專利名稱:一種led燈具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實用新型涉及一種燈具,尤其是涉及一種LED燈具。
背景技術(shù):
將LED作為照明燈具具有以下優(yōu)點第一、LED消耗能量較同光效的白熾燈減少 80%;第二、LED無有害金屬汞,對環(huán)境不會污染;第三、LED發(fā)出的光純度高。但是,在當前主張建立低碳社會的背景下,對于節(jié)能性能很好的LED仍然需要進行進一步改進,使得LED發(fā)出的有效照明盡可能的多,無效或未被利用的光線盡可能減少, 因而需要對燈罩進行進一步改進,盡可能提高照明亮度。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型設(shè)計了一種LED燈具,其解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有的燈罩未能將LED發(fā)射的光線最大化的轉(zhuǎn)換成有效照明。為了解決上述存在的技術(shù)問題,本實用新型采用了以下方案一種LED燈具,主要包括圓球形的LED燈罩、一枚大功率LED芯片、電路板以及燈座,該LED燈罩包括上端的透光層和下端的反射層,所述反射層最低處位于燈罩口處,所述反射層最高處位于燈罩最大直徑的上方,并且所述反射層的高度為1. 2倍的燈罩最大直徑長度。在所述透光層的內(nèi)表面或在所述大功率LED芯片表面涂有ZnS基納米熒光粉層。進一步,所述反射層為金屬鋁層。該LED燈具與普通的LED燈具相比,具有以下有益效果(1)本實用新型由于對反射層的高度做出上述詳細限定,因而反射層可以將LED 芯片發(fā)出的光線盡可能的反射到上端的透光層處,并且可以增加燈罩透光層的亮度,進一步提高LED燈具亮度,或者可以選擇相對小功率的LED芯片就可以實現(xiàn)照明效果。(2)本實用新型由于在透光層的內(nèi)表面或在大功率LED芯片表面涂有ZnS基納米熒光粉層,納米級的ZnS基熒光粉可以均勻的吸收LED發(fā)出的光線后并激活ZnS基熒光粉, 使得經(jīng)過透光層的光線更加明亮,因而可以在相同亮度的要求下,可以使用相對低功率的 LED芯片。
圖1是本實用新型LED燈具的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是本實用新型LED燈具的工作原理示意圖;圖3是本實用新型LED燈具的LED芯片結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標記說明10 — LED燈罩;11 一透光層;111 一燈罩最大直徑;112—反射層與透光層連接處; 12—反射層;13—燈罩口 ;14一大功率LED芯片;141一ZnS基納米熒光粉層。
具體實施方式
下面結(jié)合圖1至圖3,對本實用新型做進一步說明一種LED燈具,主要包括圓球形的LED燈罩10、一枚大功率LED芯片14、電路板以及燈座,該LED燈罩10包括上端的透光層11和下端的反射層12,反射層12最低處位于燈罩口 13處,反射層12最高處位于燈罩最大直徑111的上方,并且反射層12的高度為1. 2倍的燈罩最大直徑111長度。由于對反射層12的高度做出上述詳細限定,因而反射層12可以將LED芯片14發(fā)出的光線盡可能的反射到上端的透光層11處,因而可以增加燈罩透光層11的亮度,進一步提高LED燈具亮度,或者也可以選擇相對小功率的LED芯片就可以實現(xiàn)照明效果。此外,在透光層11的內(nèi)表面或在大功率LED芯片14表面涂有ZnS基納米熒光粉層141。納米級的ZnS基熒光粉可以均勻的吸收LED發(fā)出的光線后并激活ZnS基熒光粉,使得經(jīng)過透光層11的光線更加明亮,因而可以在相同亮度的要求下,可以使用相對低功率的 LED芯片。反射層12為金屬鋁層。金屬鋁層可以做到盡可能的降低光能的反射消耗。上面結(jié)合附圖對本實用新型進行了示例性的描述,顯然本實用新型的實現(xiàn)并不受上述方式的限制,只要采用了本實用新型的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進行的各種改進,或未經(jīng)改進將本實用新型的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場合的,均在本實用新型的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種LED燈具,主要包括圓球形的LED燈罩(10)、一枚大功率LED芯片(14)、電路板以及燈座,該LED燈罩(10)包括上端的透光層(11)和下端的反射層(12),其特征在于所述反射層(12)最低處位于燈罩口(13)處,所述反射層(12)最高處位于燈罩最大直徑(111) 的上方,并且所述反射層(12)的高度為1.2倍的燈罩最大直徑(111)長度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述LED燈具,其特征在于在所述透光層(11)的內(nèi)表面或在所述大功率LED芯片(14)表面涂有ZnS基納米熒光粉層(141 )。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述LED燈具,其特征在于所述反射層(12)為金屬鋁層。
專利摘要本實用新型涉及一種LED燈具,主要包括圓球形的LED燈罩、一枚大功率LED芯片、電路板以及燈座,該LED燈罩包括上端的透光層和下端的反射層,所述反射層最低處位于燈罩口處,所述反射層最高處位于燈罩最大直徑的上方,并且所述反射層的高度為1.2倍的燈罩最大直徑長度。本實用新型由于對反射層的高度做出上述詳細限定,因而反射層可以將LED芯片發(fā)出的光線盡可能的反射到上端的透光層處,并且可以增加燈罩透光層的亮度,進一步提高LED燈具亮度,或者可以選擇相對小功率的LED芯片就可以實現(xiàn)照明效果。
文檔編號F21V7/22GK202074306SQ20112018810
公開日2011年12月14日 申請日期2011年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月7日
發(fā)明者趙勇, 陳祥龍 申請人:北京中智錦成科技有限公司