等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜及其制備方法和等離子顯示屏的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜，其制備方法及含有其的等離子顯示屏。該介質(zhì)保護膜包括：氧化鎂層；以及設置在氧化鎂層上表面的絕緣氧化物層，絕緣氧化物層的材料選自由SiO2、TiO2、ZnO、BaTiO3和Al2O3組成的組中的一種或多種。根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)保護膜，氧化鎂層處在底層，絕緣氧化物層處在頂層，絕緣氧化物層保護氧化鎂層在后續(xù)的加工工序中暴露在空氣中時不被污染，增強了氧化鎂保護膜的穩(wěn)定性，而且在放電的過程中由于絕緣氧化物的厚度很薄，耐濺射能力差，會很快的被濺射掉，繼而下層的氧化鎂開始發(fā)揮其作用，降低了等離子顯示屏的放電電壓，提高了其發(fā)光效率。
【專利說明】等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜及其制備方法和等離子顯示屏
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及氣體放電【技術(shù)領(lǐng)域】，具體而言涉及一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜、其制備方法及含有其的等離子顯示屏。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子體顯示器(rop)是一種利用氣體放電產(chǎn)生紫外線，進而激發(fā)熒光粉發(fā)出可見光而顯像的一種顯示器。等離子顯示面板是實現(xiàn)放電發(fā)光的主要結(jié)構(gòu)，其由前后兩個基板組成。在前基板上，設置有橫向的維持電極和掃描電極、以及之上的介質(zhì)層和介質(zhì)保護膜；在后基板上，設置有縱向的尋址電極和障壁結(jié)構(gòu)。放電發(fā)生在前后基板及障壁所組成的空間內(nèi)。等尚子顯不屏的放電性能決定著等尚子顯不屏的売度、光效、功耗等指標，而提聞放電性能的主要手段是提高等離子顯示面板介質(zhì)保護膜的性能。
[0003]當前，等離子體顯示面板介質(zhì)保護膜主要由MgO構(gòu)成，其具有耐濺射性能優(yōu)良、電阻率高、二次電子發(fā)射系數(shù)高、高可見光透過率等特點。該介質(zhì)保護膜能夠有效保護前基板的電極和介質(zhì)層、延長等離子顯示屏的使用壽命、存儲壁電荷、發(fā)揮內(nèi)存效果、降低電壓、限制放電電流，從而改善等離子顯示屏的放電性能。
[0004]但是，氧化鎂本身在空氣中的穩(wěn)定性也不好，作為保護膜在制作的過程中容易受到污染。另外，為了進一步的降低rop的放電電壓，提高rop的發(fā)光效率，研究者們圍繞目前廣泛應用的MgO介質(zhì)保護膜開展了大量的研究工作，其中包括在氧化鎂中摻雜一種或兩種其他元素來得到二次電子發(fā)射系數(shù)較高的保護膜材料。研究發(fā)現(xiàn)當摻雜進去其他元素，如摻雜堿土金屬氧化物CaO、SrO> BaO等均可降低F1DP的著火電壓,但這些氧化物本身的穩(wěn)定性不好，就存在摻雜進去這些物質(zhì)后造成介質(zhì)保護膜的穩(wěn)定性變差，難以在空氣中存放，給加工的工藝設備造成很大的困難。
[0005]因此增強上述保護膜材料和傳統(tǒng)的MgO保護膜材料的穩(wěn)定性，使其發(fā)揮作用降低等離子顯示屏的放電電壓，是目前亟需解決的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明旨在提供一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜，以解決現(xiàn)有技術(shù)中介質(zhì)保護膜的穩(wěn)定性變差、等離子顯示屏的放電電壓高的問題。
[0007]為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜，介質(zhì)保護膜包括:氧化鎂層；以及設置在氧化鎂層上表面的絕緣氧化物層，絕緣氧化物層的材料選自由SiO2、TiO2、ZnO, BaTiO3和Al2O3組成的組中的一種或多種。
[0008]進一步地，上述氧化鎂層的材料為氧化鎂。
[0009]進一步地，上述氧化鎂層進一步摻雜有Ca、Ce、Sr、Ba、Be、Ra、Sc、Y、T1、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Na、Al組成的組中的一種或多種的混合氧化物。
[0010]進一步地，上述絕緣氧化物層的厚度為氧化鎂層厚度的1/30?1/80。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種上述等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜的制作方法，包括如下步驟:1)在等離子顯示屏的介質(zhì)層上形成氧化鎂層；2)在氧化鎂層的上表面形成絕緣氧化物層。
[0012]進一步地，通過真空沉積法制得上述氧化鎂層和絕緣氧化物層。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供了一種等離子顯示屏，包括:前基板、PDP放電電極和后基板，前基板包含上述介質(zhì)保護膜。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)保護膜包括有氧化鎂保護膜層和絕緣氧化物層兩層結(jié)構(gòu)組成，氧化鎂層處在底層，絕緣氧化物層處在頂層，絕緣氧化物層保護氧化鎂層在后續(xù)的加工工序中暴露在空氣中時不被污染，增強了氧化鎂保護膜的穩(wěn)定性，而且在老練施加電壓放電的時候由于絕緣氧化物層不耐濺射，會很快的被濺射掉，繼而下層的氧化鎂開始發(fā)揮其作用，降低了 rop的放電電壓，提高了其發(fā)光效率。
[0015]除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點之外，本發(fā)明還有其它的目的、特征和優(yōu)點。下面將參照【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
【具體實施方式】
[0016]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例，對本發(fā)明的實施例中的技術(shù)方案進行詳細的說明，但如下實施例以僅是用以理解本發(fā)明，而不能限制本發(fā)明，本發(fā)明可以由權(quán)利要求限定和覆蓋的多種不同方式實施。
[0017]在本發(fā)明的一種典型的實施方式中，提供了一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜，介質(zhì)保護膜包括:氧化鎂層；以及設置在氧化鎂層上表面的絕緣氧化物層，絕緣氧化物層的材料選自由Si02、Ti02、ZnCKBaTiO3和Al2O3組成的組中的一種或多種。本發(fā)明介質(zhì)保護膜的氧化鎂層處在底層，絕緣氧化物層處在頂層，絕緣氧化物層保護氧化鎂層在后續(xù)的加工工序中暴露在空氣中時不被污染，而且，SiO2,TiO2,ZnO^BaTiO3和Al2O3不能耐受離子轟擊，在老練施加電壓放電的時候會`很快被濺射掉，下層的氧化鎂繼續(xù)發(fā)揮保護作用，因此，增強了氧化鎂保護膜的穩(wěn)定性，降低了等離子顯示屏的放電電壓。
[0018]優(yōu)選地，本發(fā)明的氧化鎂層的材料為氧化鎂。氧化鎂層能夠有效保護前基板的電極和介質(zhì)層、延長等離子顯示屏的使用壽命以及改善等離子顯示屏的放電性能。
[0019]優(yōu)選地，本發(fā)明氧化鎂層也可以是進一步摻雜有Ca、Ce、Sr、Ba、Be、Ra、Sc、Y、T1、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Na、Al組成的組中的一種或多種的混合氧化物。在氧化鎂層中摻雜進這些物質(zhì)后，可以進一步的提高氧化鎂的二次電子發(fā)射系數(shù)，降低等離子顯示屏的著火電壓。
[0020]本發(fā)明氧化鎂層的厚度為500~lOOOnm，其中，絕緣氧化物層的厚度為氧化鎂層厚度的1/10-1/80。氧化鎂層的厚度根據(jù)實際工藝要求選擇，當選擇500~1000nm時，對介質(zhì)的保護效果更好，而且，控制絕緣氧化物層的厚度為氧化鎂層厚度的1/30~1/80，既起到了保護氧化鎂層不被破壞的作用又比較容易在放電過程中被濺射掉。
[0021]在本發(fā)明另一種典型的實施方式中，還提供了一種上述等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜的制作方法，包括如下步驟:1)在等離子顯示屏的介質(zhì)層上形成氧化鎂層；2)在氧化鎂層的上表面形成絕緣氧化物層。根據(jù)本發(fā)明的制作方法，工藝過程簡單，在氧化鎂層的上方形成絕緣氧化物層，保證了絕緣氧化物層對氧化鎂層的保護效果。
[0022]本發(fā)明通過真空沉積法制得氧化鎂層和絕緣氧化物層。可用于本發(fā)明的真空沉積法包括并不限于電子束蒸鍍法、離子鍍法、濺射法、化學氣相沉積法。本發(fā)明的氧化鎂層和絕緣氧化物層通過現(xiàn)有技術(shù)和現(xiàn)有設備即可制備。
[0023]在本發(fā)明又一種典型的實施方式中，還提供了一種等離子顯示屏，包括:前基板、PDP放電電極和后基板，前基板包含上述介質(zhì)保護膜。在顯示器老練施加電壓放電的時候由于絕緣氧化物層不耐濺射，會很快的被濺射掉，繼而下層的氧化鎂開始發(fā)揮其作用，降低了等離子顯示屏的放電電壓，提高了其發(fā)光效率。
[0024]以下將結(jié)合實施例1-4和對比例1-2，進一步說明采用本發(fā)明的有益效果。
[0025]實施例1
[0026]所用介質(zhì)保護膜為氧化鎂，通過電子束蒸鍍的方法沉積在等離子顯示屏的介質(zhì)層上，厚度為800± IOOnm ;然后在氧化鎂層上采用電子束蒸鍍法沉積SiO2制備二氧化硅層，二氧化硅層的厚度為氧化鎂層厚度的1/80，形成介質(zhì)保護膜；將按照上述方法制作的上基板與制作有尋址電極、障壁和熒光粉層的下基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏。
[0027]實施例2
[0028]所用氧化鎂為摻鈣氧化鎂，通過電子束蒸鍍的方法沉積在等離子顯示屏的介質(zhì)層上形成摻鈣氧化鎂層，厚度為800± IOOnm ;然后在摻雜氧化鎂層上采用電子束蒸鍍法沉積TiO2制備二氧化鈦層，二氧化鈦層的厚度為氧化鎂層厚度的1/50，形成介質(zhì)保護膜；將按照上述方法制作的上基板與制作有尋址電極、障壁和熒光粉層的下基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏。
[0029]實施例3
[0030]所用氧化鎂為摻鋇氧化鎂，通過離子束蒸鍍法沉積在等離子顯示屏的介質(zhì)層上形成摻鋇氧化鎂層，厚度為700 ± IOOnm ;然后在摻鋇氧化鎂層上采用濺射法沉積ZnO制備ZnO層，ZnO層的厚度為氧化鎂層厚度的1/30，形成介質(zhì)保護膜。將按照上述方法制作的上基板與下基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏。
[0031]實施例4
[0032]所用氧化鎂為摻鉍氧化鎂，通過濺射法沉積在等離子顯示屏的介質(zhì)層上形成摻雜氧化鎂層，厚度為700± IOOnm ;然后在摻鉍氧化鎂層上采用離子束蒸鍍法沉積BaTiO3制備BaTiO3層，該層的厚度為氧化鎂層厚度的1/10，形成介質(zhì)保護膜。將按照上述方法制作的上基板與按照常規(guī)方法制作的下基板對合封接在一起，得到等離子顯示屏。
[0033]對比例I
[0034]所用前基板的介質(zhì)保護膜為純的氧化鎂保護膜，通過電子束蒸鍍的方法沉積在等離子顯示屏的介質(zhì)層上形成氧化鎂層，厚度為800± lOOnm，將含有上述保護膜的前基板與后基板對合后得到對比例I的等離子顯示屏。
[0035]對比例2
[0036]所用前基板的介質(zhì)保護膜為摻鈣氧化鎂保護膜，通過電子束蒸鍍的方法沉積在等離子顯示屏的介質(zhì)層上形成摻雜氧化鎂層，厚度為800± lOOnm，將含有上述保護膜的前基板與后基板對合后得到對比例2的等離子顯示屏。
[0037]將實施例1-4和對比例1-2得到的等離子顯示屏進行老練測試，結(jié)果見表I。
[0038]表I
[0039]
【權(quán)利要求】
1.一種等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜，其特征在于，所述介質(zhì)保護膜包括: 氧化鎂層；以及 設置在所述氧化鎂層上表面的絕緣氧化物層，所述絕緣氧化物層的材料選自由Si02、TiO2, Zn0、BaTi03和Al2O3組成的組中的一種或多種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)保護膜，其特征在于，所述氧化鎂層的材料為氧化鎂。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)保護膜，其特征在于，所述氧化鎂層進一步摻雜有Ca、Ce、Sr、Ba、Be、Ra、Sc、Y、T1、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Na 或 Al 組成的組中的一種或多種的混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)保護膜，其特征在于，所述絕緣氧化物層的厚度為所述氧化鎂層厚度的1/30?1/80。
5.一種如權(quán)利要求1-4任一項所述等離子顯示屏的介質(zhì)保護膜的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 1)在等離子顯示屏的介質(zhì)層上形成氧化鎂層； 2)在氧化鎂層的上表面形成絕緣氧化物層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，通過真空沉積法制得所述氧化鎂層和所述絕緣氧化物層。
7.一種等離子顯示屏，包括:前基板、PDP放電電極和后基板，其特征在于，所述前基板包含權(quán)利要求1-4任一項所述的介質(zhì)保護膜。
【文檔編號】H01J9/00GK103794441SQ201110459371
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月31日
【發(fā)明者】羅向輝, 邢芳麗 申請人:四川虹歐顯示器件有限公司