專利名稱：一種平面介質(zhì)阻擋放電光源的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電真空領(lǐng)域，涉及一種平面介質(zhì)阻擋放電光源的制造 方法。
背景技術(shù)：
(1)近年來(lái)，液晶顯示LCD技術(shù)取得了飛速發(fā)展。液晶顯示器 一般為透射型，需要在液晶板后配置光源來(lái)實(shí)現(xiàn)發(fā)光顯示。LCD的亮 度、對(duì)比度、亮度均勻性和功耗等重要性能指標(biāo)與其背光源的性能有 很大關(guān)系。目前平板液晶顯示器普遍采用的背光源是冷陰極熒光燈 CCFL，其優(yōu)點(diǎn)是光效和亮度高，但其缺點(diǎn)是點(diǎn)亮后達(dá)到飽和亮度時(shí)間 長(zhǎng)，點(diǎn)火受環(huán)境溫度影響大和壽命較短，為使顯示器亮度均勻還需配 置導(dǎo)光板、擴(kuò)散板和棱鏡板等部件，使燈管的亮度損失較大，并且冷 陰極熒光燈CCFL需要汞蒸氣作為工作氣體，因此熒光燈的生產(chǎn)和廢 棄都會(huì)造成對(duì)環(huán)境的污染。隨著世界各國(guó)環(huán)境保護(hù)意識(shí)的增強(qiáng)，各國(guó) 政府紛紛制訂法律逐步減小工業(yè)生產(chǎn)中的用汞量，并積極鼓勵(lì)采用一 些無(wú)汞的新技術(shù)。在此背景下，開發(fā)新型光源以取代冷陰極熒光燈 CCFL受到世界上許多光源制造廠家和研究機(jī)構(gòu)的重視。平面介質(zhì)阻 擋放電光源由于具有可實(shí)現(xiàn)大面積均勻發(fā)光、壽命長(zhǎng)、制作成本低等 優(yōu)點(diǎn)，因此特別適合用作大屏幕液晶顯示LCD的背光源。此外，它還 可用作照明光源，如吸頂燈、吊燈、壁燈、光墻等，具有較強(qiáng)的裝飾性效果，可廣泛應(yīng)用于家庭、商場(chǎng)、賓館、會(huì)議室、展覽館、機(jī)場(chǎng)、 車站等場(chǎng)所。
(2)現(xiàn)在普遍采用的平面介質(zhì)阻擋放電光源的制作方法，是分 別制作上下基板，然后用封接框?qū)⑵浞饨?，?jīng)過(guò)除氣、充氣、老練等 工藝制作而成。其中下基板是用絲網(wǎng)印刷技術(shù)直接在玻璃基板上印刷 電極并燒結(jié)，然后再印刷介質(zhì)和熒光粉層并分別燒結(jié)。其中介質(zhì)的印 刷需要上百微米厚度以保證制作好的光源不易被擊穿，因此需要多次 印刷、多次干燥才能達(dá)到預(yù)期厚度，工藝較繁瑣，且厚度越厚越不均 勻；而且在多次印刷過(guò)程中要求精確對(duì)位來(lái)保證圖形不偏離，這使得 制作工藝繁瑣復(fù)雜，不利于大批量的生產(chǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)在平面介質(zhì)阻擋放電光源上下基板的加工中存在的
需要多次印刷、干燥，工藝繁瑣且厚度不均勻的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提
出如下技術(shù)方案
一種平面介質(zhì)阻擋放電光源的制造方法，包括如下步驟 a.下基板的制作
1) 依次采用去污粉2g、分析純的酒精、去離子水對(duì)玻璃基板進(jìn) 行超聲波清洗。
2) 在下基板玻璃上涂覆一層20-30微米厚的抗玻璃刻蝕液腐蝕的 感光膠，通過(guò)掩膜版進(jìn)行曝光、顯影，形成電極圖形；
3) 用濃度為40%氫氟酸和純水的重量比為4: 1的混合液對(duì)玻璃 基板進(jìn)行刻蝕處理，再用脫膠液剝離剩余的感光膠，在玻璃基板 上形成和電極圖形一致的凹槽；
4) 將具有電極圖形的絲網(wǎng)版和刻蝕后的玻璃基板采用"十字"對(duì)位碼對(duì)位后，將電極印刷在刻蝕好的玻璃基板的凹槽里，將印刷
好電極的玻璃基板進(jìn)行燒結(jié)處理，升溫至370'C保溫10-20分鐘， 再升溫至57(TC保溫15-20分鐘，經(jīng)燒結(jié)處理后電極厚度為5-10 y m;
5) 接著，在玻璃基板的電極之上再多次印刷反射層和介質(zhì)層，反 射層厚度為25-30 um，介質(zhì)層厚度為320-340 um，并進(jìn)行燒結(jié) 處理，升溫至37(TC保溫10-20分鐘，再升溫至54(TC保溫15-20 分鐘，燒結(jié)后反射層和介質(zhì)層總厚度約為240-260 y m。
6) 接著在玻璃基板上印刷熒光粉層，熒光粉層覆蓋整個(gè)放電區(qū)域， 厚度為120-140 um;
7) 對(duì)印刷熒光粉層的玻璃基板進(jìn)行燒結(jié)處理，升溫至370'C保溫 10-20分鐘，再升溫至45(TC保溫15-20分鐘，燒結(jié)后厚度為100-110 y m;
8) 在下玻璃基板上布置起支撐作用的柱狀隔離子，在柱狀隔離子 的一端涂上低玻粉漿料，用隔離子散布裝置將其粘在下基板預(yù)留的空 白處；
b. 上基板的制作
1) 依次采用去污粉2g、分析純的酒精、去離子水對(duì)玻璃基板進(jìn) 行超聲波清洗；
2) 印刷上基板熒光粉涂層，上基板熒光粉涂層要求粉體顆粒《8 ^m,并進(jìn)行燒結(jié)，升溫至370攝氏度保溫10-20分鐘，再升溫至 450攝氏度保溫15-20分鐘，燒結(jié)后熒光粉厚度約為7-9 u m
c. 整機(jī)封裝
1) 封接，將低玻粉槳料均勻地涂覆在透明封接框上下兩底面上， 將玻其粘在上下兩個(gè)基銜之間，同時(shí)在兩塊基板之間的封接框處 放入一根長(zhǎng)4cm直徑為0.6mm的排氣管；
2) 低玻燒結(jié)，升溫至370'C保溫10-20分鐘，再升溫至45(TC保 溫15-20分鐘，完成封裝。
3) 除氣，將排氣管接到等離子顯示器PDP封排充氣臺(tái)上，用真空泵進(jìn)行除氣約5-7小時(shí)，然后充入惰性混合氣體氖氣和氙氣， 氙氣的體積百分比為5%~30%，充氣氣壓控制在80 90 kPa; 4)驅(qū)動(dòng)電路裝配及老練，采用額定功率為50W、 220V交流
輸入的電源，接通陰陽(yáng)兩極進(jìn)行老練5-10小時(shí)。
本發(fā)明中將電極印刷并燒結(jié)在刻蝕好的下基板玻璃凹槽里，然后 在玻璃基板上再印刷反射層和介質(zhì)層，這樣，電極槽側(cè)面的玻璃就充 當(dāng)了厚度為d的介質(zhì)，因而上面的介質(zhì)層可以適當(dāng)薄一些，減少了介 質(zhì)的印刷次數(shù)以及由于對(duì)位引起的誤差，使得制作工藝簡(jiǎn)單精確。
圖1為刻蝕后下基板的剖面示意圖，
圖2為印刷電極后下基板的剖面示意圖，
圖3為圖2中下基板刻蝕槽的局部放大示意圖
圖4為印刷電極后下基板的俯視圖，
圖中，1為下基板玻璃，2為刻蝕后的凹槽，3為電極(涂黑部
分)
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的平面介質(zhì)阻擋放電光源的制造方法做 進(jìn)一步說(shuō)明，包括如下步驟 實(shí)施例一
a.下玻璃基板1的制作
1)依次采用去污粉2g、分析純的酒精、去離子水對(duì)玻璃基板進(jìn) 行超聲波清洗，酒精和去離子水沒有嚴(yán)格的比例要求，經(jīng)過(guò)清洗后的 玻璃表面不留油漬、污漬，表面光滑，水膜要求完好。2) 在下玻璃基板1玻璃上涂覆一層20微米厚的抗玻璃刻蝕液腐 蝕的感光膠，通過(guò)掩膜版進(jìn)行曝光、顯影，形成電極圖形，如附圖3 所示；
3) 用濃度為40%的氫氟酸和純水的重量配比為4: l的混合液對(duì) 下基板玻璃進(jìn)行刻蝕，再用脫膠液剝離剩余的感光膠，在下玻璃基板 上形成了和電極圖形一致的凹槽2，如附圖l所示；
4) 將具有電極圖形的絲網(wǎng)版和刻蝕后的下玻璃基板采用"十字" 對(duì)位碼對(duì)位后，將電極印刷在刻蝕好下玻璃基板的凹槽2里，如圖2， 圖4所示，將印刷好電極的下玻璃基板進(jìn)行燒結(jié)處理，升溫至37(TC 保溫20分鐘，再升溫至570'C保溫15分鐘，經(jīng)燒結(jié)處理后電極厚度 為5 u m;
5) 接著在下玻璃基板的電極之上再多次印刷反射層和介質(zhì)層， 反射層厚度為25-30 um，介質(zhì)層厚度為320-340 li m。并進(jìn)行燒結(jié)升 溫至37(TC保溫20分鐘，再升溫至54(TC保溫15分鐘，燒結(jié)后反射 層和介質(zhì)層總厚度為260 u m;
6) 接著在下玻璃基板上印刷熒光粉層，熒光粉層覆蓋整個(gè)放電 區(qū)域，厚度約為140 um;
7) 對(duì)印刷有熒光粉層的下玻璃基板進(jìn)行燒結(jié)，升溫至37(TC保
溫10分鐘，再升溫至45(TC保溫20分鐘，燒結(jié)后厚度為100um;
8)在下玻璃基板上布置起支撐作用的柱狀隔離子，在柱狀隔離子 的一端涂上低玻粉漿料，用隔離子散布裝置將其粘在下基板1預(yù)留的 空白處；
b.上基板的制作1) 依次采用去污粉2g、分析純的酒精、去離子水對(duì)上玻璃基板 進(jìn)行超聲波清洗；
2)印刷上基板熒光粉層，上基板熒光粉層要求粉體顆?！?um， 并進(jìn)行燒結(jié)，升溫至370攝氏度保溫20分鐘，再升溫至450攝氏度 保溫15分鐘，燒結(jié)后熒光粉厚度為7 u m; c.整機(jī)封裝
l)封接，將低玻粉漿料均勻地涂覆在透明封接框上下兩底面，將 其粘在上下兩個(gè)基板之間，同時(shí)在兩塊基板之間的封接框處放入一根 長(zhǎng)4cm直徑為0.6mm的排氣管；
2) 低玻燒結(jié)升溫至37(TC保溫20分鐘，再升溫至45(TC保溫15 分鐘，完成封裝。
3) 除氣，將排氣管接到PDP封排充氣臺(tái)上，用機(jī)械泵和分子 泵進(jìn)行除氣7小時(shí)，然后充入惰性混合氣體氖氣和氙氣，氙氣Xe的 體積百分比為30%，充氣氣壓控制在90 kPa;
4) 驅(qū)動(dòng)電路裝配及老練，采用額定功率為50W、 220V交流輸 入的電源，接通陰陽(yáng)兩極進(jìn)行老練5小時(shí)。
實(shí)施例二
a.下玻璃基板1的制作
1) 依次采用去污粉2g、分析純的酒精、去離子水對(duì)下玻璃基板 進(jìn)行超聲波清洗。
2) 在下玻璃基板1玻璃上涂覆一層30微米厚的抗玻璃刻蝕液腐 蝕的感光膠，通過(guò)掩膜版進(jìn)行曝光、顯影，形成電極圖形；
3) 用濃度為40%的氫氟酸和純水的重量配比為4: 1的混合液對(duì)下玻璃基板1玻璃進(jìn)行刻蝕，再用脫膠液剝離剩余的感光膠，在下玻 璃基板上形成了和電極圖形一致的凹槽2;
4) 將具有電極圖形的絲網(wǎng)版和刻蝕后的下玻璃基板采用"十字"
對(duì)位碼對(duì)位后，將電極印刷在刻蝕好下玻璃基板的凹槽2里，將印刷 好電極的下玻璃基板進(jìn)行燒結(jié)處理，升溫至37(TC保溫10分鐘，再 升溫至570'C保溫20分鐘，經(jīng)燒結(jié)處理后電極厚度為10um;
5) 接著在下玻璃基板的電極之上再多次印刷反射層和介質(zhì)層， 反射層厚度為25-30 u m，介質(zhì)層厚度為320-340 u m。并進(jìn)行燒結(jié)升 溫至37(TC保溫10分鐘，再升溫至54(TC保溫20分鐘，燒結(jié)后反射 層和介質(zhì)層總厚度為240 n m;
6) 接著在下玻璃基板上印刷熒光粉層，熒光粉層覆蓋整個(gè)放電 區(qū)域，厚度約為120um;
7) 對(duì)印刷有熒光粉層的下玻璃基板進(jìn)行燒結(jié)，升溫至37(TC保
溫20分鐘，再升溫至450'C保溫15分鐘，燒結(jié)后厚度為llOum;
8)在下玻璃基板上布置起支撐作用的柱狀隔離子，在柱狀隔離子 的一端涂上低玻粉漿料，用隔離子散布裝置將其粘在下玻璃基板1預(yù) 留的空白處;
b.上基板的制作
1)依次采用去污粉2g、分析純的酒精、去離子水對(duì)玻璃基板進(jìn) 行超聲波清洗；
2)印刷上基板熒光粉層，上基板熒光粉層要求粉體顆?！?um， 并進(jìn)行燒結(jié)，升溫至370攝氏度保溫10分鐘，再升溫至450攝氏度 保溫20分鐘，燒結(jié)后熒光粉厚度為9 y mC.整機(jī)封裝
1) 封接，將低玻粉漿料均勻地涂覆在透明封接框上下兩底面上， 將其粘在上下兩個(gè)基板之間，同時(shí)在兩塊基板之間的封接框處放入一
根長(zhǎng)4cm直徑為0.6mm的排氣管；
2) 低玻燒結(jié)升溫至37(TC保溫10分鐘，再升溫至450"C保溫20 分鐘，完成封裝。
3) 除氣，將排氣管接到PDP封排充氣臺(tái)上，用機(jī)械泵和分子泵 進(jìn)行除氣5小時(shí)，然后充入惰性混合氣體氖氣和氙氣，氙氣Xe的體 積百分比為5%，充氣氣壓控制在80 kPa;
4) 驅(qū)動(dòng)電路裝配及老練，采用額定功率為50W、 220V交流輸 入的電源，接通陰陽(yáng)兩極進(jìn)行老練10小時(shí)。
實(shí)施例三
a.下玻璃基板l的制作-
1) 依次采用去污粉2g、分析純的酒精、去離子水對(duì)下玻璃基板 進(jìn)行超聲波清洗。
2) 在下玻璃基板1玻璃上涂覆一層25微米厚的抗玻璃刻蝕液腐 蝕的感光膠，通過(guò)掩膜版進(jìn)行曝光、顯影，形成電極圖形。
3)用濃度為40%的氫氟酸和純水的重量配比為4: l的混合液 對(duì)下玻璃基板1玻璃進(jìn)行刻蝕處理，再用脫膠液剝離剩余的感光膠, 在下玻璃基板上形成了和電極圖形一致的凹槽2;
4)將具有電極圖形的絲網(wǎng)版和刻蝕后的下玻璃基板采用"十字" 對(duì)位碼對(duì)位后，將電極印刷在刻蝕好玻璃基板的凹槽2里，將印刷好 電極的下玻璃基板進(jìn)行燒結(jié)處理，升溫至370'C保溫15分鐘，再升溫至57(TC保溫18分鐘，經(jīng)燒結(jié)處理后電極厚度為8nm;
5) 接著在下玻璃基板的電極之上再多次印刷反射層和介質(zhì)層， 反射層厚度為25-30 ixm，介質(zhì)層厚度為320-340 u m。并進(jìn)行燒結(jié)升 溫至37(TC保溫15分鐘，再升溫至540。C保溫17分鐘，燒結(jié)后反射 層和介質(zhì)層總厚度為250 y m;
6) 接著在下玻璃基板上印刷熒光粉層，熒光粉層覆蓋整個(gè)放電 區(qū)域，厚度約為130 ym;
7) 對(duì)印刷有熒光粉層的下玻璃基板進(jìn)行燒結(jié)，升溫至37(TC保
溫15分鐘，再升溫至450。C保溫18分鐘，燒結(jié)后厚度為115um;
8)在下玻璃基板上布置起支撐作用的柱狀隔離子，在柱狀隔離子 的一端涂上低玻粉漿料，用隔離子散布裝置將其粘在下玻璃基板1預(yù) 留的空白處；
b. 上基板的制作
1)依次采用去污粉2g、分析純的酒精、去離子水對(duì)玻璃基板進(jìn) 行超聲波清洗；
2)印刷上基板熒光粉層，上基板熒光粉層要求粉體顆?！?um， 并進(jìn)行燒結(jié)，升溫至370攝氏度保溫18分鐘，再升溫至450攝氏度 保溫17分鐘，燒結(jié)后熒光粉厚度為8um
c. 整機(jī)封裝
1) 封接，將低玻粉漿料均勻地涂覆在透明封接框上下兩底面， 將其粘在上下兩個(gè)基板之間，同時(shí)在兩塊基板之間的封接框處放入一 根長(zhǎng)4cm直徑為0.6mm的排氣管；
2) 低玻燒結(jié)升溫至37(TC保溫17分鐘，再升溫至450"C保溫18分鐘，完成封裝。
3) 除氣，將排氣管接到PDP封排充氣臺(tái)上，用機(jī)械泵和分子 泵進(jìn)行除氣6小時(shí)，然后充入惰性混合氣體氖氣和氙氣，氙氣Xe的 體積百分比為30%，充氣氣壓控制在85 kPa;
4) 驅(qū)動(dòng)電路裝配及老練，采用額定功率為50W、 220V交流輸 入的電源，接通陰陽(yáng)兩極進(jìn)行老練8小時(shí)。
為達(dá)到減少下玻璃基板1介質(zhì)印刷次數(shù)及對(duì)位引起的誤差，降低
制作工藝難度的目的，本發(fā)明在下玻璃基板1制作之前對(duì)玻璃做了預(yù) 處理，S卩將清洗好的下玻璃基板l玻璃上貼附一層玻璃刻蝕用的感 光膠，通過(guò)掩膜版進(jìn)行曝光、顯影，形成電極圖形，然后用重量比為 4: 1的玻璃刻蝕液，濃度為40%的氫氟酸和純水的混合液進(jìn)行刻蝕， 之后剝離剩余的感光膠，在玻璃上形成與電極圖形一致的凹槽。之后 用電極圖形絲網(wǎng)版在下玻璃基板上印刷電極，電極則印刷在之前刻蝕 好的凹槽里，再對(duì)電極進(jìn)行燒結(jié)。接著在印有電極的下玻璃基板上印 刷反射層、介質(zhì)層及熒光粉層，并分別進(jìn)行燒結(jié)，最后在下玻璃基板 上布置隔離子，完成整個(gè)下玻璃基板1的制備。
權(quán)利要求
1. 一種平面介質(zhì)阻擋放電光源的制造方法，其特征在于，包括如下步驟a. 下基板的制作1)依次采用去污粉2g、分析純的酒精、去離子水對(duì)下玻璃基板進(jìn)行超聲波清洗；2)在下基板玻璃上涂覆一層20-30微米厚的抗玻璃刻蝕液腐蝕的感光膠，通過(guò)掩膜版進(jìn)行曝光、顯影，形成電極圖形；3)用濃度為40％氫氟酸和純水的重量比為4∶1的混合液對(duì)玻璃基板進(jìn)行刻蝕處理，再用脫膠液剝離剩余的感光膠，在下玻璃基板上形成和電極圖形相一致的凹槽；4)將具有電極圖形的絲網(wǎng)版和刻蝕后的下玻璃基板采用對(duì)位碼對(duì)位后，將電極印刷在刻蝕好的下玻璃基板的凹槽里，將印刷好電極的下玻璃基板進(jìn)行燒結(jié)處理，升溫至370℃保溫10-20分鐘，再升溫至570℃保溫15-20分鐘，經(jīng)燒結(jié)處理后電極厚度為5-10μm；5)在下玻璃基板的電極之上再多次印刷反射層和介質(zhì)層，反射層厚度為25-30μm，介質(zhì)層厚度為320-340μm，并進(jìn)行燒結(jié)處理，升溫至370℃保溫10-20分鐘，再升溫至540℃保溫15-20分鐘，燒結(jié)后反射層和介質(zhì)層總厚度為240-260μm；6)在下玻璃基板上印刷熒光粉層，熒光粉層覆蓋整個(gè)放電區(qū)域，厚度為120-140μm；7)對(duì)印刷有熒光粉層的下玻璃基板進(jìn)行燒結(jié)處理，升溫至370℃保溫10-20分鐘，再升溫至450℃保溫15-20分鐘，燒結(jié)后厚度為100-110μm；8)在下玻璃基板上布置起支撐作用的柱狀隔離子，在柱狀隔離子的一端涂上低玻粉漿料，用隔離子散布裝置將其粘在下基板預(yù)留的空白處；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面介質(zhì)阻擋放電光源的制造方法，其特 征在于，包括如下步驟 a.下基板的制作1) 依次采用去污粉2g、分析純的酒精、去離子水對(duì)下玻璃基板 進(jìn)行超聲波清洗；2) 在下基板玻璃上涂覆一層20微米厚的抗玻璃刻蝕液腐蝕的感 光膠，通過(guò)掩膜版進(jìn)行曝光、顯影，形成電極圖形；3) 用濃度為40%氫氟酸和純水的重量比為4: 1的混合液對(duì)玻璃基板進(jìn)行刻蝕處理，再用脫膠液剝離剩余的感光膠，在下玻璃基板上 形成和電極圖形相一致的凹槽;4) 將具有電極圖形的絲網(wǎng)版和刻蝕后的下玻璃基板采用對(duì)位碼對(duì) 位后，將電極印刷在刻蝕好的下玻璃基板的凹槽里，將印刷好電極的 下玻璃基板進(jìn)行燒結(jié)處理，升溫至37(TC保溫20分鐘，再升溫至570"C保溫15分鐘，經(jīng)燒結(jié)處理后電極厚度為5 u m;5) 在下玻璃基板的電極之上再多次印刷反射層和介質(zhì)層，反射層 厚度為25 u m，介質(zhì)層厚度為340 u m，并進(jìn)行燒結(jié)處理，升溫至370 t:保溫20分鐘，再升溫至54(TC保溫15分鐘，燒結(jié)后反射層和介質(zhì) 層總厚度約為260um;6) 在下玻璃基板上印刷熒光粉層，熒光粉層覆蓋整個(gè)放電區(qū)域， 厚度為140 um;7) 對(duì)印刷熒光粉層的下玻璃基板進(jìn)行燒結(jié)處理，升溫至370。C保 溫10分鐘，再升溫至45(TC保溫20分鐘，燒結(jié)后厚度為100 P m;8) 在下玻璃基板上布置起支撐作用的柱狀隔離子，在柱狀隔離子 的一端涂上低玻粉漿料，用隔離子散布裝置將其粘在下基板預(yù)留的空 白處；b. 上基板的制作1) 依次采用去污粉2g、分析純的酒精、去離子水對(duì)上玻璃基板 進(jìn)行超聲波清洗；2) 印刷上基板熒光粉涂層，上基板熒光粉涂層要求粉體顆?！? um，并進(jìn)行燒結(jié)，升溫至370攝氏度保溫20分鐘，再升溫至450 攝氏度保溫15分鐘，燒結(jié)后熒光粉厚度約為7um;c. 整機(jī)封裝1) 封接，將低玻粉漿料均勻地涂覆在透明封接框上下兩底面上， 將其粘在上下兩個(gè)基板之間，同時(shí)在兩塊基板之間的封接框處放入一 根長(zhǎng)4cm直徑為0.6mm的排氣管；2) 低玻燒結(jié)，升溫至370'C保溫20分鐘，再升溫至45(TC保溫 15分鐘，完成封裝；3) 除氣，將排氣管接到等離子顯示器PDP封排充氣臺(tái)上，用真 空泵進(jìn)行除氣7小時(shí)，然后充入惰性混合氣體氖氣和氙氣，氙氣的體 積百分比為30%，充氣氣壓控制在90 kPa;4) 驅(qū)動(dòng)電路裝配及老練，采用額定功率為50W、 220V交流輸入 的電源，接通陰陽(yáng)兩極進(jìn)行老練5小時(shí)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面介質(zhì)阻擋放電光源的制造方法，其特征在于，包括如下步驟a.下基板的制作1) 依次采用去污粉2g、分析純的酒精、去離子水對(duì)下玻璃基板 進(jìn)行超聲波清洗；2) 在下基板玻璃上涂覆一層30微米厚的抗玻璃刻蝕液腐蝕的感 光膠，通過(guò)掩膜版進(jìn)行曝光、顯影，形成電極圖形；3) 用濃度為40%氫氟酸和純水的重量比為4: 1的混合液對(duì)下玻 璃基板進(jìn)行刻蝕處理，再用脫膠液剝離剩余的感光膠，在下玻璃基板 上形成和電極圖形一致的凹槽；4) 將具有電極圖形的絲網(wǎng)版和刻蝕后的下玻璃基板采用"十字" 對(duì)位碼對(duì)位后，將電極印刷在刻蝕好的下玻璃基板的凹槽里，將印刷 好電極的下玻璃基板進(jìn)行燒結(jié)處理，升溫至370'C保溫10分鐘，再 升溫至570。C保溫20分鐘，經(jīng)燒結(jié)處理后電極厚度為10ym;5) 在下玻璃基板的電極之上再多次印刷反射層和介質(zhì)層，反射層 厚度為30um，介質(zhì)層厚度為320um，并進(jìn)行燒結(jié)處理，升溫至370 'C保溫10分鐘，再升溫至54(TC保溫20分鐘，燒結(jié)后反射層和介質(zhì) 層總厚度約為240um;6) 在下玻璃基板上印刷熒光粉層，熒光粉層覆蓋整個(gè)放電區(qū)域， 厚度為120um;7) 對(duì)印刷熒光粉層的下玻璃基板進(jìn)行燒結(jié)處理，升溫至37(TC保溫20分鐘，再升溫至45(TC保溫15分鐘，燒結(jié)后厚度為110um;8) 在下玻璃基板上布置起支撐作用的柱狀隔離子，在柱狀隔離子 的一端涂上低玻粉漿料，用隔離子散布裝置將其粘在下基板預(yù)留的空 白處；b.上基板的制作1)依次采用去污粉2g、分析純的酒精、去離子水對(duì)上玻璃基板 進(jìn)行超聲波清洗；2)印刷上基板熒光粉涂層，上基板熒光粉涂層要求粉體顆粒《8 um，并進(jìn)行燒結(jié)，升溫至370攝氏度保溫IO分鐘，再升溫至450 攝氏度保溫20分鐘，燒結(jié)后熒光粉厚度約為9um;c.整機(jī)封裝1) 封接，將低玻粉漿料均勻地涂覆在透明封接框上下兩底面上， 將其粘在上下兩個(gè)基板之間，同時(shí)在兩塊基板之間的封接框處放入一 根長(zhǎng)4cm直徑為0.6mm的排氣管；2) 低玻燒結(jié)，升溫至37(TC保溫10分鐘，再升溫至45(TC保溫 20分鐘，完成封裝；3) 除氣，將排氣管接到等離子顯示器PDP封排充氣臺(tái)上，用真 空泵進(jìn)行除氣5小時(shí)，然后充入惰性混合氣體氖氣和氙氣，氙氣的體 積百分比為5%，充氣氣壓控制在80kPa;4)驅(qū)動(dòng)電路裝配及老練，采用額定功率為50W、 220V交流輸 入的電源，接通陰陽(yáng)兩極進(jìn)行老練10小時(shí)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面介質(zhì)阻擋放電光源的制造方法，其特征在于，包括如下步驟a.下基板的制作1) 依次采用去污粉2 g、分析純的酒精、去離子水對(duì)下玻璃基板 進(jìn)行超聲波清洗；2) 在下基板玻璃上涂覆一層25微米厚的抗玻璃刻蝕液腐蝕的感 光膠，通過(guò)掩膜版進(jìn)行曝光、顯影，形成電極圖形；3) 用濃度為40%氫氟酸和純水的重量比為4: 1的混合液對(duì)下玻 璃基板進(jìn)行刻蝕處理，再用脫膠液剝離剩余的感光膠，在下玻璃基板 上形成和電極圖形一致的凹槽；4) 將具有電極圖形的絲網(wǎng)版和刻蝕后的下玻璃基板采用"十字" 對(duì)位碼對(duì)位后，將電極印刷在刻蝕好的下玻璃基板的凹槽里，將印刷 好電極的下玻璃基板進(jìn)行燒結(jié)處理，升溫至37(TC保溫15分鐘，再 升溫至57(TC保溫18分鐘，經(jīng)燒結(jié)處理后電極厚度為8um;5) 在下玻璃基板的電極之上再多次印刷反射層和介質(zhì)層，反射層厚度為27um，介質(zhì)層厚度為330um，并進(jìn)行燒結(jié)處理，升溫至370 "C保溫15分鐘，再升溫至54(TC保溫17分鐘，燒結(jié)后反射層和介質(zhì) 層總厚度約為250um;6) 在下玻璃基板上印刷熒光粉層，熒光粉層覆蓋整個(gè)放電區(qū)域， 厚度為130 um;7) 對(duì)印刷熒光粉層的下玻璃基板進(jìn)行燒結(jié)處理，升溫至37(TC保 溫15分鐘，再升溫至45(TC保溫18分鐘，燒結(jié)后厚度為115um;8) 在下玻璃基板上布置起支撐作用的柱狀隔離子，在柱狀隔離子 的一端涂上低玻粉漿料，用隔離子散布裝置將其粘在下基板預(yù)留的空 白處；b. 上基板的制作1) 依次采用去污粉2g、分析純的酒精、去離子水對(duì)上玻璃基板 進(jìn)行超聲波清洗；2) 印刷上基板熒光粉涂層，上基板熒光粉涂層要求粉體顆?！? P m，并進(jìn)行燒結(jié)，升溫至370攝氏度保溫18分鐘，再升溫至450 攝氏度保溫17分鐘，燒結(jié)后熒光粉厚度約為8 li m;c. 整機(jī)封裝1) 封接，將低玻粉漿料均勻地涂覆在透明封接框上下兩底面上， 將低玻粉漿料粘在上下兩個(gè)基板之間，同時(shí)在兩塊基板之間的封接框 處放入一根長(zhǎng)4cm直徑為0.6mm的排氣管；2) 低玻燒結(jié)，升溫至37(TC保溫17分鐘，再升溫至45(TC保溫 18分鐘，完成封裝；3) 除氣，將排氣管接到等離子顯示器PDP封排充氣臺(tái)上，用真 空泵進(jìn)行除氣約6小時(shí)，然后充入惰性混合氣體氖氣和氙氣，氙氣的 體積百分比為15%，充氣氣壓控制在85 kPa;4) 驅(qū)動(dòng)電路裝配及老練，采用額定功率為50W、 220V交流輸入 的電源，接通陰陽(yáng)兩極進(jìn)行老練8小時(shí)。
全文摘要
本發(fā)明屬于電真空領(lǐng)域，涉及一種平面介質(zhì)阻擋放電光源的制造方法。本發(fā)明中將電極印刷并燒結(jié)在刻蝕好的下玻璃基板玻璃凹槽里，然后在下玻璃基板上再印刷反射層和介質(zhì)層。a.下玻璃基板的制作在下基板玻璃上涂覆感光膠，形成電極圖形；對(duì)下玻璃基板進(jìn)行刻蝕處理，在下玻璃基板上形成和電極圖形一致的凹槽；經(jīng)燒結(jié)處理后再多次印刷反射層和介質(zhì)層。b.上基板的制作對(duì)上玻璃基板進(jìn)行超聲波清洗；印刷上基板熒光粉涂層；c.整機(jī)封裝，低玻燒結(jié)，除氣，然后充入惰性混合氣體氖氣和氙氣，驅(qū)動(dòng)電路裝配及老練。減少了介質(zhì)的印刷次數(shù)以及由于對(duì)位引起的誤差，使得制作工藝簡(jiǎn)單精確。
文檔編號(hào)H01J9/00GK101447380SQ200810232770
公開日2009年6月3日 申請(qǐng)日期2008年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月11日
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