專利名稱：等離子顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示面板，特別是，減小放電電壓的等離子顯示面板。
背景技術(shù)：
等離子顯示面板已經(jīng)取代傳統(tǒng)陰極射線管(CRT)顯示設(shè)備，其利用由密封放電氣體并在兩個(gè)基板之間施加放電電壓所產(chǎn)生的可見光來顯示所需圖像，在兩個(gè)基板上形成多個(gè)電極以產(chǎn)生真空紫外線并激發(fā)磷光體，在磷光體上以預(yù)定圖案形成真空紫外線。
傳統(tǒng)的交流電(AC)型等離子顯示面板包括上面板，給用戶顯示圖像；和下面板，與上基板平行結(jié)合。包括Y電極和X電極的多對(duì)放電維持電極設(shè)置在上面板的前基板中。尋址電極設(shè)置在下面板的后基板中，其與前基板相對(duì)并與Y電極和X電極交叉。Y電極和X電極分別包括透明電極和匯流電極。一對(duì)Y電極和X電極和與該對(duì)Y電極和X電極交叉的尋址電極形成單位放電單元，即放電單元。前介電層和后介電層分別形成在前基板和后基板上，以埋覆每個(gè)電極。由MgO形成的保護(hù)層形成在前介電層上。保持放電距離和防止放電單元之間電和光相互干擾的阻擋肋形成在后介電層的前面上。熒光層涂布在阻擋肋的兩側(cè)和沒有形成阻擋肋的后介電層的前面上。
傳統(tǒng)的交流電(AC)型等離子顯示面板必須增加Y電極和X電極之間的距離G，以便改善亮度和發(fā)光效率，這是因?yàn)樵黾拥姆烹妳^(qū)域?qū)е碌入x子放電的有效產(chǎn)生。然而，隨著距離G的增加，開始放電的電壓也增加。就此而言，驅(qū)動(dòng)Y電極和X電極的電子裝置的額定電壓增加，其導(dǎo)致成本的增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供減小放電電壓的等離子顯示面板。
本發(fā)明也提供提高發(fā)光效率的等離子顯示面板。
本發(fā)明也提供增強(qiáng)放電穩(wěn)定性的等離子顯示面板。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供有一種等離子顯示面板，其包括基板；維持電極對(duì)，設(shè)置在該基板上，并包括設(shè)置在一個(gè)方向上的匯流電極和多個(gè)凸出電極，多個(gè)凸出電極在每個(gè)放電單元中電連接到匯流電極并向每個(gè)放電單元內(nèi)凸出；和介電層，覆蓋維持電極并具有對(duì)應(yīng)于每個(gè)放電單元的凹槽，其中相對(duì)朝向放電單元內(nèi)的凸出電極的寬度比凹槽的寬度寬。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種等離子顯示面板，其包括后基板；前基板，與后基板相對(duì)設(shè)置；阻擋肋，設(shè)置在前基板和后基板之間并分隔多個(gè)放電單元；維持電極對(duì)，設(shè)置在與后基板相對(duì)的前基板上，并包括設(shè)置在一個(gè)方向上的匯流電極和在每個(gè)放電單元中電連接到匯流電極并向每個(gè)放電單元內(nèi)凸出的多個(gè)凸出電極；前介電層，覆蓋維持電極并具有對(duì)應(yīng)于每個(gè)放電單元的凹槽；尋址電極，延伸穿過維持電極并設(shè)置在與前基板相對(duì)的后基板上；后介電層，設(shè)置成覆蓋尋址電極；熒光層，設(shè)置在放電單元中；和放電氣體，儲(chǔ)存在放電單元中，其中相對(duì)朝向放電單元內(nèi)的凸出電極的寬度比凹槽的寬度寬。
凹槽可以形成在維持電極對(duì)之間。凹槽形成在凸出電極對(duì)之間。凸出電極設(shè)置在每個(gè)放電單元中，并且凹槽排成直線。


結(jié)合附圖，通過參照下面詳細(xì)的描述，本發(fā)明的更完全的了解和其中許多存在的優(yōu)點(diǎn)將變得更明了，也變得更好理解，在附圖中相似的參考標(biāo)號(hào)代表相同或相似的部件，其中圖1是傳統(tǒng)交流電(AC)型等離子顯示面板的截面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示面板的局部分解透視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，沿圖2中線III-III剖取的局部截面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，在圖2中示出的放電單元、電極和凹槽的布置圖；和圖5是對(duì)應(yīng)于在圖4中示出的布置圖的布置圖，除了電極具有異于圖4中示出的形狀以外。
具體實(shí)施方案圖1是傳統(tǒng)交流電(AC)型等離子顯示面板10的截面圖。參考圖1，等離子顯示面板10包括給用戶顯示圖像的上板50和平行地與上基板50結(jié)合的下板60。包括Y電極31和X電極32的多對(duì)放電維持電極12設(shè)置在上板50的前基板11上。尋址電極22設(shè)置在下面板60的后基板21上，其與前基板11相對(duì)并與Y電極31和X電極32交叉。Y電極31和X電極32分別包括透明電極31a和32a及匯流電極31b和32b。一對(duì)Y電極31和X電極32和與Y電極31和X電極32交叉的尋址電極22形成單位放電單元，即放電單元。前介電層15和后介電層25分別形成在前基板11和后基板21上，以埋覆每個(gè)電極。由MgO形成的保護(hù)層形16成在前介電層15上。保持放電距離和防止放電單元之間電和光相互干擾的阻擋肋30形成在后介電層25的前面上。熒光層26涂布在阻擋肋30的兩側(cè)和沒有形成阻擋肋30的后介電層25的前面上。
傳統(tǒng)交流電(AC)型等離子顯示面板10必須增加Y電極31和X電極32之間的距離G，以便改善亮度和發(fā)光效率，這是因?yàn)樵黾拥姆烹妳^(qū)域?qū)е碌入x子放電的有效產(chǎn)生。然而，隨著距離G的增加，開始放電的電壓也增加。在這點(diǎn)上，驅(qū)動(dòng)Y電極31和X電極32的電子裝置的額定電壓增加，其導(dǎo)致成本的增加。
以下，將參照附圖更全面地描述本發(fā)明，其中展示了本發(fā)明的示范性實(shí)施例。
圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示面板100的局部分解透視圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，沿圖2中線III-III剖取的截面圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，在圖2中示出的放電單元180、電極131、132和122和凹槽145的布置圖。圖中相似的參考標(biāo)號(hào)表示相似的元件。
參照?qǐng)D2，等離子顯示面板100包括上板150和與上板150平行結(jié)合的下板160。上板150包括前基板111、前介電層115、維持電極對(duì)112和保護(hù)層116。下板160包括后基板121、尋址電極122、后介電層125、阻擋肋130和熒光層126。
前基板111和后基板121以預(yù)定的間隙彼此分隔，并且定義其間的放電空間。前基板111和后基板121可以由具有極好傳輸特性的材料諸如玻璃形成。然而，前基板111和/或后基板121可以被著色，以便增加亮室對(duì)比度。
阻擋肋130設(shè)置在前基板111和后基板121之間，特別是，設(shè)置在后介電層125上。阻擋肋130把放電空間分成多個(gè)放電單元180，并且防止放電單元180之間光和電的相互干擾。參考圖2，阻擋肋130分隔以矩陣排列具有矩形截面的放電單元180，但本發(fā)明不限于此。具體地講，放電單元180可以具有諸如三角形截面、四邊形截面、五邊形截面等的多邊形截面、圓形截面、橢圓形截面或諸如條紋形的開放形。放電單元180也可以具有三角形排列或格狀(waffie type)排列。
維持電極對(duì)112設(shè)置在與后基板121相對(duì)的前基板111上。每個(gè)維持電極對(duì)112是設(shè)置在前基板111后面上以產(chǎn)生維持放電的一對(duì)維持電極131和132。維持電極對(duì)112以預(yù)定的間距彼此平行地設(shè)置在前基板111上。每個(gè)維持電極對(duì)112之一是X電極131并用作公共電極，而每個(gè)對(duì)中的另一個(gè)是Y電極132，其用作掃描電極。在本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例中，維持電極對(duì)112直接設(shè)置在前基板111上，但本發(fā)明不限于此。例如，維持電極對(duì)112可以在前基板111到后基板的方向上與前基板111按預(yù)定間距彼此分隔。
X電極131和Y電極132分別包括凸出電極131a、132a和匯流電極131b、132b。凸出電極131a和132a由透明材料形成，其為產(chǎn)生放電的導(dǎo)體并且不阻礙來自熒光層126的光向前基板111發(fā)射。透明材料是銦錫氧化物(ITO)等。然而，由于在長(zhǎng)度方向上大的電壓降，由ITO形成的凸出電極131a和132a具有大的驅(qū)動(dòng)功耗和很慢的響應(yīng)速度。為了解決這些問題，匯流電極131b和132b由金屬材料形成并具有窄的寬度，設(shè)置在凸出電極131a和132a上。匯流電極131b和132b可以具有利用金屬諸如銀、鋁或銅的單層結(jié)構(gòu)和諸如鉻/鋁/鉻等的具有多層結(jié)構(gòu)。凸出電極131a、132a和匯流電極131b、132b可以利用光蝕刻(photo-etching)法、光刻(photolithography)等形成。
對(duì)于X電極131和Y電極132的形狀和排列，匯流電極131b和132b在單位放電單元180中以預(yù)定的間距彼此分隔，并延伸穿過設(shè)置在一定方向上的放電單元180。如上所述，凸出電極131a和132a電連接到匯流電極131b和132b中的每一個(gè)上。特別是，矩形凸出電極131a和132a間斷地設(shè)置在每個(gè)放電單元180中。每個(gè)凸出電極131a和132a的一側(cè)連接到匯流電極131b和132b上，另一側(cè)朝向放電單元180的中心設(shè)置。
然而，凸出電極131a和132a可以具有不同的形狀。圖5中示出了錘子-形X電極231和Y電極232。參考圖5，X電極231和Y電極232分別包括多個(gè)凸出電極231a和232a及匯流電極231b和232b。X電極231的凸出電極231a包括放電單元231aa，與X電極231的匯流電極231b分開且向放電單元180內(nèi)；和連接單元231ab，其連接放電單元231aa和X電極的匯流電極231b。Y電極232的凸出電極232a包括放電單元232aa，其與Y電極232的匯流電極232b分開并朝向放電單元180內(nèi)；和連接單元232ab，其連接Y電極的放電單元232aa和匯流電極232b。由于X電極231和Y電極232的放電單元231aa和232aa分別在其間保持短距離，因此可以減小放電電壓。同樣，因?yàn)榉烹妴卧?31aa和232aa的結(jié)構(gòu)可以減小凸出電極231a和232a的面積，所以可以改善可見光的透射率。
參考圖2和3，前介電層115形成在前基板111上以埋覆維持電極對(duì)112。前介電層115防止鄰近的X電極131和Y電極132之間的直接傳導(dǎo)，并同時(shí)防止由于帶電粒子或電子與X電極131和Y電極132的直接碰撞損壞X電極131和Y電極132。同樣，前介電層115感應(yīng)電荷并由PbO、B2O3、SiO2等形成。
凹槽145形成在X電極131和Y電極132對(duì)之間的前介電層115中。凹槽145具有預(yù)定的深度，其基于對(duì)前介電層115損壞的可能性、壁電荷的排列、放電電壓的大小等決定。例如，凹槽145可以形成為暴露前基板111。
參考圖2至4，每個(gè)凹槽145形成在每個(gè)放電單元180中。由于前介電層115的厚度通過凹槽145減小，因此改善了可見光的向前透射率。在本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例中，凹槽145基本上具有矩形截面，但本發(fā)明不限于此并可以具有多種形狀。
如上所述，X電極131和Y電極132的凸出電極131a和132a間斷地設(shè)置在放電單元180的每一個(gè)中。在這種結(jié)構(gòu)中，在等離子放電期間，電場(chǎng)集中在設(shè)置在放電單元180內(nèi)的凸出電極131a和132a的角點(diǎn)151和152上。然而，如果放電集中在角點(diǎn)151和152上，電場(chǎng)不均勻地形成在產(chǎn)生放電的X電極131和Y電極132的凸出電極131a和132a之間，這可以導(dǎo)致不期望的放電不穩(wěn)定性，其與保護(hù)層116和熒光層126的涂敷特性、阻擋肋130的非均勻形狀等有關(guān)。而且，形成在X電極131和Y電極132之間的凹槽145可以使放電不穩(wěn)定性惡化。這點(diǎn)將詳細(xì)地描述。由于電場(chǎng)集中在凹槽145上并且放電路徑減少，所以降低了放電電壓。因此，當(dāng)凹槽145形成在對(duì)應(yīng)于凸出電極131a和132a的角點(diǎn)151和152的前介電層115的部分中時(shí)，由于電壓容限不穩(wěn)定、非均勻形成的壁電荷和不對(duì)稱放電，放電不穩(wěn)定性可能被惡化。
為了解決這些問題，參考圖4，相對(duì)朝向放電單元180內(nèi)的凸出電極131a和132a的寬度“a”比凹槽145的寬度“b”寬。凹槽145形成在凸出電極對(duì)131a和132a之間。設(shè)置在每個(gè)放電單元180中的凸出電極131a和132a及凹槽145排成直線。因此，由于凹槽145沒有形成在對(duì)應(yīng)于凸出電極131a和132a的角點(diǎn)151和152的部分上，所以可以減少放電不穩(wěn)定性。特別是，盡管由于凸出電極131a和132a的角點(diǎn)151和152具有大的電場(chǎng)和拐角(corner)161和162具有較小的電場(chǎng)，拐角161和162的電場(chǎng)通過凹槽145加強(qiáng)，所以電場(chǎng)的整體均勻相當(dāng)大地增加。因此，由于穩(wěn)定和有效地產(chǎn)生放電，所以增加了發(fā)光效率。
等離子顯示面板100還可以包括覆蓋前介電層115的保護(hù)層116。保護(hù)層116防止在放電期間由于帶電粒子和電子與前介電層115的碰撞損壞前介電層115。同樣，保護(hù)層116在放電期間發(fā)出大量的二次電子以有效地產(chǎn)生等離子放電。保護(hù)層116由具有二次電子發(fā)射系數(shù)高和可見光透射率高的材料形成。在形成前介電層115之后，保護(hù)層116利用濺鍍、電子束沉積等形成。
尋址電極122設(shè)置在與前基板111相對(duì)的后基板121上。尋址電極122與X電極131和Y電極132交叉延伸通過放電單元180。
尋址電極122產(chǎn)生尋址放電以有助于X電極131和Y電極132之間的維持放電，特別是，降低產(chǎn)生維持放電的電壓。尋址放電產(chǎn)生在Y電極132和尋址電極122之間。如果尋址放電終止，壁電荷積聚在Y電極132和X電極131上，以便可以有助于X電極131和Y電極132之間的維持放電。
后介電層125形成在后基板121上以埋覆尋址電極122。后介電層125由電介質(zhì)物質(zhì)形成，其能夠防止尋址電極122由于帶電粒子或電子與尋址電極122碰撞而損壞和誘發(fā)電荷。電介質(zhì)物質(zhì)是PbO，B2O3，SiO2等。
紅、綠和藍(lán)光發(fā)射熒光層126設(shè)置在形成在后介電層125上的阻擋肋130的兩側(cè)中，以及未形成阻擋肋130的后介電層125的整個(gè)表面上。熒光層126具有產(chǎn)生帶有紫外線的可見光的部件。即，形成在紅光發(fā)射放電單元中的熒光層具有諸如Y(V，P)O4:Eu的磷光體，形成在綠光發(fā)射放電單元中的熒光層具有諸如Zn2SiO4:Mu、YBO3:Tb的磷光體，而形成在藍(lán)光發(fā)射放電單元中的熒光層具有諸如BAM:Eu的磷光體。
放電氣體如Ne，Xe或他們的混合物密封在放電單元180中。在這種情況下，前基板111和后基板121通過密封構(gòu)件連接而密封，密封構(gòu)件例如是形成在前基板111和后基板121邊緣上的可熔玻璃(frit glass)。
現(xiàn)在描述具有上述結(jié)構(gòu)的等離子顯示面板100的操作。
產(chǎn)生在等離子顯示面板100中的等離子體放電分成尋址放電和維持放電。尋址放電通過在尋址電極122和Y電極132之間施加尋址放電電壓而產(chǎn)生，以便選擇產(chǎn)生維持放電的放電單元180。
維持電壓施加在選擇的放電單元180的X電極131和Y電極132之間。此時(shí)，電場(chǎng)集中在形成在前介電層115中的凹槽145上，并因此減小放電電壓。因?yàn)閄電極131和Y電極132之間的放電路徑減少，所以產(chǎn)生強(qiáng)電場(chǎng)以在放電路徑上集中電場(chǎng)，并且電荷、帶電粒子、激發(fā)的粒子種類(species)等具有高密度。特別是，因?yàn)橥钩鲭姌O對(duì)131a和132a由于根據(jù)凸出電極131a和132a及凹槽145形狀的電場(chǎng)分布而具有均強(qiáng)的電場(chǎng)分布，所以放電穩(wěn)定性增強(qiáng)。
由維持放電激活的放電氣體的能級(jí)(energy level)降低，因此放出紫外線。紫外線激活涂在放電單元180中的熒光層126，以便激活的熒光層126的能級(jí)降低以放出可見光，其透射前介電層115和前基板111并形成用戶可識(shí)別的圖像。
根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示面板，由于電場(chǎng)集中在凹槽上并且減少了放電路徑，所以減小了放電電壓并提高了發(fā)光效率。
因?yàn)橥钩鲭姌O對(duì)之間的電場(chǎng)分布由于根據(jù)凸出電極和凹槽形狀的電場(chǎng)分布而均勻，所以放電穩(wěn)定性增強(qiáng)，并且可以形成高效放電。
盡管本發(fā)明參照其中的示范性實(shí)施例已經(jīng)進(jìn)行了具體地展示和描述，但是本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員可以理解的是，在不脫離如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)可以對(duì)其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示面板，包括基板；維持電極對(duì)，設(shè)置在所述基板上，并且每個(gè)所述維持電極對(duì)包括設(shè)置在一定方向上的匯流電極和電連接到在多個(gè)放電單元的每一個(gè)中的所述匯流電極上并且向每個(gè)該放電單元內(nèi)側(cè)突出的凸出電極；和介電層，覆蓋所述維持電極，并且包括對(duì)應(yīng)于每個(gè)該放電單元的凹槽，該放電單元內(nèi)側(cè)相對(duì)的所述凸出電極的寬度比該凹槽的寬度寬。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其中該凹槽形成在所述維持電極對(duì)之間。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子顯示面板，其中該凹槽形成在所述凸出電極對(duì)之間。
4.如權(quán)利要求3所述的等離子顯示面板，其中所述凸出電極設(shè)置在每個(gè)該放電單元中，并且該凹槽排成直線。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其中該凹槽基本上包括矩形截面。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其中該凹槽形成為暴露該基板。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其中一個(gè)凹槽形成在每個(gè)該放電單元中。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其中所述凸出電極由透明材料形成。
9.一種等離子顯示面板，包括后基板；前基板，設(shè)置成相對(duì)所述后基板；阻擋肋，設(shè)置在所述前基板和所述后基板之間，并且分隔多個(gè)放電單元；維持電極對(duì)，設(shè)置在相對(duì)所述后基板的所述前基板上，并且包括設(shè)置在一個(gè)方向上的匯流電極和電連接到在每個(gè)該放電單元中的所述匯流電極上并且與每個(gè)該放電單元一起向內(nèi)突出的多個(gè)凸出電極；前介電層，覆蓋該維持電極并且包括對(duì)應(yīng)于每個(gè)該放電單元的凹槽；尋址電極，延伸與所述維持電極交叉并且設(shè)置在相對(duì)所述前基板的所述后基板上；后介電層，設(shè)置成覆蓋所述尋址電極；熒光層，設(shè)置在該放電單元中；和放電氣體，存儲(chǔ)在該放電單元中，該放電單元內(nèi)側(cè)相對(duì)的所述凸出電極的寬度比該凹槽的寬度寬。
10.如權(quán)利要求9所述的等離子顯示面板，其中該凹槽形成在所述維持電極對(duì)之間。
11.如權(quán)利要求10所述的等離子顯示面板，其中該凹槽形成在所述凸出電極對(duì)之間。
12.如權(quán)利要求11所述的等離子顯示面板，其中所述凸出電極設(shè)置在每個(gè)該放電單元中并且該凹槽排成直線。
13.如權(quán)利要求9所述的等離子顯示面板，其中該凹槽基本上包括矩形截面。
14.如權(quán)利要求9所述的等離子顯示面板，其中該凹槽形成為暴露所述前基板。
15.如權(quán)利要求9所述的等離子顯示面板，其中一個(gè)凹槽形成在每個(gè)該放電單元中。
16.如權(quán)利要求9所述的等離子顯示面板，其中所述凸出電極由透明材料形成。
17.一種等離子顯示面板，包括基板；維持電極對(duì)，設(shè)置在所述基板上，并且每一個(gè)所述維持電極對(duì)包括設(shè)置在一定方向上的匯流電極和電連接到在多個(gè)放電單元的每個(gè)中的所述匯流電極上并且向每個(gè)該放電單元內(nèi)側(cè)突出的凸出電極；和隔離介電層，覆蓋所述維持電極，并且包括具有一定深度的凹槽，其對(duì)應(yīng)于至少該放電單元的基數(shù)，該放電單元內(nèi)側(cè)相對(duì)的所述凸出電極的任何部分的寬度比該凹槽的任何部分的寬度寬。
18.如權(quán)利要求17所述的等離子顯示面板，其中所述隔離介電層包括對(duì)應(yīng)于該放電單元中每一個(gè)并且形成在所述維持電極對(duì)之間的該多個(gè)凹槽，該放電單元內(nèi)側(cè)相對(duì)的該凸出電極的寬度寬于每個(gè)該凹槽的寬度，且每個(gè)所述凸出電極直接連接到每個(gè)所述匯流電極，所述凸出電極間斷地設(shè)置在每個(gè)該放電單元中，一側(cè)直接連接到該匯流電極上而另一側(cè)設(shè)置成朝向該放電單元的該中心。
19.如權(quán)利要求17所述的等離子顯示面板，其中每一個(gè)所述凸出電極包括放電單元，與對(duì)應(yīng)該放電單元內(nèi)側(cè)的匯流電極分隔；和連接單元，連接該放電單元和該匯流電極。
20.如權(quán)利要求17所述的等離子顯示面板，其中，帶有該凹槽的所述隔離介電層的部分具有小于不帶該凹槽的所述隔離介電層的該部分的厚度，帶有該凹槽的沒有形成在對(duì)應(yīng)于所述凸出電極的角點(diǎn)的部分上，并且該凹槽形成在帶有該凸出電極的該凸出電極對(duì)之間，而凹槽在每個(gè)該放電單元中以設(shè)置為線。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種降低放電電壓和增強(qiáng)放電穩(wěn)定性的等離子顯示面板，其包括后基板；前基板，設(shè)置成相對(duì)于該后基板；阻擋肋，設(shè)置在該前基板和該后基板之間并且分隔多個(gè)放電單元；維持電極對(duì)，設(shè)置在相對(duì)后基板的前基板上，并且包括設(shè)置在一個(gè)方向上的匯流電極和電連接到在每個(gè)放電單元中的匯流電極并向每個(gè)放電單元內(nèi)凸出的多個(gè)凸出電極；和前介電層，覆蓋維持電極并具有對(duì)應(yīng)于每個(gè)放電單元的凹槽；尋址電極，延伸與維持電極交叉并且設(shè)置在相對(duì)前基板的后基板上；后介電層，設(shè)置成覆蓋尋址電極；熒光層，設(shè)置在放電單元中；放電氣體，儲(chǔ)存在放電單元中，其中放電單元內(nèi)側(cè)相對(duì)的凸出電極的寬度比凹槽的寬度寬。
文檔編號(hào)H01J11/42GK1992131SQ20061014158
公開日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2006年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月31日
發(fā)明者金鉉, 姜景斗, 金世宗, 蘇賢, 金允熙, 韓鎮(zhèn)元 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社