專利名稱：Led模塊及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種LED模塊及其制造方法，更具體而言，涉及制造LED模塊的LED模塊及其制造方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的制造LED模塊的一般方法中，將LED元件組裝在導(dǎo)線架形狀的封裝之中，并涂布熒光材料來制成獨(dú)立LED元件，并將該LED元件安裝在一 PCB基板的表面上，從而制造出照明用模塊。然而，此方法具有如下缺陷，S卩、由于LED元件的發(fā)熱特性差且發(fā)光效率低，并且大小受到制約，因此難以制造出具有現(xiàn)有的照明用燈泡的亮度的照明用模塊，且無法降低成本。 為了克服這種問題，公知有一種板上芯片(Chip On Board, COB)的方法，其中，會使用金屬基板PCB (Metal Core PCB，MCPCB)基板來去掉封裝，而將LED直接組裝在該MCPCB
基板上。但是，MCPCB雖然具有高導(dǎo)熱性，但是其材料相當(dāng)昂貴，并且為大量生產(chǎn)而必須投資建設(shè)經(jīng)過特殊設(shè)計的量產(chǎn)用設(shè)備，進(jìn)一步，在制造MCPCB時，很難實(shí)施50um以下的微處理。所以，在制造用于照明的LED模塊中，COB方法已經(jīng)被視為效率低下，而且，MCPCB非常昂貴而不適用于照明用模塊。另外，雖然已經(jīng)有人在研究能夠改良元件本身的發(fā)光能力的高效率LED單芯片，但是，此芯片卻非常昂貴，而且需要用到經(jīng)過特殊設(shè)計的封裝來改良它的發(fā)熱特性，因此它的尺寸也無法縮減，而且組裝的成本也非常高。據(jù)此，需要一種更有效的LED模塊制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的某些實(shí)施例提供一種LED模塊以及制造該LED模塊的方法，使其能夠在制造高灰度LED模塊時，通過改良LED元件的發(fā)熱特性來提高它的發(fā)光效率，并且可以將低灰度的LED采用模塊形式來制造出廉價且小型的高灰度LED模塊。另外，本發(fā)明的某些實(shí)施例提供一種LED模塊以及制造該LED模塊的方法，使其能通過在每一個LED元件中安裝反射板，可提高發(fā)光特性，并且可以制造各種形態(tài)的模塊，從而可以制造出具有各種功能的照明用高灰度LED。再者，本發(fā)明的某些實(shí)施例提供一種LED模塊以及制造該LED模塊的方法，使其由于采用了半導(dǎo)體工藝，因此易于進(jìn)行大量生產(chǎn)，可以顯著降低模塊的缺陷率，且還可以明顯降低每個單元的生產(chǎn)成本。為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式，提供一種LED模塊的制造方法，其包括如下工序在基板上形成絕緣膜；在上述絕緣膜上形成彼此分離的第一接地觸墊和第二接地觸墊；形成填充上述第一接地觸墊和第二接地觸墊之間的空間的第一分割膜，形成沉積在上述第一接地觸墊的一表面上的第二分割膜，以及形成被沉積在上述第二接地觸墊的一表面上的第三分割膜；在上述各個分割膜的上部形成具有規(guī)定高度的第一間隔層；在形成有上述第一間隔層的基板上濺射晶種金屬；在上述第一間隔層的上部形成具有規(guī)定高度的第二間隔層；對形成有該第二間隔層的基板實(shí)施金屬電鍍工藝，來形成連接到上述第一接地觸墊的第一反射鏡以及連接到上述第二接地觸墊的第二反射鏡；除去上述第一間隔層和第二間隔層；將齊納二極管連接到上述第一反射鏡上，并將LED連接到上述第二反射鏡上；以及沉積熒光材料，以便填充由上述第一反射鏡與上述第二反射鏡形成的空間。另外，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式，提供一種LED模塊的制造方法，其包括如下工序?qū)R納二極管于插入基板；在上述基板上形成絕緣膜；在上述絕緣膜上形成彼此分離的第一接地觸墊和第二接地觸墊；形成填充上述接地觸墊之間的空間第一分割膜，形成沉積在上述第一接地觸墊的一表面上的第二分割膜，以及形成沉積在上述第二接地觸墊的一表面上的第三分割膜；在上述各個分割膜的上部形成具有規(guī)定高度的第一間隔層；在形成有上述第一間隔層的基板上濺射晶種金屬；在上述第一間隔層的上部形成具有規(guī)定高度的第二間隔層；對形成有上述第二間隔層的基板實(shí)施金屬電鍍工藝，來形成連接到上述第一接地觸墊的第一反射鏡以及連接到上述第二接地觸墊的第二反射鏡；除去上述第一間隔層 和第二間隔層；將LED連接至上述第二反射鏡；以及沉積熒光材料，以便填充由上述第一反射鏡和上述第二反射鏡所形成的空間。此外，根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式，提供一種LED模塊，其包括第一接地觸墊和第二接地觸墊，彼此分離地形成在形成有絕緣膜的基板上；第一反射鏡，其一表面連接到上述第一接地觸墊；第二反射鏡，其一表面連接到上述第二接地觸墊；齊納二極管，其連接到上述第一反射鏡；LED,其配置于上述第二反射鏡的一部分表面之上；以及突光體,其形成于上述齊納二極管和上述二極管之上，其中，上述第一反射鏡的另一表面和上述第二反射鏡的另一表面彼此對置。根據(jù)上述的實(shí)施方式，能夠在制造高灰度LED模塊時，通過改良LED元件的發(fā)熱特性來提高它的發(fā)光效率，并且可以將低灰度的LED采用模塊形式來制造出廉價且小型的高灰度LED模塊。另外，根據(jù)上述的實(shí)施方式，通過在每一個LED元件中安裝反射板，可提高發(fā)光特性，并且可以制造各種形態(tài)的模塊，從而可以制造出具有各種功能的照明用高灰度LED。再者，根據(jù)上述的實(shí)施方式，由于采用了半導(dǎo)體工藝，因此易于進(jìn)行大量生產(chǎn)，可以顯著降低模塊的缺陷率，且還可以明顯降低每個單元的生產(chǎn)成本。


圖Ia至Ih是表示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的LED模塊的制造方法的示意圖；圖2為表示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的LED模塊的剖面圖；圖3a至3c為表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LED模塊的制造方法的示意圖；圖4表示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的LED模塊的制造方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式下面，將參考附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例，、使得本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可輕易地施行本發(fā)明。然而，應(yīng)該注意的是，本發(fā)明并不受限于這些實(shí)施例，確切地說，可以以各種其它方式來實(shí)現(xiàn)。另外，在附圖中，為簡化解釋起見，和說明無關(guān)的部分會被省略，而且在整個說明書中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件。在整份文件個說明書中，用于表示其中一元件連接至或耦合至另一元件的“被連接到至”或是“被耦合至”等用詞包含下面兩種情況一個元件“直接被連接到至或是被耦合至”另一元件；以及一個元件經(jīng)透過其它又一元件“被電子連接至或是被電子耦合到至”另一元件。進(jìn)一步言之，本文件說明書中所使用的“包括或包含”等用詞的意義為，除了本文所述的組件、工序、操作、及/或元件之外，并不排除存在或加入一或多個組件、工序、操作、及/或元件(有特別的相反的記載時除外)。圖Ia至Ih表示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的LED模塊的制造方法的示意圖。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的LED模塊包含包括第一接地觸墊142和第二接地觸墊144，彼此分離地位于其上形成在形成有一絕緣膜120的基板110上彼此分離的第一接地觸墊142和第二接地觸墊144 ;第一反射鏡182，其一表面會連接到該第一接地觸墊142 ;第二 反射鏡184，其一表面會連接該到第二接地觸墊144 ;齊納二極管191，其連接到該第一反射鏡182 ;LED192，其會被定位配置于在該第二反射鏡184的一部分表面之上；以及194熒光體194，其會被形成在該齊納二極管191與LED192之上，而且該第一反射鏡182的另一表面和該第二反射鏡184的另一表面可形成為彼此對置。下面，將更詳細(xì)地說明該LED模塊的制造方法。首先，如圖Ia中所描繪所示，在該基板110上形成該絕緣膜120會被形成在該基板110之上。明確具體而言地說，在Si基板110之上沉積Al金屬會被，沉積在Si基板110之上而且通過陽極氧化方法形成一具有5nm或更小以下的奈米納米孔(pore)的陽極氧化招(Anodic Aluminum Oxide7AAO)層會借由陽極氧化被形成,接著,通過等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備來沉積一氧化硅(Si02)層，制造出用于LED模塊的絕緣膜120。制造該絕緣膜120的工藝的細(xì)節(jié)可以參閱本申請的申請人的在先申請(韓國專利第10-0899894號)。接著，如圖Ib中所示，在絕緣膜120之上形成接地觸墊140，且形成彼此分離的第一接地觸墊142和第二接地觸墊144。此處，可以在絕緣膜120上濺射晶種金屬，并通過實(shí)施用以制造第一接地觸墊142和第二接地觸墊144的利用光刻膠層130的構(gòu)圖工藝和金屬電鍍工藝，從而形成第一接地觸墊142和第二接地觸墊144。更具體而言，濺射作為用于電鍍的晶種金屬的Ti或Au，并涂布光刻膠后，通過構(gòu)圖工藝來形成用于制造接地觸墊的圖案。接著，通過電鍍利用Cu或Au來制造接地觸墊。而后，如圖Ic中所示，形成如下所述的分割膜150，S卩、第一分割膜151，其用以填充接地觸墊142、144之間的間隙；第二分割膜152，沉積在該第一接地觸墊142的一表面上；以及第三分割膜153，沉積在該第二接地觸墊144的一表面上。此處，第一分割膜151至第三分割膜153可以通過將聚合物涂布在第一接地觸墊142和該第二接地觸墊144上而形成。接著，如圖Id中所示，在分割膜150之上形成具有規(guī)定高度的第一間隔層160。此處，該第一間隔層160可通過下述方式形成將第一光刻膠層沉積在形成有分割膜150的基板110之上，并蝕刻該第一光刻膠層，使得第一接地觸墊142與第二接地觸墊144的一部分露出。
而后，如圖Ie中所不,將晶種金屬162派射至形成有第一間隔層160的基板110上。進(jìn)一步，如圖If中所示，在第一間隔層160之上形成具有規(guī)定高度的第二間隔層170。具體而言，將第二光刻膠層沉積在實(shí)施了濺射工藝的基板110之上，并蝕刻該第二光刻膠層，使得該第一接地觸墊142與第二接地觸墊144的一部分露出，并使第二光刻膠層覆蓋形成在第一分割膜151之上的第一間隔層160的整個上表面164。此處，可以按照形成在第一分割膜151之上的第一間隔層160的整個上表面164被該第二間隔層170覆蓋的方式形成第二間隔層170。進(jìn)一步，可以按照由第二間隔層170露出形成在第二分割膜152與第三分割膜153之上的第一間隔層160的上表面166、168的一部分的方式，形成該第二間隔層170。利用這種結(jié)構(gòu)，可以防止反射鏡180形成在已形成于第一分割膜151之上的第一間隔層160附近。
接著，如圖Ig中所示，對形成有第二間隔層170的基板110實(shí)施金屬電鍍工藝，從而形成連接到第一接地觸墊142的第一反射鏡182以及連接到第二接地觸墊144的第二反射鏡184。此處，第一反射鏡182和第二反射鏡184可以對形成有第二間隔層170的基板110電鍍Ni、Su、Cu、Au、以及Ag而形成。由此，可通過如下結(jié)構(gòu)來形成如圖中所示的反射鏡180，即、第一間隔層160 ;被濺射至第一間隔層160上的晶種金屬；以及覆蓋已濺射的晶種金屬的一部分的第二間隔層170。接著，如圖Ih中所示，除去第一間隔層160和第二間隔層170。而后，將齊納二極管191連接至第一反射鏡182，且將LED192連接到第二反射鏡184。然后,進(jìn)行用以布線的Au焊線(wire bonding) 193,并且沉積突光體194而填充由第一反射鏡182和第二反射鏡184形成的空間。圖2是表示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的通過上述圖Ia至圖Ih的工序來制成的LED模塊的剖面圖。如圖2中所示，利用上述工藝制成的LED模塊，通過在每一個LED元件中安裝反射板，可提高發(fā)光特性，并且可以制造各種形態(tài)的模塊，從而可以制造出具有各種功能的照明用高灰度LED。進(jìn)一步，由于采用了半導(dǎo)體工藝，因此易于進(jìn)行大量生產(chǎn)，可以顯著降低模塊的缺陷率，且還可以明顯降低每個單元的生產(chǎn)成本。再者，還可以在單一模塊中組裝具有各種顏色等級(color rank)的LED，使得能夠制造出使用LED的靈敏的發(fā)光設(shè)備。圖3a至3c是表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LED模塊的制造方法的示意圖。如圖3a中所示，在基板110上形成絕緣膜120之前，可以將齊納二極管191插入到該基板110之中。此處，該被插入的齊納二極管191可位于第一反射鏡182的下方。由此，若將齊納二極管191事先插入的話，工藝可以更為簡化，并且可以制造出小型化的LED模塊。如圖3b中所示,可以將驅(qū)動IC(integrated circuit) 200貼設(shè)在LED模塊的絕緣膜120之上。也就是說，在已制成的LED模塊之上貼設(shè)LED裸驅(qū)動IC200之后進(jìn)行引線壓焊(wire bonding),能夠提高該模塊的集成度。
如圖3c中所示,能夠?qū)⒓蔁o源元件210 —并集成到絕緣膜120上。如此，在制造高灰度LED模塊時，通過改良LED元件的發(fā)熱特性而可提高發(fā)光效率，并且可以將低灰度的LED采用模塊形式來制造出廉價且小型的高灰度LED模塊。圖4是表示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的LED模塊的制造方法的流程圖。首先，在基板110之上形成絕緣膜120 (SlOl)。此處，在基板110之上形成氧化鋁層，并通過在氧化鋁層之上形成氧化硅(Si02)層，從而形成絕緣膜120。另外，在另一實(shí)施例中，可以在此工序SlOl之前先插入齊納二極管191。
接著，在該絕緣膜120之上形成彼此分離的第一接地觸墊142和第二接地觸墊144 (SI 11)。此處，在絕緣膜120上濺射晶種金屬，并實(shí)施用于制造第一接地觸墊142和該 第二接地觸墊144的構(gòu)圖工藝和金屬電鍍工藝。并且，可以使用Ti或Au作為晶種金屬，而且在金屬電鍍工藝中可以使用Cu或Au。接著，形成第一分割膜151，填充接地觸墊之間的空間；第二分割膜152，沉積在第一接地觸墊142的一表面上；以及第三分割膜153，沉積在第二接地觸墊144的一表面上(S121)。此處，第一分割膜151至第三分割膜153可以在第一接地觸墊142與該第二接地觸墊144之上沉積聚合物而形成。接著，在各個分割膜之上形成具有規(guī)定高度的第一間隔層160(S131)。此處，該第一間隔層160可通過下述方式形成將第一光刻膠層沉積在形成有分割膜的基板110之上， 并蝕刻第一光刻膠層，使得第一接地觸墊142與第二接地觸墊144的一部分露出。而后，將晶種金屬被濺射至形成一批第一間隔層160的基板IlO(SHl)。進(jìn)一步，在第一間隔層160之上形成具有規(guī)定高度的第二間隔層170(S151)。此處，按照形成在該第一分割膜151之上的第一間隔層160的整個上表面164被第二間隔層170覆蓋的方式，來形成第二間隔層170覆蓋。另外，按照形成在第二分割膜152與第三分割膜153之上的第一間隔層160的上表面166、168的一部分由第二間隔層170露出的方式，來形成第二間隔層170。接著，通過對形成有第二間隔層170的基板110實(shí)施金屬電鍍工藝，形成連接到第一接地觸墊142的第一反射鏡182以及連接到第二接地觸墊144的第二反射鏡184(S161)。第一反射鏡182和第二反射鏡184可以對形成有第二間隔層170的基板110電鍍Ni、Su、Cu、Au、以及Ag而形成。接著，除去第一間隔層160和第二間隔層170 (S171)。而后，將齊納二極管191連接于第一反射鏡182，并且將LED192連接于第二反射鏡184(S181)。接著，沉積熒光體194，以便填充由第一反射鏡182和第二反射鏡184所形成的空間(S191)。同時，在另一實(shí)施例中，可將驅(qū)動IC200以及集成無源元件210 —并集成到LED模塊的絕緣膜120之上。本發(fā)明的上述說明是為了例舉的目的而提供的，而且本領(lǐng)域普通技術(shù)人員便會了解，可以在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想以及必要的特征的基礎(chǔ)上，對其進(jìn)行各種改變與修正。因此，顯見的是，上面所述的實(shí)施例于所有觀點(diǎn)中僅具解釋性而并不限制本發(fā)明。舉例來說，被描述為某單一結(jié)構(gòu)的各個構(gòu)成要素亦能夠以分散的方式來施行。同樣地，被描述為分散式的組件亦能夠以組合的方式來施行。本發(fā)明的保護(hù)范 圍是由權(quán)利要求書而非實(shí)施例的詳細(xì)說明來定義。應(yīng)該了解的是，從權(quán)利要求書和它們的等效范圍的意義與范疇中所構(gòu)想出來的所有修正例與實(shí)施例皆涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求
1.一種LED模塊的制造方法，其包括如下工序 在基板上形成絕緣膜； 在上述絕緣膜上形成彼此分離的第一接地觸墊和第二接地觸墊； 形成填充上述第一接地觸墊和第二接地觸墊之間的空間的第一分割膜，形成沉積在上述第一接地觸墊的一表面上的第二分割膜，以及形成被沉積在上述第二接地觸墊的一表面上的第三分割膜； 在上述各個分割膜的上部形成具有規(guī)定高度的第一間隔層； 在形成有上述第一間隔層的基板上濺射晶種金屬； 在上述第一間隔層的上部形成具有規(guī)定高度的第二間隔層； 對形成有該第二間隔層的基板實(shí)施金屬電鍍工藝，來形成連接到上述第一接地觸墊的第一反射鏡以及連接到上述第二接地觸墊的第二反射鏡； 除去上述第一間隔層和第二間隔層； 將齊納二極管連接到上述第一反射鏡上，并將LED連接到上述第二反射鏡上；以及 沉積熒光材料，以便填充由上述第一反射鏡與上述第二反射鏡形成的空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其中，形成上述第一間隔層的工序包括如下工序 在形成有上述分割膜的基板上沉積第一光刻膠層；以及 蝕刻上述第一光刻膠層，以使露出上述第一接地觸墊與第二接地觸墊的一部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其中，形成上述第二間隔層的工序中，通過上述第二間隔層來覆蓋形成在上述第一分割膜上的第一間隔層的整個上表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其中，形成上述第二間隔層的工序中，通過上述第二間隔層使形成在上述第二分割膜與第三分割膜之上的第一間隔層的部分上表面露出。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其中，形成上述第二間隔層的工序包括如下工序 在上述實(shí)施了濺射的基板上沉積第二光刻膠層；以及 蝕刻上述第二光刻膠層，以使露出上述第一接地觸墊與第二接地觸墊的一部分，并使上述第二光刻膠層覆蓋形成在上述第一分割膜上的第一間隔層的整個上表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其中，形成上述絕緣膜的工序包括如下工序 在上述基板之上形成陽極氧化招(Anodic Aluminum Oxide, AAO)層，并在上述陽極氧化鋁層的上端沉積氧化硅(Si02)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其中，形成上述第一接地觸墊和第二接地觸墊的工序包括如下工序 在上述絕緣膜之上濺射晶種金屬，并實(shí)施用以制造上述第一接地觸墊和第二接地觸墊的構(gòu)圖工藝和金屬電鍍工藝。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，作為上述晶種金屬采用Ti或Au，而Cu或Au使用于上述金屬電鍍工藝中。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其中，上述第一分割膜至第三分割膜是在上述第一接地觸墊和第二接地觸墊之上涂布聚合物而形成的。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其中，上述第一反射鏡和第二反射鏡是在形成有上述第二間隔層的基板上電鍍Ni、Su、Cu、Au以及Ag之中的一個以上而形成的。
11.一種LED模塊的制造方法，其包括如下工序?qū)R納二極管于插入基板； 在上述基板上形成絕緣膜； 在上述絕緣膜上形成彼此分離的第一接地觸墊和第二接地觸墊； 形成填充上述接地觸墊之間的空間第一分割膜，形成沉積在上述第一接地觸墊的一表面上的第二分割膜，以及形成沉積在上述第二接地觸墊的一表面上的第三分割膜； 在上述各個分割膜的上部形成具有規(guī)定高度的第一間隔層； 在形成有上述第一間隔層的基板上濺射晶種金屬； 在上述第一間隔層的上部形成具有規(guī)定高度的第二間隔層； 對形成有上述第二間隔層的基板實(shí)施金屬電鍍工藝，來形成連接到上述第一接地觸墊的第一反射鏡以及連接到上述第二接地觸墊的第二反射鏡； 除去上述第一間隔層和第二間隔層； 將LED連接至上述第二反射鏡；以及 沉積熒光材料，以便填充由上述第一反射鏡和上述第二反射鏡所形成的空間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，上述被插入的齊納二極管位于上述第一反射鏡的下方。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其中， 形成上述第一間隔層的工序包括如下工序 在形成有上述分割膜的基板上沉積第一光刻膠層；以及 蝕刻上述第一光刻膠層，以使露出上述第一接地觸墊與第二接地觸墊的一部分， 形成上述第二間隔層的工序包括如下工序 在上述實(shí)施了濺射的基板上沉積第二光刻膠層；以及 蝕刻上述第二光刻膠層，以使露出上述第一接地觸墊與第二接地觸墊的一部分，并使上述第二光刻膠層覆蓋形成在上述第一分割膜上的第一間隔層的整個上表面，且通過上述第二間隔層使形成在上述第二分割膜與第三分割膜之上的第一間隔層的部分上表面露出。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其中， 形成上述絕緣膜的工序包括如下工序 在上述基板之上形成陽極氧化招(Anodic Aluminum Oxide, AAO)層，并在上述陽極氧化鋁層的上端沉積氧化硅(Si02)層， 形成上述第一接地觸墊和第二接地觸墊的工序包括如下工序 在上述絕緣膜之上濺射晶種金屬，并實(shí)施用以制造上述第一接地觸墊和第二接地觸墊的構(gòu)圖工藝和金屬電鍍工藝，上述晶種金屬為Ti或Au，上述金屬電鍍工藝中使用Cu或Au。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，上述第一分割膜至第三分割膜是在上述第一接地觸墊和第二接地觸墊之上涂布聚合物而形成的， 上述第一反射鏡和第二反射鏡是在形成有上述第二間隔層的基板上電鍍Ni、Su、Cu、Au以及Ag之中的一個以上而形成的。
16.根據(jù)權(quán)利要求I或11所述的制造方法，其還包括如下工序 在上述絕緣膜上連接驅(qū)動IC(integrated circuit)。
17.根據(jù)權(quán)利要求I、11以及16中任一項(xiàng)所述的制造方法，其進(jìn)一步包括 在上述絕緣膜上連接集成無源元件。
18.一種LED模塊，其包括 第一接地觸墊和第二接地觸墊，彼此分離地形成在形成有絕緣膜的基板上； 第一反射鏡，其一表面連接到上述第一接地觸墊； 第二反射鏡，其一表面連接到上述第二接地觸墊； 齊納二極管，其連接到上述第一反射鏡； LED，其配置于上述第二反射鏡的一部分表面之上；以及 熒光體，其形成于上述齊納二極管和上述二極管之上， 其中，上述第一反射鏡的另一表面和上述第二反射鏡的另一表面彼此對置。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的LED模塊，其中，上述被連接的齊納二極管位于上述第一反射鏡的下方。
全文摘要
在基板上形成絕緣膜；在絕緣膜上形成彼此分離的第一接地觸墊和第二接地觸墊；形成填充接地觸墊之間的空間的第一分割膜，形成沉積在第一接地觸墊的一表面上的第二分割膜，以及形成被沉積在第二接地觸墊的一表面上的第三分割膜；在各個分割膜的上部形成具有規(guī)定高度的第一間隔層；在形成有第一間隔層的基板上濺射晶種金屬；在第一間隔層的上部形成具有規(guī)定高度的第二間隔層；對形成有該第二間隔層的基板實(shí)施金屬電鍍工藝，來形成連接到第一、第二接地觸墊的第一、第二反射鏡；除去第一、第二間隔層；將齊納二極管連接到第一反射鏡上，并將LED連接到第二反射鏡上；以及沉積熒光材料，以便填充由第一反射鏡與第二反射鏡形成的空間。
文檔編號F21V19/00GK102834940SQ201180014535
公開日2012年12月19日 申請日期2011年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月19日
發(fā)明者李源祥, 金永根 申請人:大元創(chuàng)新科技有限公司