專利名稱：發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置，尤其是一種基板上具有至少一發(fā)光二極管模塊，且發(fā)光二極管模塊由多個發(fā)光二極管所組成的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
隨著科技的日漸沿革，各類電子產(chǎn)品的發(fā)展亦 日新月異。其中電子產(chǎn)品，尤以照明裝置等背光模塊為最，皆大量地使用到發(fā)光二極管(Light EmittingDiode，LED)，以作為其照明的光源。由于發(fā)光二極管具有耐用、輕巧、使用壽命長且低耗電的優(yōu)點，因此發(fā)光二極管逐漸成為照明產(chǎn)業(yè)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主流。一般而言，發(fā)光二極管可被用于照明裝置、液晶顯示器的背光模塊或是指示燈的光源。然而，于實務(wù)層面上而言，目前的發(fā)光二極管光源存在有僅能以直流電源操作的問題。也就是說，在使用市電或是其它交流電源的情況下，發(fā)光二極管光源將無法使用，因此造成發(fā)光二極管應(yīng)用上的受限。有鑒于此，目前業(yè)界遂發(fā)展出適于交流電源可使用的交流發(fā)光二極管(Alternating Current LED, AC LED),其透過橋式整流的架構(gòu)進(jìn)行設(shè)計,令交流發(fā)光二極管可直接使用市電所提供的交流電源。一般而言，當(dāng)交流電源各自形成正、負(fù)周期時，發(fā)光二極管中將有部分被導(dǎo)通，而未被導(dǎo)通的發(fā)光二極管則必須承受逆向偏壓；在此情況下，發(fā)光二極管交替承受逆向偏壓，而當(dāng)逆向偏壓過大時，便會產(chǎn)生高逆向偏壓的漏電流(leakagecurrent)，導(dǎo)致發(fā)光二極管晶粒的擊穿現(xiàn)象，或影響到整體發(fā)光二極管的發(fā)光壽命，降低其可靠度(reliability)。其次，承以前例而言，由于經(jīng)橋式整流所驅(qū)動的該些發(fā)光二極管并無法同時地被點亮，也就是說，僅有1/2的發(fā)光二極管區(qū)段可被點亮，于此，將使得發(fā)光二極管的有效載荷(payload)大幅下降,影響發(fā)光效益。因此，如何解決現(xiàn)有技術(shù)交流發(fā)光二極管耐壓受限的問題，并且提供一種可用以承受高壓輸入市電，并具有較高有效載荷的發(fā)光裝置，實為相關(guān)領(lǐng)域者目前迫切需要解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種發(fā)光裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種發(fā)光裝置，包括一基板、多個整流二極管與至少一發(fā)光二極管模塊。其中，基板具有一表面，且基板于該表面上開設(shè)有第一凹槽、第二凹槽與第三凹槽。整流二極管設(shè)置于第一凹槽與第三凹槽中。發(fā)光二極管模塊設(shè)置于第二凹槽中，且發(fā)光二極管模塊包括多個發(fā)光二極管。上述的發(fā)光裝置，其中發(fā)光二極管模塊中的該些發(fā)光二極管可選擇性地以串聯(lián)或并聯(lián)方式連接。
上述的發(fā)光裝置，其中整流二極管可平均地設(shè)置于第一凹槽與第三凹槽之中。上述的發(fā)光裝置，其中第一凹槽與第三凹槽其中之一還包括多個次凹槽，每一次凹槽用以容置每一整流二極管。每一次凹槽之間可以一突出接口間隔，且連接每一整流二極管的導(dǎo)電走線貫穿突出接口。上述的發(fā)光裝置，其中每一次凹槽之間可以二隔離部間隔，且連接每一整流二極管的導(dǎo)電走線跨越該隔離部。上述的發(fā)光裝置，發(fā)光裝置可包括多個該發(fā)光二極管模塊，其中每一發(fā)光二極管模塊皆包括該些發(fā)光二極管，且該些發(fā)光二 極管模塊以數(shù)組式設(shè)置于第二凹槽中。上述的發(fā)光裝置，其中該些整流二極管包括一第一整流二極管、一第二整流二極管、一第三整流二極管與一第四整流二極管，第一整流二極管串聯(lián)第二整流二極管，第三整流二極管串聯(lián)第四整流二極管，第一整流二極管與第二整流二極管之間具有一第一交流節(jié)點，第三整流二極管與第四整流二極管之間具有一第二交流節(jié)點，第一交流節(jié)點與第二交流節(jié)點承接一交流電源，交流電源經(jīng)過該些整流二極管的整流后輸出一直流電源，以驅(qū)動發(fā)光二極管模塊發(fā)光。上述的發(fā)光裝置，其中該些發(fā)光二極管模塊包括一第一發(fā)光二極管模塊、一第二發(fā)光二極管模塊、一第三發(fā)光二極管模塊與一第四發(fā)光二極管模塊，第一發(fā)光二極管模塊電性連接第三發(fā)光二極管模塊，第二發(fā)光二極管模塊電性連接第四發(fā)光二極管模塊、第二整流二極管與第四整流二極管，第三發(fā)光二極管模塊電性連接第一發(fā)光二極管模塊、第一整流二極管與第三整流二極管。上述的發(fā)光裝置，其中基板的底部與凹槽之間另具有至少一底層導(dǎo)電走線、至少一頂層導(dǎo)電走線與至少一中層導(dǎo)電走線。中層導(dǎo)電走線夾置于底層導(dǎo)電走線與頂層導(dǎo)電走線之間。頂層導(dǎo)電走線包括一頂層第一導(dǎo)電走線、一頂層第二導(dǎo)電走線、一頂層第三導(dǎo)電走線與一頂層第四導(dǎo)電走線。中層導(dǎo)電走線包括一中層第一導(dǎo)電走線與一中層第二導(dǎo)電走線。第二整流二極管與第三整流二極管各自通過底層導(dǎo)電走線連接交流電源，第一發(fā)光二極管模塊與第二發(fā)光二極管模塊各自通過頂層第一導(dǎo)電走線與頂層第四導(dǎo)電走線而電性連接于第三發(fā)光二極管模塊與第四發(fā)光二極管模塊。第一整流二極管與第三整流二極管各自通過中層第一導(dǎo)電走線與中層第二導(dǎo)電走線而電性連接于第二整流二極管與第四整流二極管，其中第二發(fā)光二極管模塊與第三發(fā)光二極管模塊另各自通過頂層第二導(dǎo)電走線與頂層第三導(dǎo)電走線而電性連接于第二整流二極管與第四整流二極管、以及第一整流二極管與第三整流二極管。上述的發(fā)光裝置，其中該些整流二極管與發(fā)光二極管模塊可同時配置于基板上的同一凹槽中，抑或是直接配置于基板上。上述的發(fā)光裝置，其中基板的材質(zhì)可以是低溫共燒陶瓷(Low-TemperatureCofired Ceramics, LTCC)。上述的發(fā)光裝置,其中發(fā)光二極管可經(jīng)由打線接合(wire bonding)或倒裝芯片安裝(flip chip bonding)于基板。本發(fā)明的技術(shù)效果在于本發(fā)明的發(fā)光裝置，其通過整流二極管將交流電源整流之后輸出直流電源，令該直流電源驅(qū)動發(fā)光二極管模塊發(fā)光。其次，本發(fā)明的發(fā)光裝置，發(fā)光二極管模塊還可選擇性地由多個相互串聯(lián)或并聯(lián)的發(fā)光二極管所組成，藉此提高發(fā)光裝置的耐壓，并且相較于現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光裝置，可具有較佳的有效載荷。以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。


圖IA為本發(fā)明一實施例的發(fā)光裝置的等效電路示意圖；圖IB為圖IA的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖IC為圖IA的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A為圖IB的發(fā)光裝置的底層導(dǎo)電走線的布局示意圖；圖2B為圖IB的發(fā)光裝置的中層導(dǎo)電走線的布局示意圖；圖2C為圖IB的發(fā)光裝置的頂層導(dǎo)電走線的布局示意圖；圖3A為圖IB的發(fā)光裝置具有串聯(lián)發(fā)光二極管的等效電路示意圖；圖3B為圖IB的發(fā)光裝置具有并聯(lián)發(fā)光二極管的等效電路示意圖；圖4A為本發(fā)明又一實施例的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4B為本發(fā)明又一實施例的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5A為圖4A的發(fā)光裝置的底層導(dǎo)電走線的布局示意圖；圖5B為圖4A的發(fā)光裝置的中層導(dǎo)電走線的布局示意圖；圖5C為圖4A的發(fā)光裝置的頂層導(dǎo)電走線的布局示意圖；圖6A為本發(fā)明又一實施例的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6B為本發(fā)明又一實施例的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，附圖標(biāo)記10發(fā)光裝置10發(fā)光裝置20第一交流節(jié)點22第二交流節(jié)點24a中層第一導(dǎo)線走線24b中層第二導(dǎo)線走線26a頂層第一導(dǎo)電走線26b頂層第二導(dǎo)電走線26c頂層第三導(dǎo)電走線26d頂層第四導(dǎo)電走線28導(dǎo)線走線30a第一貫穿孔30b第二貫穿孔30c第三貫穿孔30d第四貫穿孔102基板104a第一整流二極管104b第二整流二極管104c第三整流二極管104d第四整流二極管106a第一發(fā)光二極管模塊106b第二發(fā)光二極管模塊106c第三發(fā)光二極管模塊106d第四發(fā)光二極管模塊108隔離部110電性接點201 第一凹槽201a，201b 次凹槽201c突出接口202第二凹槽203第三凹槽204 凹槽204a第一子凹槽204b第二子凹槽301發(fā)光二極管
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述以下在實施方式中詳細(xì)敘述本發(fā)明的詳細(xì)特征以及優(yōu)點，其內(nèi)容足以使本領(lǐng)域技術(shù)人員了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容并據(jù)以實施，且本說明書所揭露的內(nèi)容、申請專利范圍及附圖，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員可輕易地理解本發(fā)明相關(guān)的目的及優(yōu)點。圖IA為本發(fā)明實施例的發(fā)光裝置的等效電路示意圖，圖IB為圖IA的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，發(fā)光裝置(Light Emi tting Device) 10可適于一交流電源,并且由整流后的交流電源(即直流電源)所驅(qū)動而發(fā)光。在圖IB中為了簡化圖式起見，省略了一些組件走線的特征，詳細(xì)的連接以及有關(guān)本發(fā)明提出的發(fā)光裝置10的特征，請配合參見圖2A至圖2C，詳細(xì)說明如下。發(fā)光裝置10包括一基板102,基板102的材質(zhì)可以是低溫共燒陶瓷(Low-Temperature Cofired Ceramics, LTCC)、娃基板(Silicon)、氧化招(HTCCA1203)或其它具有可靠絕緣材料的金屬材質(zhì)?；?02于其表面上開設(shè)有多個凹槽，包括第一凹槽201、第二凹槽202與第三凹槽203。其中第一凹槽201、第二凹槽202與第三凹槽203各自分離，且第二凹槽202形成于第一凹槽201與第三凹槽203之間。在本實施例中，第一凹槽201與第三凹槽203定義為一第一配置區(qū)，第二凹槽202定義為一第二配置區(qū)，使得第一配置區(qū)用以容置整流二極管，而第二配置區(qū)用以容置發(fā)光二極管模塊。第一整流二極管104a、第二整流二極管104b、第三整流二極管104c與第四整流二極管104d設(shè)置于第一凹槽201與第三凹槽203之中。本發(fā)明的實施例，第一整流二極管104a、第二整流二極管104b、第三整流二極管104c與第四整流二極管104d可以平均地設(shè)置于第一凹槽201與該第三凹槽203之中。換言之，第二整流二極管104b與第四整流二極管104d可位于第一凹槽201中，且第一整流二極管104a與第三整流二極管104c可位于第三凹槽203中。其中，第一凹槽201中還包括一凸設(shè)的突出接口(protrudingportion) 201c。突出接口 201c用以將第一凹槽201區(qū)分為兩個次凹槽201a、201b，使得次凹槽201a、201b各自容置第四整流二極管104d與第二整流二極管104b。在本實施例中，第一凹槽201、第二凹槽202、第三凹槽203以及次凹槽201a、201b可通過在基板102上實施蝕刻工藝(etchingprocess)來形成，換言之，突出接口 201c透過次凹槽201a、201b的蝕刻步驟后自然形成，其材質(zhì)同于基板102的材料，例如低溫共燒陶瓷(LTCC)等絕緣材質(zhì)。在本發(fā)明其它的實施例中，上述凹槽亦可通過在基板102上配置隔離部(或稱隔離墻)來形成，以省卻工藝上的復(fù)雜度(容后詳述)。導(dǎo)線走線28電性連接第二整流二極管104b與第四整流二極管104d，并且貫穿突出接口 201c，以與圖2A至圖2C所示的導(dǎo)電走線相連接。于此，當(dāng)發(fā)光裝置10電性連接一高壓的輸入電源時，突出接口 201c可視作一電壓隔絕端口(voltage-resistantportion)，并用以隔絕第二整流二極管104b與第四整流二極管104d，藉此，本發(fā)明提出的發(fā)光裝置10可具有較高的耐壓能力。第二凹槽202中具有第一發(fā)光二極管模塊106a、第二發(fā)光二極管模塊106b、第三發(fā)光二極管模塊106c與第四發(fā)光二極管模塊106d。其中，第一發(fā)光二極管模塊106a、第二發(fā)光二極管模塊106b、第三發(fā)光二極管模塊106c與第四發(fā)光二極管模塊106d皆由多個發(fā)光二極管所組成。其中，發(fā)光二極管可經(jīng)由打線接合(wire bonding)或倒裝芯片安裝(flipchip bonding)于基板102上。藉此，本發(fā)明提出的發(fā)光裝置10，于后續(xù)的封裝程序中，可經(jīng)由封裝體(例如環(huán)氧樹脂(Epoxy resin))填充于第一凹槽201、第二凹槽202與第三凹槽203中，完成整流二極管與發(fā)光二極管的整體封裝結(jié)構(gòu)。在另一實施例中，第二凹槽202還可形成多個子凹槽，以分別容設(shè)前述的發(fā)光二極管模塊。在此實施例中，將會形成有四個凹槽、五個凹槽或者更多凹槽的結(jié)構(gòu)。
值得注意的是，本發(fā)明提出的發(fā)光裝置10以第二凹槽202中具有四個發(fā)光二極管模塊(包括第一發(fā)光二極管模塊106a、第二發(fā)光二極管模塊106b、第三發(fā)光二極管模塊106c與第四發(fā)光二極管模塊106d),且該些發(fā)光二極管模塊以數(shù)組(matrix)排列于第二凹槽202中，作為一實施例的說明。其中，發(fā)光二極管模塊的數(shù)量可以是但不限于四個，設(shè)計者當(dāng)可根據(jù)實際發(fā)光裝置的耐壓規(guī)格而設(shè)計，發(fā)光二極管模塊的數(shù)目并非用以限定本發(fā)明的發(fā)明范圍。其次，在一實施例中，為簡化突出接口 201c的工藝復(fù)雜度，圖IC為圖IA的發(fā)光裝置的另一種實施例。如圖IC所示，為取代突出端口 201c，發(fā)光裝置10可包括至少一隔離部108用以隔絕整流二極管與電性接點110。在此結(jié)構(gòu)下，導(dǎo)線走線28通過隔離部108的隔絕，而跨越隔離部108的頂端連接電性接點110至第二整流二極管104b與第四整流二極管104d。同樣地，第一整流二極管104a與第三整流二極管104c亦透過隔離部108的隔絕而電性連接于電性接點110。隔離部108的材質(zhì)可以但非限定是二氧化硅玻璃組成。因此，在此實施例中，發(fā)光裝置10透過額外配置的隔離部108取代圖IB中的突出接口 201c，進(jìn)一步達(dá)到發(fā)光裝置兼具耐壓效果與省卻工藝復(fù)雜度的目的。圖2A至圖2C分別為本發(fā)明圖IB的發(fā)光裝置，其各層的導(dǎo)電走線(wire)的布局示意圖。其中，圖2A至圖2C所示的導(dǎo)電走線皆位在基板102的底部與其凹槽之間的區(qū)塊，換言之，該些導(dǎo)電走線埋置于基板102的本體中。詳細(xì)而言，圖2A所示的走線位于基板102的本體中的底層(bottom layer),圖2C所示的走線位于基板102的本體中的頂層(toplayer),而圖2B所示的走線則位于基板102的本體中的中層(middle layer),即底層與頂層之間。第一貫穿孔(via)30a、第二貫穿孔30b、第三貫穿孔30c與第四貫穿孔30d貫穿底層、中層與頂層，以使得基板102的本體中的各層走線可相互電性導(dǎo)通，其中第一貫穿孔30a用以電性連接第二整流二極管104b與第四整流二極管104d，第二貫穿孔30b用以電性連接第一發(fā)光二極管模塊106a與第四發(fā)光二極管模塊106d，第三貫穿孔30c與第四貫穿孔30d分別用以電性連接第三整流二極管104c與第一整流二極管104a。請配合參閱圖3A與圖3B，第一整流二極管104a與第二整流二極管104b之間具有一第一交流節(jié)點20，第三整流二極管104c與第四整流二極管104d之間具有一第二交流節(jié)點22，第一交流節(jié)點20與第二交流節(jié)點22用以承接一交流電源(即圖3A與圖3B所示的AC1、AC2)。其中，交流電源可以是但不限于110伏特或220伏特(V)。當(dāng)交流電源形成一正半周期時，第一整流二極管104a、第一發(fā)光二極管模塊106a、第二發(fā)光二極管模塊106b、第三發(fā)光二極管模塊106c、第四發(fā)光二極管模塊106d與第四整流二極管104d形成一第一導(dǎo)通路徑。當(dāng)交流電源形成一負(fù)半周期時，第二整流二極管104b、第一發(fā)光二極管模塊106a、第二發(fā)光二極管模塊106b、第三發(fā)光二極管模塊106c、第四發(fā)光二極管模塊106d與第三整流二極管104c形成一第二導(dǎo)通路徑。
接著，如圖2B與圖2C所示，位于中層的中層第一導(dǎo)電走線24a通過第四貫穿孔30d連接第一整流二極管104a與第二整流二極管104b，中層第二導(dǎo)電走線24b則通過第三貫穿孔30c連接第三整流二極管104c與第四整流二極管104d。位于頂層的頂層第一導(dǎo)電走線26a、頂層第二導(dǎo)電走線26b、頂層第三導(dǎo)電走線26c與頂層第四導(dǎo)電走線26d則用以連接各個發(fā)光二極管模塊。詳細(xì)來說，頂層第一導(dǎo)電走線26a連接第一發(fā)光二極管模塊106a與第三 發(fā)光二極管模塊106c,頂層第二導(dǎo)電走線26b連接第二發(fā)光二極管模塊106b、第二整流二極管104b與第四整流二極管104d，頂層第三導(dǎo)電走線26c連接第三發(fā)光二極管模塊106c、第一整流二極管104a與第三整流二極管104c，頂層第四導(dǎo)電走線26d連接第二發(fā)光二極管模塊106b與第四發(fā)光二極管模塊106d。本實施例，第一整流二極管104a串聯(lián)第二整流二極管104b，第三整流二極管104c串聯(lián)第四整流二極管104d。因此，圖3A與圖3B為圖IB的發(fā)光裝置的等效電路示意圖，其中，第一整流二極管104a、第二整流二極管104b、第三整流二極管104c與第四整流二極管104d用以整流交流電源為直流電源，以驅(qū)動第一整流二極管104a與第四整流二極管104d，以及第二整流二極管104b與第三整流二極管104c之間的發(fā)光二極管模塊發(fā)光。其中，每一發(fā)光二極管模塊(第一發(fā)光二極管模塊106a、第二發(fā)光二極管模塊106b、第三發(fā)光二極管模塊106c與第四發(fā)光二極管模塊106d)皆包括多個發(fā)光二極管301，且該些發(fā)光二極管301可選擇性地以串聯(lián)(如圖3A)或并聯(lián)(如圖3B)的方式相互連接。其中，第一發(fā)光二極管模塊106a、第二發(fā)光二極管模塊106b、第三發(fā)光二極管模塊106c與第四發(fā)光二極管模塊106d所包含的發(fā)光二極管301，并不以連續(xù)串聯(lián)或連續(xù)并聯(lián)的電性連接方式為限。本發(fā)明的一實施例，該些發(fā)光二極管301亦可以部分并聯(lián)，搭配部分串聯(lián)的結(jié)構(gòu)形成，以利發(fā)光裝置在制作上具有彈性(flexibility)的優(yōu)點。其次，當(dāng)每一發(fā)光二極管模塊皆包含有20至30個發(fā)光二極管301，且每一個發(fā)光二極管301可用以承受3伏特以上的逆向偏壓時，本發(fā)明提出的發(fā)光裝置10的耐壓即可有效地被提升至90伏特以上。因此，本發(fā)明提出的發(fā)光裝置10相較于現(xiàn)有技術(shù)的照明裝置更具有較高的有效載荷(payload),在無形中亦降低了發(fā)光裝置電路的制作成本。圖4A為本發(fā)明又一實施例的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，發(fā)光裝置10’包括有基板102、第一整流二極管104a、第二整流二極管104b、第三整流二極管104c、第四整流二極管104d、第一發(fā)光二極管模塊106a、第二發(fā)光二極管模塊106b、第三發(fā)光二極管模塊106c與第四發(fā)光二極管模塊106d。其中，該些整流二極管(第一整流二極管104a、第二整流二極管104b、第三整流二極管104c與第四整流二極管104d)以及該些發(fā)光二極管模塊(第一發(fā)光二極管模塊106a、第二發(fā)光二極管模塊106b、第三發(fā)光二極管模塊106c與第四發(fā)光二極管模塊106d)之間的導(dǎo)電走線與電性連接關(guān)系，請一并參閱圖5A至圖5C所示，其如同本發(fā)明前一實施例圖2A至圖2C所言，故不再贅述；唯不同的是，本發(fā)明又一實施例提出的發(fā)光裝置10’，其整流二極管與發(fā)光二極管模塊共同配置于基板102上的一凹槽204中，而僅以隔離部108相間隔。藉此，發(fā)光裝置10’透過第一整流二極管104a、第二整流二極管104b、第三整流二極管104c與第四整流二極管104d整流交流電源為直流電源，以驅(qū)動第一發(fā)光二極管模塊106a、第二發(fā)光二極管模塊106b、第三發(fā)光二極管模塊106c與第四發(fā)光二極管模塊106d發(fā)光，同樣可用來實施本發(fā)明的發(fā)明目的。
其次，該些整流二極管與發(fā)光二極管模塊亦不以設(shè)置于基板102上的同一凹槽中為限。本發(fā)明的一實施例，如圖4B所示，凹槽204可被區(qū)分為一第一子凹槽204a與一第二子凹槽204b，以分別容置整流二極管與發(fā)光二極管模塊。換言之，在此一實施例中，第一子凹槽204a定義為第一配置區(qū)，以用來容置第一整流二極管104a、第二整流二極管104b、第三整流二極管104c與第四整流二極管104d。第二子凹槽204b定義為第二配置區(qū)，以用來容置第一發(fā)光二極管模塊106a、第二發(fā)光二極管模塊106b、第三發(fā)光二極管模塊106c與第四發(fā)光二極管模塊106d。藉此配置，第一整流二極管104a、第二整流二極管104b、第三整流二極管104c與第四整流二極管104d可用以 整流交流電源為直流電源，以驅(qū)動第一發(fā)光二極管模塊106a、第二發(fā)光二極管模塊106b、第三發(fā)光二極管模塊106c與第四發(fā)光二極管模塊106d發(fā)光。以上關(guān)于圖4A與圖4B所示的發(fā)光裝置10’，皆具有可以隔離部108隔絕第一整流二極管104a、第二整流二極管104b、第三整流二極管104c與第四整流二極管104d于電性接點110的實施例，其連接方式可配合參閱圖IC所示。在一實施例中，此一隔離部108的材質(zhì)例如可以是二氧化硅(Si02)。由于在基板102上進(jìn)行氧化工藝，為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的技術(shù)，藉此，不僅可簡化發(fā)光裝置10’的工藝步驟，亦可進(jìn)一步地降低其制作成本。同樣地，圖IB至圖IC所示的發(fā)光裝置10亦可以利用工藝步驟較容易的隔離部108來取代在基板102上形成凹槽的蝕刻步驟，其示意圖請配合參閱圖6A與圖6B。在圖6A與圖6B所示的實施例中，整流二極管與發(fā)光二極管模塊之間僅以多個隔離部108相間隔，而省去了前述形成凹槽的蝕刻步驟，亦可用以實現(xiàn)本發(fā)明的發(fā)明目的。除此之外，由于一般而言，經(jīng)整流二極管整流后所輸出的直流電，尚非恒定的直流電壓。因此，為了將交流電源整流產(chǎn)生穩(wěn)定的直流電，本發(fā)明任一實施例所揭露的發(fā)光裝置，另可配置一個或一個以上的濾波電路，以降低交流電源的漣波，使得輸出電壓平滑化。在一實施例中，濾波電路可選擇性地在整流二極管的輸出端加上一個能儲存電能的電容器，通常稱為濾波電容或平滑電容(smoothing capacitor),以穩(wěn)壓整流后的輸出電壓。綜上所述，本發(fā)明提出的發(fā)光裝置，不僅可通過整流二極管整流交流電源為直流電源，以驅(qū)動發(fā)光二極管發(fā)光。本發(fā)明提出的發(fā)光裝置，更可通過整流二極管與發(fā)光二極管分別設(shè)置于基板上不同的凹槽中，以提高整體發(fā)光裝置的耐壓程度。其次，本發(fā)明提出的發(fā)光裝置，其中發(fā)光二極管更不限于以串聯(lián)或并聯(lián)的方式連接，藉此，每一發(fā)光二極管模塊皆可包括多個發(fā)光二極管，使得發(fā)光裝置的耐壓亦隨之有效提升。本發(fā)明所揭露的發(fā)光裝置，在實際應(yīng)用層面上，可選擇性地省卻凹槽的制作步驟，而直接將上述整流二極管、發(fā)光二極管模塊等設(shè)置于基板上，僅以隔離墻間隔。此種做法亦可用以實現(xiàn)本發(fā)明的發(fā)明目的，唯在此種實施例中，當(dāng)發(fā)光裝置進(jìn)入后端封裝階段時，仍需要其它特殊工藝步驟來完成封裝體的封裝。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括 一基板，具有一表面，該基板于該表面上開設(shè)有一第一凹槽、一第二凹槽與ー第三凹槽； 多個整流ニ極管，設(shè)置于該第一凹槽與該第三凹槽中；以及 至少ー發(fā)光二極管模塊，設(shè)置于該第二凹槽中，該發(fā)光二極管模塊包括多個發(fā)光二極管。
2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該發(fā)光二極管模塊中的該些發(fā)光二極管可選擇性地以串聯(lián)或并聯(lián)方式連接。
3.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其特征在干，該第一凹槽與該第三凹槽其中之ー還包括多個次凹槽，每ー該次凹槽用以容置每ー該整流ニ極管。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在干，每ー該次凹槽之間以ー突出接ロ間隔。
5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在干，每ー該次凹槽之間以兩隔離部隔離。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其特征在于，每ー該隔離部的材質(zhì)為ニ氧化硅。
7.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還包括一封裝體，填充于該些凹槽，以封裝該些整流ニ極管與該發(fā)光二極管模塊。
8.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該基板的材質(zhì)為低溫共燒陶瓷。
9.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該些整流ニ極管包括一第一整流ニ極管、一第二整流ニ極管、一第三整流ニ極管與一第四整流ニ極管，該第一整流ニ極管串聯(lián)該第二整流ニ極管，該第三整流ニ極管串聯(lián)該第四整流ニ極管，該第一整流ニ極管與該第二整流ニ極管之間具有一第一交流節(jié)點，該第三整流ニ極管與該第四整流ニ極管之間具有一第二交流節(jié)點，該第一交流節(jié)點與該第二交流節(jié)點承接一交流電源，該交流電源經(jīng)該些整流ニ極管的整流后輸出一直流電源，以驅(qū)動該至少ー發(fā)光二極管模塊發(fā)光。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置,其特征在于,該至少ー發(fā)光二極管模塊包括一第一發(fā)光二極管模塊、一第二發(fā)光二極管模塊、一第三發(fā)光二極管模塊與ー第四發(fā)光二極管模塊，該第一發(fā)光二極管模塊電性連接該第三發(fā)光二極管模塊，該第二發(fā)光二極管模塊電性連接該第四發(fā)光二極管模塊、該第二整流ニ極管與該第四整流ニ極管，該第三發(fā)光二極管模塊電性連接該第一發(fā)光二極管模塊、該第一整流ニ極管與該第三整流ニ極管。
11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該基板的底部與該第一凹槽、該第二凹槽與該第三凹槽之間另具有至少ー底層導(dǎo)電走線、至少一頂層導(dǎo)電走線與至少一中層導(dǎo)電走線，該中層導(dǎo)電走線夾置于該底層導(dǎo)電走線與該頂層導(dǎo)電走線之間，該頂層導(dǎo)電走線包括ー頂層第一導(dǎo)電走線、一頂層第二導(dǎo)電走線、一頂層第三導(dǎo)電走線與ー頂層第四導(dǎo)電走線，該中層導(dǎo)電走線包括一中層第一導(dǎo)電走線與一中層第二導(dǎo)電走線，該第二整流ニ極管與該第三整流ニ極管各自通過該底層導(dǎo)電走線連接該交流電源，該第一發(fā)光二極管模塊與該第二發(fā)光二極管模塊各自通過該頂層第一導(dǎo)電走線與該頂層第四導(dǎo)電走線而電性連接于該第三發(fā)光二極管模塊與該第四發(fā)光二極管模塊，該第一整流ニ極管與該第三整流ニ極管各自通過該中層第一導(dǎo)電走線與該中層第二導(dǎo)電走線而電性連接于該第二整流ニ極管與該第四整流ニ極管，其中該第二發(fā)光二極管模塊與該第三發(fā)光二極管模塊另各自通過該頂層第二導(dǎo)電走線與該頂層第三導(dǎo)電走線而電性連接于該第二整流ニ極管與該第四整流ニ極管、以及該第一整流ニ極管與該第三整流ニ極管。
12.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括 一基板，具有一表面，該基板于該表面上開設(shè)有ー凹槽； 一第一整流ニ極管、一第二整流ニ極管、一第三整流ニ極管與一第四整流ニ極管，設(shè)置于該凹槽中；以及 至少ー發(fā)光二極管模塊，設(shè)置于該凹槽中，且該發(fā)光二極管模塊包括多個發(fā)光二極管； 其中，該第一整流ニ極管與該第二整流ニ極管之間具有一第一交流節(jié)點，該第三整流ニ極管與該第四整流ニ極管之間具有一第二交流節(jié)點，該第一交流節(jié)點與該第二交流節(jié)點承接一交流電源，該交流電源經(jīng)過該些整流ニ極管的整流后輸出一直流電源，以驅(qū)動該至少ー發(fā)光二極管模塊發(fā)光。
13.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光裝置，其特征在干，該凹槽中包含至少ー隔離部，以將該些整流ニ極管電氣隔離于該至少ー發(fā)光二極管模塊。
14.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該隔離部的材質(zhì)為ニ氧化硅。
15.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光裝置，其特征在干，該凹槽包括一第一子凹槽與ー第二子凹槽，該第一子凹槽用以容置該第一整流ニ極管、該第二整流ニ極管、該第三整流ニ極管與該第四整流ニ極管，該第ニ子凹槽用以容置該至少ー發(fā)光二極管模塊。
16.如權(quán)利要求15所述的發(fā)光裝置，其特征在干，該第一子凹槽另包含ー隔離部，以將該第一整流ニ極管與該第三整流ニ極管電氣隔離于該第二整流ニ極管與該第四整流ニ極管。
17.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光裝置，其特征在于，另包括多個該發(fā)光二極管模塊，其中每ー該發(fā)光二極管模塊皆包括該些發(fā)光二極管。
18.如權(quán)利要求17所述的發(fā)光裝置，其特征在干，該些發(fā)光二極管模塊包括一第一發(fā)光二極管模塊、一第二發(fā)光二極管模塊、一第三發(fā)光二極管模塊與ー第四發(fā)光二極管模塊，該第一發(fā)光二極管模塊電性連接該第三發(fā)光二極管模塊，該第二發(fā)光二極管模塊電性連接該第四發(fā)光二極管模塊、該第二整流ニ極管與該第四整流ニ極管，該第三發(fā)光二極管模塊電性連接該第一發(fā)光二極管模塊、該第一整流ニ極管與該第三整流ニ極管。
19.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該基板的底部與該凹槽之間另具有至少ー底層導(dǎo)電走線、至少一頂層導(dǎo)電走線與至少一中層導(dǎo)電走線，該中層導(dǎo)電走線夾置于該底層導(dǎo)電走線與該頂層導(dǎo)電走線之間，該頂層導(dǎo)電走線包括ー頂層第一導(dǎo)電走線、一頂層第二導(dǎo)電走線、一頂層第三導(dǎo)電走線與ー頂層第四導(dǎo)電走線，該中層導(dǎo)電走線包括一中層第一導(dǎo)電走線與一中層第二導(dǎo)電走線，該第二整流ニ極管與該第三整流ニ極管各自通過該底層導(dǎo)電走線連接該交流電源，該第一發(fā)光二極管模塊與該第二發(fā)光二極管模塊各自通過該頂層第一導(dǎo)電走線與該頂層第四導(dǎo)電走線而電性連接于該第三發(fā)光二極管模塊與該第四發(fā)光二極管模塊，該第一整流ニ極管與該第三整流ニ極管各自通過該中層第一導(dǎo)電走線與該中層第二導(dǎo)電走線而電性連接于該第二整流ニ極管與該第四整流ニ極管，其中該第二發(fā)光二極管模塊與該第三發(fā)光二極管模塊另各自通過該頂層第二導(dǎo)電走線與該頂層第三導(dǎo)電走線而電性連接于該第二整流ニ極管與該第四整流ニ極管、以及該第一整流ニ極管與該第三整流ニ極管。
全文摘要
一種發(fā)光裝置，包括一基板、多個整流二極管與至少一發(fā)光二極管模塊。基板上開設(shè)有第一凹槽、第二凹槽與第三凹槽。其中，整流二極管分別設(shè)置于第一凹槽與第三凹槽中，發(fā)光二極管模塊設(shè)置于第二凹槽中，且發(fā)光二極管模塊由多個發(fā)光二極管所組成。藉此，發(fā)光裝置不僅可用以整流轉(zhuǎn)換交流電源，以驅(qū)動發(fā)光二極管發(fā)光，相較于現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光裝置，此種發(fā)光裝置更具有較佳的耐壓能力。
文檔編號F21S2/00GK102679195SQ20111007166
公開日2012年9月19日 申請日期2011年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月14日
發(fā)明者周錫煙 申請人:英特明光能股份有限公司