專利名稱：磁控管的陰極導線結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于磁控管的技術領域，具體涉及一種在增加陶瓷部件與陰極引出線的同時減小中央導桿與側面導桿的長度，從而提高兩導桿的同心度，降低暗電流提高輸出效率的磁控管的陰極導線結構。
背景技術：
圖1是現(xiàn)有技術的磁控管結構縱剖視圖；圖2是現(xiàn)有技術中磁控管的陰極導線結構的剖視圖。如圖1、圖2所示，磁控管主要包括有正電極部；負電極部；磁極部；微波發(fā)射部。正電極部由圓桶形狀的陽極外殼11，在陽極外殼11的內壁上形成有多個放射狀的葉片12，葉片上下溝槽中焊接內外環(huán)構成。負電極部包括在中心軸上由W(鎢)和TH(釷)元素形成的螺旋形狀并可放射熱電子的燈絲13 ；在葉片12的末端和燈絲13之間形成使熱電子旋轉的作用空間14 ；為了防止從燈絲13放射出來的熱電子從中心軸上下方向脫離，在燈絲13的上端和下端形成上部密封件15和下部密封件16 ；為了支撐燈絲13及引入電源，設計了貫通下部密封件16并連接上部密封件15的燈絲中央導桿17和與中央導桿17 —起引入電源并連接下部密封件16 的側面導桿18。磁極部包括固定在陽極外殼11的上端和下端且能形成磁通的上磁極20，下磁極 21 ；為了能使作用空間14上形成磁場，在上磁極20的上端和下磁極21的下端安裝磁鐵22。在上磁極20的上部和下磁極21的下部設置起到磁通作用的上部密封室41和下部密封室42，上部密封室和下部密封室分別由天線封蓋100和陰極封蓋103分隔出的空間形成；為了在作用空間14里產(chǎn)生的高頻波發(fā)射到外部，設有連接在葉片12并貫通上磁極 20和上部密封室41中央引出來的天線51 ；為了冷卻在作用空間14里產(chǎn)生并通過葉片12 傳遞的熱量，設置有冷卻片61。在磁控管的下端對應下磁極的下部密封室位置設置陶瓷部件31，陶瓷部件與形成下部密封室的陰極封蓋緊密結合；在陶瓷部件31中設置兩條穿過陶瓷部件的陰極引出線35，另外設置具有濾波功能的濾波線圈32，兩段濾波線圈分別通過陰極引出線連接燈絲的中央導桿17 —端和側面導桿18的一端；包圍濾波線圈設置由金屬材質構成的屏蔽盒 34，屏蔽盒內部形成密閉的空間，屏蔽盒上部形成通孔36，陶瓷部件的下端穿過屏蔽盒上部的通孔并與屏蔽盒相固定，連接濾波線圈32，并跨接于電源兩端從外部引入電源的電容器 33。另外還有把冷卻片61保護在內部并將冷卻片61傳遞的熱量散出的外殼19等部件。外殼19包括從上側容納內部裝置的上殼19a和從下側容納內部裝置的下殼19b。圖中所示的排氣管60是磁控管組裝以后，進行排氣工序時為了把磁控管變成真空狀態(tài)切斷的部分。下面說明如上所述的磁控管工作情況。在磁鐵22產(chǎn)生的磁場通過上磁極20和下磁極21形成磁通時，在葉片12和燈絲13之間形成磁場。當通過電容器33進行通電的時候，燈絲13在大約2000K溫度下放射熱電子，熱電子在燈絲13與正電極部之間的4. OKV到 4. 4KV和在磁鐵22產(chǎn)生的磁場的作用下的作用空間14進行旋轉。這樣，在通過中央導桿17和側面導桿18向燈絲13通電的時候，在葉片12和燈絲 13之間產(chǎn)生2450MHZ左右的電場，使熱電子在作用空間14內通過電場和磁場的作用下變成諧波，并使諧波傳遞到連接葉片12的天線51發(fā)射到外部。在作用空間產(chǎn)生的不僅有用于烹調的基本波(2450MHZ)，還有基本波頻率整數(shù)倍的高頻諧波，主要包括第二高頻諧波(4900MHZ)、第三高頻諧波(7350MHZ)、第四高頻諧波 (9. 8GHZ)、第五高頻諧波(12. 5GHZ)等。基本波用于對微波爐內的物品加熱，整數(shù)倍高頻諧波容易對周圍的電器元件造成強烈的電磁干擾，而且對人體有害，因此必須盡量減少高頻諧波從磁控管中泄漏?，F(xiàn)有技術中磁控管的天線側扼流結構，包括設置于磁控管的陽極外殼上部并形成上部密封室的天線封蓋100和密閉焊接于天線封蓋內部并與天線封蓋內壁共同形成扼流槽102的筒狀扼流壁101 ；天線封蓋上部的天線出口處向上部密封室內側彎曲形成扼流筒，扼流筒與扼流壁之間同樣形成扼流槽102，扼流筒、天線封蓋與扼流壁共軸?，F(xiàn)有技術中磁控管的陰極導線結構，包括中央導桿17，貫通磁控管的下部密封件16且連接上部密封件15，支撐燈絲13并為燈絲引入電源，其下端通過焊接片37與陰極引出線35相連接；側面導桿18，連接磁控管的下部密封件16，與中央導桿配合向燈絲引入電源，側面導桿的下端通過焊接片37與陰極引出線35相連接；陶瓷部件31，設置在由陰極封蓋103所圍成的下部密封室42下側，在陶瓷部件上端設置支撐中央導桿和側面導桿的兩個互不接觸的焊接片37，與焊接片分別連接的兩條陰極引出線從陶瓷部件中穿過，并與屏蔽盒中的濾波線圈相連接。但是現(xiàn)有技術存在以下不足磁控管陰極導線結構中，陶瓷部件完全安裝在陰極封蓋外部，中央導桿和側面導桿穿過陰極封蓋形成的下部密封室分別連接上部密封件和下部密封件，從而為磁控管的燈絲輸送電源，由于中央導桿和側面導桿在下部密封室中的長度相對較長，在裝配時容易發(fā)生裝配誤差，從而造成陰極偏心，導致發(fā)熱損耗的暗電流增加，降低了磁控管的整體輸出效率。另外，為保證磁控管中的電流傳輸效能，中央導桿和側面導桿都采用貴金屬制成，過長的中央導桿和側面導桿也使貴金屬的用量增大，磁控管陰極導線結構的生產(chǎn)成本相對偏尚ο

發(fā)明內容
本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題而提供一種在增加陶瓷部件與陰極引出線的同時減小中央導桿與側面導桿的長度，從而提高兩導桿的同心度，降低暗電流提高輸出效率的磁控管的陰極導線結構。本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題所采取的技術方案是本發(fā)明的磁控管的陰極導線結構，包括中央導桿，貫通磁控管的下部密封件且連接上部密封件，支撐燈絲并為燈絲引入電源，其下端通過焊接片與陰極引出線相連接；側面導桿，連接磁控管的下部密封件，與中央導桿配合向燈絲引入電源，側面導桿的下端通過焊接片與陰極引出線相連接；陶瓷部件，設置在由陰極封蓋所圍成的下部密封室下側，在陶瓷部件上端設置支撐中央導桿和側面導桿的兩個互不接觸的焊接片，與焊接片分別連接的兩條陰極引出線從陶瓷部件中穿過，并與屏蔽盒中的濾波線圈相連接，陶瓷部件向上延伸至下部密封室中。本發(fā)明還可以采用如下技術措施所述的磁控管下部密封件與陶瓷部件的底面之間的距離保持不變，陶瓷部件與陰極引出線的長度增加，下部密封件與焊接片之間的距離減小，即中央導桿與側面導桿的長度相應減小。所述的陶瓷部件的上端形成凸臺結構，凸臺與陰極封蓋緊密配合并插入到下部密封室中。本發(fā)明具有的優(yōu)點和積極效果是本發(fā)明的磁控管的陰極導線結構中，陶瓷部件和陰極引出線一同向上方延伸至陰極封蓋形成的下部密封室中，兩者的長度相對于現(xiàn)有技術有所增長，且由于磁控管的大小規(guī)格未發(fā)生變化，其下部密封件與陶瓷部件底面間的距離不變，因而中央導桿和側面導桿在下部密封室中長度相應的縮短，即從下部密封件到陶瓷部件頂部焊接片之間的中央導桿和側面導桿根據(jù)陶瓷部件的變化而相應的縮短了長度。下部密封室中更短的中央導桿和側面導桿發(fā)生相對形變的可能大大降低，中央導桿和側面導桿的同心度提高，減小了磁控管陰極偏心的可能，進而減小了由于陰極偏心所造成的暗電流的大小，使磁控管中產(chǎn)生無用損耗的暗電流降低，相應的提高了磁控管的整體工作輸出效率。此外，由于中央導桿和側面導桿的長度都減小，生產(chǎn)中央導桿和側面導桿所需的貴金屬量也降低，從而降低了磁控管的生產(chǎn)成本。


圖1是現(xiàn)有技術的磁控管結構縱剖視圖；圖2是現(xiàn)有技術中磁控管的陰極導線結構的剖視圖；圖3是本發(fā)明的磁控管的陰極導線結構的剖視圖。
具體實施例方式下面結合附圖和實施例對本發(fā)明進行詳細的說明。圖3是本發(fā)明的磁控管的陰極導線結構的剖視圖。如圖3所示，磁控管的陰極封蓋設置在磁控管下磁極的下部，與磁控管的陽極外殼密封連接形成下部密封室，金屬材質的陰極封蓋與陽極外殼通過焊接緊密連接，陰極封蓋下部的中間位置設置供陰極引出線穿過的開口。在磁控管的下端對應下磁極的下部密封室位置設置陶瓷部件31，陶瓷部件與形成下部密封室的陰極封蓋緊密結合；在陶瓷部件中設置兩條穿過陶瓷部件的陰極引出線35，另外設置具有濾波功能的濾波線圈，兩段濾波線圈分別通過陰極引出線連接燈絲的中央導桿一端和側面導桿的一端；包圍濾波線圈設置由金屬材質構成的屏蔽盒，屏蔽盒內部形成密閉的空間，屏蔽盒上部形成通孔，陶瓷部件的下端穿過屏蔽盒上部的通孔并與屏蔽盒相固定，連接濾波線圈，并跨接于電源兩端從外部引入電源的電容器。
在磁控管的下部的屏蔽盒，構成磁控管的一部分，屏蔽盒中的濾波線圈，由一組相互對應設置的線圈構成，通過陰極引出線分別連接磁控管中燈絲的中央導桿和側面導桿， 形成電路連通；屏蔽盒，由金屬板構成，包圍濾波線圈，其內部形成密閉的空間，保護濾波線圈及濾波線圈的電路連接，在屏蔽盒的上部設置通孔，磁控管的陶瓷部件的下端穿過屏蔽盒上部的通孔與屏蔽盒相固定；電容器，設置在上述屏蔽盒外，通過連接導線穿過屏蔽盒與濾波線圈相連接，將電源供給給磁控管。磁控管的陰極導線結構，設置在磁控管的負電極部中，包括中央導桿17，由導電率高的貴金屬制成，貫通磁控管的下部密封件16且連接上部密封件15，在下部密封件和上部密封件之間的中央導桿位于磁控管的軸心部位，支撐燈絲13并為燈絲引入電源，其下端與陶瓷部件31上端設置的焊接片37固定，通過焊接片31與陰極引出線35電連接；側面導桿18，同樣由導電率高的貴金屬制成，其上端連接磁控管的下部密封件16，與中央導桿17 配合向燈絲引入電源，側面導桿的下端與陶瓷部件31上端設置的焊接片37固定，通過焊接片與陰極引出線相連接；陶瓷部件31，由絕緣的陶瓷構成，設置在由陰極封蓋所圍成的下部密封室下側，在陶瓷部件上端設置支撐中央導桿和側面導桿的兩個互不接觸的焊接片， 與焊接片分別連接的兩條陰極引出線35從陶瓷部件31中穿過，并與屏蔽盒中的濾波線圈相連接，陶瓷部件向上延伸至由陰極封蓋圍成的下部密封室中，陶瓷部件與陰極封蓋下端開口之間緊密連接，以防止高頻諧波泄漏。在不改變磁控管外部結構的情況下，磁控管下部密封件16與陶瓷部件31的底面之間的距離保持不變，使陶瓷部件與陰極引出線的長度增加，陶瓷部件和陰極引出線都在下部密封室內部向下部密封件的方向延伸，下部密封件與陶瓷部件頂部設置的焊接片之間的距離減小，因此中央導桿與側面導桿位于下部密封室中的部分其長度也相應地減小，主要是平行設置于下部密封室中的中央導桿和側面導桿的部分同時減少了相同的長度。陶瓷部件31的上端形成凸臺結構，突出部分的直徑小于陶瓷部件下部的直徑，更加便于凸臺與陰極封蓋緊密配合并插入到下部密封室中，而且還能夠對陶瓷部件插入到陰極封蓋中的長度進行限定和控制。本發(fā)明的磁控管的陰極導線結構中，陶瓷部件和陰極引出線一同向上方延伸至陰極封蓋形成的下部密封室中，兩者的長度相對于現(xiàn)有技術有所增長，且由于磁控管的大小規(guī)格未發(fā)生變化，其下部密封件與陶瓷部件底面間的距離不變，因而中央導桿和側面導桿在下部密封室中長度相應的縮短，即從下部密封件到陶瓷部件頂部焊接片之間的中央導桿和側面導桿根據(jù)陶瓷部件的變化而相應的縮短了長度。下部密封室中更短的中央導桿和側面導桿發(fā)生相對形變的可能大大降低，中央導桿和側面導桿的同心度提高，減小了磁控管陰極偏心的可能，進而減小了由于陰極偏心所造成的暗電流的大小，使磁控管中產(chǎn)生無用損耗的暗電流降低，相應的提高了磁控管的整體工作輸出效率。此外，由于中央導桿和側面導桿的長度都減小，生產(chǎn)中央導桿和側面導桿所需的貴金屬量也降低，從而降低了磁控管的生產(chǎn)成本。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例公開如上，然而，并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內，當然會利用揭示的技術內容作出些許更動或修飾，成為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均屬于本發(fā)明技術方案的范圍內。
權利要求
1.一種磁控管的陰極導線結構，包括中央導桿，貫通磁控管的下部密封件且連接上部密封件，支撐燈絲并為燈絲引入電源，其下端通過焊接片與陰極引出線相連接；側面導桿，連接磁控管的下部密封件，與中央導桿配合向燈絲引入電源，側面導桿的下端通過焊接片與陰極引出線相連接；陶瓷部件，設置在由陰極封蓋所圍成的下部密封室下側，在陶瓷部件上端設置支撐中央導桿和側面導桿的兩個互不接觸的焊接片，與焊接片分別連接的兩條陰極引出線從陶瓷部件中穿過，并與屏蔽盒中的濾波線圈相連接，其特征在于陶瓷部件向上延伸至下部密封室中。
2.根據(jù)權利要求1所述的磁控管的陰極導線結構，其特征在于磁控管下部密封件與陶瓷部件的底面之間的距離保持不變，陶瓷部件與陰極引出線的長度增加，下部密封件與焊接片之間的距離減小，即中央導桿與側面導桿的長度相應減小。
3.根據(jù)權利要求2所述的磁控管的陰極導線結構，其特征在于陶瓷部件的上端形成凸臺結構，凸臺與陰極封蓋緊密配合并插入到下部密封室中。
全文摘要
一種磁控管的陰極導線結構，包括中央導桿、側面導桿、陶瓷部件，陶瓷部件向上延伸至下部密封室中，從下部密封件到陶瓷部件頂部焊接片之間的中央導桿和側面導桿根據(jù)陶瓷部件的變化而相應的縮短了長度。下部密封室中更短的中央導桿和側面導桿發(fā)生相對形變的可能大大降低，中央導桿和側面導桿的同心度提高，減小了磁控管陰極偏心的可能，進而減小了由于陰極偏心所造成的暗電流的大小，使磁控管中產(chǎn)生無用損耗的暗電流降低，相應的提高了磁控管的整體工作輸出效率。
文檔編號H01J23/05GK102237238SQ20101015956
公開日2011年11月9日 申請日期2010年4月29日 優(yōu)先權日2010年4月29日
發(fā)明者李峰 申請人:樂金電子(天津)電器有限公司