專利名稱：等離子顯示面板的制造方法以及用于此制造方法的基板的支撐臺的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示面板的制造方法以及用于等離子顯示面板的制 造的基板的支撐臺。
背景技術(shù)：
等離子顯示面板(以下稱作PDP)具有將相向配置著的前面板與背面 板各自的周邊部通過密封部件而密封的構(gòu)造。在前面板與背面板之間所形 成的放電空間內(nèi)，封入氖氣或氙氣等放電氣體。前面板具備多個顯示電極 對、覆蓋所述顯示電極對的電介質(zhì)層和保護層，所述顯示電極對是由形成 于玻璃基板一面上的條狀掃描電極和維持電極所構(gòu)成。顯示電極對中的所 述電極分別由透明電極和輔助電極構(gòu)成，所述輔助電極形成在所述透明電 極上且由金屬材料構(gòu)成。背面板具有玻璃基板、尋址電極、電介質(zhì)基層、 障壁和熒光體層。在玻璃基板的一面上，設(shè)置著多個尋址電極、覆蓋所述 尋址電極的電介質(zhì)基層、障壁和三種熒光體層。尋址電極呈條狀形成在與 顯示電極對正交的方向上。障壁設(shè)置為對應(yīng)每一尋址電極來劃分放電空 間。熒光體層依次涂布在障壁之間相鄰的各凹槽內(nèi)，可分別發(fā)出紅色、綠 色、藍色的光。
顯示電極對與尋址電極正交，其交叉部分成為放電單元。所述放電單 元呈矩陣狀排列，在顯示電極對的方向上排列的具有紅色、綠色、藍色熒 光體層的3個放電單元形成為用來進行彩色顯示的像素。在PDP中，對掃 描電極與尋址電極之間和掃描電極與維持電極之間施加電壓，以產(chǎn)生氣體 放電。接著，利用由所述氣體放電所產(chǎn)生的紫外線來激發(fā)熒光體層發(fā)光。 這樣，PDP來進行彩色圖像顯示。
在前面玻璃基板上形成有顯示電極對、電介質(zhì)層等面板構(gòu)造部件。在 背面玻璃基板上形成有尋址電極、電介質(zhì)基層、障壁、熒光體層等面板構(gòu) 造部件。
以下對所述前面板、背面板的制造方法進行說明。首先，在玻璃基板上涂布所述面板構(gòu)造部件的前驅(qū)體，之后根據(jù)需要利用光刻法或噴砂法等 來進行圖案化。在此，所謂面板構(gòu)造部件前驅(qū)體，是指一經(jīng)焙燒固化即可 成為面板構(gòu)造部件的材料，是由陶瓷、玻璃等無機材料和樹脂等有機材料 所構(gòu)成。形成有面板構(gòu)造部件前驅(qū)體的玻璃基板載置在支撐臺上，與支撐 臺一起移到焙燒爐中。以此，面板構(gòu)造部件前驅(qū)體被焙燒固化，從而在玻 璃基板上形成面板構(gòu)造部件。通過反復(fù)進行這樣的面板構(gòu)造部件前驅(qū)體的 圖案化和焙燒固化，來依次形成多個面板構(gòu)造部件，以制造前面板和背面 板。另外，焙燒爐內(nèi)的溫度根據(jù)面板構(gòu)造部件的不同而不同，多數(shù)情況下
是設(shè)定為50(TC 60(TC這樣的高溫。因此，通常是使用低膨脹率結(jié)晶化玻 璃來作為支撐臺，而使用高應(yīng)變點玻璃來作為玻璃基板(例如，參看專利 文獻l)。
但是，這樣的將低膨脹率結(jié)晶化玻璃作為材料的支撐臺，會因反復(fù)經(jīng) 過焙燒固化步驟，而導(dǎo)致成核劑的結(jié)晶逐漸析出成核。例如，在Li20-Al203-Si02系的低膨脹率結(jié)晶化玻璃中，Al2Ti207、 Zr02等會析出成核。結(jié) 晶析出成核的部分的密度大于其他部分的密度。由于該密度差，支撐臺會 產(chǎn)生細微變形。因此，在焙燒固化步驟中，玻璃基板有時會與產(chǎn)生了細微 變形的支撐臺摩擦而劃傷。
因此，當(dāng)焙燒固化步驟超過一定次數(shù)時，必須更換支撐臺，從而導(dǎo)致 生產(chǎn)率降低。
專利文獻1:日本專利特開2003 — 346657號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是PDP的制造方法，是將形成有面板構(gòu)造部件前驅(qū)體的玻璃基 板載置到支撐臺上對其進行焙燒固化，其中，支撐臺是將氮化硅結(jié)合碳化 硅的材料作為主成分。并且支撐臺的線膨脹系數(shù)與玻璃基板的線膨脹系數(shù) 之差為5xlO,K以下。通過以這樣的方式來制造PDP，可以使得支撐臺在 焙燒固化步驟中不會引起細微變形。此外，由于支撐臺與玻璃基板的線膨 脹系數(shù)之差較小，所以支撐臺與玻璃基板也不會摩擦，因而不會劃傷。因 此，可以提供高質(zhì)量的PDP。而且，由于支撐臺的更換頻率減少，所以生 產(chǎn)率得到提高。


圖1是表示利用本發(fā)明實施方式的制造方法所制作的PDP的構(gòu)造的立 體圖。
圖2是表示構(gòu)成本發(fā)明實施方式的支撐臺的復(fù)合硅材料中的碳化硅與 氮化硅的結(jié)合狀態(tài)的示意圖。
圖3A是從正面觀察本實施方式中所使用的焙燒固化裝置的概略說明圖。
圖3B是表示圖3A中焙燒固化前的狀態(tài)的概略說明圖。 圖3C是表示圖3A中焙燒固化后的狀態(tài)的概略說明圖。 圖4是表示構(gòu)成本發(fā)明實施方式的支撐臺的復(fù)合硅材料中的碳化硅的 含量與熱膨脹系數(shù)及熱導(dǎo)率之間的關(guān)系的特性圖。 附圖標(biāo)記的說明
1PDP
2前面板
3前面玻璃基板
4掃描電極
4A、 5 A透明電極
4B、 5B金屬匯流電極
維持電極
6顯示電極
7遮光層
8電介質(zhì)層
9保護層
10背面板
11背面玻璃基板
12尋址電極
13電介質(zhì)基層
14障壁
15熒光體層
16放電空間
17碳化硅18氮化硅
19復(fù)合硅材料
20支撐臺
21基板
22面板構(gòu)造部件前驅(qū)體
23面板構(gòu)造部件
40焙燒固化裝置
41旋轉(zhuǎn)輥
42面板移入臺
43焙燒固化爐
44面板移出臺
具體實施例方式
圖1是表示利用本發(fā)明實施方式的制造方法所制作的PDP的構(gòu)造的立 體圖。PDP1的基本構(gòu)造與普通的交流面放電型PDP相同，是將包含前面 玻璃基板3的前面板2與包含背面玻璃基板11的背面板10相向配置，并 利用由玻璃粉等構(gòu)成的密封部件(未圖示)，將所述前面板2和背面板10 的外周部彼此氣密密封。在密封著的PDP1內(nèi)部的放電空間16內(nèi)，密封有 壓力為400Torr 600Torr的氖氣、氙氣等放電氣體。
在前面玻璃基板3的一面上，相互平行地配置著多列由掃描電極4和 維持電極5構(gòu)成的條狀的顯示電極6和遮光層(黑條)7。以覆蓋顯示電 極6和遮光層7的方式形成有電介質(zhì)層8。掃描電極4是由透明電極4A、 金屬匯流電極4B所構(gòu)成。維持電極5是由透明電極5A、金屬匯流電極 5B所構(gòu)成。電介質(zhì)層8是由硼酸鉛系玻璃等構(gòu)成，且發(fā)揮著電容器的作 用。在電介質(zhì)層8的表面形成有由氧化鎂(MgO)等構(gòu)成的保護層9。
在背面玻璃基板11的一面上，在與掃描電極4正交的方向上，配置著 條狀的尋址電極12。尋址電極12由電介質(zhì)基層13覆蓋著。在尋址電極 12的間隙部分的電介質(zhì)基層13上，形成有用來劃分放電空間16的障壁 14。在障壁14之間的凹槽中，依次涂布著由于紫外線而分別發(fā)出紅色、 綠色和藍色的光的熒光體層15。在尋址電極12與一對掃描電極4和維持 電極5相交叉的位置形成了放電單元。其次，對PDP1的制造方法進行說明。前面板2是通過以下方式而形
成的。首先，在前面玻璃基板3的一面上形成掃描電極4、維持電極5和 遮光層7。掃描電極4和維持電極5是由透明電極4A、 5A和金屬匯流電 極4B、 5B所構(gòu)成，所述透明電極4A、 5A是由氧化銦錫(ITO)或氧化錫 (Sn02)等構(gòu)成，所述金屬匯流電極4B、 5B是由銀等構(gòu)成。金屬匯流電 極4B、 5B是通過在高溫下對圖案化形成在透明電極4A、 5A上的金屬匯 流電極前驅(qū)體進行焙燒固化而形成的。此時，在玻璃基板的前面形成包含 銀等的膏劑之后，通過使用光刻法的方法或者絲網(wǎng)印刷法等，使金屬匯流 電極前驅(qū)體圖案化。而且，遮光層7也同樣是通過對利用絲網(wǎng)印刷法或光 刻法使包含黑色顏料的膏劑圖案化形成的遮光層前驅(qū)體進行焙燒固化而形 成的。
接著，以覆蓋掃描電極4、維持電極5、遮光層7的方式，利用狹縫 涂布法(die coating)等涂布電介質(zhì)膏劑，形成電介質(zhì)前驅(qū)體。隨后，將 前面玻璃基板3靜置，使得電介質(zhì)前驅(qū)體的表面均化。在靜置后對電介質(zhì) 前驅(qū)體進行焙燒固化，形成覆蓋掃描電極4、維持電極5和遮光層7的電 介質(zhì)層8。另外，電介質(zhì)膏劑是包含玻璃粉末等電介質(zhì)材料、粘合劑和溶 劑的涂料。接著，利用真空蒸鍍法，在電介質(zhì)層S上形成由MgO構(gòu)成的 保護層9。通過以上步驟，在前面玻璃基板3上形成規(guī)定的前面板構(gòu)造部 件(掃描電極4、維持電極5、遮光層7、電介質(zhì)層8、保護層9)，從而完 成前面板2。
另一方面，通過下述方式形成背面板10。在背面玻璃基板11的一面 上，利用將銀膏進行絲網(wǎng)印刷的方法、或者在背面玻璃基板11的整個面 上形成金屬膜之后使用光刻法而圖案化的方法等，形成尋址電極前驅(qū)體。 隨后，通過焙燒固化而形成尋址電極12。接著，利用狹縫涂布法等，以覆 蓋尋址電極12的方式涂布基礎(chǔ)電介質(zhì)膏劑，形成基礎(chǔ)電介質(zhì)前驅(qū)體。隨 后，通過對基礎(chǔ)電介質(zhì)前驅(qū)體進行焙燒固化，形成基礎(chǔ)電介質(zhì)13。另外， 基礎(chǔ)電介質(zhì)膏劑是包含玻璃粉末等基礎(chǔ)電介質(zhì)材料、粘合劑和溶劑的涂圖案化的方法，有光刻法或噴砂法等。
接著，在相鄰的障壁14之間的基礎(chǔ)電介質(zhì)13上和障壁14側(cè)面，涂布 包含熒光體材料的熒光體膏劑，形成熒光體前驅(qū)體。接著，對所述熒光體
前驅(qū)體進行焙燒固化而形成熒光體層15。通過以上步驟，完成在背面玻璃 基板11上具有規(guī)定的背面板構(gòu)造部件(尋址電極12、基礎(chǔ)電介質(zhì)13、障 壁14、熒光體層15)的背面板IO。
以使掃描電極4與尋址電極12正交的方式，將按上述方式制作的前 面板2與背面板10對向配置，并利用玻璃粉(未圖示)將其周圍密封。 并且，在前面板2與背面板IO所夾著的放電空間16內(nèi)封入包含氖氣、氙 氣等的放電氣體。這樣，完成PDP1。
如上所述，在制造PDP1時，針對每一面板構(gòu)造部件，在前面板2的 制造中至少需要兩次焙燒固化步驟，在背面板10的制造中至少需要四次 焙燒固化步驟。另外，多數(shù)情況下，所述焙燒固化是在50(TC 60(TC的溫 度下進行的。
其次，對焙燒固化步驟中所使用的PDP用基板(以下稱作基板)的支 撐臺進行說明。支撐臺包括第l支撐臺和第2支撐臺，所述第l支撐臺是 用來載置前面玻璃基板3以進行焙燒固化的，所述第2支撐臺是用來載置 背面玻璃基板11以進行焙燒固化的。兩者均是使用同樣的制造方法而制 造的，并且均用同樣的使用方式進行使用，而僅僅具有因為進行焙燒固化 的玻璃的尺寸不同而造成的大小不同。以下說明的支撐臺20和基板21是 指，第l支撐臺與前面玻璃基板3，或者第2支撐臺與背面玻璃基板ll的 組合。
支撐臺20是以具有碳化硅(SiC)構(gòu)造和氮化硅(Si3N4)構(gòu)造的復(fù)合 硅材料19作為主成分，并通過以下方式來制造。首先，使70重量％的 0.05 300 的碳化硅粉末和30重量％的0.05 /mi 30 /mi的硅粉末分散 到水中，進行混合而制成漿液狀。接著，向面積大于前面玻璃基板3或背 面玻璃基板11的平板形狀成形模具內(nèi)注入漿液，并使其干燥。在氮氣氛 中，在IOO(TC以上的溫度，優(yōu)選的是在140(TC的溫度下，對已干燥的成 形體焙燒10 20小時。通過所述焙燒，硅粉末與氮氣氛中的氮氣結(jié)合而 變成氮化硅，從而生成圖2所示的復(fù)合硅材料19。另外，通過改變碳化氫粉末與硅粉末的調(diào)配比例，也可以制造出由具有不同含量的碳化硅17的
復(fù)合硅材料19構(gòu)成的支撐臺20。
圖2是表示復(fù)合硅材料19中的碳化硅17與氮化硅18的結(jié)合狀態(tài)的示 意圖。氮化硅18進入到碳化硅17之間進行結(jié)合。g卩，復(fù)合硅材料19具有 以通過氮化硅18而使碳化硅17彼此結(jié)合的構(gòu)造。
以上述方式制造出的支撐臺20的熱膨脹系數(shù)為4.5xl(T6/K，熱導(dǎo)率為 30 W/nvK，楊氏模量為150 GPa，彎曲強度為100 MPa。
圖3A是從正面觀察本實施方式中所使用的焙燒固化裝置的概略說明 圖。圖3B是表示圖3A中使用了支撐臺的面板部件前驅(qū)體的焙燒固化步驟 中的焙燒固化前的狀態(tài)的概略說明圖，圖3C是表示焙燒固化后的狀態(tài)的 概略說明圖。
如圖3A所示，焙燒固化裝置40具有面板移入臺42、焙燒固化爐 43、面板移出臺44和旋轉(zhuǎn)輥41。旋轉(zhuǎn)輥41將面板移入臺42上的支撐臺 20移入到焙燒固化爐43內(nèi)，再移出到面板移出臺44。焙燒固化爐43利用 加熱器等，對由旋轉(zhuǎn)輥41所移入的支撐臺20進行加熱。
在圖3B中，基板21表示前面玻璃基板3或者背面玻璃基板11。當(dāng)基 板21為前面玻璃基板3時，面板構(gòu)造部件前驅(qū)體22指焙燒固化前的金 屬匯流電極4B或5B、遮光層7、電介質(zhì)層8、保護層9中的任一個的前 面板構(gòu)造部件前驅(qū)體。而當(dāng)基板21為背面玻璃基板11時，面板構(gòu)造部件 前驅(qū)體22指焙燒固化前的尋址電極12、電介質(zhì)基層13、障壁14、熒光 體層15中的任一個的背面板構(gòu)造部件前驅(qū)體。如圖3B所示，將形成有面 板構(gòu)造部件前驅(qū)體22的基板21載置到支撐臺20上。載置后，使旋轉(zhuǎn)輥 41運轉(zhuǎn)，將支撐臺20移入到焙燒固化爐43內(nèi)。
在圖3C中，當(dāng)基板21為前面玻璃基板3時，面板構(gòu)造部件23表示 金屬匯流電極4B或5B、遮光層7、電介質(zhì)層8、保護層9。而當(dāng)基板21 為背面玻璃基板11時，面板構(gòu)造部件23表示尋址電極12、電介質(zhì)基層 13、障壁14、熒光體層15中的任一個。如圖3C所示，形成于基板21上 的面板構(gòu)造部件前驅(qū)體22經(jīng)通過焙燒固化爐43而焙燒固化，成為面板構(gòu) 造部件23。
支撐臺20和基板21在焙燒固化爐43的前半段被加熱，而在后半段被冷卻，相應(yīng)于各自的熱膨脹系數(shù)而膨脹或收縮。由于基板21的熱膨脹系 數(shù)與支撐臺20的熱膨脹系數(shù)不同，所以會因加熱或冷卻而導(dǎo)致彼此的表
面相互摩擦。當(dāng)基板21或支撐臺20的表面存在微小的凹凸時， 一旦表面 相互摩擦，便會因此而導(dǎo)致基板21和支撐臺20的表面劃傷?；?1上的 劃痕會產(chǎn)生以下問題會引起基板21破裂，或者當(dāng)基板21為前面玻璃基 板3時會因為顯示面上的漫反射而阻礙發(fā)光等。
圖4是表示對構(gòu)成支撐臺20的復(fù)合硅材料19進行焙燒時的碳化硅粉 末的調(diào)配比例與熱膨脹系數(shù)及熱導(dǎo)率之間的關(guān)系的特性圖。首先，說明碳 化硅17的含有率與熱膨脹系數(shù)的關(guān)系。碳化硅17的含有率越大，復(fù)合硅 材料19的熱膨脹系數(shù)越低。如上所述，支撐臺20的熱膨脹系數(shù)與基板21 的熱膨脹系數(shù)即8.3x10—S/K之差越大，則越容易使基板21上劃傷。劃痕的 長度越短越理想，如果不足1 mm，則為不容易看到的程度，所以在實際 應(yīng)用上沒有問題。為了使劃痕不足1 mm，要使支撐臺20與基板21的熱 膨脹系數(shù)之差為5xlO力K以下。因此，根據(jù)圖4，當(dāng)碳化硅粉末的調(diào)配比 例為80重量％以下時，劃痕的長度為lmm以下，因而是優(yōu)選的。但是， 為了生成復(fù)合硅材料19，必須調(diào)配至少超過0重量％的碳化硅粉末。如果 不調(diào)配碳化硅粉末，則將無法確保作為支撐臺20所必需的足夠的強度。
由于所調(diào)配的硅粉末幾乎全部變成氮化硅，所以當(dāng)碳化硅粉末的調(diào)配 比例為80重量％時，碳化硅17在焙燒后的復(fù)合硅材料19中所占的含有率 為44.4重量％。
另外，在制造以復(fù)合硅材料19作為主成分的支撐臺20時，像前述那 樣，不使用低膨脹率結(jié)晶化玻璃之類的成核劑。因此，即便反復(fù)進行 60(TC左右的焙燒固化步驟，結(jié)晶也不會析出成核，因而載置基板21的支 撐臺20面上不容易發(fā)生細微變形。因此，即便在長期使用的過程中，也 能夠保持抑制基板21劃傷的效果。
當(dāng)使用前面玻璃基板3作為基板21來實施時，所述效果尤為顯著， 但是在將由復(fù)合硅材料19構(gòu)成的支撐臺20作為第2支撐臺，并使用背面 玻璃基板ll來實施時，也可以起到同樣的效果。即，通過使第2支撐臺與 背面玻璃基板11的熱膨脹系數(shù)之差為5x10—6/K以下，即碳化硅17的含有 率為44.4重量％以下，可以抑制背面玻璃基板11劃傷。如上所述，通過使碳化硅17的含有率為44.4重量％以下，可以提供 能夠制造其玻璃的劃痕少而不易破裂的等離子顯示器的支撐臺20。此外， 所述支撐臺20即便是反復(fù)利用，也能夠保持抑制劃傷的效果，因此可以 減少支撐臺20的更換頻率，提高生產(chǎn)率。
其次，利用圖4，說明碳化硅17的含有率與熱膨脹率的關(guān)系。碳化硅 17的含有率越小，復(fù)合硅材料19的熱導(dǎo)率就越低。當(dāng)支撐臺20的熱導(dǎo)率 較低時，在焙燒固化爐43的后半段對基板21和支撐臺20進行冷卻時，會 在基板21上產(chǎn)生溫度分布，由于高溫部分與低溫部分的溫度差，會導(dǎo)致 基板21上產(chǎn)生翹曲。所述翹曲可能導(dǎo)致基板21破裂。另一方面，當(dāng)使用 熱導(dǎo)率較高的支撐臺20來對基板21進行焙燒固化時，即便在支撐臺20的 內(nèi)部產(chǎn)生了溫度分布，也能夠在短時間內(nèi)使支撐臺20的面內(nèi)溫度達到一 致。因此，能夠使基板21的翹曲減小。具體而言，優(yōu)選的是，將翹曲控 制在基板21厚度的兩倍以下。
為此，將支撐臺20的熱導(dǎo)率設(shè)為20 W/mK以上即可。g卩，根據(jù)圖 4，碳化硅粉末的調(diào)配比例為64重量％以上即可。當(dāng)碳化硅粉末的調(diào)配比 例為64重量％時，碳化硅17在焙燒后的復(fù)合硅材料19中所占的含有率為 26.3重量％。另外， 一般認(rèn)為，之所以當(dāng)碳化硅17的含有率變小時熱導(dǎo)率 會變小，是因為燒結(jié)性會降低而導(dǎo)致復(fù)合硅材料19的致密性降低。
因此，通過將碳化硅17的含有率設(shè)為26.3重量％以上，能夠抑制在 焙燒固化步驟中的基板21的翹曲，從而可以提供能夠制造出高質(zhì)量的等 離子顯示器的支撐臺20。即，通過將碳化硅17的含有率設(shè)為26.3重量％ 以上44.4重量％以下，能夠抑制基板21劃傷，并且能夠抑制基板21的翹 曲。
當(dāng)使用前面玻璃基板3作為基板21來實施時，所述效果尤為顯著， 但是當(dāng)將支撐臺20作為第2支撐臺，并使用背面玻璃基板11作為基板21 來實施時，也可以起到同樣的效果。g卩，通過使第2支撐臺的熱導(dǎo)率為20 W/mK以上，即碳化硅17的含有率為26.3重量％以上，可以抑制玻璃的 翹曲。
另外，在焙燒固化歩驟中，支撐臺20也與基板21同時被加熱，因此 較理想的是支撐臺20的熱容量較小。構(gòu)成支撐臺20的復(fù)合硅材料19是多孔結(jié)構(gòu)的陶瓷材料。因此，其熱容量比常規(guī)的低膨脹率結(jié)晶化玻璃的熱容
量小20%左右。此外，熱導(dǎo)率也比常規(guī)高大約30倍，并且也能夠迅速地 對應(yīng)焙燒固化步驟時的溫度變化。因此，當(dāng)使用支撐臺20時，焙燒固化 步驟中的投入能量可比常規(guī)減少大約10%。
另外，在本實施方式中，使用了由碳化硅17和氮化硅18構(gòu)成的復(fù)合 硅材料19來形成支撐臺20。但是，只要與基板21的熱膨脹系數(shù)之差為 5xlO勺K以下，即便是使用其他材料也能夠使劃痕不足1 mm。而且，只要 熱導(dǎo)率為20 W/mK以上，即便是使用其他材料也能夠抑制基板21的翹 曲。
工業(yè)利用可能性
根據(jù)本發(fā)明，可以提供通過抑制支撐臺的更換次數(shù)來降低制造成本的 PDP的制造方法。
權(quán)利要求
1、一種等離子顯示面板的制造方法，其特征在于包括以下步驟將表面形成有前面板構(gòu)造部件前驅(qū)體的前面玻璃基板載置到第1支撐臺上，對所述前面板構(gòu)造部件前驅(qū)體進行焙燒固化，以制作前面板構(gòu)造部件的步驟；將表面形成有背面板構(gòu)造部件前驅(qū)體的背面玻璃基板載置到第2支撐臺上，對所述背面板構(gòu)造部件前驅(qū)體進行焙燒固化，以制作背面板構(gòu)造部件的步驟；使所述前面板構(gòu)造部件與所述背面板構(gòu)造部件相對，將所述前面玻璃基板的周邊部和所述背面玻璃基板的周邊部密封的步驟；以及在由所述前面玻璃基板與所述背面玻璃基板夾著的空間內(nèi)封入放電氣體的步驟，其中，所述第1支撐臺是以氮化硅結(jié)合碳化硅的復(fù)合硅材料作為主成分，并且所述第1支撐臺的線膨脹系數(shù)與所述前面玻璃基板的線膨脹系數(shù)之差為5×10-6/K以下。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在 于，所述第1支撐臺中的碳化硅含量大于0重量％且在44.4重量％以下。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的等離子顯示面板的制造方 法，其特征在于，所述第l支撐臺的熱導(dǎo)率為20W/mK以上。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在 于，所述第1支撐臺中的碳化硅含量為26.3重量％以上44.4重量％以下。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在 于，所述第2支撐臺是以氮化硅結(jié)合碳化硅的材料作為主成分，并且所述 第2支撐臺的線膨脹系數(shù)與所述背面玻璃基板的線膨脹系數(shù)之差為5x10— K以下。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在 于，所述第2支撐臺中的碳化硅含量大于0重量％且在44.4重量％以下。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5或權(quán)利要求6所述的等離子顯示面板的制造方 法，其特征在于，所述第2支撐臺的熱導(dǎo)率為20W/mK以上。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于，所述第2支撐臺中的碳化硅含量為26.3重量％以上44.4重量％以下。
9、 一種等離子顯示面板用基板的支撐臺，在對形成有面板構(gòu)造部件 前驅(qū)體的玻璃基板進行焙燒固化時，其用于載置所述玻璃基板，該等離子 顯示面板用基板的支撐臺的特征在于，所述支撐臺是以氮化硅結(jié)合碳化硅的材料作為主成分，并且線膨脹系 數(shù)與所述玻璃基板的線膨脹系數(shù)之差為5xlO々K以下。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子顯示面板用基板的支撐臺，其特征 在于，碳化硅含量大于0重量％且在44.4重量％以下。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9或權(quán)利要求IO所述的等離子顯示面板用基板的支 撐臺，其特征在于，熱導(dǎo)率為20W/mK以上。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子顯示面板用基板的支撐臺，其特 征在于，碳化硅含量為26.3重量％以上44.4重量％以下。
全文摘要
本發(fā)明的PDP的制造方法，是將形成有面板構(gòu)造部件前驅(qū)體的玻璃基板載置到支撐臺上對其進行焙燒固化，其中，支撐臺是以氮化硅結(jié)合碳化硅的材料作為主成分，并且其線膨脹系數(shù)與玻璃基板的線膨脹系數(shù)之差為5×10^-6/K以下。
文檔編號H01J17/49GK101322211SQ20078000051
公開日2008年12月10日 申請日期2007年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月14日
發(fā)明者森田真登 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社