專利名稱：白光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及LED發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，特指一種白光二極管。
技術(shù)背景目前，現(xiàn)有的白光二極管主要結(jié)構(gòu)包括LED芯片和載體，載體 開設(shè)有凹槽，LED芯片位于凹槽底部，凹槽內(nèi)填充有透光樹脂，透 光樹脂內(nèi)設(shè)置有熒光物質(zhì)，熒光物質(zhì)大部份集中于凹槽底部LED芯 片附近，LED芯片發(fā)光后激發(fā)熒光物質(zhì)不能充分混合，會出現(xiàn)"黃 斑"現(xiàn)象；同時因?yàn)闊晒馕镔|(zhì)大部份集中于凹槽底部LED芯片附近， 熒光物質(zhì)長期受熱會出現(xiàn)亮度衰減，最近影響整個LED的亮度和色 澤。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就是針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足而提供一種白 光二極管。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是其包括LED 芯片和載體，載體開設(shè)有凹槽，LED芯片位于凹槽底部，凹槽內(nèi)填 充有透光樹脂，且透光樹脂露出凹槽表面的部分呈球面形狀，透光樹 脂內(nèi)設(shè)置有熒光顆粒，熒光顆粒的分布密度從凹槽上方到凹槽底部是 逐漸減小的，熒光顆粒的大小從凹槽上方到凹槽底部是逐漸減小的。
載體下部還設(shè)置有金屬引腳，金屬引腳與LED芯片底部連接。 采用上述結(jié)構(gòu)后，熒光顆粒的分布密度從凹槽上方到凹槽底部是 逐漸減小的，熒光顆粒的大小從凹槽上方到凹槽底部是逐漸減小的， 使LED芯片發(fā)出的光與其激發(fā)熒光顆粒產(chǎn)生互補(bǔ)色光混合得更加均 勻；熒光顆粒受熱影響小，使用壽命長；透光樹脂的表面呈球面形狀 可以提高透光的亮度。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；具體實(shí)施方式
見圖1所示，本實(shí)用新型包括LED芯片1和載體2,載體2開 設(shè)有凹槽3，凹槽3的側(cè)面可作為反射面31進(jìn)行光反射，LED芯片 1位于凹槽3底部，凹槽3內(nèi)填充有透光樹脂4,且透光樹脂4露出 凹槽3表面的部分呈球面形狀，透光樹脂4內(nèi)部設(shè)置有熒光顆粒5， 熒光顆粒5的分布密度從凹槽3上方到凹槽3底部是逐漸減小的，熒 光顆粒5的大小從凹槽3上方到凹槽3底部是逐漸減小的。使LED 芯片1發(fā)出的光與其激發(fā)熒光顆粒5產(chǎn)生互補(bǔ)色光混合得更加均勻， 產(chǎn)品壽命更長。所述的LED芯片1為藍(lán)光LED或紫光LED;熒光顆粒5為YAG 熒光顆?；騎AG熒光顆?；騌GB三基色熒光顆粒；載體2下部還設(shè)置有金屬引腳6，金屬引腳6與LED芯片1底 部連接。當(dāng)然，以上所述之實(shí)施例，只是本實(shí)用新型的較佳實(shí)例而已，并
非來限制本實(shí)用新型實(shí)施范圍，故凡依本實(shí)用新型申請專利范圍所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾，均包括于本實(shí)用新型申 請專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1、白光二極管，包括LED芯片和載體，載體開設(shè)有凹槽，LED芯片位于凹槽底部，其特征在于凹槽內(nèi)填充有透光樹脂，且透光樹脂露出凹槽表面的部分呈球面形狀，透光樹脂內(nèi)設(shè)置有熒光顆粒，熒光顆粒的分布密度從凹槽上方到凹槽底部是逐漸減小的，熒光顆粒的大小從凹槽上方到凹槽底部是逐漸減小的。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光二極管，其特征在于載體下部 還設(shè)置有金屬引腳，金屬引腳與LED芯片底部連接。
專利摘要本實(shí)用新型涉及LED發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，特指一種白光二極管，其包括LED芯片和載體，載體開設(shè)有凹槽，LED芯片位于凹槽底部，凹槽內(nèi)填充有透光樹脂，且透光樹脂露出凹槽表面的部分呈球面形狀，透光樹脂內(nèi)設(shè)置有熒光顆粒，熒光顆粒的分布密度從凹槽上方到凹槽底部是逐漸減小的，熒光顆粒的大小從凹槽上方到凹槽底部是逐漸減小的，本實(shí)用新型的發(fā)光亮度高，色澤均勻持久，使用壽命長。
文檔編號F21V19/00GK201043719SQ200720051580
公開日2008年4月2日 申請日期2007年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月18日
發(fā)明者孫平如 申請人:深圳市國冶星光電子有限公司