專利名稱：等離子體顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示設(shè)備，且更具體而言，涉及一種等離子體顯 示設(shè)備，其中可以通過在上基仗上形成輔助電極使得輔助電極可以與各個
對應(yīng)的水平障壁重疊來減少在等離子體顯示板(PDP)的操作期間生成的 無效功率的量。
背景技術(shù)：
等離子體顯示板(PDP )是顯示設(shè)備，其通過向安M放電空間中的 若干電極施加預(yù)定電壓來引起氣體放電且然后借助于由于氣體放電而生 成的等離子體來激發(fā)熒光體，以顯示包括文本數(shù)據(jù)和圖形數(shù)據(jù)的圖像。 PDP易于被制造成大尺寸的薄平板顯示器。另外，PDP可以提供寬視角、 全色和高輝度(luminance )。
為了提高在PDP上顯示的圖像的輝度和亮度，已經(jīng)開發(fā)了 PDP架構(gòu)， 其中水平障壁的高度低于垂直障壁的高度。然而這種PDP架構(gòu)導(dǎo)致維持 電極之間的串?dāng)_。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題
本發(fā)明提供一種等離子體顯示設(shè)備，其中輔助電極與維持電極平行地 設(shè)置且與各個對應(yīng)的水平障壁重疊，所以可以防止生成串?dāng)_且與水平障壁 的低高度無關(guān)，并且可以將無效功率的量最小化。
技術(shù)方案
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種等離子體顯示設(shè)備，包括等離子體 顯示板(PDP);彼此面對的上M和下基I1;設(shè)置在上基&上的多個掃 描電極和多個維持電極；多個第一障壁，設(shè)置在下基板上并與維持電極和
4掃描電極平行；多個第二障壁，設(shè)置在下皿上，與第一障壁相交并比第 一障壁高；以及多個輔助電極，設(shè)置在上M上并與第一障壁重疊。
輔助電極可以與相應(yīng)掃描電極隔開并與相應(yīng)維持電極隔開。
輔助電極的寬度可以大于輔助電極與相應(yīng)掃描電極之間的距離和輔 助電極與相應(yīng)維持電極之間的距離中的至少一個距離。
輔助電極可以包括從電源斷開的浮置電極。
輔助電極可以接地。
可以將預(yù)定電壓施加到輔助電極。
輔助電極可以包括銦錫氧化物(ITO)。
輔助電極可以比熒光體暗，所述熒光體在接收到放電期間生成的紫外 線時發(fā)光。
輔助電極可以包括黑矩陣。
輔助電極與相應(yīng)掃描電^Df目鄰并與相應(yīng)維持電^目鄰。 輔助電極可以是不連續(xù)的。
輔助電極可以在第一障壁和第二障壁的相交處不連續(xù)。 輔助電極的寬度可以是第一障壁的上部寬度的0.7-1.3倍。 輔助電極的寬度是第一障壁的上部寬度的0.9-1.1倍。 第一障壁中的一些可以具有凹的頂表面。 第一障壁可以比第二障壁低5-32nm。
輔助電極的厚度可以與掃描電極的厚度和維持電極的厚度中的至少 一個基^目同。
有益效果
通過將水平障壁形成為比垂直障壁低，可以提高PDP的輝度和亮度。 另夕卜，通過利用在一對維持電極之間插入的障壁來防止在一對維持電極之 間出現(xiàn)串?dāng)_，可以減少PDP無效功率的量。


圖l示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示板(PDP)的透視圖；圖2示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的PDP的透^L圖3A和3B示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的維持電極對和障壁的布 置圖案的平面圖3C示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的水平障壁和輔助電極的橫截面圖3D示出水平障壁的上部寬度與輔助電極的寬度的比率和輝度之間 的關(guān)系以及水平障壁的上部寬度與輔助電極的寬度的比率和串?dāng)_之間的 關(guān)系的曲線；
圖4A和4B示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的電極的布置圖案的平 面圖5示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的PDP的電極的布置圖案的平面
圖6 ( a )至6 ( c )示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的障壁結(jié)構(gòu)的橫截面圖； 圖7示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的PDP的電極的布置圖案的平面
圖8示出才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動PDP的時間劃分方法的時序圖， 其中幀被分成多個子場；
圖9示出輝度與水平障壁高度和垂直障壁高度之間的關(guān)系的曲線；
圖10示出水平障壁高度和垂直障壁高度間的差與氣體污染之間的關(guān) 系的曲線；以及
圖ll示出施加到輔助電極的電壓和串?dāng)_之間的關(guān)系的曲線。
具體實(shí)施例方式
此后將參考圖示本發(fā)明示例性實(shí)施例的附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明。
圖l是等離子體顯示板(PDP)的透視圖。參見圖1， PDP包括上 miO;多個維持電極對，其形成在上基仗10上且每個都包括掃描電極 11和維持電極12;下基板20;以及形成在下基板20上的多個尋址電極 22。
維持電極對中的每個包括透明電極lla和12a以及總線電極lib和 12b。透明電極lla和12a可以由銦錫氧化物(ITO)形成?？偩€電極llb 和12b可以由諸如銀(Ag)或鉻(Cr)的金屬形成，或者可以包括鉻/銅/鉻(Cr/Cu/Cr)的堆疊或鉻/鋁/鉻(Cr/Al/Cr)的堆疊。總線電極lib和12b 分別形成在透明電極lla和12a上并減少了由具有高電阻的透明電極lla 和12a所引起的電壓降。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，維持電極對中的每個可以只包括總線電極lib 和12b。在這種情況下，可以通過不使用透明電極lla和12a來減少PDP 的制造成本?？偩€電極lib和12b可以由除了這里所說明的材料以外的其 它各種材料來制成，例如光敏材料。
上電介質(zhì)層13和保護(hù)層14沉積在掃描電極11和維持電極12形成在 其上的上基fel 10上。由于放電而生成的帶電粒子聚集在上電介質(zhì)層13 中。上電介質(zhì)層13可以保護(hù)維持電極對。保護(hù)層14保護(hù)上電介質(zhì)層13 免受帶電粒子的濺射并提高二次電子的放電。
尋址電極22被形成并與掃描電極11和維持電極12相交。下電介質(zhì) 層24和障壁21形成在尋址電極22形成在其上的下14120上。熒光體層 23形成在下電^h質(zhì)層24和障壁21上。
通it4氣體放電時生成的UV射線來齓t熒光體層23。結(jié)果，熒光 體層23生成R、 G和B射線中的一個。在上基仗10和下Ul20以及障 壁21之間提供放電空間。向放電空間注入惰性氣體的混合物，例如氦(He) 和氙(Xe)的混合物、氖(Ne)和Xe的混合物、或者He、 Ne和Xe的 混合物。
障壁21包括與尋址電極22平行地形成的垂直障壁21a和與尋址電極 22相交的水平障壁21b。障壁21限定多個放電單元并防止由于氣體放電 在一個放電單元中生成的可見射線和紫外(UV)線i^其它放電單元。
在這個實(shí)施例中，紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)放電單元設(shè)置 成直線。然而，本發(fā)明不限于此。例如，R、 G和B放電單元可以設(shè)置成 三角或三角形?？商孢x地，R、 G和B放電單元可以:沒置成諸如矩形、五 邊形或六邊形的多邊形。
圖1所示的PDP具有差別障壁結(jié)構(gòu)，其中垂直障壁21a的高度與水 平障壁21b的高度不同。更具體而言，水平障壁21b的高度低于垂直障壁 21a的高度。由此，根據(jù)圖1的實(shí)施例，可以提高PDP的輝度和亮度并 可以在PDP制造期間有效地排出空氣。
水平障壁21b的高度可以比垂直障壁21a的高度低5-32jmi。在這種 情況下，如果有任何熒光體材料粘附到障壁上，粘附到障壁上的熒光體材料可以被容易地去除并可以防止減少PDP的輝度和亮度。為了促進(jìn)排出 空氣,在垂直障壁21a的高度和水平障壁21b的高度之間的差必須為5pm 或者更多。為了防止PDP輝度的減少，在垂直障壁21a的高度和水平障 壁21b的高度之間的差必須小于32nm。
圖9示出輝度與水平障壁21b的高度和垂直障壁21a的高度之間的關(guān) 系的曲線，且圖10示出7jC平障壁21b的高度和垂直障壁21a的高度之間 的差與氣體污染之間的關(guān)系的曲線。
參見圖9，垂直軸表示輝度且水平軸表示水平障壁21b的高度和垂直 障壁21a的高度之間的差。隨著水平障壁21b的高度和垂直障壁21a的高 度之間的差在5-32fim的范圍內(nèi)增加，輝度線性地降低。然而， 一旦水平 障壁21b的高度和垂直障壁21a的高度之間的差超過約32pm，基于以下 理由輝度顯著下降水平障壁21b的高度越低，放電單元的表面積越小； 放電單元的表面積越小，熒光體層的表面積越??；且熒光體層的表面積的 減少可以導(dǎo)致PDP輝度的減少。
水平障壁21b的高度和垂直障壁21a的高度之間的差越大,越容易排 出氣體。參見圖10,垂直軸表示氧氣和氮?dú)獾氖Ｓ嗔?，這是氣體污染程 度的指示，水平軸表示水平障壁21b的高度和垂直障壁21a的高度之間的 差。 一旦水平障壁21b的高度和垂直障壁21a的高度之間的差超過約5pm， 氧氣和氮?dú)獾氖Ｓ嗔匡@著地減少。參見圖9和10, 7jC平障壁21b的高度 和垂直障壁21a的高度之間的差可以被確定為在5-32pm的范圍內(nèi)，由此 保持適當(dāng)?shù)妮x度并有助于排氣。
參見圖1,多個輔助電極30與維持電fet平行地形成并與水平障壁 21b重疊。輔助電極30包括導(dǎo)體材料并被形成為條。輔助電極30的厚度 基本與維持電極對的厚度相同，由此有助于PDP的制造并提高PDP的成 品率。
輔助電極30可以是從電源斷開的浮置電極。浮置電極阻隔電場并因 此可以防止串?dāng)_。換句話說，通過防止在一對相鄰放電單元之間的掃描電 極和維持電極的電勢出現(xiàn)明顯的彼此不同，浮置電極可以防止不必要的誤 放電的出現(xiàn)。輔助電極30可以從電源斷開并接地。在這種情況下，輔助 電極30可以保持接地電壓并因此可以較少地受到施加到屬于不同放電單 元的掃描電極和維持電極的電壓的影響。也可以通過向輔助電極30施加 預(yù)定電壓來獲得這種效果。圖11示出施加到輔助電極30的電壓和串?dāng)_之 間的關(guān)系的曲線。參見圖ll，水平軸表示施加到輔助電極30的電壓，且垂直軸表示串?dāng)_。在輔助電極30的電勢超過30V之前，只有少量的串?dāng)_ 產(chǎn)生。然而， 一旦輔助電極30的電勢超過30V，串?dāng)_量顯著增加，這部 分地是因?yàn)檩o助電極30的電勢變得與掃描電極11的電勢或維持電極12 的電勢十分不同。因此，可以將-30V至30V的電壓施加到輔助電極30。
在這個實(shí)施例中，輔助電極30與相應(yīng)維持電極對隔開。如果輔助電 極30沒有與相應(yīng)維持電極對隔開，掃描電極11和各個維持電極12之間 的電阻可以變?yōu)榱?。由此可能出現(xiàn)短路且驅(qū)動電糾艮本不工作。輔助電極 30的寬度可以大于掃描電極11或維持電極12的寬度。在這種情況下， 可以減少串?dāng)_出現(xiàn)的可能性。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的PDP的透視圖。參見圖2， PDP 可以包括黑矩陣15。通過吸收外部的光并減少從上基敗10反射的光的量， 黑矩陣15執(zhí)行光屏蔽功能。黑矩陣15提高PDP的對比度。
黑矩陣15包括第一黑矩陣15a，設(shè)置在透明電極lla和相應(yīng)總線 電極lib之間；第一黑矩陣15b，設(shè)置在透明電極12a和相應(yīng)總線電極12b 之間；以及第二黑矩陣15c，設(shè)置在第一黑矩陣15a和15b以及輔助電極 30上。
第二黑矩陣15c可以被稱作黑層或黑電極層。第一黑矩陣15a和15b 以及第二黑矩陣15c可以同時形成，且由此可以物理^目互連接。可替選 地，第一黑矩陣15a和15b以及第二黑矩陣15c也可以不同時形成，且由 此沒有物理地相互連接。
如果第一黑矩陣15a和15b以及第二黑矩陣15c物理地相互連接，第 一黑矩陣15a和15b以及第二黑矩陣15c可以由相同材料形成。然而，如 果第一黑矩陣15a和15b以及第二黑矩陣15物理上彼此分離，第一黑矩 陣15a和15b以及第二黑矩陣15c可以由不同材料形成。第二黑矩陣15c 可以是可選的。
輔助電極30可以由與透明電極lla和12a相同的材料形成，即由ITO 形成?？商孢x地，輔助電極30可以由與總線電極llb和12b相同的材料 形成，即可以由金屬形成。以這種方式，可以在不需要附加材料或處理的 情況下有助于輔助電極30的制造。
如果輔助電極30由暗金屬形成，可以提高PDP的對比度。在這種情 況下，可以利用輔助電極30來代替第一黑矩陣15a和15b以及第二黑矩 陣15c。即，輔助電極30可以比熒光體更暗且由此能夠吸收外部的光并減少眩光。如果利用輔助電極30來代替第一黑矩陣15a和15b以及第二 黑矩陣15c且輔助電極30可以比熒光體層23更暗，可以只形成第一黑矩 陣15a和15b而沒有形成第二黑矩陣15c。
輔助電極30可以與維持電極對一起形成，由此有助于PDP的制造并 提高PDP的成品率。
圖3A和3B示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的障壁121和維持電M (111和112)的布置圖案的平面圖。參考圖3A和3B，輔助電極130的 寬度可以略大于或略小于水平障壁121b的上部寬度。圖3A示出當(dāng)輔助 電極130的寬度略大于水平障壁121b的上部寬度時的情況，且圖3B示 出當(dāng)輔助電極130的寬度略小于水平障壁121b的上部寬度時的情況。
圖3C示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的水平障壁121b和輔助電極130的橫 截面圖，且圖3D示出水平障壁130的上部寬度dl與輔助電極130的寬 度d2的比率和輝度之間的關(guān)系以及水平障壁的上部寬度與輔助電極的寬 度的比率和串?dāng)_之間的關(guān)系的曲線。參見圖3D， 一旦上部寬度dl和寬度 d2的比率超過約0.7，串?dāng)_的量顯著減少。當(dāng)上部寬度dl和寬度d2的比 率超過約1.3，輝度水平顯著降低。因此，上部寬度dl和寬度d2的比率 可以在0.7-1.3。更具體而言，假定輝度水平直到上部寬度dl和寬度d2 的比率超過l.l才有很大降低并且只要上部寬度dl和寬度d2的比率為0.9 或更大串?dāng)_出現(xiàn)幾率就可以保持非常低，上部寬度dl和寬度d2的比率可 以被確定為0.9-1.1。
圖4A和4B示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的電極的布置圖案的平 面圖。參見圖4A和4B，多個輔助電極230插入在各個對應(yīng)的維持電極 對之間，每個包括掃描電極210和維持電極220。由此，輔助電極230不 僅和相應(yīng)掃描電極210相鄰還和相應(yīng)維持電極220相鄰。在這種情況下， 與輔助電極230只和相應(yīng)掃描電極210相鄰或者只和相應(yīng)維持電極220相 鄰的情況相比，可以使維持放電穩(wěn)定并減少PDP的功率消耗。然而，由 于電壓交替地施加到掃描電極210和維持電極220，在掃描電極210的電 勢和相應(yīng)維持電極220的電勢之間的差增加，由此串?dāng)_出現(xiàn)的幾率增加。
根據(jù)圖4A和4B的實(shí)施例，輔助電極230可以與各個對應(yīng)的水平障 壁221b重疊，由此防止串?dāng)_的出現(xiàn)。
圖5示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的輔助電極330的布置圖案的平 面圖。參見圖5，輔助電極330在水平障壁321b和多個垂直障壁321a之
10間的相交處不連續(xù)。在這種情況下，可以減少PDP的制造成本。
圖6 (a)至6 (c)示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的障壁結(jié)構(gòu)的橫截面圖。 參見圖6 (a)至6 (c)，水平障壁420、 430和440的高度低于垂直障壁 410的高度，且因此水平障壁420、 430和440可以用作通風(fēng)的通路。參 見圖6(a)，水平障壁420具有平坦頂表面。參見圖6(b)，水平障壁430 具有凹的頂表面。參見圖(c)，水平障壁440具有凸的頂表面。當(dāng)水平障 壁具有凹的頂表面時，可以比當(dāng)水平障壁具有凸的頂表面時進(jìn)一步地減少 串?dāng)_量。
圖7示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的PDP的電極的布置圖案的平面 圖。參見圖7，多個放電單元被設(shè)置成矩陣。放電單元分別設(shè)置在多個尋 址電極XI至Xn與多個掃描電極線Yl至Ym或多個維持電極線Zl至 Xm之間的相交處。掃描電極線Yl至Ym可以被順序地或同時地驅(qū)動。 尋址電極線XI至Xn可以被分成兩組，即包括奇數(shù)編號的尋址電極線的 一組和包括偶數(shù)編號的尋址電極線的另一組，尋址電極線XI至Xn可以 以成組的單位被驅(qū)動。
圖7所示的電極布置圖案是示例性的。由此，本發(fā)明不限于這里所描 述的電極線的布置圖案和驅(qū)動電極線的方法。例如，本發(fā)明可以應(yīng)用于雙 掃描方法，通過該方法可以一次掃描掃描電極線Yl至Ym中兩個。同樣， 尋址電極線XI至Xn可以分成兩組，即包括尋址電極線XI至Xn中一半 的一組以及包括尋址電極線XI至Xn中另一半的另一組，尋址電極線XI 至Xn可以以成組的單位被驅(qū)動。
圖8示出才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動PDP的時間劃分方法的時序圖， 其中幀被分成多個子場。參見圖8，單位幀被分成預(yù)定數(shù)目的子場，例如 八個子場SF1至SF8，以便以時間劃分方式表示A^級值。子場SF1至 SF8中的每個包括重置時段(沒有示出)、尋址時段(A1、 A2、 A3、 A4、 A5、 A6、 A7或A8)和維持時段(Sl、 S2、 S3、 S4、 S5、 S6、 S7或S8)。
子場SF1至SF8中的至少一個可以不包括重置時段。例如，只有在 單位幀中部的子場或第一子場SF1包括重置時段。
在尋址時段A1、 A2、 A3、 A4、 A5、 A6、 A7或A8期間，尋址信號 被施加到尋址電極，且分別對應(yīng)于多個掃描電極的多個掃描信號被順序施 加。在維持時段S1、 S2、 S3、 S4、 S5、 S6、 S7或S8期間，維持信號被 交替地施加到掃描電極和維持電極，使得包括在尋址時段A1、 A2、 A3、
iiA4、 A5、 A6、 A7或A8期間生成的壁電荷的多個放電單元可以引起維持 放電。
PDP的輝度與在維持時段S1、 S2、 S3、 S4、 S5、 S6、 S7或S8期間 生成的維持放電脈沖的數(shù)目成比例。如果通過八個子場和256個AJL級值 來表示用于形成圖像的幀，可以分別向幀的第一、第二、第三、第四、第 五、第六、第七和第八子場分別施加1個維持信號、2個維持信號、4個 維持信號、8個維持信號、16個維持信號、32個維持信號、64個維持信 號和128個維持信號。為了獲得133的^JL級值，可以在幀的第一子場、 第三子場和第八子場期間對放電單元尋址，使得放電單元可以引起維持放 電。
分配給幀的多個子場中的每個子場的維持放電的數(shù)目可以根據(jù)在自 動功率控制(APC)操作期間分別分配給多個子場的權(quán)重而變化。即，幀 在圖8中被示出為被分成八個子場，但是本發(fā)明不限于此。幀的子場數(shù)目 可以根據(jù)設(shè)計恥格而變化。例如，幀可以被分成多于八個的子場，例如十 二個或十六個子場。同樣，分配給幀的多個子場中的每個子場的維持放電 的數(shù)目可以才艮據(jù)PDP的伽瑪特性和其它物理特性而變化。例如，可以向 幀的第四子場分配6的支變級來代替8的^JL級，以及向幀的第六子場分 配34的M級值來代替32的AJL級值。
在以上述方式驅(qū)動PDP的情況下，在多個幀中的每個幀期間要求發(fā) 生多次維持放電，以便連續(xù)地顯示靜態(tài)圖像或以相同^JL級顯示多于一個 的圖像。由此，為了顯示即使是相同的圖像或即4^1相同的支變級，熒光 體仍必須連續(xù)地接通且由此熒光體退化。因此，可能出現(xiàn)諸如灰度級波動、 殘像(afterimage)或輝度減少的各種問題。在這個實(shí)施例中，為了解決 這些問題，可以釆用圖像粘附最小化(ISM)模式，在ISM模式中針對 相同圖像反復(fù)顯示的情況減少了維持脈沖的數(shù)目。
工業(yè)應(yīng)用性
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，使用比垂直障壁低的水平障壁可以提高PDP 的輝度和亮度。另夕卜，可以防止串?dāng)_的出現(xiàn)且由此通過形成浮置電極以便 與各個對應(yīng)的水平障壁重疊來防止無效功率的出現(xiàn)。
而且，通過形成暗金屬的浮置電極可以提高PDP的對比度。此外， 通過形成諸如ITO的透明導(dǎo)體材料的浮置電極，可以有助于PDP的制造。
盡管參照示例實(shí)施例具體圖示和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到在不離開由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)可以進(jìn) 行各種形式和細(xì)節(jié)的改型。
權(quán)利要求
1. 一種等離子體顯示設(shè)備，包括等離子體顯示板(PDP)；彼此面對的上基板和下基板；設(shè)置在所述上基板上的多個掃描電極和多個維持電極；多個第一障壁，設(shè)置在所述下基板上并與所述維持電極和所述掃描電極平行；多個第二障壁，設(shè)置在所述下基板上，與所述第一障壁相交并比所述第一障壁高；以及多個輔助電極，設(shè)置在所述上基板上并與所述第一障壁重疊。
2. 如權(quán)利要求l的等離子體顯示詔:備，其中所述輔助電極與相應(yīng)掃 描電極隔開并與相應(yīng)維持電極隔開。
3. 如權(quán)利要求2的等離子體顯示設(shè)備，其中所述輔助電極的寬度大 于所述輔助電極與相應(yīng)掃描電極之間的距離和所述輔助電極與相應(yīng)維持 電極之間的距離中的至少 一個距離。
4. 如權(quán)利要求l的等離子體顯示設(shè)備，其中所述輔助電極包括從電 源斷開的浮置電極。
5. 如權(quán)利要求l的等離子體顯示設(shè)備，其中所述輔助電極接地。
6. 如權(quán)利要求1的等離子體顯示i殳備，其中預(yù)定電壓被施加到所述 輔助電極。
7. 如權(quán)利要求l的等離子體顯示設(shè)備，其中所述輔助電極包括銦錫 氧化物(ITO )。
8. 如權(quán)利要求l的等離子體顯示設(shè)備，其中所述輔助電極比熒光體 暗，所述熒光體在接收到放電期間生成的紫外線時發(fā)光。
9. 如權(quán)利要求l的等離子體顯示設(shè)備，其中所述輔助電極包括黑矩陣。
10. 如權(quán)利要求l的等離子體顯示設(shè)備，其中所述輔助電極與相應(yīng)掃 描電極相鄰并與相應(yīng)維持電極相鄰。
11. 如權(quán)利要求l的等離子體顯示設(shè)備，其中所述輔助電極是不連續(xù)的。
12. 如權(quán)利要求11的等離子體顯示設(shè)備，其中所述輔助電極在所述 第一障壁和所述第二障壁的相交處不連續(xù)。
13. 如權(quán)利要求l的等離子體顯示設(shè)備，其中所述輔助電極的寬度是 所述笫一障壁的上部寬度的0.7-1.3倍。
14. 如權(quán)利要求l的等離子體顯示設(shè)備，其中所述輔助電極的寬度是 所述第一障壁的上部寬度的0.9-1.1倍。
15. 如權(quán)利要求l的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第一障壁中的一些 具有凹的頂表面。
16. 如權(quán)利要求l的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第一障壁比所述第 二障壁低5-32^im。
17. 如權(quán)利要求l的等離子體顯示設(shè)備，其中所述輔助電極的厚度與 所述掃描電極的厚度和所述維持電極的厚度中的至少一個基本相同。
全文摘要
提供一種等離子體顯示設(shè)備。該等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯示板(PDP)；彼此面對的上基板和下基板；設(shè)置在上基板上的多個掃描電極和多個維持電極；多個第一障壁，設(shè)置在下基板上并與維持電極和掃描電極平行；多個第二障壁，設(shè)置在下基板上，與第一障壁相交并比第一障壁高；以及多個輔助電極，設(shè)置在上基板上并與第一障壁重疊。因而，通過將水平障壁形成為比垂直障壁低，可以提高PDP的輝度和亮度。另外，通過以在一對維持電極之間插入的障壁來防止在一對維持電極之間出現(xiàn)串?dāng)_，可以減少PDP無效功率的量。
文檔編號H01J17/49GK101501810SQ200780030166
公開日2009年8月5日 申請日期2007年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月24日
發(fā)明者安成容 申請人:Lg電子株式會社