專(zhuān)利名稱(chēng)：具有單片陶瓷彩色變換器的放電燈的制作方法
具有單片陶瓷彩色變換器的放電燈
4支術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置領(lǐng)域，尤其是具有內(nèi)或者外電極或者無(wú)電極的 放電燈。
背景技術(shù)：
放電燈通常包括氣體放電和一個(gè)或者幾個(gè)彩色變換器，其轉(zhuǎn)換氣體 發(fā)射的光和/或輻射的一部分。在某些情況中，這些彩色變換器摻雜有三 價(jià)稀土金屬，因?yàn)楸娝苤@些是有效的線發(fā)射器。然而，通過(guò)具有相 當(dāng)?shù)臀障禂?shù)的本征f-f躍遷的激發(fā)導(dǎo)致低的光輸出(也就是量子產(chǎn)量
(quantum yield )乘以吸收)，因此這些彩色變換器的激發(fā)通常必須通過(guò) 主晶格的帶隙或者電荷傳遞狀態(tài)來(lái)產(chǎn)生。因此，放電發(fā)射必須在電磁光 譜的UV-B/UV-C區(qū)域中，以便于得到所需的最小變換，其還意味著大 的stroks頻移導(dǎo)致最終放電燈的高量子損失,從而限制了總效率。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的是提供一種放電燈，其包括能夠高效能地轉(zhuǎn)換入 射光的彩色變換器。
因此，提供了一種發(fā)光裝置，尤其是具有內(nèi)或者外電極或者無(wú)電極 的放電燈，其包括至少一種單片陶瓷發(fā)光變換器，其基本上是由摻雜材 料M、03: M"構(gòu)成的，其中Mi選自于包括Y、 La、 Gd、 Lu和Sc或者 其混合物的組中，M"選自于包括Ce、 Pr、 Nd、 Pm、 Sm、 Eu、 Gd、 Tb、 Dy、 Ho、 Er、 Tm、 Yb、 Lu、 Bi、 Sb或者其混合物的組中，并且摻雜級(jí) 為>0.01且《15%。
色變換器對(duì)于入射光的吸收。
和通常的粉末磷光體相比，其中由于散射所以入射光的光路徑長(zhǎng)度 限制為最大幾pm ，通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的單片陶瓷發(fā)光變換器該路徑長(zhǎng)度可 以增加幾個(gè)數(shù)量級(jí)。由于吸收是光路徑長(zhǎng)度和吸收種類(lèi)的吸收系數(shù)的乘 積，對(duì)于所給的吸收器(在給定濃度)提高了光子穿過(guò)吸收材料行進(jìn)的
距離的尺寸。
在本發(fā)明意義中的單片陶瓷發(fā)光變換器是特殊的材料，其采用下述
的一個(gè)或者多個(gè)特征肉眼可見(jiàn)的橫向尺寸(也就是陶資體的最短橫向 尺寸為》50jum且《100mm長(zhǎng)度)；低表面面積，《lm2/g且>1()-71112/忌; 密度為> 95%且《100%理論密度；宏觀均勻，雜質(zhì)》0%且《10% (以不 屬于標(biāo)準(zhǔn)成分的元素的摩爾比例表示的含量)；相純(phase pure)，相純 度為>90%且《100%;為半透明或者透明的。
N^選自于Y、 La、 Gd、 Lu和Sc或者其混合物的組中。在本發(fā)明的 應(yīng)用中這些元素的氧化物已經(jīng)表現(xiàn)出是最適合的載流子(camer)材料。
M"選自于包4舌Ce、 Pr、 Nd、 Pm、 Sm、 Eu、 Gd、 Tb、 Dy、 Ho、 Er、 Tm、 Yb、 Lu、 Bi、 Sb或者其混合物的組中。由于它們有通過(guò)本征f-f 躍遷發(fā)光或者激活這種發(fā)射的能力，所以這些材料已經(jīng)表現(xiàn)出適用于本 發(fā)明。
摻雜級(jí)，即在主晶格中活化劑(activator) ( M11)相對(duì)于N^的摩爾量 >0.01且《15%。優(yōu)選地，摻雜級(jí)》0.且《12%，更優(yōu)選地> 1且《10%, 再更優(yōu)選地>2且<9%，最優(yōu)選地>3且《8%。
在本發(fā)明的意義中，術(shù)語(yǔ)"基本上由…構(gòu)成"意味著\￥1%含量> 90%,優(yōu)選>95%,更優(yōu)選>98%，最優(yōu)選>99%且《100%。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，至少一個(gè)單片陶瓷發(fā)光變換器是半透明 的和/或透明的。
本發(fā)明意義中的半透明特別意味著入射光的>50%優(yōu)選>60%，更 優(yōu)選> 70%，最優(yōu)選> 90%且《100%的一個(gè)波長(zhǎng)的入射光通過(guò)樣品傳輸 (以任意角度)，這些不能被材料吸收。這種波長(zhǎng)優(yōu)選在》400nm且《 1000nm,優(yōu)選> 450nm且< 900nm，并最優(yōu)選> 500nm且《700nm的區(qū)域中。
本發(fā)明意義中的透明特別意味著入射光束在離開(kāi)具有平行平面的 透明物體時(shí)，具有相比進(jìn)入物體時(shí)《土5。的角度，也就說(shuō)在該樣品中存在
非常少量的散射中心。
通過(guò)應(yīng)用透明單片陶瓷彩色變換器，可以增加光路徑長(zhǎng)度，使得可 以相當(dāng)弱的吸收躍遷(transition)可以用于激發(fā)發(fā)光中心。由具有平均粒
致了大約40pm的光路徑長(zhǎng)度，lmm厚一的透明或者半透明陶^將該值增
加至少25倍。在可見(jiàn)的放電發(fā)射情況中，一個(gè)附加優(yōu)點(diǎn)是未被吸收的光
的透射率從對(duì)于粉末層的大約30。/。增加到對(duì)于半透明或者透明陶瓷的 >50%。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，至少一個(gè)單片陶瓷發(fā)光變換器的最短橫 向尺寸是》50fim且《100mm。優(yōu)選地，至少一個(gè)單片陶瓷發(fā)光變換器 的最短橫向尺寸是> lOC^im且《10mm，更優(yōu)選地> 150pm且《5mm, 仍然更優(yōu)選地> 200fim且《2mm，并且最優(yōu)選地> 250pm且< lmm。
對(duì)于單片陶瓷發(fā)光變換器通過(guò)選擇這種最短的橫向尺寸，可以保證 發(fā)光變換器內(nèi)的光路徑足夠長(zhǎng)，產(chǎn)生足夠的吸收效率。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，單片陶瓷發(fā)光變換器的厚度(以mm) 和摻雜級(jí)(以％)的乘積是》0.02mm且《0.5mm。優(yōu)選地，至少一個(gè)單 片陶瓷發(fā)光變換器的厚度(以mm)和摻雜級(jí)(以。/o)的乘積是》0.04mm 且《0.4mm，更優(yōu)選》0.05mm且《0.3mm，仍更優(yōu)選》0.075mm且《 0.25mm,最優(yōu)選> 0. lmm且《0.2mm。
通過(guò)同時(shí)調(diào)節(jié)厚度和摻雜級(jí)，可以獲得具有高可再現(xiàn)吸收特性的材 料。樣品厚度的微調(diào)(例如通過(guò)研磨)將使得比通過(guò)粉末磷光體更能影 響吸收(以及由此還影響光輸出)。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，至少一個(gè)單片陶瓷發(fā)光變換器具有的密 度為>95%且《100%的理論密度。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，至少一個(gè)單片陶瓷發(fā)光變換器具有> 90%且《100%的相純度。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，對(duì)于單片陶瓷發(fā)光變換器的入射光來(lái) 說(shuō)，入射表面的表面粗糙度RMS (表面平面的破裂；測(cè)量為最高和最深 表面特征之間的差的幾何平均)>0.001pm且《10(Vm。優(yōu)選地，至少 一個(gè)單片陶f(shuō):發(fā)光變換器的入射表面的表面粗糙度是》0.01fam且《 10fim,更優(yōu)選地》0.1pm且《5fim，仍然更優(yōu)選地> 0.15|iim且《3pm以 及最優(yōu)選地》0.2fim且《2夂im。通過(guò)這樣做，保證了入射光將正確地進(jìn) 入發(fā)光變換器，這產(chǎn)生了更高的發(fā)射率。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，至少一個(gè)單片陶瓷發(fā)光變換器的外表面 由外耦合(outcoupling)層構(gòu)成或者被其覆蓋，該外耦合層優(yōu)選是由粉末 層構(gòu)成的。最優(yōu)選的是外耦合磷光體粉末層，其進(jìn)一步將沒(méi)有被單片陶 瓷發(fā)光變換器轉(zhuǎn)換的光轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光。優(yōu)選地，該磷光體粉末基本上是
由選自于摻雜有銪的鋁酸鋇鎂BaMgAl!。On: Eu、摻雜有銪的氧氮鋁硅 酸鋇鍶(Ba,Sr) Si6—xAlxN8_xOx+y: Eu (0《y<l )、摻雜有鈰的石榴石鋁 釔軋(Y,Gd) 3A15012: Ce、摻雜有銪的正硅酸鋇鍶(Ba,Sr) 2Si〇4: Eu、 摻雜有銪的氧氮硅酸鍶鋇(Sr,Ba) Si2N2〇2: Eu或者其混合物的組中的 材料構(gòu)成的。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，單片陶資發(fā)光變換器的比表面積是》 10々m"g且《lm2/g。減小的比表面積增加了單片陶瓷發(fā)光變換器對(duì)于化 學(xué)和物理侵蝕的穩(wěn)定性。這些結(jié)構(gòu)對(duì)于例如放電或者強(qiáng)UV發(fā)射的惰性 是表面面積的函數(shù)并和該材料特性成比例。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，發(fā)光裝置包括放電氣體，其發(fā)射具有平 均波長(zhǎng)> 120nm且《1000nm的光。
在本發(fā)明的含義中，術(shù)語(yǔ)"平均波長(zhǎng)"特別定義如下
從測(cè)量的發(fā)光光譜來(lái)看，通過(guò)光子的數(shù)量Nph()t確定單位波長(zhǎng)的光譜 能量[h:普朗克常數(shù)，c:光速]
在波長(zhǎng)范圍中通過(guò)積分P (入)給出發(fā)射的總光能量Pt。t。還可以使 用該能量定義平均發(fā)射波長(zhǎng)人m,:
優(yōu)選地，放電發(fā)射的光具有平均波長(zhǎng)》200nm且《900nm，更優(yōu)選 > 250nm且《800nm,更優(yōu)選> 275nm且《750nm,最優(yōu)選> 280nm且 《700nm。通過(guò)這樣，可以最小化發(fā)射對(duì)于燈元件的石皮壞，另外還減小 了磷光體轉(zhuǎn)換時(shí)的量子損失，致使燈的發(fā)光效率更高。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，發(fā)光裝置包括反射器，其是由反射具有 》120nm且《10pm波長(zhǎng)的光的材料構(gòu)成的。這允許構(gòu)成這樣的發(fā)光裝 置，具有至少一個(gè)孔徑形式的單片陶瓷發(fā)光變換器，這將在下面描述。
根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置可以應(yīng)用內(nèi)部或外電極或者無(wú)電極。然而， 對(duì)于一些應(yīng)用，由于對(duì)內(nèi)部燈電極發(fā)射的光沒(méi)有遮擋，所以沒(méi)有內(nèi)部燈
電極(也就是無(wú)電極)的燈的操作是有利的。
根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置可以在運(yùn)行中提供白色或者彩色光。由放電 發(fā)射的一些光激發(fā)該單片陶瓷發(fā)光變換器，使得它發(fā)射不同波長(zhǎng)的光。 然而，還有一種可能是由放電發(fā)射的UV到藍(lán)光穿過(guò)彩色變換器，并和 由它發(fā)射的光混合在 一起。觀眾將這種光的混合感知為白色或彩色的 光。因此根據(jù)顏色的量和比例，例如由附加的三色組比如藍(lán)色、綠色和 紅色，可以形成多色白光。通過(guò)適當(dāng)選擇彩色變換器的數(shù)和量同樣可以 形成彩色光源。
根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置可以廣泛應(yīng)用于很多系統(tǒng)和/或應(yīng)用中，它們
之中的一個(gè)或者多個(gè)如下所述辦公室照明系統(tǒng)、家庭應(yīng)用系統(tǒng)、商場(chǎng) 照明系統(tǒng)、家庭照明系統(tǒng)、重點(diǎn)照明系統(tǒng)、點(diǎn)照明系統(tǒng)、劇院照明系統(tǒng)、 光纖應(yīng)用系統(tǒng)、投影系統(tǒng)、自點(diǎn)亮顯示系統(tǒng)、和像素有關(guān)的顯示系統(tǒng)、 分段顯示系統(tǒng)、警告標(biāo)志系統(tǒng)、醫(yī)學(xué)照明應(yīng)用系統(tǒng)、指示器標(biāo)志系統(tǒng)和 裝飾照明系統(tǒng)、便攜系統(tǒng)、自動(dòng)應(yīng)用、溫室照明系統(tǒng)。
本發(fā)明還涉及制備如上所述的單片陶瓷發(fā)光變換器的方法，包括下 述步驟在去離子水中混合M'的鹽，這些鹽優(yōu)選選自包括由化物、石危 化物、氮化物、高氯酸鹽或其混合物的組中；添加M"的鹽，這些鹽優(yōu) 選選自包括卣化物、硫化物、氮化物、高氯酸鹽或其混合物的組中；任 意地添加選自包括脲、草酸、碳酸銨和其混合物的組中的碳酸鹽或者或 者氫氧化物源；攪拌，直到得到均質(zhì)混合物；通過(guò)任意地加熱，獲得干 燥的沉淀物；對(duì)沉淀物煅燒；任意地混合前軀體和粘合劑；優(yōu)選地通過(guò) 粉漿澆注和/或注射模塑法，以所需的形狀使前軀體材料成環(huán)形；通過(guò)陶 瓷技術(shù)，例如通過(guò)真空燒結(jié)、熱均衡壓縮或者熱單軸壓縮形成單片陶瓷 發(fā)光變換器。
該方法被證明是獲得用于根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置所需的單片陶瓷 發(fā)光變換器的適當(dāng)方法。
前述的元件、以及所要求保護(hù)的元件和在所述實(shí)施例中根據(jù)本發(fā)明 使用元件的尺寸、形狀、材料選擇以及技術(shù)概念沒(méi)有任何特別的例外， 所以可以不受限制地使用相關(guān)領(lǐng)域中已知的選擇標(biāo)準(zhǔn)。
在從屬權(quán)利要求、附圖以及下面對(duì)各個(gè)圖和實(shí)例的描述中公開(kāi)了本 發(fā)明目的的另外的細(xì)節(jié)、特征和優(yōu)點(diǎn)，它們以典型的方式示出了根據(jù)本 發(fā)明的發(fā)光裝置的幾個(gè)優(yōu)選實(shí)施例。
附圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光裝置的示意性截面
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的發(fā)光裝置的示意性截面
圖3示出了在本發(fā)明中使用的單片陶瓷發(fā)光變換器的激發(fā)光譜和根 據(jù)比較示例的發(fā)光變換器的激發(fā)光譜的曲線圖；以及
圖4示出了在本發(fā)明中使用的單片陶瓷發(fā)光變換器的反射光譜和根 據(jù)比較示例的發(fā)光變換器的反射光譜的曲線圖。
具體描述
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光裝置的示意性截面
包括第一內(nèi)殼體20內(nèi)的氣體10。該殼體是由玻璃構(gòu)成的，包括內(nèi)壁磷 光體粉末涂層，其包含放電管。根據(jù)本發(fā)明，第一內(nèi)殼體20由第一單片 陶瓷變換層30 (例如丫20;: Er(8%)，厚度3mm )包圍，其本身又被 根據(jù)本發(fā)明的第二單片陶瓷變換層40(例如Y203: Eu( 8% ),厚度lmm)
所包圍。
應(yīng)該注意的是，由于層30和40是半透明的，所以還可以將外殼20 設(shè)置在層40周?chē)蛘邇蓪又g。層20、 30和40的順序是可以變化的，
這是本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的發(fā)光裝置的示意性截面
一和第二個(gè)實(shí)施例的區(qū)別在于在該實(shí)施例中使用了反射層50,其或者用
反射材料涂覆在內(nèi)側(cè)上或者由反射材料構(gòu)成，該反射材料至少反射放電 發(fā)射的光，也就是UV-A光。反射層通常被另一層70圍繞，其是可變 化的。在大多數(shù)應(yīng)用中，層70將簡(jiǎn)單地由玻璃構(gòu)成。
形成根據(jù)本發(fā)明的單片陶瓷發(fā)光變換器，并安裝在孔徑60中。由 于反射層50,所以由放電發(fā)射的光只能通過(guò)該孔徑離開(kāi)燈。像這種布置 在現(xiàn)有技術(shù)中基本上是已知的，例如在EP04104722.6中，其在這里引 入作為參考。像本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的布置帶來(lái)了這樣的優(yōu)點(diǎn)，光的
出射區(qū)域是可以控制的；另外和上面的布置相比可以使制造單片陶瓷發(fā) 光變換器變得更簡(jiǎn)單、緊湊和小型化，然而其對(duì)于其它應(yīng)用也是有利 的。
另外僅僅以示例的方式，通過(guò)下述的實(shí)例說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的單片陶 瓷發(fā)光變換器及其制造方法 實(shí)施例I:
在40L的玻璃襯里的容器中，將1.35L的0.5M YC13溶液(去離子 水中)、33.46gEu (N03 ) 3*6H20和1.4625kg脲溶解在水中同時(shí)用力 攪拌。將水添加到體積為最終的30L。將溶液加熱到沸騰(IO(TC ),并 在出現(xiàn)第一次混濁之后，另外加熱2個(gè)小時(shí)。將沉淀物收集在Biichner 漏斗中，并清洗以去除掉氯化物。然后干燥，并隨后在80(TC煅燒2小 時(shí)。
得到的前軀體粉末是由平均尺寸為250nm的球形顆粒構(gòu)成的。通過(guò) 已知的陶瓷技術(shù)將其處理成生坯。在瑪瑙研缽中研磨粉末和10。/。w/w的 粘合劑(5。/o的聚乙烯乙醇(polyvinylalcohol)水溶液)。將它通過(guò)500pm 的濾網(wǎng)并借助于并分末壓實(shí)工具壓成生坯，接下來(lái)以3200巴進(jìn)4亍冷均衡-壓縮。在1700。C的真空中將生坯燒結(jié)成透明的單片陶瓷。
比庫(kù)交示例I
在40L的玻璃襯里的容器中，將1.35L的0.5M YC13溶液(去離子 水中)、33.46gEu (N03) 3*61420和1.4625kg脲溶解在水中同時(shí)用力 攪拌。將水添加到體積為最終的30L。將溶液加熱到沸騰(IO(TC ),并 在出現(xiàn)第一次混濁之后，另外加熱2個(gè)小時(shí)。將襯底物收集在Btichner 漏斗中，并清洗以去除掉氯化物。然后干燥，并隨后在80(TC煅燒2小 時(shí)。
得到的前軀體粉末是由平均尺寸為250nm的球形顆粒構(gòu)成的。 圖3示出了本發(fā)明中的實(shí)例I (表示為"激發(fā)陶瓷")結(jié)構(gòu)的激發(fā) 光譜和根據(jù)比較示例I(表示為"激發(fā)粉末")發(fā)光變換器的激發(fā)光譜 的曲線圖。圖4示出了本發(fā)明實(shí)例I (表示為"激發(fā)陶瓷")的結(jié)構(gòu)的 反射光傳和根據(jù)比較例I(表示為"激發(fā)粉末")發(fā)光變換器的反射光 譜的曲線圖。
可以看出的是，和常規(guī)粉末磷光體相比，UVA和藍(lán)色光譜區(qū)域中陶 瓷的激發(fā)和吸收能力得到了顯著增強(qiáng)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，尤其是具有內(nèi)或者外電極或者無(wú)電極的放電燈，包括至少一個(gè)單片陶瓷發(fā)光變換器，該變換器基本上是由摻雜材料MI2O3MII構(gòu)成的，其中MI選自于包括Y、La、Gd、Lu和Sc或者其混合物的組中，MII選自于包括Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Bi、Sb或者其混合物的組中，并且摻雜級(jí)為≥0.01且≤15％。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光裝置，其中該至少一個(gè)單片陶瓷發(fā)光變 換器是半透明和/或透明的。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或者2的發(fā)光裝置，其中該至少一個(gè)單片陶瓷 發(fā)光變換器的最短橫向尺寸是> 50jam且< 100mm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1-3的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中該單片陶瓷發(fā) 光變4灸器的厚度和4參雜級(jí)的乘積》0.02mm且《0.5mm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中該單片陶瓷發(fā) 光變換器的激發(fā)光入射表面的表面粗糙度> O.OOUim且《100)Lim。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1-5的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中該單片陶瓷發(fā) 光變換器的比表面積是> 10々m"g且《lm2/g。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，還包括放電氣體， 其發(fā)射具有平均波長(zhǎng)> 120nm且《1000nm的光。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1-7的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，還包括反射器，其 是由反射具有波長(zhǎng)為> 120nm且《l(Vm的光的材料構(gòu)成的。
9. 一種制備根據(jù)權(quán)利要求1-8的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置的單片陶瓷 發(fā)光變換器的方法，包括下述步驟在去離子水中混合N^的鹽，這些鹽優(yōu)選選自包括鹵化物、硫化物、 氮化物、高氯酸鹽或其混合物的組中；添加M"的鹽，這些鹽優(yōu)選選自 包括卣化物、好d匕物、氮化物、高氯酸鹽或其混合物的組中；任意地添 加選自包括脲、草酸、碳酸銨和其混合物的組中的碳酸鹽或者或者氫氧 化物源;攪拌，直到得到均質(zhì)混合物；通過(guò)任意地加熱，獲得干燥的沉淀 物；對(duì)沉淀物煅燒；任意地混合前軀體和粘合劑；優(yōu)選通過(guò)粉漿澆注和/ 或注射模塑法，使前軀體材料以所需的形狀成環(huán)形；通過(guò)陶瓷技術(shù)，例 如通過(guò)真空燒結(jié)、熱均衡壓縮或者熱單軸壓縮形成單片陶瓷發(fā)光變換 器。
全文摘要
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置，尤其是具有內(nèi)或者外電極或者無(wú)電極的放電燈，其中借助于單片陶瓷發(fā)光變換器增強(qiáng)紅光的發(fā)射。
文檔編號(hào)H01J61/44GK101171663SQ200680015914
公開(kāi)日2008年4月30日 申請(qǐng)日期2006年5月3日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月11日
發(fā)明者H·施賴(lài)恩馬切, J·邁耶, P·施米特, R·希爾比格 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司