方式的LED裝置101在以下方面不同于圖5的LED裝置100 :片形漫射單元151由與熒光材料混合的材料形成。即，漫射単元151可以包括包含透明材料(例如，樹脂材料)和漫射材料的混合物以及熒光材料。顏色變化可以由涂覆在發(fā)光器件上的熒光層引起，發(fā)光器件形成發(fā)光模塊130，同樣，顔色變化或透明度也可以由包括在漫射單元151中的熒光材料控制。在此實(shí)施方式，形成發(fā)光模塊130的LED可以不包括熒光層。在圖20中，漫射單元151的上表面是平坦的。然而,上表面形狀僅是ー實(shí)例。例如,漫射單元151可以具有圓頂(dome)形狀或者考慮到光分布的任何其他形狀。圖21是根據(jù)本發(fā)明的另ー實(shí)施方式的LED裝置102的示意性剖視圖。根據(jù)本實(shí)施方式的LED裝置102在以下方面不同于圖5的LED裝置100或者圖20的LED裝置101 漫射單元152不與發(fā)光模塊130分隔開，并且完全覆蓋發(fā)光模塊130。漫射單元152可以包括包含透明材料(例如，樹脂材料)和漫射材料的混合物，或者熒光材料可以進(jìn)ー步與該混合物混合。分別參考圖20和圖21描述的LED裝置101和102可以包括具有各種結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件C以及參考圖7至圖16描述的發(fā)光模塊131和132，主體110也可以與圖17的主體110’相似地被改變。同樣，可以進(jìn)一歩包括圖6的光分布控制器140。圖22為根據(jù)本發(fā)明另ー實(shí)施方式的LED裝置700的分解示意圖。參考圖22，LED裝置700包括具有通孔TH的主體710、設(shè)置在主體710下面的發(fā)光模塊720以及設(shè)置在主體710下面且發(fā)光模塊720與其耦接的PCB 730。如圖所示，主體710的通孔TH可以具有圓形橫截面形狀，該圓形橫截面具有預(yù)定直徑。然而，通孔TH的形狀可以不限于此。主體710可以具有平坦表面710c，該平坦表面710c從主體710的頂表面710a凹入并且圍繞通孔TH。如圖所示,頂表面710a和平坦表面710c可以經(jīng)由傾斜表面710b連接。發(fā)光模塊720可以包括一個(gè)或多個(gè)發(fā)光器件(未不出)，由發(fā)光器件形成的發(fā)光表面720a可以設(shè)置為通過通孔TH被暴露。PCB 730可以包括用于經(jīng)由導(dǎo)電橡膠CR提供電能到發(fā)光模塊720的端子単元732，發(fā)光模塊720可以電連接到PCB 730。如圖所示，發(fā)光模塊720的電極墊可以經(jīng)由導(dǎo)電橡膠CR電連接到PCB 730的端子單元732。ー個(gè)或多個(gè)導(dǎo)熱墊741、742和743可以設(shè)置在PCB 730下面。導(dǎo)熱墊741、742和743可以由例如具有良好導(dǎo)熱性的鋁板形成，導(dǎo)熱墊的數(shù)量不限于此。 導(dǎo)熱墊741、742和743可以經(jīng)由螺釘(SC)與PCB 730 一起耦接到主體710的下表面。然而，此耦接僅用于說明的目的，如圖4所示，突起可以形成在主體710的底表面上且導(dǎo)熱墊741、742和743被壓入耦接到主體710。主體710的通孔TH的尺寸可以根據(jù)由發(fā)光模塊720形成的發(fā)光表面720a的尺寸而適當(dāng)?shù)卮_定。發(fā)光模塊720和PCB 730設(shè)計(jì)為適合于LED裝置700應(yīng)用到其中的照明設(shè)備所要求的亮度和電能，通孔TH的尺寸可以以這種方式確定由發(fā)光模塊720形成的發(fā)光表面720a的直徑等于或小于通孔TH的直徑。例如，LED裝置700可以被設(shè)計(jì)用于13W插座，在此情況下，發(fā)光表面720a的直徑可以在約9_至約13. 5mm的范圍內(nèi)。圖23為根據(jù)本發(fā)明另ー實(shí)施方式的LED裝置800的分解示意圖。根據(jù)本實(shí)施方式的LED裝置800包括主體810、發(fā)光模塊820和PCB830，主體810、發(fā)光模塊820和PCB 830的具體結(jié)構(gòu)不同于LED裝置700的相應(yīng)元件。LED裝置800可以具有與圖22的LED裝置700相同的外部尺寸，根據(jù)LED裝置800應(yīng)用到其的照明設(shè)備所要求的亮度和電能，發(fā)光模塊820和PCB 830的結(jié)構(gòu)可以改變。發(fā)光模塊820可以形成尺寸與圖22的LED裝置700的不同的發(fā)光表面820a，因此，主體810的通孔TH可以具有相應(yīng)的尺寸。例如，LED裝置800可以被設(shè)計(jì)用于26W插座，發(fā)光表面820a的直徑可以在約13. 5mm至19mm的范圍內(nèi)。如在圖22和圖23的LED裝置700和800的發(fā)光模塊720和820中可使用的發(fā)光器件，可以使用參考圖7至圖10說明的發(fā)光器件(C)。在這點(diǎn)上，可以采用發(fā)光器件(C)的串聯(lián)結(jié)構(gòu)或并聯(lián)結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明另ー實(shí)施方式，如圖11至圖16所示，發(fā)光器件(C)可以通過金屬層形式的連接單元而不是導(dǎo)線來彼此連接，整個(gè)連接結(jié)構(gòu)可以作為ー個(gè)封裝應(yīng)用。同樣，圖22和圖23的LED裝置700和800的每個(gè)還可以包括參考圖2說明的漫射單元150或者參考圖6說明的光分布控制器140。LED裝置可以用在局部照明的照明設(shè)備中。LED裝置可以使用漫射單元，在此情況下，人為干涉現(xiàn)象被抑制且可以發(fā)射平穩(wěn)分布的光。同樣，在LED裝置中包括的發(fā)光模塊中，多個(gè)發(fā)光器件可以被無導(dǎo)線地連接，由此降低エ藝復(fù)雜程度和導(dǎo)線缺陷并且提供了高效率、高演色指數(shù)的光。同樣，這里給出的主體易于在照明設(shè)備中耦接或替換。應(yīng)當(dāng)理解這里描述從而用于幫助理解照明所用的LED裝置的示范性實(shí)施方式應(yīng)當(dāng)僅以描述的含義來理解而不是為了限制的目的。在每個(gè)實(shí)施方式中的特征或方面的描述應(yīng)當(dāng)?shù)湫偷乇徽J(rèn)為可用 于其他實(shí)施方式中的其他相似特征或方面。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件裝置，包括 主體，具有通孔； 設(shè)置在所述主體下面的發(fā)光模塊，包括至少一個(gè)發(fā)光器件，并且設(shè)置為經(jīng)由所述通孔暴露發(fā)光表面；以及 設(shè)置在所述主體下面的印刷電路板，所述發(fā)光模塊耦接到該印刷電路板，該印刷電路板包括用于供給電能到所述發(fā)光模塊的端子單元。
2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件裝置，其中所述通孔形成在所述主體的中心部分中并具有圓形橫截面形狀，該圓形橫截面形狀具有預(yù)定直徑。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件裝置，其中所述主體具有從所述主體的頂表面凹入并 且圍繞所述通孔的平坦表面。
4.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件裝置，其中所述發(fā)光模塊經(jīng)由導(dǎo)電橡膠電連接到所述端子單元。
5.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件裝置，其中至少一個(gè)導(dǎo)熱墊設(shè)置在所述印刷電路板下面。
6.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件裝置，還包括漫射單元，該漫射單元設(shè)置在所述發(fā)光模塊上方并混合從所述發(fā)光模塊發(fā)出的光。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件裝置，還包括光分布控制器，該光分布控制器設(shè)置在所述發(fā)光模塊上方并包括分別對(duì)應(yīng)于所述發(fā)光模塊的所述至少一個(gè)發(fā)光器件的至少一個(gè)透鏡部分。
8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件裝置，其中所述通孔形成在所述主體的中心部分并具有圓形橫截面形狀，該圓形橫截面形狀具有預(yù)定直徑。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件裝置，其中所述主體具有從所述主體的頂表面凹入并且圍繞所述通孔的平坦表面。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件裝置，其中所述漫射單元形成為漫射片，其與所述發(fā)光模塊間隔開預(yù)定距離。
11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件裝置，其中所述漫射片放置在所述平坦表面上。
12.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件裝置，其中所述漫射片的至少一個(gè)表面具有微圖案。
13.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件裝置，其中所述漫射片包括漫射材料、樹脂材料和熒光材料。
14.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件裝置，其中所述漫射單元通過填充包括樹脂材料和漫射材料的混合物達(dá)到所述通孔的預(yù)定高度以覆蓋所述發(fā)光模塊而形成。
15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件裝置，其中所述混合物還包括熒光材料。
16.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件裝置，其中多個(gè)突起部形成在所述主體的下表面上，多個(gè)孔形成在所述印刷電路板中并分別對(duì)應(yīng)于所述突起部， 其中所述主體壓入耦接到所述印刷電路板。
17.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件裝置，還包括在所述主體的外壁上用于與外部設(shè)備耦接的多個(gè)凸起。
18.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件裝置，其中用于與外部設(shè)備耦接的多個(gè)耦接孔形成在所述主體的上表面中。
19.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件裝置，其中所述發(fā)光模塊包括 基板和設(shè)置在所述基板上的所述至少一個(gè)發(fā)光器件，以及 連接部，用于以串聯(lián)、并聯(lián)或其組合連接所述至少一個(gè)發(fā)光器件， 其中所述連接部形成為覆蓋每個(gè)所述發(fā)光器件的一部分、所述基板的一部分以及相應(yīng)的相鄰發(fā)光器件的一部分的金屬層。
20.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光器件裝置，其中不平坦結(jié)構(gòu)形成在所述基板的其上沒有形成所述金屬層的部分上。
21.如權(quán)利要求20所述的發(fā)光器件裝置，其中所述不平坦結(jié)構(gòu)具有鋸齒狀部分，該鋸齒狀部分具有傾斜側(cè)表面。
22.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光器件裝置，其中所述基板的下表面具有不平坦結(jié)構(gòu)。
23.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件裝置，其中所述發(fā)光模塊包括 基板和設(shè)置在所述基板上的多個(gè)發(fā)光器件，以及 連接部，以串聯(lián)、并聯(lián)或其組合連接所述多個(gè)發(fā)光器件，并且形成為覆蓋所述多個(gè)發(fā)光器件的每個(gè)的一部分、所述基板的一部分以及相應(yīng)的相鄰發(fā)光器件的一部分的金屬層， 其中每個(gè)所述發(fā)光器件包括發(fā)射藍(lán)光的有源層，以及 所述多個(gè)發(fā)光器件包括包含紅光轉(zhuǎn)換部的發(fā)光器件和包含綠光轉(zhuǎn)換部的發(fā)光器件，該紅光轉(zhuǎn)換部具有紅光轉(zhuǎn)換材料，該綠光轉(zhuǎn)換部具有綠光轉(zhuǎn)換材料。
24.如權(quán)利要求23所述的發(fā)光器件裝置，其中所述多個(gè)發(fā)光器件中的一些包括既不包含綠光轉(zhuǎn)換部也不包含紅光轉(zhuǎn)換部的發(fā)光器件。
25.如權(quán)利要求24所述的發(fā)光器件裝置，其中所述綠光轉(zhuǎn)換部或所述紅光轉(zhuǎn)換部由兩個(gè)或多個(gè)相鄰的發(fā)光器件共用。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于照明的發(fā)光器件(LED)裝置，該LED裝置包括主體，具有通孔；設(shè)置在主體下面的發(fā)光模塊，包括至少一個(gè)發(fā)光器件，并且設(shè)置為經(jīng)由通孔暴露發(fā)光表面；以及設(shè)置在主體下面的印刷電路板(PCB)，發(fā)光模塊耦接到該印刷電路板，且該印刷電路板包括用于供給電能到發(fā)光模塊的端子單元。
文檔編號(hào)F21V9/10GK102679208SQ20121006668
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月14日
發(fā)明者具元會(huì), 樸哲, 李一錫, 林東一, 禹潤錫, 韓德喜 申請(qǐng)人:三星Led株式會(huì)社