專利名稱:離子布植機(jī)與調(diào)整離子束的方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種離子布植,特別是涉及一種以簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)與低成本方式調(diào)整離子束 形狀的離子布植機(jī)與調(diào)整離子束的方法。
背景技術(shù):
離子布植廣泛的應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中,舉例來說,將具有特定能量的特定離子布 植于晶圓。離子布植工藝一般需要將均勻及適當(dāng)?shù)碾x子劑量布植于半導(dǎo)體晶圓。一傳統(tǒng)離子布植機(jī)包含至少一離子源與一分析磁鐵單元。離子源用于產(chǎn)生離子 束。來自離子源的離子束在布植于晶圓之前先由分析磁鐵單元進(jìn)行分析,以去除不需要的 離子。雖然離子束在布植于晶圓之前已先由分析磁鐵單元進(jìn)行分析,離子束的形狀(截面 形狀)通常不如所要求的完美。在不同的應(yīng)用中,所需求的離子束的形狀也隨之改變。不 同的布植參數(shù)通常對(duì)應(yīng)不同離子束形狀,舉例來說,點(diǎn)狀(spot)與線狀(ribbon)離子束用 于不同的離子布植應(yīng)用并對(duì)應(yīng)到不同布植參數(shù)。某些先前技術(shù)借由修改離子源或/與分析磁鐵單元的設(shè)計(jì)以達(dá)成離子束形狀改 變的需求,使得經(jīng)過離子源與分析磁鐵單元的離子束可以幾近符合所需求的形狀。不過這 樣修改的技術(shù)實(shí)屬困難,且通常需要復(fù)雜的機(jī)構(gòu)與高成本,這些先前技術(shù)的實(shí)用性有限。某些先前技術(shù)借由施加磁場(chǎng)或電磁場(chǎng)以改變離子的運(yùn)動(dòng)軌跡來達(dá)成離子束形狀 改變的需求。當(dāng)離子束自分析磁鐵單元輸出后,施加磁場(chǎng)以進(jìn)一步調(diào)整離子束形狀。如圖 IA所示,一離子布植機(jī)100包含一離子源110、分析磁鐵單元120、第一棒狀磁鐵131與一第 二棒狀磁鐵132。離子源110產(chǎn)生離子束10,而離子束10則于射入晶圓20之前先由分析 磁鐵單元120調(diào)整。第一組棒狀磁鐵130用于當(dāng)分析磁鐵單元120調(diào)整離子束10之后調(diào) 整離子束形狀(shape)。第一棒狀磁鐵131與一第二棒狀磁鐵132分別位于離子束10軌跡 的兩側(cè),并用于調(diào)整離子束10的形狀。圖IB顯示第一棒狀磁鐵131與第二棒狀磁鐵132分別位于離子束10預(yù)定軌跡的 兩側(cè)的一范例。第一棒狀磁鐵131包含第一支撐棒141與第一纏繞線圈151,而第二棒狀磁 鐵132包含第二支撐棒142與第二纏繞線圈152。因此當(dāng)電流I1與/或I2分別流過第一 棒狀磁鐵131與/或第二棒狀磁鐵132時(shí),第一棒狀磁鐵131與第二棒狀磁鐵132之間產(chǎn) 生一磁場(chǎng)以影響離子的運(yùn)動(dòng)。圖IC顯示離子束10的形狀如何由第一棒狀磁鐵131與第二棒狀磁鐵132之間的 磁場(chǎng)所影響。第一纏繞線圈151與第二纏繞線圈152分別均勻沿第一支撐棒141與第二支 撐棒142分布,以產(chǎn)生一連續(xù)磁場(chǎng)并調(diào)整離子束10的形狀。第一支撐棒141與第二支撐棒 142的方向通常與離子束10的行進(jìn)方向相交。舉例來說,支撐棒的方向可與離子束10的 行進(jìn)方向垂直。此外,由于連續(xù)磁場(chǎng)的強(qiáng)度與方向?yàn)橹饾u改變而無前后的變化,連續(xù)磁場(chǎng)為 單階磁場(chǎng)。當(dāng)電流I1與I2如圖IB所示為平行,每一棒狀磁鐵之間所產(chǎn)生的磁場(chǎng)方向?yàn)橄?反。由二棒狀磁鐵產(chǎn)生的整體磁場(chǎng)于鄰近第一棒狀磁鐵131處指向下,于鄰近第二棒狀磁 鐵132處指向上,于中心點(diǎn)的下方指向左朝向第一棒狀磁鐵131,于中心點(diǎn)的上方指向右朝向第二棒狀磁鐵132。此為典型四極(quadrupole)磁場(chǎng)。四極磁場(chǎng)可于一方向壓縮離子 束,并于另一方向擴(kuò)展離子束,取決于棒狀磁鐵與離子束之間的相對(duì)方向。當(dāng)離子束10朝 圖IC中離開紙平面的方向移動(dòng)時(shí),電流I1與I2的方向如圖IB與圖IC所示,四極磁場(chǎng)于X 方向壓縮離子束并于Y方向擴(kuò)展離子束,形成一 X方向較窄而Y方向較高的離子束。當(dāng)電 流I1與I2的方向逆轉(zhuǎn),四極磁場(chǎng)于X方向擴(kuò)展離子束并于Y方向壓縮離子束,形成一 X方 向較寬而Y方向較短的離子束。盡管如此,對(duì)于實(shí)際布植工藝需求而言,圖IC所示的連續(xù)磁場(chǎng)通常不能有效調(diào)整 離子束10的形狀。圖IC所示的連續(xù)磁場(chǎng)僅能在點(diǎn)狀與線狀之間平滑地改變離子束的形 狀,而不能大幅改變離子束的形狀,這是因?yàn)橹伟襞c對(duì)應(yīng)纏繞線圈僅能改變連續(xù)磁場(chǎng)的 強(qiáng)度。因此如圖ID所示,另一先前技術(shù)是改變第一棒狀磁鐵131與第二棒狀磁鐵132的 結(jié)構(gòu)。第一棒狀磁鐵131包含一第一支撐棒141與多個(gè)纏繞線圈151/153/155。纏繞線圈 151/153/155沿第一支撐棒141分布。第二棒狀磁鐵132包含一第二支撐棒142與與多個(gè) 纏繞線圈152/154/156。纏繞線圈152/154/156沿第二支撐棒142分布。電源161-166分 別與纏繞線圈151-156電性連接。纏繞線圈151-156的長(zhǎng)度與位置可調(diào)整,電源161-166 亦分別可獨(dú)立操作,因此可產(chǎn)生多階(multi stages)磁場(chǎng),使得連續(xù)磁場(chǎng)的方向與強(qiáng)度可 以分別連續(xù)地改變。因此離子束的不同部份會(huì)被多階磁場(chǎng)不同部份的磁力所影響,離子束 10的不同部份的形狀可獨(dú)立地調(diào)整。不過對(duì)于實(shí)質(zhì)離子布植的需求而言,圖ID所示的多階磁場(chǎng)借由改變纏繞線圈 151-156結(jié)構(gòu)與電源161-166提供不同電流以產(chǎn)生多階磁場(chǎng),整體機(jī)構(gòu)與操作有過于復(fù)雜 的缺點(diǎn)。鑒于上述關(guān)于先前技術(shù)的缺點(diǎn),有必要提出一種新穎的離子布植機(jī)與一種新的調(diào) 整離子束的方法以有效并經(jīng)濟(jì)地調(diào)整離子束的形狀而無須大幅修改傳統(tǒng)離子布植機(jī)的構(gòu)造。由此可見,上述現(xiàn)有的離子布植機(jī)在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造方法與使用上,顯然仍存在有 不便與缺陷,而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題,相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來 謀求解決之道,但長(zhǎng)久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成,而一般產(chǎn)品及方法又沒有適 切的結(jié)構(gòu)及方法能夠解決上述問題,此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè) 一種新的離子布植機(jī)與調(diào)整離子束的方法,實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一,亦成為當(dāng)前業(yè)界 極需改進(jìn)的目標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有的離子布植機(jī)存在的缺陷,本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造 多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí),并配合學(xué)理的運(yùn)用,積極加以研究創(chuàng)新,以期創(chuàng)設(shè)一種新 的離子布植機(jī)與調(diào)整離子束的方法,能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的離子布植機(jī),使其更具有實(shí)用性。 經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì),并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后,終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā) 明。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于,克服現(xiàn)有的離子布植機(jī)存在的缺陷,而提供一種新的新 型結(jié)構(gòu)的離子布植機(jī)與調(diào)整離子束的方法,所要解決的技術(shù)問題是使其有效并經(jīng)濟(jì)地調(diào)整
5離子束的形狀而無須針對(duì)傳統(tǒng)離子布植機(jī)的構(gòu)造進(jìn)行大幅或昂貴的修改,非常適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出 的一種離子布植機(jī),其包括一離子源,該離子源產(chǎn)生一離子束;一分析磁鐵單元,該分析磁鐵單元分析該離子束;及一第一組棒狀磁鐵,該第一組棒狀磁鐵調(diào)整經(jīng)該分析磁鐵單元分析過的該離子束 的形狀,該第一組棒狀磁鐵包含一第一棒狀磁鐵,該第一棒狀磁鐵包含一第一連續(xù)線圈;及一第二棒狀磁鐵,該第二棒狀磁鐵位于與該第一棒狀磁鐵相距第一預(yù)設(shè)距離的位 置,該第二棒狀磁鐵包含一第二連續(xù)線圈;其中至少一該棒狀磁鐵可以在分析后的該離子束通過該第一棒狀磁鐵與該第二 棒狀磁鐵之間的空間時(shí),施加一多階磁場(chǎng)于分析后的該離子束。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的離子布植機(jī)與調(diào)整離子束的方法,其中所述的多階磁場(chǎng)由以下至少一因素 產(chǎn)生至少一該連續(xù)線圈中有二或更多部份具有不同的線圈密度;至少一該連續(xù)線圈中有 二或更多部份具有不同的寬度;至少一該連續(xù)線圈中有二或更多部份具有不同的導(dǎo)磁系 數(shù);至少一該連續(xù)線圈中有二或更多部份由不同的材料構(gòu)成;及至少一該連續(xù)線圈中有二 或更多部份具有不同的方向。前述的離子布植機(jī)與調(diào)整離子束的方法,其中所述的第一棒狀磁鐵更包含一第一 支撐棒而該第一連續(xù)線圈沿該第一支撐棒分布,該第二棒狀磁鐵更包含一第二支撐棒而該 第二連續(xù)線圈沿該第二支撐棒分布;其中該多階磁場(chǎng)由以下至少一因素產(chǎn)生至少一該支 撐棒中有二或更多部份具有不同的導(dǎo)磁系數(shù);至少一該支撐棒中有二或更多部份由不同的 材料構(gòu)成;至少一該支撐棒中有二或更多部份具有不同的方向;及至少一該支撐棒中有二 或更多部份具有不同的寬度。前述的離子布植機(jī)與調(diào)整離子束的方法,其中所述的多階磁場(chǎng)由至少一該棒狀磁 鐵所產(chǎn)生,且該棒狀磁鐵具有以下至少一特征該棒狀磁鐵至少有至少一部分鄰近于一導(dǎo) 體結(jié)構(gòu),且至少有至少一部分不鄰近于任何導(dǎo)體結(jié)構(gòu);及該棒狀磁鐵的不同部分鄰近于不 同導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其中該棒狀磁鐵的一部分與一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有一對(duì)應(yīng)位置。前述的離子布植機(jī)與調(diào)整離子束的方法,其更包含分別與該第一連續(xù)線圈與該第 二連續(xù)線圈電性連接的一第一電源與一第二電源,其中該第一電源的運(yùn)作與該第二電源的 運(yùn)作可以彼此互相獨(dú)立或彼此相關(guān)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的 一種調(diào)整離子布植機(jī)中離子束的方法,該方法包含提供一離子布植機(jī),該離子布植機(jī)包含一離子源,該離子源產(chǎn)生一離子束;一分析磁鐵單元,該分析磁鐵單元分析該離子束;及一第一組棒狀磁鐵,該第一組棒狀磁鐵調(diào)整經(jīng)該分析磁鐵單元分析過的該離子束 的形狀,該第一組棒狀磁鐵包含一第一棒狀磁鐵,該第一棒狀磁鐵包含一第一連續(xù)線圈;及
一第二棒狀磁鐵,該第二棒狀磁鐵位于與該第一棒狀磁鐵相距第一預(yù)設(shè)距離的位 置,該第二棒狀磁鐵包含一第二連續(xù)線圈;其中至少一該棒狀磁鐵,當(dāng)分析后的該離子束通過該第一棒狀磁鐵與該第二棒狀 磁鐵之間的空間時(shí)可施加一多階磁場(chǎng)于分析后的該離子束;及調(diào)整該第一組棒狀磁鐵以調(diào) 整該多階磁場(chǎng)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的離子布植機(jī)與調(diào)整離子束的方法,其中更包含以下列方式調(diào)整至少一該連 續(xù)線圈調(diào)整該連續(xù)線圈的線圈密度使其中二或更多部份具有不同的線圈密度;調(diào)整該連 續(xù)線圈的寬度使其中有二或更多部份具有不同的寬度;調(diào)整該連續(xù)線圈的材料使其中有二 或更多部份具有不同的導(dǎo)磁系數(shù);調(diào)整該連續(xù)線圈的材料使其中有二或更多部份由不同的 材料構(gòu)成;及調(diào)整該連續(xù)線圈的結(jié)構(gòu)使其中有二或更多部份具有不同的方向。前述的離子布植機(jī)與調(diào)整離子束的方法,其中所述的第一棒狀磁鐵更包含一第一 支撐棒而該第一連續(xù)線圈沿該第一支撐棒分布,該第二棒狀磁鐵更包含一第二支撐棒而該 第二連續(xù)線圈沿該第二支撐棒分布,更包含以下列方式調(diào)整至少一該支撐棒調(diào)整該支撐 棒的材料使其中有二或更多部份具有不同的導(dǎo)磁系數(shù);調(diào)整該支撐棒的材料使其中有二或 更多部份系由不同的材料構(gòu)成;調(diào)整該支撐棒的結(jié)構(gòu)使其中有二或更多部份具有不同的方 向;及調(diào)整該支撐棒的寬度使其中有二或更多部份具有不同的寬度。前述的離子布植機(jī)與調(diào)整離子束的方法,其中更包含以下列方式調(diào)整該多階磁 場(chǎng)將至少一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)置于一特定該棒狀磁鐵附近,使得該特定棒狀磁鐵的至少一部分鄰 近于該導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及該特定棒狀磁鐵的另至少一部分不鄰近于該導(dǎo)體結(jié)構(gòu);及將至少一導(dǎo) 體結(jié)構(gòu)置于一特定該棒狀磁鐵附近,使得該特定棒狀磁鐵的不同部分鄰近于不同的該導(dǎo)體 結(jié)構(gòu)以及該特定棒狀磁鐵的另至少一部分不鄰近于該導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其中該棒狀磁鐵的一部分 與一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有一對(duì)應(yīng)位置。前述的離子布植機(jī)與調(diào)整離子束的方法,其中更包含調(diào)整一施加于該第一連續(xù)線 圈的第一電壓與一施加于該第二連續(xù)線圈的第二電壓,其中該第一電壓與該第二電壓相關(guān) 或不相關(guān)。對(duì)于許多半導(dǎo)體制造過程中的實(shí)際離子布植工藝而言,實(shí)際需要的離子束形狀變 化往往是有限的。特別是商業(yè)化離子源與商業(yè)化分析磁鐵單元的組合所能提供的離子束的 形狀往往與實(shí)際所需的離子束形狀的相差不會(huì)很多。此外,實(shí)際需要的離子束的截面往往 僅為點(diǎn)狀或線狀,而不會(huì)是多邊形或非規(guī)則的形狀。因此,本發(fā)明特別強(qiáng)調(diào)可以僅借由調(diào)整 磁場(chǎng)強(qiáng)度,即可調(diào)整施加在離子束不同部份的磁力,進(jìn)而可以改變離子束形狀。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上可知,為達(dá)到上述目 的,本發(fā)明提供了一種調(diào)整離子束形狀的方法。當(dāng)離子束自分析磁鐵單元輸出之后,至少有 一組棒狀磁鐵用來當(dāng)離子束通過棒狀磁鐵圍繞的空間時(shí)調(diào)整離子束的形狀。該組棒狀磁鐵 可以施加多階磁場(chǎng)于離子束。離子束的不同部分將有不同的變形或變化,因此可調(diào)整離子 束的形狀。此外,每一棒狀磁鐵僅由一電源提供電源,該組棒狀磁鐵僅可調(diào)整多階磁場(chǎng)的強(qiáng) 度。產(chǎn)生非均勻磁場(chǎng)的結(jié)構(gòu)與技術(shù)并不限于本發(fā)明所敘述者。本發(fā)明提出可調(diào)整離子束的離子布植機(jī)。離子布植機(jī)包含一離子源、分析磁鐵單 元、第一組棒狀磁鐵。離子源產(chǎn)生離子束,分析磁鐵單元?jiǎng)t用于分析離子束,第一組棒狀磁鐵用于當(dāng)分析磁鐵單元調(diào)整離子束之后調(diào)整離子束形狀。第一組棒狀磁鐵包含第一棒狀磁 鐵與第二棒狀磁鐵。至少一棒狀磁鐵當(dāng)分析后離子束通過第一棒狀磁鐵與第二棒狀磁鐵之 間的空間時(shí)可施加多階磁場(chǎng)于經(jīng)過分析后的離子束。本發(fā)明更提出另外一種調(diào)整離子束形狀的方法。首先提供離子布植機(jī),接著調(diào)整 可造成多階磁場(chǎng)的因素。藉此,可以至少調(diào)整多階磁場(chǎng)的強(qiáng)度進(jìn)而改變離子束形狀。借由上述技術(shù)方案,本發(fā)明離子布植機(jī)與調(diào)整離子束的方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及 有益效果本發(fā)明提出一種新穎的離子布植機(jī)與一種新的調(diào)整離子束的方法以有效并經(jīng)濟(jì) 地調(diào)整離子束的形狀而無須針對(duì)傳統(tǒng)離子布植機(jī)的構(gòu)造進(jìn)行大幅或昂貴的修改,非常適于 實(shí)用。綜上所述,本發(fā)明是有關(guān)于一種離子布植機(jī)與調(diào)整離子束形狀的方法,當(dāng)離子束 自分析磁鐵單元輸出之后,至少有一組棒狀磁鐵用來當(dāng)離子束通過棒狀磁鐵周圍的空間時(shí) 調(diào)整離子束的形狀。該組棒狀磁鐵可以施加多階磁場(chǎng)于離子束。由于多階磁場(chǎng)施加非均勻 磁力以改變離子的軌跡,因此離子束的不同部分將有不同的變形或變化。此外,每一棒狀磁 鐵僅由一電源提供電源,該組棒狀磁鐵僅可調(diào)整多階磁場(chǎng)的強(qiáng)度。產(chǎn)生多階磁場(chǎng)的結(jié)構(gòu)與 技術(shù)并不限于本發(fā)明所敘述者。本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步,并具有明顯的積極效果,誠(chéng) 為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段, 而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施,并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠 更明顯易懂,以下特舉較佳實(shí)施例,并配合附圖,詳細(xì)說明如下。
圖IA是傳統(tǒng)離子布植機(jī)。圖IB是第一棒狀磁鐵與第二棒狀磁鐵產(chǎn)生的磁場(chǎng)。圖IC是傳統(tǒng)離子束的形狀如何由第一棒狀磁鐵與第二棒狀磁鐵之間的磁場(chǎng)所控 制。圖ID是另一先前技術(shù)中傳統(tǒng)離子束的形狀如何由第一棒狀磁鐵與第二棒狀磁鐵 之間的磁場(chǎng)所控制。圖2A是本發(fā)明一實(shí)施例中用于調(diào)整一離子束10的一離子布植機(jī)。圖2B是圖2A中的第一組棒狀磁鐵的第一實(shí)施例。圖2C是圖2A中的第一組棒狀磁鐵的第二實(shí)施例。圖2D是圖2A中的第一組棒狀磁鐵的第三實(shí)施例。圖2E是圖2A中的第一組棒狀磁鐵的第四實(shí)施例。圖2F是圖2A中的第一組棒狀磁鐵的第五實(shí)施例。圖2G是圖2A中的第一組棒狀磁鐵的第六實(shí)施例。圖2H是圖2A中的第一組棒狀磁鐵的第七實(shí)施例。圖21是本發(fā)明離子布植機(jī)的另一實(shí)施例。圖3是本發(fā)明調(diào)整離子束形狀的方法的一實(shí)施例的流程圖。10 離子束100 離子布植機(jī)
110:離子源120 分析磁鐵單元130 第一組棒狀磁鐵131 第一棒狀磁鐵132 第二棒狀磁鐵141 第一支撐棒142 第二支撐棒151 第一纏繞線圈152:第二纏繞線圈151/153/155 纏繞線圈152/154/156 纏繞線圈161-166:電源20:晶圓200 離子布植機(jī)210 離子源220 分析磁鐵單元230 第一組棒狀磁鐵231 第一棒狀磁鐵232:第二棒狀磁鐵240 第二組棒狀磁鐵241 第三棒狀磁鐵242:第四棒狀磁鐵251 第一支撐棒252 第二支撐棒253 第三支撐棒254:第四支撐棒261 第一連續(xù)線圈262 第二連續(xù)線圈263:第三連續(xù)線圈264:第四連續(xù)線圈271 第一電源272:第二電源273 第三電源291-296 導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2511-2513:部份2521-2523 部份2Θ11_2613:部份2621-2623 部份300 調(diào)整離子束形狀的方法
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310 提供一具有一組可產(chǎn)生多階磁場(chǎng)的棒狀磁鐵的離子布植機(jī)320:調(diào)整可形成多階磁場(chǎng)的因素,使得多階磁場(chǎng)的強(qiáng)度改變以調(diào)整離子束的形狀
具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效,以下結(jié)合 附圖及較佳實(shí)施例,對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的離子布植機(jī)與調(diào)整離子束的方法其具體實(shí)施方 式、結(jié)構(gòu)、方法、步驟、特征及其功效,詳細(xì)說明如后。有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效,在以下配合參考圖式的較佳實(shí) 施例的詳細(xì)說明中將可清楚的呈現(xiàn)。為了方便說明,在以下的實(shí)施例中,相同的元件以相同 的編號(hào)表示。以下將提供本發(fā)明多個(gè)實(shí)施例的詳細(xì)說明,但本發(fā)明不限于現(xiàn)有的實(shí)施例,而應(yīng) 為基于符合本發(fā)明原理與特征的最寬的范圍,并可適用于其它的應(yīng)用。本發(fā)明的范圍涵蓋 所舉實(shí)施例的其它符合本發(fā)明的發(fā)明精神以及申請(qǐng)專利范圍定義的替換、修改與等效實(shí)施 例。實(shí)施例將伴隨圖示進(jìn)行詳細(xì)說明,但其中揭露的組件數(shù)量并不受限于圖中所示,但以明 確指出并限制的情形為例外。圖2A是本發(fā)明一實(shí)施例中用于調(diào)整一離子束10的一離子布植機(jī) (ionimplanter)200o離子布植機(jī)200包含一離子源(ion source) 210、分析磁鐵單元 (analyzer magnet unit, AMU) 220 以及第一組棒狀磁鐵(barmagnets) 230。離子源 210 用 于產(chǎn)生離子束10,分析磁鐵單元220則用于分析離子束10,第一組棒狀磁鐵230用于在分 析磁鐵單元220調(diào)整離子束10之后進(jìn)一步調(diào)整離子束形狀(shape)。第一組棒狀磁鐵230包含一第一棒狀磁鐵231與一第二棒狀磁鐵232。第一棒狀 磁鐵231包含一第一支撐棒251與一沿第一支撐棒251分布的第一連續(xù)線圈261。第二棒 狀磁鐵232位于與第一棒狀磁鐵231相距第一預(yù)設(shè)距離D1的位置,并且第二棒狀磁鐵232 包含一第二支撐棒251與一沿第二支撐棒252分布的第二連續(xù)線圈262。此外,離子布植 機(jī)200包含分別與第一棒狀磁鐵231與第二棒狀磁鐵232電性連接的第一電源271與第二 電源272。第一電源271的運(yùn)作可與第二電源272的運(yùn)作可以彼此互相獨(dú)立或彼此相關(guān)。 此外,至少一棒狀磁鐵231/232可以在經(jīng)分析磁鐵單元220分析過的離子束10通過第一 棒狀磁鐵231與第二棒狀磁鐵232之間的空間時(shí),施加多階磁場(chǎng)(multi-stage magnetic field)于此分析后離子束10。第一組棒狀磁鐵230的方向并不限于前述或圖示。第一組 棒狀磁鐵230的方向可以調(diào)整以使離子束能投射至欲布植的晶圓上。本發(fā)明的一個(gè)基本概念是每一個(gè)棒狀磁鐵231/232都只使用一個(gè)且唯一的電源, 例如第一電源271與第二電源272,以產(chǎn)生一棒狀磁鐵所需的電流,使僅有棒狀磁鐵產(chǎn)生的 多階磁場(chǎng)改變強(qiáng)度大小。本發(fā)明另一個(gè)基本概念是使用至少一非均勻因素,例如不同材質(zhì) 或不同形狀,以產(chǎn)生所需的多階磁場(chǎng)以改變離子束的不同部分。此外,關(guān)于如何提供電源、 如何調(diào)整非均勻因素以改變多階磁場(chǎng)強(qiáng)度以及棒狀磁鐵231/232的幾何構(gòu)型并不受限于 前述內(nèi)容。比較圖2A與圖IC及圖1D,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是顯而易見的。首先本發(fā)明所產(chǎn)生的磁 場(chǎng)是多階磁場(chǎng)而非圖IC所示的單階磁場(chǎng),因此圖IC中所示先前技術(shù)的缺點(diǎn)可被有效改善。 其次本發(fā)明僅用一個(gè)電源提供一個(gè)棒狀磁鐵所需電流,因此可以避免圖ID中所示先前技
10術(shù)的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。圖2B顯示圖2A中的第一組棒狀磁鐵230的第一實(shí)施例。第一連續(xù)線圈261包 含多個(gè)部份2611-2613,其中至少有二個(gè)不同的部份具有不同的線圈密度(coil density, turns/mm)。線圈密度為單位長(zhǎng)度的線圈數(shù)。此外第二連續(xù)線圈262亦包含多個(gè)部份 2621-2623,其中至少有二個(gè)不同的部份具有不同的線圈密度。第一連續(xù)線圈261與第二連 續(xù)線圈262分別沿第一支撐棒251與第二支撐棒252不均勻分布。本實(shí)施例中,第一連續(xù)線圈261沿第一支撐棒251的分布大約與第二連續(xù)線圈262 沿第二支撐棒252的分布相同。此設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化非均勻磁場(chǎng)的計(jì)算與控制。盡管如此,本 發(fā)明亦可使用具有不同的分布方式的不同連續(xù)線圈。此外,盡管圖2B顯示二類似非均勻連 續(xù)線圈261/262,但本發(fā)明亦可使用二不同且非均勻連續(xù)線圈261/262,也可使用二連續(xù)線 圈261/262但僅有一非均勻連續(xù)線圈者。通過第一棒狀磁鐵231的電流I1方向平行于通過第二棒狀磁鐵232的電流I2方 向,使得離子束10在第一方向X被壓縮,在第二方向Y則伸展,而第一方向X與第二方向Y 垂直。此外,借由至少改變電流I1與I2的大小與方向,可改變多階磁場(chǎng)的分布因此可調(diào)整 離子束10的形狀。圖2C顯示圖2A中的第一組棒狀磁鐵230的第二實(shí)施例。第一連續(xù)線圈261包 含多個(gè)部份2611-2613,其中至少有二個(gè)不同的部份具有不同的導(dǎo)磁系數(shù)(Permeability/ inductor coefficients),此可借由制造時(shí)選用不同的材料而達(dá)成。此外第二連續(xù)線圈262 亦包含多個(gè)部份2621-2623,其中至少有二個(gè)不同的部份具有不同的導(dǎo)磁系數(shù),可借由制造 時(shí)選用不同的材料而達(dá)成。第一組棒狀磁鐵230可具有多個(gè)材質(zhì)相同連續(xù)線圈與一材質(zhì)不同的連續(xù)線圈。不 同的導(dǎo)磁系數(shù)會(huì)改變通過連續(xù)線圈的磁力,因而產(chǎn)生不均勻的磁場(chǎng)。而不同材質(zhì)造成的差 異亦為造成不均勻磁場(chǎng)的因素。舉例來說,不同的熱膨脹系數(shù)會(huì)成為改變線圈直徑的因素, 造成線圈長(zhǎng)度的改變,因此亦改變因感應(yīng)所產(chǎn)生的磁場(chǎng)。圖2D顯示圖2A中的第一組棒狀磁鐵230的第三實(shí)施例。第二支撐棒252為非直 式且包含多個(gè)部份2521-2522,其中至少有二個(gè)不同的部份2521-2522具有不同的方向。第 一支撐棒251亦可為非直式。當(dāng)沿著任一支撐棒251/252方向的支撐棒251/252之間的距離或是連續(xù)線圈 261/262之間的距離改變時(shí),支撐棒251/252之間的磁場(chǎng)為多階因此可調(diào)整離子束10的形 狀。圖2E顯示圖2A中的第一組棒狀磁鐵230的第四實(shí)施例。第一支撐棒251包含 多個(gè)部份2511-2513,其中至少有二個(gè)不同的部份2511-2512具有不同的寬度。第一連續(xù) 線圈261包含至少有二個(gè)不同的部份具有不同的寬度。第二支撐棒252亦包含多個(gè)部份 2521-2523,其中至少有二個(gè)不同的部份2521-2522具有不同的寬度。第二連續(xù)線圈262亦 包含至少有二個(gè)不同的部份具有不同的寬度。若任一支撐棒由電磁導(dǎo)體構(gòu)成,任一支撐棒的不同部分的不同寬度會(huì)改變磁場(chǎng)的 分布。此外,若連續(xù)線圈附著于一支撐棒上,支撐棒的不同部分的不同寬度會(huì)改變連續(xù)線圈 的分布。因此沿著任一支撐棒251/252方向的磁場(chǎng)分布將為多階磁場(chǎng),因此當(dāng)磁場(chǎng)的強(qiáng)度 可借由改變支撐棒二個(gè)不同的部份寬度而改變時(shí),可調(diào)整離子束10的形狀。
圖2F顯示圖2A中的第一組棒狀磁鐵230的第五實(shí)施例。第一支撐棒251包含多 個(gè)部份2511-2513,其中至少有二個(gè)不同的部份2511-2512具有不同的材質(zhì)。第二支撐棒 252亦包含多個(gè)部份2521-2523,其中至少有二個(gè)不同的部份2521-2522具有不同的材質(zhì)。此實(shí)施例類似圖2C所示實(shí)施例,其中的差異在于哪些部份由不同的材質(zhì)構(gòu)成。無 論支撐棒251/252何者或如何由不同的材質(zhì)構(gòu)成,或連續(xù)線圈261/262由不同的材質(zhì)構(gòu)成, 支撐棒251/252 (或棒狀磁鐵231/232)之間的磁場(chǎng)可為多階磁場(chǎng)。圖2G顯示圖2A中的第一組棒狀磁鐵230的第六實(shí)施例。第一支撐棒251的至 少一部分鄰近于導(dǎo)體結(jié)構(gòu)291-292,且第一支撐棒251的至少一部分并不鄰近于導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 291-292。此外,第二支撐棒252的至少一部分鄰近于導(dǎo)體結(jié)構(gòu)293-294,而第二支撐棒252 的至少一部分并不鄰近于導(dǎo)體結(jié)構(gòu)293-294。圖2H顯示圖2A中的第一組棒狀磁鐵230的第七實(shí)施例。第一支撐棒251的不同 部分鄰近于不同導(dǎo)體結(jié)構(gòu)291-293,其中每一部分與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)291-293其中之一具 有一對(duì)應(yīng)位置。第二支撐棒252的不同部分亦鄰近于不同導(dǎo)體結(jié)構(gòu)294-296,其中每一部分 與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)294-296其中之一具有一對(duì)應(yīng)位置。于前二個(gè)實(shí)施例中,導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的存在會(huì)改變磁場(chǎng)的分布,即使當(dāng)導(dǎo)體結(jié)構(gòu)并非直 接位于支撐棒251/252 (或棒狀磁鐵231/232)之間。借由改變磁場(chǎng)分布因此可調(diào)整離子束 10的形狀。根據(jù)以上的實(shí)施例,第一組棒狀磁鐵230的多階磁場(chǎng)可由多種非均勻因素產(chǎn)生。 舉例來說,第一組棒狀磁鐵230的磁場(chǎng)形狀可借由改變以下一個(gè)或更多個(gè)因素來調(diào)整。連 續(xù)線圈261/262單位長(zhǎng)度的線圈數(shù)、連續(xù)線圈261/262的材質(zhì)、連續(xù)線圈261/262纏繞的支 撐棒251/252的材質(zhì)、支撐棒251/252的形狀及連續(xù)線圈261/262的形狀。借由改變第一 棒狀磁鐵231與第二棒狀磁鐵232之間的第一預(yù)設(shè)距離D1可調(diào)整第一組棒狀磁鐵230的 磁場(chǎng)形狀(圖示中并未顯示此改變)。圖21顯示離子布植機(jī)200的另一實(shí)施例。離子布植機(jī)200更包含一第二組棒狀 磁鐵240用于當(dāng)分析磁鐵單元220調(diào)整離子束10之后調(diào)整離子束形狀。第二組棒狀磁鐵 240位于與第一組棒狀磁鐵230相距第二預(yù)設(shè)距離D2的位置。第二組棒狀磁鐵240包含一 第三棒狀磁鐵241與一第四棒狀磁鐵242。第三棒狀磁鐵241包含一第三支撐棒253與一 沿第三支撐棒253分布的第三連續(xù)線圈263,且第四棒狀磁鐵242位于與第三棒狀磁鐵241 相距第三預(yù)設(shè)距離D3的位置。第四棒狀磁鐵242包含一第四支撐棒254與一沿第四支撐棒 254分布的第四連續(xù)線圈264。離子布植機(jī)200更包含分別與第三連續(xù)線圈263與第四連 續(xù)線圈264電性連接的第三電源273。第三連續(xù)線圈263沿第三支撐棒253的分布大約與 第四連續(xù)線圈264沿第四支撐棒254的分布相同。第三連續(xù)線圈263平行于第四連續(xù)線圈 264,使得離子束10在第一方向X被壓縮(或伸展),在第二方向Y則伸展(或壓縮),而第 一方向X與第二方向Y垂直。當(dāng)?shù)谌魻畲盆F241/242具有至少一上述的因素,第二組棒狀磁鐵240約與第一 組棒狀磁鐵230相似,亦即二組棒狀磁鐵可依序調(diào)整離子束形狀。當(dāng)?shù)谌B續(xù)線圈263與第四連續(xù)線圈264均勻分布時(shí),第二組棒狀磁鐵240與圖 IC中的傳統(tǒng)棒狀磁鐵相似。第二組棒狀磁鐵240與圖IC中的先前技術(shù)組合可依序調(diào)整離 子束形狀。
若以多個(gè)電源取代第三電源273分別供應(yīng)電流予第三連續(xù)線圈263與第四連續(xù)線 圈264的不同部分,第二組棒狀磁鐵240即與圖ID中的先前技術(shù)相似。第二組棒狀磁鐵 240與圖ID中的先前技術(shù)組合可依序調(diào)整離子束形狀。任何棒狀磁鐵可置于分析磁鐵單元220與第一組棒狀磁鐵230之間,或第一組棒 狀磁鐵230及晶圓20之間,以改變離子束形狀。由于每一棒狀磁鐵均可個(gè)別調(diào)整離子束10 的形狀,沿離子束10預(yù)定軌跡排列的棒狀磁鐵的位置是彈性可調(diào)整的。當(dāng)使用至少一棒狀磁鐵時(shí),每一棒狀磁鐵均可有個(gè)別的方向。因此離子束10的不 同部分可由不同棒狀磁鐵分別調(diào)整,使得離子束10可完整變形,而非僅有單一或簡(jiǎn)單的變 形。本發(fā)明的支撐棒并非絕對(duì)必要。支撐棒用于固定對(duì)應(yīng)的連續(xù)線圈,當(dāng)支撐棒是由 電磁導(dǎo)體例如強(qiáng)磁性材料構(gòu)成時(shí)并可進(jìn)一步用來強(qiáng)化磁場(chǎng)。即使如此,若連續(xù)線圈的結(jié)構(gòu) 強(qiáng)度足夠時(shí),單純用于支撐的支撐棒可省略。使用本發(fā)明的離子布植機(jī)200可有效調(diào)整離子束10的形狀。此外,當(dāng)僅修改現(xiàn)有 電源與棒狀磁鐵以產(chǎn)生多階磁場(chǎng)時(shí),不須大幅修改傳統(tǒng)離子布植機(jī)即可完成本發(fā)明。圖3顯示本發(fā)明調(diào)整離子束形狀的方法300的一實(shí)施例的流程圖。調(diào)整離子束形 狀的方法300包含二步驟。首先,如方塊310所示,提供一具有一組可產(chǎn)生多階磁場(chǎng)的棒狀 磁鐵的離子布植機(jī)。接著如方塊320所示,調(diào)整可形成多階磁場(chǎng)的因素,使得多階磁場(chǎng)的強(qiáng) 度改變以調(diào)整離子束的形狀。由于離子布植機(jī)200的細(xì)節(jié)特征與前述實(shí)施例中所述者相同,在此省略離子布植 機(jī)200的細(xì)節(jié)特征及其可能的變化。當(dāng)電源關(guān)閉時(shí),將無電流流過連續(xù)線圈,因而可輕以改變可形成多階磁場(chǎng)的因素。 換言之,本發(fā)明調(diào)整離子束形狀的方法可用以制造新的離子布植機(jī),亦可用來調(diào)整保養(yǎng)中 現(xiàn)有的離子布植機(jī)。若任何可形成多階磁場(chǎng)的因素在電源開啟時(shí)可進(jìn)行調(diào)整,本發(fā)明調(diào)整離子束形狀 的方法可用來調(diào)整使用中的離子布植機(jī)。實(shí)務(wù)上要在使用中的離子布植機(jī)中調(diào)整線圈形狀與支撐棒形狀應(yīng)是困難的。不過 選擇上述任一方法以提供符合特定離子束形狀的磁場(chǎng)卻是可能的。因此本發(fā)明的方法僅須 調(diào)整磁場(chǎng)強(qiáng)度以提供適當(dāng)離子束形狀。以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制,雖 然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,然而并非用以限定本發(fā)明,任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人 員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更 動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例,但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的 技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案 的范圍內(nèi)。
1權(quán)利要求
一種離子布植機(jī),其特征在于其包括一離子源,該離子源產(chǎn)生一離子束;一分析磁鐵單元,該分析磁鐵單元分析該離子束;及一第一組棒狀磁鐵,該第一組棒狀磁鐵調(diào)整經(jīng)該分析磁鐵單元分析過的該離子束的形狀,該第一組棒狀磁鐵包含一第一棒狀磁鐵,該第一棒狀磁鐵包含一第一連續(xù)線圈;及一第二棒狀磁鐵,該第二棒狀磁鐵位于與該第一棒狀磁鐵相距第一預(yù)設(shè)距離的位置,該第二棒狀磁鐵包含一第二連續(xù)線圈;其中至少一該棒狀磁鐵可以在分析后的該離子束通過該第一棒狀磁鐵與該第二棒狀磁鐵之間的空間時(shí),施加一多階磁場(chǎng)于分析后的該離子束。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子布植機(jī),其特征在于其中所述的多階磁場(chǎng)由以下至少一 因素產(chǎn)生至少一該連續(xù)線圈中有二或更多部份具有不同的線圈密度; 至少一該連續(xù)線圈中有二或更多部份具有不同的寬度; 至少一該連續(xù)線圈中有二或更多部份具有不同的導(dǎo)磁系數(shù); 至少一該連續(xù)線圈中有二或更多部份由不同的材料構(gòu)成;及 至少一該連續(xù)線圈中有二或更多部份具有不同的方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子布植機(jī),其特征在于其中所述的第一棒狀磁鐵更包含一 第一支撐棒而該第一連續(xù)線圈沿該第一支撐棒分布,該第二棒狀磁鐵更包含一第二支撐棒 而該第二連續(xù)線圈沿該第二支撐棒分布;其中該多階磁場(chǎng)由以下至少一因素產(chǎn)生至少一該支撐棒中有二或更多部份具有不同的導(dǎo)磁系數(shù); 至少一該支撐棒中有二或更多部份由不同的材料構(gòu)成; 至少一該支撐棒中有二或更多部份具有不同的方向;及 至少一該支撐棒中有二或更多部份具有不同的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子布植機(jī),其特征在于其中所述的多階磁場(chǎng)由至少一該棒 狀磁鐵所產(chǎn)生,且該棒狀磁鐵具有以下至少一特征該棒狀磁鐵至少有至少一部分鄰近于一導(dǎo)體結(jié)構(gòu),且至少有至少一部分不鄰近于任何 導(dǎo)體結(jié)構(gòu);及該棒狀磁鐵的不同部分鄰近于不同導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其中該棒狀磁鐵的一部分與一對(duì)應(yīng)的導(dǎo) 體結(jié)構(gòu)具有一對(duì)應(yīng)位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子布植機(jī),其特征在于其更包含分別與該第一連續(xù)線圈與 該第二連續(xù)線圈電性連接的一第一電源與一第二電源,其中該第一電源的運(yùn)作與該第二電 源的運(yùn)作可以彼此互相獨(dú)立或彼此相關(guān)。
6. 一種調(diào)整離子布植機(jī)中離子束的方法,其特征在于該方法包含 提供一離子布植機(jī),該離子布植機(jī)包含一離子源,該離子源產(chǎn)生一離子束;一分析磁鐵單元,該分析磁鐵單元分析該離子束;及一第一組棒狀磁鐵,該第一組棒狀磁鐵調(diào)整經(jīng)該分析磁鐵單元分析過的該離子束的形 狀,該第一組棒狀磁鐵包含2一第一棒狀磁鐵,該第一棒狀磁鐵包含一第一連續(xù)線圈;及一第二棒狀磁鐵,該第二棒狀磁鐵位于與該第一棒狀磁鐵相距第一預(yù)設(shè)距離的位置, 該第二棒狀磁鐵包含一第二連續(xù)線圈;其中至少一該棒狀磁鐵,當(dāng)分析后的該離子束通過該第一棒狀磁鐵與該第二棒狀磁鐵 之間的空間時(shí)可施加一多階磁場(chǎng)于分析后的該離子束;及 調(diào)整該第一組棒狀磁鐵以調(diào)整該多階磁場(chǎng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的調(diào)整離子布植機(jī)中離子束的方法,其特征在于其中更包含以 下列方式調(diào)整至少一該連續(xù)線圈調(diào)整該連續(xù)線圈的線圈密度使其中二或更多部份具有不同的線圈密度; 調(diào)整該連續(xù)線圈的寬度使其中有二或更多部份具有不同的寬度; 調(diào)整該連續(xù)線圈的材料使其中有二或更多部份具有不同的導(dǎo)磁系數(shù); 調(diào)整該連續(xù)線圈的材料使其中有二或更多部份由不同的材料構(gòu)成;及 調(diào)整該連續(xù)線圈的結(jié)構(gòu)使其中有二或更多部份具有不同的方向。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的調(diào)整離子布植機(jī)中離子束的方法,其特征在于其中所述的第 一棒狀磁鐵更包含一第一支撐棒而該第一連續(xù)線圈沿該第一支撐棒分布,該第二棒狀磁鐵 更包含一第二支撐棒而該第二連續(xù)線圈沿該第二支撐棒分布,更包含以下列方式調(diào)整至少 一該支撐棒調(diào)整該支撐棒的材料使其中有二或更多部份具有不同的導(dǎo)磁系數(shù); 調(diào)整該支撐棒的材料使其中有二或更多部份系由不同的材料構(gòu)成; 調(diào)整該支撐棒的結(jié)構(gòu)使其中有二或更多部份具有不同的方向;及 調(diào)整該支撐棒的寬度使其中有二或更多部份具有不同的寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的調(diào)整離子布植機(jī)中離子束的方法,其特征在于其中更包含以 下列方式調(diào)整該多階磁場(chǎng)將至少一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)置于一特定該棒狀磁鐵附近,使得該特定棒狀磁鐵的至少一部分鄰 近于該導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及該特定棒狀磁鐵的另至少一部分不鄰近于該導(dǎo)體結(jié)構(gòu);及將至少一導(dǎo)體結(jié)構(gòu)置于一特定該棒狀磁鐵附近,使得該特定棒狀磁鐵的不同部分鄰近 于不同的該導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及該特定棒狀磁鐵的另至少一部分不鄰近于該導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其中該棒 狀磁鐵的一部分與一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有一對(duì)應(yīng)位置。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的調(diào)整離子布植機(jī)中離子束的方法,其特征在于其中更包含 調(diào)整一施加于該第一連續(xù)線圈的第一電壓與一施加于該第二連續(xù)線圈的第二電壓,其中該 第一電壓與該第二電壓相關(guān)或不相關(guān)。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種離子布植機(jī)與調(diào)整離子束形狀的方法,當(dāng)離子束自分析磁鐵單元輸出之后,至少有一組棒狀磁鐵用來當(dāng)離子束通過棒狀磁鐵周圍的空間時(shí)調(diào)整離子束的形狀。該組棒狀磁鐵可以施加多階磁場(chǎng)于離子束。由于多階磁場(chǎng)施加非均勻磁力以改變離子的軌跡,因此離子束的不同部分將有不同的變形或變化。此外,每一棒狀磁鐵僅由一電源提供電源,該組棒狀磁鐵僅可調(diào)整多階磁場(chǎng)的強(qiáng)度。產(chǎn)生多階磁場(chǎng)的結(jié)構(gòu)與技術(shù)并不限于本發(fā)明所敘述者。本發(fā)明提出一種新穎的離子布植機(jī)與一種新的調(diào)整離子束的方法以有效并經(jīng)濟(jì)地調(diào)整離子束的形狀而無須針對(duì)傳統(tǒng)離子布植機(jī)的構(gòu)造進(jìn)行大幅或昂貴的修改,非常適于實(shí)用。
文檔編號(hào)H01J37/147GK101901733SQ20101000101
公開日2010年12月1日 申請(qǐng)日期2010年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月27日
發(fā)明者萬(wàn)志民, 任克川, 楊允儒 申請(qǐng)人:漢辰科技股份有限公司