專利名稱：一種底柵型fed下板圖形的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種場(chǎng)發(fā)射顯示器(Field Emission Display; FED)下板柵 極層、介質(zhì)層以及陰極圖形的制作方法。
(二) 背景技術(shù)-
本發(fā)明中的場(chǎng)發(fā)射顯示器是通過電場(chǎng)自發(fā)射陰極(cathode emitter)材 料的尖端放出電子來轟擊屏幕上的熒光粉，從而激活熒光粉發(fā)光。其特點(diǎn)是 輕、薄、亮度高、視角廣、反應(yīng)快。
請(qǐng)參閱圖l所示，是場(chǎng)發(fā)射顯示器組件結(jié)構(gòu)示意圖。底柵型的場(chǎng)發(fā)射顯 示器，其結(jié)構(gòu)至少包括陽極和陰極，該陽極和陰極之間設(shè)置有隔離子4，以
提供陽極與陰極之間真空區(qū)域的間隔，并作為上下基板之間的支撐。
如圖1所示，該陽極，至少包含一陽極玻璃基板1、以及陽極導(dǎo)電層2
以及一熒光粉體涂層3;而該陰極，至少包含一陰極玻璃基板8、柵極層7、
陰極電阻層6以及陰極層5;其中該陽極與陰極是由隔離子4保持真空區(qū)域，
并藉由柵極和陰極之間有一個(gè)電壓差形成的電場(chǎng)，使得陰極釋出電子，再經(jīng)
過陽極和陰極之間的高壓電場(chǎng)加速電子使之轟擊熒光粉體而發(fā)光。
現(xiàn)有的FED下板一般是采用柵極、介質(zhì)、陰極三層圖形依次曝光顯影或
者印刷方法來完成制作。由于介質(zhì)層位于陰極層正下方，在制作陰極圖形時(shí)，
介質(zhì)與陰極對(duì)位不精確，會(huì)導(dǎo)致陰極圖形與介質(zhì)圖形錯(cuò)位造成陰極直接與最
底層?xùn)艠O接觸，從而導(dǎo)致電路短路；或者在曝光顯影法制作介質(zhì)和陰極圖形
時(shí)，在顯影陰極圖形時(shí)容易造成介質(zhì)層過度顯影變窄易出現(xiàn)陰極與柵極短路
的情況。
(三) 發(fā)明內(nèi)容-為了克服上述不足，本發(fā)明提供一種底柵型FED下板圖形的制作方法，
該方法通過以下步驟來實(shí)現(xiàn)
(1) 制備感光銀漿:該感光銀漿由50-80重量份的銀單體、10-30重量份 的聚甲基丙烯酸樹脂、l-5重量份的光引發(fā)劑、5-15重量份的2.2.4-三甲基 -1. 3戊二醇單異丁酸酯和0. 5-1重量份的高分子分散劑(如BYK410或BYK140 或BYK2025或BYK180或BYK171)組成；
(2) 在清潔處理后的平板玻璃基片上，通過印刷一層或多層感光銀漿制備 銀電極層，得到陰極玻璃基板8;
(3) 將陰極玻璃基板8置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為90-120°C、烘烤時(shí) 間為20-30分鐘，然后自然冷卻；
(4) 通過所需柵極層7圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(3)處理過的基片置于紫 外燈下曝光，曝光量為600-1000mJ/cm2，得到第一次曝光基片；
(5) 將第一次曝光基片采用質(zhì)量百分比濃度為0.4%的Na2C(V溶液顯影， 顯影速度為4-6m/min，顯影壓力為1. 5kgf/cm2，得到所需柵極層7圖形；
(6) 在顯影后的柵極層7圖形上面，通過印刷一層或多層感光銀漿制備一 層陰極電阻層6;
(7) 將經(jīng)步驟(6)處理過的基片至烘箱中烘烤，烘烤溫度為90-10(TC、烘 烤時(shí)間為20-30分鐘，然后自然冷卻；
(8) 通過所需陰極電阻層6圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(7)處理過的基片置 于紫外燈下曝光，曝光量采用80mJ/cm2，得到第二次曝光基片；
(9) 在第二次曝光基片上印刷一層或多層感光銀漿，得到陰極層5;
(10) 將經(jīng)步驟(9)處理過的基片置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為90-120°C、烘烤時(shí)間為20-30分鐘，然后自然冷卻；
(11) 通過所需陰極層5圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(10)處理過的基片置于
紫外燈下曝光，曝光量為600-1000mJ/cm2，得到第三次曝光基片；
(12) 將第三次曝光基片采用質(zhì)量百分比濃度為0.4%的Na2C03溶液顯影，
顯影速度為5-6. 5m/min，顯影壓力為1. 5kgf/cm2，同時(shí)得到所需陰極層5的 圖形和陰極電阻層6的圖形。
所述步驟(3)、步驟(7)和步驟(10)中的烘烤溫度為9(TC、 95°C、 105。C或 120°C，烘烤時(shí)間為20分鐘、25分鐘或30分鐘。
所述步驟(4)和步驟(11)中的曝光量為600 mj/cm2、 800 mj/cm2或 1000mJ/cm2。
所述步驟(5)和步驟(12)中的顯影速度為4 m/min、 5 m/min或6m/min。
高分子分散劑BYK由德國(guó)畢克化學(xué)公司(BYK Chemie),為高分子嵌段共
聚物。采用通常的光引發(fā)劑即可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，例如2，4,6(三甲基苯
甲?；?、2， 4， 6-三甲基苯甲?；⑺嵋阴セ?-甲基-1-[4-甲硫基苯基]-2-
嗎啉基-l-丙酮等等。
采用感光介質(zhì)層印刷曝光后不顯影，直接印刷感光陰極層，曝光陰極后
陰極電阻層6和陰極層5同時(shí)顯影的方法，減少了顯影次數(shù)，并且由于介質(zhì)
層在陰極圖形上面方，顯影時(shí)不易造成介質(zhì)層的過度顯影，同時(shí)降低了曝光
時(shí)對(duì)對(duì)位精度要求，解決了底柵型FED下板制作時(shí)柵極和陰極間容易短路的問題。


圖1為場(chǎng)發(fā)射顯示器組件結(jié)構(gòu)示意其中l(wèi)為陽極玻璃基板、2為陽極導(dǎo)電層、3為熒光粉體層、4為隔離 子、5為陰極層、6為陰極電阻層、7為柵極層、8為陰極玻璃基板。具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1:
參見圖1， 一種底柵型FED下板制作方法，其特征在于，該方法通過以 下步驟來實(shí)現(xiàn)
(1) 制備感光銀漿:該感光銀漿由50重量份的銀單體、IO重量份的聚甲 基丙烯酸樹脂、1重量份的光引發(fā)劑、5重量份的2. 2. 4-三甲基-l. 3戊二醇 單異丁酸酯和0. 5重量份的高分子分散劑BYK410組成；
(2) 在清潔處理后的平板玻璃基片上，通過印刷一層或多層感光銀漿制備 銀電極層，得到陰極玻璃基板8;
(3) 將陰極玻璃基板8置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為95°〇、烘烤時(shí)間為 30分鐘，然后自然冷卻；
(4) 通過所需柵極層7圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(3)處理過的基片置于紫 外燈下曝光，曝光量為800mJ/cm2，得到第一次曝光基片；
(5) 將第一次曝光基片采用質(zhì)量百分比濃度為0.4%的Na2C03溶液顯影， 顯影速度為5. 5m/min，顯影壓力為1. 5kgf/cm2，得到所需柵極層7圖形；
(6) 在顯影后的柵極層7圖形上面，通過印刷一層或多層感光銀漿制備一 層陰極電阻層6;
(7) 將經(jīng)步驟(6)處理過的基片至烘箱中烘烤，烘烤溫度為95。C、烘烤時(shí) 間為30分鐘，然后自然冷卻；
(8) 通過所需陰極電阻層6圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(7)處理過的基片置 于紫外燈下曝光，曝光量采用80mJ/cm2，得到第二次曝光基片；
(9) 在第二次曝光基片上印刷一層或多層感光銀漿，得到陰極層5;
(10) 將經(jīng)步驟(9)處理過的基片置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為95°C、烘烤時(shí)間為30分鐘，然后自然冷卻；
(ll)通過所需陰極層5圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(10)處理過的基片置于 紫外燈下曝光，曝光量為800mJ/cm2,得到第三次曝光基片；
(12)將第三次曝光基片采用質(zhì)量百分比濃度為0. 4%的^20)3溶液顯影， 顯影速度為5. 5m/min，顯影壓力為1. 5kgf/cm2，同時(shí)得到所需陰極層5的圖 形和陰極電阻層6的圖形。 實(shí)施例2:
參見圖l， 一種底柵型FED下板制作方法，其特征在于，該方法通過以 下步驟來實(shí)現(xiàn)
(1) 制備感光銀漿:該感光銀槳由80重量份的銀單體、30重量份的聚甲 基丙烯酸樹脂、5重量份的光引發(fā)劑、15重量份的2.2.4-三甲基-1.3戊二 醇單異丁酸酯和1重量份的高分子分散劑BYK140組成；
(2) 在清潔處理后的平板玻璃基片上，通過印刷一層或多層感光銀漿制備 銀電極層，得到陰極玻璃基板8;
(3) 將陰極玻璃基板8置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為105°C、烘烤時(shí)間為 30分鐘，然后自然冷卻；
(4) 通過所需柵極層7圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(3)處理過的基片置于紫 外燈下曝光，曝光量為800mJ/cm2，得到第一次曝光基片；
(5) 將第一次曝光基片采用質(zhì)量百分比濃度為0.4%的Na2C03溶液顯影， 顯影速度為5. 5m/min，顯影壓力為1. 5kgf/cm2，得到所需柵極層7圖形；
(6) 在顯影后的柵極層7圖形上面,通過印刷一層或多層感光銀漿制備一 層陰極電阻層6;(7) 將經(jīng)步驟(6)處理過的基片至烘箱中烘烤，烘烤溫度為95'C、烘烤時(shí) 間為25分鐘，然后自然冷卻；
(8) 通過所需陰極電阻層6圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(7)處理過的基片置 于紫外燈下曝光，曝光量采用100mJ/cm2，得到第二次曝光基片；
(9) 在第二次曝光基片上印刷一層或多層感光銀漿，得到陰極層5;
(10) 將經(jīng)步驟(9)處理過的基片置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為95°C、烘 烤時(shí)間為30分鐘，然后自然冷卻；
(11) 通過所需陰極層5圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(10)處理過的基片置于 紫外燈下曝光，曝光量為800mJ/c,m2，得到第三次曝光基片；
(12) 將第三次曝光基片采用質(zhì)量百分比濃度為0. 4%的Na2C03溶液顯影， 顯影速度為5. 5m/min，顯影壓力為1. 5kgf/cm2，同時(shí)得到所需陰極層5的圖 形和陰極電阻層6的圖形。
實(shí)施例3:
參見圖l， 一種底柵型FED下板制作方法，該方法通過以下步驟來實(shí)現(xiàn)
(1) 制備感光銀漿:該感光銀漿由60重量份的銀單體、20重量份的聚甲 基丙烯酸樹脂、3重量份的光引發(fā)劑、IO重量份的2.2.4-三甲基-1.3戊二 醇單異丁酸酯和0. 75重量份的高分子分散劑BYK180組成；
(2) 在清潔處理后的平板玻璃基片上，通過印刷一層或多層感光銀漿制備 銀電極層，得到陰極玻璃基板8;
(3) 將陰極玻璃基板8置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為95r、烘烤時(shí)間為 30分鐘，然后自然冷卻；
(4) 通過所需柵極層7圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(3)處理過的基片置于紫外燈下曝光，曝光量為800mJ/cm2，得到第一次曝光基片；
(5) 將第一次曝光基片采用質(zhì)量百分比濃度為0.4%的Na2C03溶液顯影， 顯影速度為5. 5m/min，顯影壓力為1. 5kgf/cm2，得到所需柵極層7圖形；
(6) 在顯影后的柵極層7圖形上面，通過印刷一層或多層感光銀漿制備一 層陰極電阻層6;
(7) 將經(jīng)步驟(6)處理過的基片至烘箱中烘烤，烘烤溫度為95。C、烘烤時(shí) 間為30分鐘，然后自然冷卻；
(8) 通過所需陰極電阻層6圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(7)處理過的基片置 于紫外燈下曝光，曝光量采用80mJ/cm2，得到第二次曝光基片；
(9) 在第二次曝光基片上印刷一層或多層感光銀漿，得到陰極層5;
(10) 將經(jīng)步驟(9)處理過的基片置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為95°C、烘 烤時(shí)間為30分鐘，然后自然冷卻；
(11) 通過所需陰極層5圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(10)處理過的基片置于 紫外燈下曝光，曝光量為800mJ/cm2，得到第三次曝光基片；
(12)將第三次曝光基片采用質(zhì)量百分比濃度為0. 4W的Na2C03溶液顯影， 顯影速度為5， 5m/min,顯影壓力為1. 5kgf/cm2，同時(shí)得到所需陰極層5的圖 形和陰極電阻層6的圖形。
實(shí)施例4:
參見圖1， 一種底柵型FED下板制作方法，該方法通過以下步驟來實(shí)現(xiàn) (l)制備感光銀漿:該感光銀漿由70重量份的銀單體、15重量份的聚甲
基丙烯酸樹脂、2重量份的光引發(fā)劑、IO重量份的2.2.4-三甲基-1.3戊二
醇單異丁酸酯和0. 5重量份的高分子分散劑BYK171組成；(2) 在清潔處理后的平板玻璃基片上，通過印刷一層或多層感光銀漿制備
銀電極層，得到陰極玻璃基板8;
(3) 將陰極玻璃基板8置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為120°C、烘烤時(shí)間為 20分鐘，然后自然冷卻；
(4) 通過所需柵極層7圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(3)處理過的基片置于紫 外燈下曝光，曝光量為600mJ/cm2，得到第一次曝光基片；
(5) 將第一次曝光基片采用質(zhì)量百分比濃度為0.4%的Na2C03溶液顯影， 顯影速度為5. 5m/min，顯影壓力為1. 5kgf/cm2，得到所需柵極層7圖形；
(6) 在顯影后的柵極層7圖形上面，通過印刷一層或多層感光銀漿制備一 層陰極電阻層6;
(7) 將經(jīng)步驟(6)處理過的基片至烘箱中烘烤，烘烤溫度為IO(TC、烘烤 時(shí)間為25分鐘，然后自然冷卻；
(8) 通過所需陰極電阻層6圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(7)處理過的基片置 于紫外燈下曝光，曝光量采用100mJ/cm2,得到第二次曝光基片；
(9) 在第二次曝光基片上印刷一層或多層感光銀漿，得到陰極層5;
(10) 將經(jīng)步驟(9)處理過的基片置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為95°C、烘 烤時(shí)間為30分鐘，然后自然冷卻；
(11) 通過所需陰極層5圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(10)處理過的基片置于 紫外燈下曝光，曝光量為800mJ/cm2，得到第三次曝光基片；
(12) 將第三次曝光基片采用質(zhì)量百分比濃度為0. 4%的Na2C(V溶液顯影， 顯影速度為5. 5m/min，顯影壓力為1. 5kgf/cm2，同時(shí)得到所需陰極層5的圖 形和陰極電阻層6的圖形。實(shí)施例5:
參見圖l， 一種底柵型FED下板制作方法，該方法通過以下步驟來實(shí)現(xiàn):
(1) 制備感光銀漿:該感光銀漿由75重量份的銀單體、25重量份的聚甲 基丙烯酸樹脂、3重量份的光引發(fā)劑、8重量份的2.2.4-三甲基-1.3戊二醇 單異丁酸酯和0. 5重量份的高分子分散劑BYK2025組成；
(2) 在清潔處理后的平板玻璃基片上，通過印刷一層或多層感光銀漿制備 銀電極層，得到陰極玻璃基板8;
(3) 將陰極玻璃基板8置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為9(TC、烘烤時(shí)間為 25分鐘，然后自然冷卻；
(4) 通過所需柵極層7圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(3)處理過的基片置于紫 外燈下曝光，曝光量為1000mJ/cm2，得到第一次曝光基片；
(5) 將第一次曝光基片采用質(zhì)量百分比濃度為0.4%的Na2C03溶液顯影， 顯影速度為6m/min，顯影壓力為1. 5kgf/cm2，得到所需柵極層7圖形；
(6) 在顯影后的柵極層7圖形上面，通過印刷一層或多層感光銀漿制備一 層陰極電阻層6;
(7) 將經(jīng)步驟(6)處理過的基片至烘箱中烘烤，烘烤溫度為95'C、烘烤時(shí) 間為30分鐘，然后自然冷卻；
(8) 通過所需陰極電阻層6圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(7)處理過的基片置 于紫外燈下曝光，曝光量采用100mJ/cm2，得到第二次曝光基片；
(9) 在第二次曝光基片上印刷一層或多層感光銀槳，得到陰極層5;
(10) 將經(jīng)步驟(9)處理過的基片置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為120°C、烘 烤時(shí)間為30分鐘，然后自然冷卻；(11) 通過所需陰極層5圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(10)處理過的基片置于 紫外燈下曝光，曝光量為800mJ/cm2，得到第三次曝光基片；
(12) 將第三次曝光基片采用質(zhì)量百分比濃度為0. 4%的Na2C03溶液顯影，
顯影速度為5. 5m/min，顯影壓力為1. 5kgf/cm2，同時(shí)得到所需陰極層5的圖
形和陰極電阻層6的圖形。
以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明， 不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施方式
僅限于此，對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單的推演 或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明由所提交的權(quán)利要求書確定專利保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1、一種底柵型FED下板制作方法，其特征在于，該方法通過以下步驟來實(shí)現(xiàn)(1)制備感光銀漿該感光銀漿由50-80重量份的銀單體、10-30重量份的聚甲基丙烯酸樹脂、1-5重量份的光引發(fā)劑、5-15重量份的2.2.4-三甲基-1.3戊二醇單異丁酸酯和0.5-1重量份的高分子分散劑BYK組成；(2)在清潔處理后的平板玻璃基片上，通過印刷一層或多層感光銀漿制備銀電極層，得到陰極玻璃基板(8)；(3)將陰極玻璃基板(8)置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為90-120℃、烘烤時(shí)間為20-30分鐘，然后自然冷卻；(4)通過所需柵極層(7)圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(3)處理過的基片置于紫外燈下曝光，曝光量為600-1000mJ/cm2，得到第一次曝光基片；(5)將第一次曝光基片采用質(zhì)量百分比濃度為0.4％的Na2CO3溶液顯影，顯影速度為4-6m/min，顯影壓力為1.5kgf/cm2，得到所需柵極層(7)圖形；(6)在顯影后的柵極層(7)圖形上面，通過印刷一層或多層感光銀漿制備一層陰極電阻層(6)；(7)將經(jīng)步驟(6)處理過的基片至烘箱中烘烤，烘烤溫度為90-100℃、烘烤時(shí)間為20-30分鐘，然后自然冷卻；(8)通過所需陰極電阻層(6)圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(7)處理過的基片置于紫外燈下曝光，曝光量采用80mJ/cm2，得到第二次曝光基片；(9)在第二次曝光基片上印刷一層或多層感光銀漿，得到陰極層(5)；(10)將經(jīng)步驟(9)處理過的基片置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為90-120℃、烘烤時(shí)間為20-30分鐘，然后自然冷卻；(11)通過所需陰極層(5)圖形的掩膜版，將經(jīng)步驟(10)處理過的基片置于紫外燈下曝光，曝光量為600-1000mJ/cm2，得到第三次曝光基片；(12)將第三次曝光基片采用質(zhì)量百分比濃度為0.4％的Na2CO3溶液顯影，顯影速度為5-6.5m/min，顯影壓力為1.5kgf/cm2，同時(shí)得到所需陰極層(5)的圖形和陰極電阻層(6)的圖形。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種底柵型FED下板制作方法，其特征在于 所述高分子分散劑BYK為BYK410、 BYK140、 BYK2025、 BYK180或BYK171。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種底柵型FED下板制作方法，其特征在于 所述步驟(3)和步驟(10)中的烘烤溫度為90°C、 95°C、 105'C或120°C，烘烤 時(shí)間為20分鐘、25分鐘或30分鐘。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種底柵型FED下板制作方法，其特征在于 所述步驟(4)和步驟(11)中的曝光量為600 mj/cm2、 800 mj/cn^或1000mJ/cm2。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種底柵型FED下板制作方法，其特征在于 所述步驟(5)和步驟(12)中的顯影速度為4 m/min、 5 m/min或6m/min。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種底柵型FED下板制作方法，其特征在于 所述步驟(8)中的曝光量為80mJ/cm2、 90mJ/cm2或100mJ/cm2。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種底柵型FED下板制作方法，其特征在于 所述步步驟(7)中的烘烤溫度為9(TC、 95。C或IO(TC，烘烤時(shí)間為20分鐘、 25分鐘或30分鐘。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種底柵型FED下板制作方法，采用感光介質(zhì)層印刷曝光后不顯影，直接印刷感光陰極層，曝光陰極后陰極電阻層和陰極層同時(shí)顯影的方法，減少了顯影次數(shù)，并且由于介質(zhì)層在陰極圖形上面方，顯影時(shí)不易造成介質(zhì)層的過度顯影，同時(shí)降低了曝光時(shí)對(duì)對(duì)位精度要求，解決了底柵型FED下板制作時(shí)柵極和陰極間容易短路的問題。
文檔編號(hào)H01J9/02GK101515525SQ200910021669
公開日2009年8月26日 申請(qǐng)日期2009年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月24日
發(fā)明者馳 李 申請(qǐng)人:彩虹集團(tuán)公司