專利名稱：交流型等離子體顯示元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及交流型等離子體顯示元件，具體涉及如下結(jié)構(gòu)的交流型等離子體顯示元件包括由前面玻璃/前面介電層/保護(hù)膜構(gòu)成的前面基板，上述保護(hù)膜由在MgO基材上添加二價的金屬氧化物(MO)的二元系氧化物((ΜχΜ&_χ)0)形成，在由背面玻璃/背面介電層/隔壁構(gòu)成的背面基板的表面上均勻地涂敷非揮發(fā)性氧化物吸附層，在上述非揮發(fā)性氧化物吸附層的表面形成有熒光體層。
背景技術(shù)：
PDP因作為平板型顯示元件畫質(zhì)優(yōu)良，厚度薄，且重量輕，從而主要用于40英寸以上的大型顯示裝置。等離子體顯示元件，在形成于背面板的多個隔壁及多個地址電極、形成于前面板的多個支持電極垂直地交叉的地點(diǎn)形成像素而顯示圖像。在圖1示出了這種PDP的大致結(jié)構(gòu)。參照圖1可知，PDP在將玻璃或金屬基板作為原材料的背面80上涂敷有透明介電層90，在背面板80或背面介電層90上形成有地址電極 50。另外，隔著地址電極50而存在長條文(stripe)形狀的隔壁60或四角形形狀的隔壁， 在上述隔壁60之間的空間上的表面涂敷熒光體而構(gòu)成亞像素(sub pixel)。并且，在由玻璃形成的前面板10上形成有多個支持電極及掃描電極40，在其下面有介電層20和MgO保護(hù)膜30。由此，當(dāng)所述前面板10和背面板80結(jié)合時，形成由隔壁60 分隔的多個像素空間。在這種分隔空間中封入Ne/Xe氣體或Ne/He/Xe氣體等，從而在向支持電極40和地址電極50施加電壓時，因輝光放電在上述空間形成等離子體，在向支持電極40和掃描電極之間施加支持電壓時，在尋址過程中在形成壁電壓的放電單元的支持電極40之間產(chǎn)生輝光放電。從此時所產(chǎn)生的等離子體生成的真空紫外線(vacuum ultra vilolet)激發(fā)涂敷在隔壁60的側(cè)面及各隔壁60之間的底面的熒光體70，從而產(chǎn)生紅色、綠色及青色可視光線。MgO保護(hù)膜30在產(chǎn)生PDP的輝光放電的期間，通過在等離子體形成的離子放出二次電子(secondary electron)而起到降低放電電壓的作用，該MgO保護(hù)膜30還具有在放電結(jié)束后放出外逸電子(exo-electron)而提供開始放電所需的種子電子的特性，因而在PDP 的開發(fā)初期就被用作電子放出材料。另一方面，近來為了減少PDP的耗電，對增加放電氣體的Xe含量而進(jìn)行了多方石if 究(G. Oversluizen, T. Dekker, M. F. Gillies, S. Τ. deZwart, "High-Xe-content high-efficacy PDPs”，J.of the SID，12 (1)，pp51_55 (2004))。根據(jù)上述研究結(jié)果，如將放電氣體內(nèi)的)(e含量增加至50%，則放點(diǎn)效率比以往元件改善3倍以上。但是，當(dāng)如上所述地在放電氣體內(nèi)增加含量時，存在放電電壓急劇上升的問題。這是因?yàn)殡x子阻礙從 MgO材料放出二次電子。已知在AC PDP輝光放電的過程中大部分是由于俄歇(Auger)中和過程而從MgO保護(hù)膜放出二次電子，利用圖2如下所述地說明該放出過程。S卩，當(dāng)由PDP的放電而生成的離子接近MgO表面時，位于MgO中氧離子的2p電子軌道的電子因隧道效應(yīng)與離子產(chǎn)生中和反應(yīng)，此時發(fā)生的能量傳遞到存在于價帶內(nèi)的電子而向外部放出。需滿足如下條件才能通過這禾中過禾呈方文出二次電子(H. Hagstrum,"Theory ofAuger Neutralization of Ions at the Surface of a Diamond-TypeSemiconductorPhys. Review,122(1),pp83-113 (1961))Ej-2 (Eg+ x ) > O (1)其中，Ei表示氣體的離子化能量，^表示放出二次電子的物質(zhì)的帶隙能量，χ表示放出二次電子的物質(zhì)的電子親和性(electronaffinity)。即，為了容易地放出電子，需要使氣體離子的離子化能量增大，或使放出二次電子的材料的帶隙能量和電子親和性相對較小。但是，如圖3所示，由于Xe離子的中和反應(yīng)能量低而不能滿足上述式(1)的條件， 因而不能通過俄歇中和反應(yīng)機(jī)構(gòu)放出二次電子。因此，為了使Xe離子放出二次電子，需減少保護(hù)膜的帶隙能量和電子親和性而使其滿足上述式(1)的條件。減少材料的帶隙能量而增加二次電子放出系數(shù)的方法，已在美國專利申請公開 2007-(^62715號中公開。上述申請公開了在(MXM&_X)0的組成中，χ的組成范圍為0. 01 < χ < 1. 0，M 為選自 Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Na、Al 的元素或由其混合物構(gòu)成的物質(zhì)。另外，還提出上述組成優(yōu)選具有3. 5eV至7eV的帶隙能量，在所述組成中更優(yōu)選M為選自Be、Ca、Sr、Ba、Ra的元素或由其混合物構(gòu)成的物質(zhì)。使用這種(MxMg1J 0 的二元系氧化物的話，增加二次電子的放出系數(shù)，從而降低放電電壓，隨之提高電子加熱效率而可減少PDP的耗電。但是，為了將在PDP輝光放電中產(chǎn)生的Xe離子和通過俄歇(Auger)中和反應(yīng)產(chǎn)生的二次電子放出到材料外部而用作保護(hù)膜材料的帶隙能量被調(diào)節(jié)了的二元系(MxMg1JO的氧化物系保護(hù)膜，具有幾個需要解決的問題。具體而言，目前用作AC PDP的保護(hù)膜或提出使用可能性的(Mg，Ca)0、(Mg，Sr) 0、(Ca, Sr)0等二元系(MxMgl_x)0氧化物材料，存在容易與空氣中的水分及二氧化碳?xì)怏w的反應(yīng)而形成水合物以及碳酸鹽(carbonate)的問題。特別是，作為通過Xe離子有效地放出二次電子的材料而廣為知曉的CaO及SrO等物質(zhì)，通過水分與二氧化碳?xì)怏w之間的反應(yīng)，急速形成水合物和碳酸鹽，從而降低二次電子放出性能。此時產(chǎn)生的Ca的氫氧化物 (Ca-hydroxides)、Ca 的碳酸鹽(Ca-carbonates)、Sr 的氧氧化物(Sr-hydroxides)、Sr 的碳酸鹽(Sr-carbonates)等，由于其分解溫度與Mg的氫氧化物(Mg-hydroxide)及Mg的碳酸鹽(Mg-carbonate)相比非常高，因而在PDP排氣及密封過程中難以將其除去。其結(jié)果， 存在還要追加使用用于控制所述水合物以及碳酸鹽的形成的問題。因此，作為抑制如上所述的水合物以及碳酸鹽的形成的方法，公開了如下的方法 在保護(hù)膜處理的表面涂敷可抑制與空氣中的水分和二氧化碳的反應(yīng)的臨時保護(hù)薄膜的狀態(tài)下，經(jīng)由移動、保管、密封、排氣工序后，在元件老化過程中除去臨時保護(hù)薄膜。這種方法已在美國授權(quán)專利第5938494號及研究論文(Ki-Woong Whang, et al. ,"HighLuminous Efficacy and Low Driving Voltage PDP with SrO-MgO DoubleProtective Layer，，，IMID Technical Digest,pp 173-176(2009))中公開。根據(jù)這些的結(jié)果，雖然臨時保護(hù)薄膜有效地起到抑制水合物及碳酸鹽形成的作用，但使用這種臨時保護(hù)薄膜時，存在增加工序階段， 用于除去臨時保護(hù)膜的工序的時間將會增加，而且通過濺射方式除去的臨時保護(hù)薄膜污染
4熒光體的問題。作為可抑制水合物以及碳酸鹽的產(chǎn)生的另一方法，已提出將工序氣氛內(nèi)的水分以及二氧化碳?xì)怏w的分壓力維持在平衡分壓力以下而制造出的保護(hù)膜，在輸送、儲藏、元件的排氣及密封工序中除去反應(yīng)物質(zhì)而防止形成水合物以及碳酸鹽。這種方法在美國專利申請公開第 2007/(^62715 號以及所發(fā)表的論文(T. Yano，et al. ,"Dischargecharacteristics of MgO-PDP manufactured byusing"all-in-vacuum,'process", IMID Technical Digest, PP28-30 (2009))等中公開。但是，這種方法雖然具有不會污染保護(hù)膜材料并可得到優(yōu)良特性的優(yōu)點(diǎn)，但在制造保護(hù)膜涂敷層后，要以真空維持全部工序，因而存在制造工序費(fèi)用急劇增加，產(chǎn)品收益率減少的問題。因此現(xiàn)實(shí)情況是需要可解決上述問題的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決如上所述的現(xiàn)有技術(shù)中的問題和以往存在的技術(shù)課題。具體來說，本發(fā)明的目的在于提供一種等離子體顯示元件(ACPDP)結(jié)構(gòu)，可有效地抑制保護(hù)膜在密封以及排氣工序中與從空氣中流入的水分以及二氧化碳?xì)怏w反應(yīng)而形成水合物以及碳酸鹽。本發(fā)明的另一個目的在于提供一種AC PDP結(jié)構(gòu)，可降低放電電壓(firing voltage)，由此提高電子加熱效率而減少PDP的耗電。用于達(dá)成上述目的的本發(fā)明的交流型等離子體顯示元件(ACPDP)，其特征在于，包含由前面玻璃/前面介電層/保護(hù)膜構(gòu)成的前面基板，上述保護(hù)膜由在MgO基材上添加二價的金屬氧化物(MO)的二元系氧化物((ΜχΜ&_χ)0)形成，在由背面玻璃/背面介電層/隔壁構(gòu)成的背面基板的表面上均勻地涂敷有非揮發(fā)性氧化物吸附層，在上述非揮發(fā)性氧化物吸附層的表面形成有熒光體層。因此，由于在作為放電單元的背面基板的表面上均勻地涂敷吸收水蒸氣及二氧化碳?xì)怏w的吸氣劑，因而可防止在密封及排氣過程中從二元系氧化物保護(hù)膜形成水合物以及碳酸鹽。在一個具體的例子中，本發(fā)明的等離子體顯示元件為在形成于前面玻璃的顯示區(qū)域上的多個電極施加脈沖形式的電壓而驅(qū)動，并在放電空間內(nèi)封入包含氙(Xe)氣的放電氣體的AC PDP，其由覆蓋用于涂敷形成于上述前面玻璃上的多個掃描電極的前面介電層的保護(hù)膜和背面基板構(gòu)成，所述背面基板包括與上述前面玻璃相對的背面玻璃、形成于背面玻璃上的多個地址電極、覆蓋地址電極的背面介電層、形成于背面介電層上的隔壁、形成于背面介電層和隔壁表面上的熒光體層。在本發(fā)明中由二元系(MxMg1J 0氧化物形成的保護(hù)膜，例如可通過選自電子束蒸鍍(e-beam evaporation)、離子鍍(ion-plating)、減身寸(sputtering)、化學(xué)蒸鍍 (chemical vapor deposition)中的任一個方法形成。具體來說，對作為二元系(MxMg1JO氧化物的原料粉末的氧化物粉末或它們的水合物、氮化物或碳酸鹽粉末加熱后依次進(jìn)行煅燒、擴(kuò)散反應(yīng)、燒結(jié)工序而制作作為二元系 (MxMg1J 0氧化物的蒸鍍源的顆粒，通過將該顆粒蒸發(fā)的過程制作薄膜。如上所述，上述保護(hù)膜的材料，由以MgO為基材成分，添加包含堿土金屬氧化物的二價金屬氧化物作為合金成分的二元系(MxMg1JO氧化物形成，在這里，M優(yōu)選是選自由Ca、 Sr、Ba、ai、C0、Ni以及！^組成的組的一種以上元素，所添加的金屬氧化物的摩爾百分比(χ) 為0. 001 0. 5的范圍。在一個具體例中，上述二價金屬氧化物(MO)可以是選自由BeO、CaO, SrO、BaO, CoO、NiO、ZnO及FeO組成的組的一種以上。如上所述，由于所述二元系(MxMg1JO氧化物與水蒸氣及二氧化碳的反應(yīng)性高，因而在空氣中暴露時，一般形成水合物或碳酸鹽。與此關(guān)聯(lián)，在圖4是計算CaO形成Ca的氫氧化物(Ca-hydroxide)及Ca的碳酸鹽 (Ca-carbonate)的水蒸氣以及二氧化碳?xì)怏w的平衡分壓力而表示的圖表。參照圖4，當(dāng)二元系(CaxIfeh)O氧化物保護(hù)膜在具有比CaO的水合物 (Ca-hydroxide)及碳酸鹽(Ca-carbonate)所形成的水蒸氣及二氧化碳?xì)怏w的平衡分壓力高的水蒸氣或二氧化碳?xì)怏w的分壓力的氣氛下暴露的情況下，在保護(hù)膜的薄膜形成水合物或碳酸鹽。所述平衡分壓力如圖4所示地具有根據(jù)溫度而敏感地變化的特性，所述平衡分壓力隨著溫度增加而敏感地增加。因此，必須要降低保護(hù)膜所暴露的氣氛下的水蒸氣及二氧化碳?xì)怏w的分壓力。根據(jù)本發(fā)明，通過在由背面玻璃/背面介電層/隔壁構(gòu)成的背面基板的表面均勻形成的非揮發(fā)性氧化物吸附層解決了上述問題。形成這種非揮發(fā)性氧化性吸附層的材料，需要具有如下的特性第一，具有比二元系(MxMg1JO氧化物保護(hù)膜的水蒸氣及二氧化碳的平衡分壓力小的值；第二，在PDP的熒光體燒成工序溫度下水合物及碳酸鹽分解；第三，在真空加熱排氣工序條件下，使水合物及碳酸鹽不穩(wěn)定。作為滿足上述各特性的吸氣劑的材料，可舉出Be0、Mg0、CaO, SrO或它們的合金化合物等，根據(jù)本發(fā)明，上述成分能以單獨(dú)或兩個以上的組合來使用。形成吸附層的粒子的平均粒徑優(yōu)選在Iym以下，比其大時，存在吸氣劑的表面積減少而吸氣劑的性能降低的問題。另外，吸附層的厚度優(yōu)選在5μπι以下，比其大時，存在要使熒光體層的厚度變薄的問題。在另一優(yōu)選例中，平均粒徑可以是50nm至Ιμπι，吸附層的厚度可以是IOOnm至5 μ m的范圍。上述吸附層例如可通過噴涂法、印刷涂敷法以及靜電涂敷法等形成。由于所述吸氣劑材料容易與水分及空氣中的二氧化碳?xì)怏w反應(yīng)，所以優(yōu)選的是在所述涂敷工序中利用使用了非極性溶劑的懸濁液或通過沒有使用溶劑的干式工序?qū)嵤┩糠?。另一方面，已公知有一部分使用吸氣劑來除去水蒸氣及二氧化碳的技術(shù)。具體來說，在美國專利申請公開第2002/0008469號及所發(fā)表的論文(M. Riva， et al. ， A comparative study of different getterconfigurations on final PDP performances, IMID Technical Digest,ppl895-1898 (2008))中公開了使^-V-Al-i^e 金屬粉末位于PDP元件的非放電區(qū)域而除去水蒸氣和二氧化碳?xì)怏w的方法。但是，這種方法由于相對于排出水蒸氣及二氧化碳的隔壁以及熒光體粉末的氣體通過度(conductance)低， 因而在由相對于氣體排氣的阻力大的隔壁分離的PDP的封閉式的放電單元結(jié)構(gòu)中上述效果會受限。與此不同，美國專利申請公開第2008/0020668號公開了在MgO薄膜表面的非放電
6區(qū)域形成金屬粉末吸氣劑或CaO、SrO, BaO水蒸氣吸附材料，從而相對于從隔壁及熒光體表面放出的水蒸氣以及二氧化碳?xì)怏w可以有效地發(fā)揮吸氣劑的方法。但是，在MgO薄膜表面形成吸氣劑材料層的方法會使前面基板與背面基板之間的間隔發(fā)生變化，由此會發(fā)生與相鄰放電單元之間的干擾(cross-talk)缺陷，而且在上下板整列作業(yè)時存在上下板碰撞引起的MgO薄膜及隔壁上部破損的問題。另外，根據(jù)本發(fā)明，提供在由背面玻璃/背面介電層/隔壁構(gòu)成的背面基板的表面均勻地涂敷非揮發(fā)性氧化物吸附層的結(jié)構(gòu)。本申請的發(fā)明人們確認(rèn)了通過上述結(jié)構(gòu)的吸附層能一舉解決以上說明的現(xiàn)有技術(shù)的各種問題。這樣的非揮發(fā)性氧化物吸附層，可由如下工序制造在由背面玻璃/背面介電層 /隔壁構(gòu)成的背面基板的表面上均勻地涂敷非揮發(fā)性氧化物而形成吸附層，通過糊劑分配 (dispensing)在上述吸附層的上部形成熒光體膜后，執(zhí)行燒成工序，然后執(zhí)行密封/加熱排氣/放電氣體的封入工序。此時，上述密封工序的溫度優(yōu)選為450°C至520°C，加熱排氣工序的溫度優(yōu)選為 200°C至 400"C。在一個優(yōu)選例中，上述密封工序是在氮?dú)鈿夥栈蛘婵諝夥障聢?zhí)行的，由此在該工序中抑制保護(hù)膜與空氣中的水蒸氣及二氧化碳反應(yīng)而形成水合物及碳酸鹽。根據(jù)本發(fā)明的交流型等離子體顯示元件，通過抑制保護(hù)膜的水合物及碳酸鹽的形成，可利用所述材料與)(e離子之間的俄歇中和反應(yīng)實(shí)現(xiàn)放出二次電子的固有特性 (intrinsic properties)，所以可以顯著降低放電電壓，放電特性隨著時間而穩(wěn)定，還可以提高發(fā)光效率而具有優(yōu)良的放電特性。另外，本發(fā)明的交流型等離子體顯示元件的保護(hù)膜，由于可將放電氣體中的 )(e含量增加到10%至100%，因而可適用于制造耗電低的同時工作電壓低的HD (high definition，高清晰度)以及Full HD(全高清)等高分辨率顯示器用PDP。


圖1是簡要圖示現(xiàn)有的等離子體顯示元件的結(jié)構(gòu)的剖面立體圖；圖2是簡要圖示通過俄歇(Auger)中和過程放出電子的過程的工序圖；圖3是表示MgO帶結(jié)構(gòu)和用作放電氣體的氣體的離子化能量狀態(tài)以及準(zhǔn)穩(wěn)定狀態(tài)的能級的示意圖；圖4是計算CaO形成Ca的氫氧化物及Ca的碳酸鹽的水蒸氣以及二氧化碳?xì)怏w的平衡分壓力而表示的圖表；圖5是表示本發(fā)明一實(shí)施例的交流型等離子體顯示元件的背面板結(jié)構(gòu)的垂直剖面示意圖；圖6是利用電子顯微鏡觀察通過電子束蒸鍍法將二元系(Ciiai5M^85)O氧化物顆粒蒸發(fā)而制造出的二元系氧化物薄膜的微細(xì)組織的照片；圖7是針對具有二元系(Qiai5M^l85)O氧化物保護(hù)膜的前面基板和具有普通結(jié)構(gòu)的背面基板在氮?dú)鈿夥障旅芊獾腜DP，和具有MgO氧化物保護(hù)膜的前面基板和具有普通結(jié)構(gòu)的背面基板沒有在氮?dú)鈿夥障旅芊獾腜DP，將這些PDP的放電電壓根據(jù)PDP的老化時間測定而表示的比較圖表；
圖8是針對具有二元系(Ciiai5M^85)O氧化物保護(hù)膜的前面基板和在熒光體層下部包含吸氣劑的背面基板在氮?dú)鈿夥障旅芊獾腜DP，和圖7的各PDP，將這些PDP的放電電壓根據(jù)PDP的老化時間測定而表示的比較圖表。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明，但本發(fā)明的范圍不限于此。圖5是表示本發(fā)明一實(shí)施例的交流型等離子體顯示元件的背面板結(jié)構(gòu)的垂直剖面示意圖如圖5所示，AC PDP的背面基板由背面玻璃80/背面介電層90/隔壁60構(gòu)成， 在背面基板的表面上均勻地涂敷有非揮發(fā)性氧化物吸附層100，在非揮發(fā)性氧化物吸附層 100的表面形成有熒光體層70。因此，本發(fā)明的AC PDP通過將非揮發(fā)性氧化物吸附層100位于熒光體層70的底面上，可通過非揮發(fā)性氧化物吸附層100有效地捕獲從隔壁60、背面介電層90以及熒光體層70產(chǎn)生的水分及二氧化碳?xì)怏w。另外，本發(fā)明的AC PDP，在保護(hù)膜向空氣氣氛暴露的PDP的制造工序階段即密封階段降低工序氣氛內(nèi)的水分及二氧化碳?xì)怏w的分壓力，由此控制保護(hù)膜的反應(yīng)程度。即，使與水分及二氧化碳?xì)怏w的反應(yīng)特性優(yōu)良的非揮發(fā)性氧化物吸附層100如圖5中圖示的結(jié)構(gòu)一樣位于熒光體層70的下部，從而發(fā)揮吸氣劑100的作用。S卩，在PDP的密封及排氣工序和消費(fèi)者使用PDP的期間，由于向放電單元內(nèi)放出的水分和二氧化碳?xì)怏w的大部分從熒光體層70、背面介電層90以及隔壁60產(chǎn)生，因而吸附層100位于作為可有效地對所述雜質(zhì)氣體進(jìn)行吸氣(gettering)的位置的熒光體層70的下面。特別是通過在氮?dú)鈿夥障聦?shí)施密封工序，降低了氣氛內(nèi)的水分及二氧化碳?xì)怏w的分壓力，由此可以抑制保護(hù)膜的反應(yīng)程度。在圖6是利用電子顯微鏡觀察通過電子束蒸鍍法將二元系(Qiai5M^85)O氧化物顆粒蒸發(fā)而制造出的二元系氧化物薄膜的微細(xì)組織的照片。具體來說，圖6是將Mg(OH)2及CaCO3原料粉末混合后通過煅燒、擴(kuò)散反應(yīng)以及燒結(jié)工序而制造出的二元系15Mg0.85) 0氧化物顆粒，通過電子束蒸鍍法使該顆粒蒸發(fā)而制備二元系氧化物薄膜，并利用電子顯微鏡觀察該薄膜的微細(xì)組織時的照片。如圖6所示，二元系(Qiai5M^85)O氧化物保護(hù)膜具有良好的結(jié)晶性而形成，為了形成這種結(jié)晶質(zhì)保護(hù)膜，在基板被加熱至370°C的條件下進(jìn)行了蒸鍍。下面，通過實(shí)驗(yàn)內(nèi)容來更詳細(xì)說明本發(fā)明，但下述實(shí)驗(yàn)內(nèi)容僅例示本發(fā)明，本發(fā)明的范圍不限于此。(比較例1)將具有結(jié)晶狀二元系(Ciiai5M^85)O氧化物保護(hù)膜的前面基板和由現(xiàn)有的背面玻璃/背面介電層/隔壁/熒光層構(gòu)成的背面基板在500°C的氮?dú)鈿夥障旅芊?，?80°C溫度下加熱排氣后，封入放電氣體而制作了 PDP。此時，放電氣體使用了 Ne-20% Xe混合氣體， 維持(sustaining)周期為 30kHz。(比較例2)
8
除了前面基板的保護(hù)膜由MgO氧化物形成，將前面基板和背面基板不在氮?dú)鈿夥障旅芊庖酝?，通過與比較例1相同的方法制作了 PDP。(實(shí)施例1)使用平均粒度在1 μ m以下的CaO吸氣劑粉末以2 μ m以下厚度涂敷吸附層，并在其表面通過印刷法涂敷熒光體糊劑而形成背面基板，將具有結(jié)晶狀二元系(C、15Mg0.85)0氧化物保護(hù)膜的前面基板和上述背面基板加熱至500°C的溫度而進(jìn)行燒成并在氮?dú)鈿夥障旅芊?，之后通過加熱排氣以及放電氣體的封入而制作了 PDP。其他條件與比較例1相同。(實(shí)驗(yàn)例1)對于在上述比較例1及2和實(shí)施例分別制作的各PDP的放電電壓，根據(jù)PDP的老化時間進(jìn)行測量，將其結(jié)果圖示在圖7及圖8中。首先，如圖7所示，在比較例1中二元系(CiiaiSM^85)O氧化物保護(hù)膜的放電電壓約為305V左右，與比較例2的MgO保護(hù)膜的放電電壓即345V相比約低40V左右。這種放電電壓的降低的原因，可認(rèn)為是二元系(Ciiai5M^85)O氧化物保護(hù)膜的帶隙能量與MgO相比減少，從而增加了二次電子放出系數(shù)。接著，如圖8所示，實(shí)施例1的PDP放電電壓降低至230V。與此不同，在使用由MgO 形成的保護(hù)膜的比較例2的情況下，放電電壓減少至345V，在使用以氮?dú)鈿夥彰芊獾亩郸力?15Μ&85)0氧化物保護(hù)膜的比較例1的情況下，放電電壓減少至305V。因此，確認(rèn)了與僅在氮?dú)鈿夥障旅芊舛?C、15Mg0.85) 0氧化物保護(hù)膜的比較例 1的PDP相比，在氮?dú)鈿夥障旅芊馍鲜霰Ｗo(hù)膜并將CaO吸附層涂敷在背面基板的表面上的實(shí)施例1的PDP在放電電壓的降低效果方面效果更大。即，如上所述，包含特定結(jié)構(gòu)的保護(hù)膜并在預(yù)定位置上具有吸附層的本發(fā)明的交流型等離子體顯示元件，效率顯著上升而減少了 PDP的耗電，從而可減少零部件的制造成本。本領(lǐng)域技術(shù)人員能以上述內(nèi)容為基礎(chǔ)在本發(fā)明范圍內(nèi)進(jìn)行各種應(yīng)用以及變形。
權(quán)利要求
1.一種交流型等離子體顯示元件，其特征在于，包含由前面玻璃/前面介電層/保護(hù)膜構(gòu)成的前面基板，所述保護(hù)膜由在MgO基材上添加二價的金屬氧化物MO的二元系氧化物 (MxMg1J 0形成，在由背面玻璃/背面介電層/隔壁構(gòu)成的背面基板的表面上均勻地涂敷有非揮發(fā)性氧化物吸附層，在所述非揮發(fā)性氧化物吸附層的表面形成有熒光體層。
2.如權(quán)利要求1所述的交流型等離子體顯示元件，其特征在于，所述保護(hù)膜是通過選自電子束蒸鍍、離子鍍、濺射、化學(xué)蒸鍍中的任一個方法形成的。
3.如權(quán)利要求1所述的交流型等離子體顯示元件，其特征在于，在所述金屬氧化物MO 中的M是選自由Ca、Sr、Ba、Zn、Co、Ni以及!^e組成的組的一種以上元素，所添加的金屬氧化物的摩爾百分比χ為0. 001 0. 5的范圍。
4.如權(quán)利要求3所述的交流型等離子體顯示元件，其特征在于，所述金屬氧化物MO為選自由BeO、CaO、SrO、BaO、CoO、NiO, ZnO及FeO組成的組的一種以上。
5.如權(quán)利要求1所述的交流型等離子體顯示元件，其特征在于，所述非揮發(fā)性氧化物吸附層包含選自由Be0、Mg0、Ca0、Sr0或它們的合金化合物組成的組的一種以上，而且形成吸附層的粒子的平均粒徑在1 μ m以下，吸附層的厚度在5 μ m以下。
6.如權(quán)利要求1所述的交流型等離子體顯示元件，其特征在于，所述非揮發(fā)性氧化物吸附層是通過選自噴涂法、印刷涂敷法以及靜電涂敷法中的方法形成的。
7.如權(quán)利要求1所述的交流型等離子體顯示元件，其特征在于，所述非揮發(fā)性氧化物吸附層由如下工序形成在由背面玻璃/背面介電層/隔壁構(gòu)成的背面基板的表面上均勻地涂敷非揮發(fā)性氧化物而形成吸附層，通過糊劑分配在上述吸附層的上部形成熒光體膜后，執(zhí)行燒成工序，然后執(zhí)行密封/加熱排氣/放電氣體的封入工序。
8.如權(quán)利要求7所述的交流型等離子體顯示元件，其特征在于，所述密封工序的溫度為450°C至520°C，加熱排氣工序的溫度為200°C至400°C。
9.如權(quán)利要求1所述的交流型等離子體顯示元件，其特征在于，上述密封工序是在氮?dú)鈿夥栈蛘婵諝夥障聢?zhí)行的，由此在該工序中抑制保護(hù)膜與空氣中的水蒸氣及二氧化碳反應(yīng)而形成水合物及碳酸鹽。
全文摘要
本發(fā)明提供一種交流型等離子體顯示元件(AC PDP)，其特征在于，包含由前面玻璃/前面介電層/保護(hù)膜構(gòu)成的前面基板，上述保護(hù)膜由在MgO基材上添加二價的金屬氧化物(MO)的二元系氧化物((MxMg1-x)O)形成，在由背面玻璃/背面介電層/隔壁構(gòu)成的背面基板的表面上均勻地涂敷有非揮發(fā)性氧化物吸附層，在上述非揮發(fā)性氧化物吸附層的表面形成有熒光體層。
文檔編號H01J17/24GK102201312SQ20101018006
公開日2011年9月28日 申請日期2010年5月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月23日
發(fā)明者尹相薰, 鄭錫, 金容奭, 金廷碩, 金有漢 申請人:陶瓷和化工科技株式會社