專利名稱：等離子顯示面板的制造方法
技術領域：
在此公開的技術涉及用于顯示設備等的等離子顯示面板的制造方法。
背景技術：
等離子顯示面板(以下，稱作rop)由前面板和背面板構成。前面板由玻璃基板、在玻璃基板的一個主面上形成的顯示電極、覆蓋顯示電極而起到電容器的作用的電介質層、在電介質層上形成的氧化鎂(MgO)形成的保護層構成。為了增加來自保護層的初始電子放射數(shù)，例如試著在保護層的MgO中添加了硅
(Si)、鋁(Al)等(例如，參照專利文獻1、2、3、4、5等)。
在先技術文獻專利文獻專利文獻I日本特開2002-260535號公報專利文獻2日本特開平11-339665號公報專利文獻3日本特開2006-59779號公報專利文獻4日本特開平8-236028號公報專利文獻5日本特開平10-334809號公報

發(fā)明內容
是具備放電空間、和與所述放電空間相對置的保護層的PDP的制造方法。通過向所述放電空間導入包含還原性有機氣體的氣體，從而使保護層暴露在還原性有機氣體中。接著，從放電空間排出還原性有機氣體。接著，向放電空間封入放電氣體。保護層具有由氧化鎂構成的基底膜、和分散配置在基底膜上的多個金屬氧化物粒子。金屬氧化物粒子至少包含第I金屬氧化物和第2金屬氧化物。并且，金屬氧化物粒子在X射線衍射分析中至少具有一個峰值。該峰值位于第I金屬氧化物在X射線衍射分析中的第I峰值、與第2金屬氧化物在X射線衍射分析中的第2峰值之間。第I峰值及第2峰值表示與該峰值示出的面方位相同的面方位。第I金屬氧化物及第2金屬氧化物是從由氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶及氧化鋇構成的組中選擇的2種化合物。


圖I是表示實施方式所涉及的rop結構的立體圖。圖2是表示實施方式所涉及的前面板的構成的剖視圖。圖3是表示實施方式所涉及的rop的制造工藝流程的圖。圖4是表示第I溫度分布例的圖。圖5是表示第2溫度分布例的圖。圖6是表示第3溫度分布例的圖。圖7是表示實施方式所涉及的基底膜表面的X射線衍射分析結果的圖。
圖8是表示實施方式所涉及的其他基底膜表面的X射線衍射分析結果的圖。圖9是實施方式所涉及的凝集粒子的放大圖。圖10是表示I3DP的放電延遲與基底膜中的鈣濃度之間的關系的圖。圖11是表示rop的電子放射性能與Vscn點亮電壓的圖。圖12是表示凝集粒子的平均粒徑與電子放射性能的關系的圖。
具體實施例方式[I. PDPl 的結構]PDP的基本結構是一般的交流面放電型TOP。如圖I、圖2所示，PDPl對置配置了由前面玻璃基板3等構成的前面板2、和由背面玻璃基板11等構成的背面板10。前面板2·和背面板10的外周部被由玻璃料等構成的密封材料密封。在密封后的ropi內部的放電空間16中，以53kPa (400Torr) 80kPa (600Torr)的壓力封入了氖(Ne)及氣(Xe)等放電氣體。在前面玻璃基板3上彼此平行地分別排列配置多列由掃描電極4及維持電極5構成的一對帶狀的顯示電極6、和黑色長條7。在前面玻璃基板3上，以覆蓋顯示電極6和黑色長條7的方式形成起到電容器的作用的電介質層8。并且，在電介質層8的表面形成由氧化鎂(MgO)等構成的保護層9。另外，將在后面詳細敘述保護層9。掃描電極4及維持電極5分別在由銦錫氧化物(ITO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)等導電性金屬氧化物構成的透明電極上層疊由Ag構成的總線電極。在背面玻璃基板11上，在與顯示電極6正交的方向上彼此平行地配置了由以銀(Ag)為主成分的導電性材料構成的多個數(shù)據(jù)電極12。數(shù)據(jù)電極12被基底電介質層13覆蓋。并且，在數(shù)據(jù)電極12間的基底電介質層13上形成劃分放電空間16的規(guī)定高度的隔壁14。在隔壁14間的溝槽內，按每個數(shù)據(jù)電極12依次涂敷形成了根據(jù)紫外線發(fā)出紅色光的突光體層15、發(fā)出綠色光的突光體層15及發(fā)出藍色光的突光體層15。在顯不電極6與數(shù)據(jù)電極12交叉的位置上形成放電單元。具有在顯示電極6的方向上排列的紅色、綠色、藍色的熒光體層15的放電單元成為用于進行彩色顯示的像素。另外，在本實施方式中，封入到放電空間16內的放電氣體包含10體積％以上、30%體積以下的Xe。[2. PDPl的制造方法]如圖3所示，本實施方式所涉及的I3DPl的制造方法包括前面板制作工序Al、背面板制作工序BI、玻璃料涂敷工序B2、密封工序Cl、還原性氣體導入工序C2、排氣工序C3及放電氣體供給工序C4。[2-1.前面板制作工序Al]在前面板制作工序Al中，通過光刻法，在前面玻璃基板3上形成掃描電極4、維持電極5和黑色長條7。掃描電極4及維持電極5具備包含用于確保導電性的銀(Ag)的金屬總線電極4b、5b。此外，掃描電極4及維持電極5具備透明電極4a、5a。金屬總線電極4b被層疊在透明電極4a上。金屬總線電極5b被層疊在透明電極5a上。在透明電極4a、5a的材料中，使用用于確保透明度和電傳導性的銦錫氧化物(ITO)等。首先，通過濺射法等，在前面玻璃基板3上形成ITO薄膜。接著，通過光刻法，形成規(guī)定圖案的透明電極4a、5a。在金屬總線電極4b、5b的材料中使用包含銀(Ag)、用于使銀粘結的玻璃料、感光性樹脂和溶劑等在內的電極膏劑。首先，通過絲網印刷法等，在前面玻璃基板3上涂敷電極膏劑。接著，通過干燥爐，除去電極膏劑中的溶劑。接著，隔著規(guī)定圖案的光掩模使電極膏劑曝光。接著，使電極膏劑顯影，形成金屬總線電極圖案。最后，通過燒成爐，在規(guī)定溫度下燒成金屬總線電極圖案。也就是說，除去金屬總線電極圖案中的感的光性樹脂。此外，使金屬總線電極圖案中的玻璃料熔融。熔融后的玻璃料在燒成后再次玻璃化。通過以上的工序，形成金屬總線電極4b、5b。黑色長條7是由包含黑色顏料的材料形成的。接著，形成電介質層8。接著，形成電介質層8及保護層9。將在后面詳細敘述電介質層8及保護層9。 通過以上的工序，完成在前面玻璃基板3上具有規(guī)定的構成部件的前面板2。[2-2.背面板制作工序BI]通過光刻法，在背面玻璃基板11上形成數(shù)據(jù)電極12。在數(shù)據(jù)電極12的材料中，使用包含用于確保導電性的銀(Ag)、用于使銀粘結的玻璃料、感光性樹脂和溶劑等在內的數(shù)據(jù)電極膏劑。首先，通過絲網印刷法等，在背面玻璃基板11上以規(guī)定厚度涂敷數(shù)據(jù)電極膏齊U。接著，通過干燥爐，除去數(shù)據(jù)電極膏劑中的溶劑。接著，隔著規(guī)定圖案的光掩模，使數(shù)據(jù)電極膏劑曝光。接著，使數(shù)據(jù)電極膏劑顯影，形成數(shù)據(jù)電極圖案。最后，通過燒成爐，在規(guī)定溫度下燒成數(shù)據(jù)電極圖案。也就是說，除去數(shù)據(jù)電極圖案中的感光性樹脂。此外，使數(shù)據(jù)電極圖案中的玻璃料熔融。熔融后的玻璃料在燒成后再次玻璃化。通過以上的工序，形成數(shù)據(jù)電極12。在此，除了通過絲網印刷形成數(shù)據(jù)電極膏劑的方法以外，也可以使用濺射法、蒸鍍法等。接著，形成基底電介質層13。在基底電介質層13的材料中，使用包含電介質玻璃料、樹脂和溶劑的基底電介質膏劑。首先，通過絲網印刷法等，在形成了數(shù)據(jù)電極12的背面玻璃基板11上以規(guī)定厚度覆蓋數(shù)據(jù)電極12的方式涂敷基底電介質膏劑。接著，通過干燥爐，除去基底電介質膏劑中的溶劑。最后，通過燒成爐,在規(guī)定溫度下燒成基底電介質膏劑。也就是說，除去基底電介質膏劑中的樹脂。此外，使電介質玻璃料熔融。熔融后的電介質玻璃料在燒成后再次玻璃化。通過以上的工序，形成基底電介質層13。在此，除了通過絲網印刷基底電介質膏劑的方法以外，還可以使用壓模涂敷法(die coating method)、旋涂法等。此外，也可以不使用基底電介質膏劑，而是通過CVD(Chemical Vapor Deposition)法等來形成成為基底電介質層13的膜。接著，通過光刻法，形成隔壁14。在隔壁14的材料中，使用包含填料、用于使填料粘結的玻璃料、感光性樹脂和溶劑等的隔壁膏劑。首先，通過壓模涂敷法等，在基底電介質層13上上以規(guī)定厚度涂敷隔壁膏劑。接著，通過干燥爐，除去隔壁膏劑中的溶劑。接著，隔著規(guī)定圖案的光掩模，使隔壁膏劑曝光。接著，使隔壁膏劑顯影，形成隔壁圖案。最后，通過燒成爐，在規(guī)定溫度下燒成隔壁圖案。也就是說，除去隔壁圖案中的感光性樹脂。此外，使隔壁圖案中的玻璃料熔融。熔融后的玻璃料在燒成后再次被玻璃化。通過以上的工序，形成隔壁14。在此，除了光刻法以外，還可以使用噴砂法等。接著，形成熒光體層15。在熒光體層15的材料中，使用包含熒光體粒子、粘合劑和溶劑等的熒光體膏劑。首先，通過分配法等，在相鄰的隔壁14間的基底電介質層13上及隔壁14的側面上以規(guī)定厚度涂敷熒光體膏劑。接著，通過干燥爐，除去熒光體膏劑中的溶齊U。最后，通過燒成爐，在規(guī)定溫度下燒成熒光體膏劑。也就是說，除去熒光體膏劑中的樹月旨。通過以上的工序，形成熒光體層15。在此，除了為分配法以外，還可以使用絲網印刷法等。通過以上的工序，完成在背面玻璃基板11上具備規(guī)定的構成部件的背面板10。[2-3.玻璃料涂敷工序B2]在通過背面板制作工序BI制作出的背面板10的圖像顯示區(qū)域外，涂敷作為密封部件的玻璃料。之后，在350°C左右的溫度下預燒成玻璃料。通過該預燒成，除去溶劑成分 等。作為密封部件，優(yōu)選以氧化鉍、氧化釩為主成分的填料。作為以該氧化鉍為主成分的填料，例如可使用在Bi2O3-B2O3-RO-MO系(在此R是Ba、Sr、Ca、Mg中的任一個，M是Cu、Sb、Fe中的任一個)的玻璃材料中添加了由A1203、SiO2、堇青石等氧化物構成的填料的材料。此外，作為以氧化釩為主成分的填料，可以使用例如在V2O5-BaO-TeO-WO系的玻璃材料中添加了由A1203、SiO2、堇青石等氧化物構成的填料的材料。[2-4.密封工序Cl至放電氣體供給工序C4]對置配置前面板2、和經過了玻璃料涂敷工序BI的背面板10，并通過密封部件密封周邊部。之后,在放電空間16內封入放電氣體。本實施方式所涉及的密封工序Cl、還原性氣體導入工序C2、排氣工序C3、及放電氣體供給工序C4在同一裝置中進行圖4至圖6例示的溫度分布處理。圖4至圖6中的密封溫度是通過作為密封部件的填料對前面板2和背面板10進行密封時的溫度。本實施方式中的密封溫度例如約為490°C。此外，圖4至圖6中的軟化點是使作為密封部件的填料軟化的溫度。本實施方式中的軟化點例如約為430°C。并且，圖4至圖6中的排氣溫度是從放電空間排出包含還原性有機氣體在內的氣體時的溫度。本實施方式中的排氣溫度例如約為400°C。[2-4-1.第I溫度分布]如圖4所示，首先，在密封工序Cl中，溫度從室溫上升至密封溫度。接著，溫度在a_b的期間內維持密封溫度。之后，溫度在b-c的期間內從密封溫度下降至排氣溫度。在b-c的期間內，對放電空間內進行排氣。也就是說，放電空間內處于減壓狀態(tài)。接著，在還原性氣體導入工序C2中，溫度在c-d的期間內，維持排氣溫度。在c-d的期間內，向放電空間內導入包含還原性有機氣體的氣體。在c-d的期間內，保護層9暴露在包含還原性有機氣體的氣體中。之后，在排氣工序C3中，溫度在規(guī)定的期間內維持排氣溫度。之后，溫度下降至室溫左右。在d-e的期間內，通過使放電空間內排氣，從而排出包含還原性有機氣體的氣體。接著，在放電氣體供給工序C4中，向放電空間內導入放電氣體。也就是說，在溫度下降到室溫左右的e以后的期間內導入放電氣體。[2-4-2.第2溫度分布]如圖5所示，首先，在密封工序Cl中，溫度從室溫上升至密封溫度。接著，溫度在a_b的期間內維持密封溫度。之后，溫度在b-c的期間內從密封溫度下降至排氣溫度。在溫度維持在排氣溫度上的c-dl的期間內，使放電空間內排氣。也就是說，放電空間內處于減壓狀態(tài)。接著，在還原性氣體導入工序C2中，溫度在dl-d2的期間內維持排氣溫度。在dl-d2的期間，向放電空間內導入包含還原性有機氣體的氣體。在dl-d2的期間內，保護層9暴露在包含還原性有機氣體的氣體中。之后，在排氣工序C3中，在規(guī)定的期間內溫度維持在排氣溫度上。之后，溫度下降至室溫左右。在d2_e的期間內，通過使放電空間內排氣，從而排出包含還原性有機氣體的氣體。接著，在放電氣體供給工序C4中，向放電空間內導入放電氣體。也就是說，在溫度下降至室溫左右的e以后的期間內導入放電氣體。[2-4-3.第3溫度分布]·
如圖6所示，首先，在密封工序Cl中，溫度從室溫上升至密封溫度。接著，溫度在a-bl_b2的期間內維持密封溫度。在a-bl的期間內，使放電空間內排氣。也就是說，放電空間內處于減壓狀態(tài)。之后，溫度在b2-c的期間內從密封溫度下降至排氣溫度。還原性氣體導入工序C2是在密封工序Cl的期間內進行的。溫度在bl_b2的期間內維持密封溫度。之后，在b2-c的期間內，溫度下降至排氣溫度。在bl-c的期間內，向放電空間內導入包含還原性有機氣體的氣體。在bl-c的期間內，保護層9暴露在包含還原性有機氣體的氣體中。之后，在排氣工序C3中，溫度在規(guī)定的期間內維持在排氣溫度。之后，溫度下降至室溫左右。在c-e的期間內，通過使放電空間內排氣，從而排出包含還原性有機氣體的氣體。接著，在放電氣體供給工序C4中，向放電空間內導入放電氣體。也就是說，在溫度下降至室溫左右的e以后的期間內，導入放電氣體。另外，所有溫度分布都具有大致等同作用。[2-4-4.還原性有機氣體的詳細介紹]如表I所示，作為還原性有機氣體，優(yōu)選分子量在58以下的還原能力較大的CH系有機氣體。通過在稀有氣體或氮氣等中混合從各種還原性有機氣體中選出的至少一種氣體，從而制作包含還原性有機氣體的氣體。表I
有機氣體 I C I H I分子量蒸氣壓沸點分解容易度還原能力 ~2 2 26AAAA
~ZM2 4 28AA AA
~ZM2 6 30AABA
~甲基乙塊3 4 40AAAA
權利要求
1.一種等離子顯示面板的制造方法，該等離子顯示面板具備放電空間、和與所述放電空間相對置的保護層，其中， 所述保護層具有由氧化鎂構成的基底膜、和分散配置在所述基底膜上的多個金屬氧化物粒子， 所述金屬氧化物粒子至少包含第I金屬氧化物和第2金屬氧化物，并且 所述金屬氧化物粒子在X射線衍射分析中具有至少一個峰值， 所述峰值位于所述第I金屬氧化物在X射線衍射分析中的第I峰值、與所述第2金屬氧化物在X射線衍射分析中的第2峰值之間， 所述第I峰值及所述第2峰值表示與所述峰值示出的面方位相同的面方位， 所述第I金屬氧化物及所述第2金屬氧化物是從由氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶及氧化鋇構成的組中選擇的2種化合物， 通過向所述放電空間導入包含還原性有機氣體的氣體，從而使所述保護層暴露在所述還原性有機氣體中， 接著，從所述放電空間排出所述還原性有機氣體， 接著，向所述放電空間封入放電氣體。
2.根據(jù)權利要求I所述的等離子顯示面板的制造方法，其中， 所述還原性有機氣體是不含氧的碳氫化合物系氣體。
3.根據(jù)權利要求2所述的等離子顯示面板的制造方法，其中， 所述還原性有機氣體是從乙炔、乙烯、甲基乙炔、丙二烯、丙烯、環(huán)丙烷、丙烷及丁烷之中選擇的至少一種。
4.根據(jù)權利要求I所述的等離子顯示面板的制造方法，其中， 按照所述金屬氧化物粒子的覆蓋率在5%以上且50%以下的方式，分散配置所述金屬氧化物粒子。
5.根據(jù)權利要求4所述的等離子顯示面板的制造方法，其中， 按照所述金屬氧化物粒子的覆蓋率在5%以上且25%以下的方式，分散配置所述金屬氧化物粒子。
6.根據(jù)權利要求I所述的等離子顯示面板的制造方法，其中， 所述保護層還具有在所述基底膜上分散配置的凝集了多個氧化鎂的結晶粒子而成的凝集粒子， 在所述基底膜上與所述金屬氧化物粒子一起分散配置所述凝集粒子。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具備放電空間、和與放電空間相對置的保護層的等離子顯示面板的制造方法。通過向所述放電空間導入包含還原性有機氣體的氣體，從而使保護層暴露在還原性有機氣體中。接著，從放電空間排出還原性有機氣體。接著，向放電空間封入放電氣體。保護層具有由氧化鎂構成的基底膜、和分散配置在基底膜上的多個金屬氧化物粒子。金屬氧化物粒子至少包含第1金屬氧化物和第2金屬氧化物。并且，金屬氧化物粒子在X射線衍射分析中至少具有一個峰值。該峰值位于第1金屬氧化物在X射線衍射分析中的第1峰值、與第2金屬氧化物在X射線衍射分析中的第2峰值之間。第1峰值及第2峰值表示與該峰值示出的面方位相同的面方位。
文檔編號H01J9/02GK102812532SQ20118001562
公開日2012年12月5日 申請日期2011年3月17日 優(yōu)先權日2010年3月26日
發(fā)明者后藤真志, 辻田卓司, 河原崎秀司, 堀河敬司, 小鹽千春, 奧村加奈子, 三浦正范 申請人:松下電器產業(yè)株式會社