專利名稱：等離子顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示板(PDP)，特別是，放電時(shí)能夠提高亮度和放電效率的PDP。
背景技術(shù)：
近來，等離子顯示板(PDP)作為傳統(tǒng)陰極射線管(CRT)的代替品已引起公眾的注意。在PDP中，在其上形成多個(gè)電極的兩個(gè)基板之間充滿了放電氣體，放電電壓施與到電極上，由于放電電壓產(chǎn)生紫外線，以預(yù)定的圖案形成的熒光體被激發(fā)，并且因此顯示所需的圖像。
3-電極表面放電PDP包括第一面板和第二面板。第一面板包括第一基板、覆蓋形成在第一基板背面上的多個(gè)掃描電極和多個(gè)維持電極的第一介電層和保護(hù)第一介電層的第一保護(hù)膜。掃描電極和維持電極形成成對(duì)的維持電極。掃描電極由增強(qiáng)導(dǎo)電性的金屬材料形成的總線電極和由透明導(dǎo)電材料諸如銦錫氧化物(ITO)形成的透明電極構(gòu)成。維持電極由增強(qiáng)導(dǎo)電性的金屬材料形成的總線電極和由透明導(dǎo)電材料諸如ITO形成的透明電極構(gòu)成。
第二面板包括第二基板、第二介電層、阻擋肋、熒光層和第二保護(hù)膜，第二介電層設(shè)置在面對(duì)第一基板的第二基板的前面上，以覆蓋形成在與掃描電極和維持電極延伸的方向相交叉的方向上的多個(gè)尋址電極；阻擋肋設(shè)置在第二介電層上并隔開放電單元；熒光層設(shè)置在由阻擋肋隔開的空間中；第二保護(hù)膜形成在熒光層的前表面上以保護(hù)熒光層。由阻擋肋隔開的空間定義了放電單元Ce，放電氣體注入在放電單元Ce中。
預(yù)定的電壓提供到這樣的PDP各自的電極上，放電發(fā)生在放電單元Ce中，放電產(chǎn)生紫外線，熒光層由紫外線激發(fā)并且發(fā)出可見光。放電可以分成用于選擇要接通的放電單元的尋址放電和在選擇的放電單元中持續(xù)放電的維持放電。尋址放電產(chǎn)生在掃描電極和尋址電極之間，而維持放電產(chǎn)生在掃描電極和維持電極之間。然而，由于在3-電極表面放電中掃描電極和維持電極之間的間隔很窄，因此在維持放電進(jìn)行時(shí)放電量很小，并且由于小放電量使亮度變?nèi)?。同樣，放電效率需要改善?br>
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供具有改善了清晰度的等離子顯示器(PDP)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，所提供的等離子顯示器(PDP)包括彼此分離的第一基板和第二基板；阻擋肋，設(shè)置在第一基板和第二基板之間，并且與第一基板和第二基板一起定義多個(gè)放電單元；多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極，設(shè)置在阻擋肋中，并彼此平行地第一方向上延伸；多個(gè)尋址電極，設(shè)置在阻擋肋中，并在與第一方向相交的第二方向上延伸；多個(gè)熒光層，設(shè)置在放電單元中；和放電氣體，包含在放電單元中；單元幀分成多個(gè)具有用于灰度顯示的相應(yīng)灰度分量的子域，每個(gè)子域分成其中單元幀分成多個(gè)具有用于灰度顯示的相應(yīng)灰度分量的多個(gè)子域，每個(gè)子域分成在其間放電單元初始化的復(fù)位周期、其間選擇要接通的放電單元的尋址周期，和在其間對(duì)應(yīng)于所述灰度分量的維持放電發(fā)生在所選擇的放電單元中的維持周期，并且在持續(xù)期間交替地具有正極性第一電壓和低于該第一電壓的第二電壓的維持脈沖都交替地供給第一電極和第二電極，而在維持周期中正極性的第三電壓提供給尋址電極上，或?qū)ぶ冯姌O在維持周期中浮動(dòng)。
第一電極、第二電極和尋址電極優(yōu)選圍繞放電單元。尋址電極優(yōu)選設(shè)置在第一電極和第二電極之間，阻擋肋之內(nèi)。
熒光層優(yōu)選設(shè)置在第一和第二基板中的一個(gè)或兩個(gè)上。
在復(fù)位周期期間，由上升脈沖和下降脈沖構(gòu)成的復(fù)位脈沖優(yōu)選供給第一電極，當(dāng)在復(fù)位周期期間提供下降脈沖時(shí)正極性的第四電壓優(yōu)選供給第二電極，并且在復(fù)位周期期間第二電壓優(yōu)選供給尋址電極；在尋址周期期間掃描脈沖優(yōu)選供給第一電極，在尋址周期期間第四電壓優(yōu)選供給第二電極，并且在尋址周期期間尋址脈沖優(yōu)選供給與掃描脈沖同步的尋址電極。
上升脈沖優(yōu)選從第一電壓增加第五電壓并最終達(dá)到第六電壓，而下降脈沖優(yōu)選從第一電壓降低并最終達(dá)到第七電壓；繼之掃描脈沖優(yōu)選具有第八電壓和低于第八電壓的第九電壓；尋址脈沖優(yōu)選具有正極性的第十電壓。
第三電壓優(yōu)選低于第一電壓。第二電壓優(yōu)選為接地電壓。


結(jié)合附圖，通過參考下面的詳細(xì)描述本發(fā)明變得更好理解，因此對(duì)本發(fā)明更完全的評(píng)價(jià)和其中許多附帶的優(yōu)點(diǎn)將變得更明顯，其中相關(guān)的參考符號(hào)表示相同或相似的元件，其中圖1是3-電極表面放電等離子顯示板(PDP)的局部剖面透視圖；圖2是沿著圖1中PDP的II-II線剖取的剖面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的局部剖面透視圖；圖4是沿著III-III線剖取的圖1中PDP的剖面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3中放電單元和電極的排列圖；圖6是驅(qū)動(dòng)圖3中PDP的設(shè)備的結(jié)構(gòu)圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)圖3中PDP的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的時(shí)間圖；和圖8是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)圖3中PDP的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的時(shí)間圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是3-電極表面放電等離子顯示板(PDP)1的部分剖面透視圖。圖2是沿著II-II線剖取的圖1中PDP的剖面圖。
在下文，參照?qǐng)D1和2描述該3-電極表面放電PDP1。
參照?qǐng)D1，PDP1包括第一面板110和第二面板120。
第一面板110包括第一基板111；第一介電層115，其覆蓋形成在第一基板111后面上的多個(gè)掃描電極112和多個(gè)維持電極113；第一保護(hù)膜116，用于保護(hù)第一介電層115。掃描電極112和維持電極113形成成對(duì)的維持電極114。掃描電極112包括由金屬材料形成用以增強(qiáng)導(dǎo)電性的總線電極112a和由透明導(dǎo)電材料如銦錫氧化物(ITO)形成的透明電極112b。維持電極113包括由金屬材料形成用以增強(qiáng)導(dǎo)電性的總線電極113a和由透明導(dǎo)電材料如ITO形成的透明電極113b。
第二面板120包括第二基板121；第二介電層123，設(shè)置在第二基板121面對(duì)第一基板111的前面上，以覆蓋多個(gè)尋址電極122，并且尋址電極122形成在與掃描電極112和維持電極113延伸的方向相交的方向上；阻擋肋124，設(shè)置在第二介電層123上并分隔放電單元；熒光層125，設(shè)置在由阻擋肋124分隔的空間中；第二保護(hù)膜128，形成在熒光層125的前面上以保護(hù)熒光層125。由阻擋肋124分隔的空間定義放電單元Ce，并且放電氣體注入在放電單元Ce中。
預(yù)定電壓供給圖1中該P(yáng)DP1的相應(yīng)電極，放電發(fā)生在放電單元Ce中，放電產(chǎn)生紫外線，熒光層125由紫外線激發(fā)，并且發(fā)出可見光。放電可以分成用于選擇要接通的放電單元的尋址放電和在選擇的放電單元中持續(xù)放電的維持放電。尋址放電產(chǎn)生在掃描電極112和尋址電極122之間，而維持放電產(chǎn)生在掃描電極112和維持電極113之間。然而，由于在圖1的3-電極表面放電PDP1中掃描電極112和維持電極113之間的間隔縮小，在執(zhí)行維持放電時(shí)放電量變小，并且由于小放電量使亮度變?nèi)酢７烹娦室残枰纳啤?br> 下面參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明，其中展示了本發(fā)明的示范性實(shí)施例。
圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP 200的局部剖面透視圖。圖4是沿著線III-III剖取的圖3中PDP的剖面圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3的放電單元和電極的排列圖。以下，將參照?qǐng)D3、4和5描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP 200。
PDP 200包括第一基板201、第二基板202、阻擋肋205、第一電極206、第二電極207、尋址電極208、熒光層210和放電氣體(未示出)。
第一基板201和第二基板202以預(yù)定的距離彼此分開并且彼此面對(duì)。在根據(jù)本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施例的PDP 200中，由放電單元產(chǎn)生的可見光可以通過第一基板201或第二基板202發(fā)射出。因此，第一基板201和第二基板202中的至少一個(gè)是由具有高光透明度的材料如玻璃形成的透明基板。然而，本發(fā)明不限于此，并且第一基板201和第二基板202中的至少一個(gè)可由能充分傳輸可見光的任意材料形成。
由于第一基板201不包括存在于圖1中PDP 1的前基板110上的掃描電極112、維持電極113和第一介電層115，因此可見光的透明度可以極大地改善。即PDP 1的可見光的透明度約為60％，而根據(jù)本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施例的PDP 200的可見光的透明度超過90％。結(jié)果，根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例，改善了光發(fā)射效率阻擋肋205設(shè)置在第一基板201和第二基板202之間并分隔多個(gè)放電單元Ce。由阻擋肋205分隔的放電單元Ce具有卵形剖面并排列成矩陣形式。然而，阻擋肋205的結(jié)構(gòu)不限于此。即阻擋肋205可以形成為各種式樣，諸如網(wǎng)格(waffle)圖案、三角圖案等，其可以形成多個(gè)放電空間。同樣，放電空間的橫剖面可以為多邊形，諸如三角形、正方形、五邊形等，或者是圓形而不是橢圓形橫剖面。阻擋肋205防止發(fā)生在放電單元Ce之間的不希望有的放電。
如圖4和5中的所示，第一電極206、尋址電極208和第二電極207設(shè)置成圍繞放電單元Ce。第一電極206、尋址電極208和第二電極207彼此分開，并且在本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例中，在z方向上彼此分開。即第二電極207、尋址電極208和第一電極206順序地設(shè)置在第一電極206和第一基板201之間以及在第二電極207和第二基板202之間(在z方向上)。第一電極206、尋址電極208和第二電極207由導(dǎo)電材料如鋁、銀、銅等形成。
第一電極206和第二電極207在第一方向(y方向)上延伸并且尋址電極208在與第一方向相交的第二方向(x方向)上延伸。
當(dāng)放電發(fā)生時(shí)，阻擋肋205防止電流直接流過第一電極206、尋址電極208和第二電極207，并且也防止帶電粒子直接碰撞并損害第一電極206、尋址電極208和第二電極207。同樣，阻擋肋205由電介質(zhì)材料形成，可以積聚帶電粒子作為壁電荷。這樣的電介質(zhì)材料包括PbO、B2O3、SiO2等。
阻擋肋205的側(cè)面可以用作為保護(hù)層的MgO層209覆蓋。在本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例中，當(dāng)發(fā)生放電時(shí)，MgO層209防止由電介質(zhì)材料形成的阻擋肋205被損壞，并且加速第二電子的放電。通過陰極濺射或E-束蒸鍍，MgO層209形成為薄膜。
在本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例中，熒光層210設(shè)置在放電單元Ce中。熒光層210可以安置在放電單元Ce中的任意位置。例如，熒光層210形成在第一和第二基板201和202中的一個(gè)或兩個(gè)上。在圖3和4中，熒光層210設(shè)置在面對(duì)第二基板202的第一基板201的后面上。熒光層210包括紅-發(fā)射熒光層、綠-發(fā)射熒光層和藍(lán)-發(fā)射熒光層。
熒光層210包括接收由在第一電極206、尋址電極208和第二電極207之間的放電產(chǎn)生的紫外線的成分并發(fā)出可見光。紅-發(fā)射熒光層包括熒光體諸如Y(V，P)O4:Eu等，綠-發(fā)射熒光層包括熒光體諸如Zn2SiO4:Mn，YBO3:Tb等，并且藍(lán)-發(fā)射熒光層包括熒光體諸如BAM:Eu等。
放電單元Ce充滿了放電氣體，諸如Ne、Xe、Ne和Xe混合物，然后將其密封起來。
在圖1的PDP 1中，由于在維持電極113和掃描電極112之間的維持放電發(fā)生在接近第一基板111的水平方向上，因此放電區(qū)域相對(duì)地變窄。然而，在根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例的PDP 200中，由于維持放電發(fā)生在放電單元Ce的所有側(cè)面上，因此放電區(qū)域相對(duì)地變寬。此外，在本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例中，維持放電沿著每個(gè)放電單元Ce的側(cè)面以封閉曲線的形式發(fā)生，然后逐漸地?cái)U(kuò)散到放電單元Ce的中心。因而，維持放電發(fā)生的面積值增加，通常未利用的放電單元中的空間電荷可以用于光發(fā)射。結(jié)果，可以改善PDP的發(fā)光效率。
第一電極206可以用作維持電極，而第二電極207可以用作掃描電極，或反之亦然。以下，假定第一電極206用作維持電極而第二電極207用作掃描電極。
圖6是驅(qū)動(dòng)圖3中PDP 200的設(shè)備的結(jié)構(gòu)圖。
PDP驅(qū)動(dòng)設(shè)備包括圖像處理器400、邏輯控制器402、Y驅(qū)動(dòng)器404、尋址驅(qū)動(dòng)器406、X驅(qū)動(dòng)器408和PDP 200。
圖像處理器400接收外部模擬圖像信號(hào)，諸如PC信號(hào)、DVD信號(hào)、視頻信號(hào)、TV信號(hào)等，把模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，按數(shù)字信號(hào)執(zhí)行圖像處理，并輸出內(nèi)部圖像信號(hào)。內(nèi)部圖像信號(hào)是紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)8-位數(shù)字圖像信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)和垂直與水平同步信號(hào)。
邏輯控制器402從圖像控制器400接收內(nèi)部圖像信號(hào)，對(duì)內(nèi)部圖像信號(hào)執(zhí)行伽馬-校正、自動(dòng)電源管理(APC)等，并輸出尋址驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SA、Y驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SY和X驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SX。
Y驅(qū)動(dòng)器404接收來自邏輯控制器402的Y驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SY，在復(fù)位周期(圖7和8的PR)期間提供用于初始化放電的由上升脈沖和下降脈沖組成的復(fù)位脈沖，在尋址周期(圖7和8的PA)期間提供掃描脈沖，和在維持周期(圖7和8的PS)期間提出維持脈沖，給PDP 200的掃描電極(圖7或8的Y1，…，Yn)。
尋址驅(qū)動(dòng)器406接收來自邏輯控制器402的尋址驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA，并輸出尋址脈沖到PDP200的尋址電極(圖7或8的A1，…，Am)，以在尋址周期PA期間選擇要接通的放電單元。
X驅(qū)動(dòng)器408接收來自邏輯控制器402的X驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SX，在復(fù)位周期PR和尋址周期PA期間提供偏壓(圖.7或8的Vb)，并在維持周期PS期間提供維持脈沖，到PDP200的維持電極(圖7或8的X1，…，Xn)。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，圖7是圖3中驅(qū)動(dòng)PDP 300的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的時(shí)序圖。以下，參照?qǐng)D3至7描述圖3中驅(qū)動(dòng)PDP 200的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
參照?qǐng)D7，在維持放電周期PS中，交替地具有第一正電壓Vs和第二正電壓Vg的維持電極交替地供給掃描電極Y1，…，Yn和維持電極X1，…，Xn，而第三正電壓Vx供給尋址電極A1，…，Am。
PDP 200以60Hz或50Hz由每幀創(chuàng)建圖像。每幀由多個(gè)子域組成。用于時(shí)間分隔灰度顯示的灰度分量分配到各自的子域。每個(gè)子域SF分成復(fù)位周期PR、尋址周期PA和維持周期PS。
在初始化所有放電單元的復(fù)位周期PR中，由上升脈沖和下降脈沖組成的復(fù)位脈沖供給掃描電極Y1，…，Yn，當(dāng)提供下降脈沖時(shí)，第四正電壓Vb供給維持電極X1，…，Xn，并且第二電壓Vg供給尋址電極A1，…，Am。上升脈沖從第一電壓Vs逐漸上升了第五電壓Vset，從而最終達(dá)到第六電壓Vset+Vs。下降脈沖從第一電壓Vs逐漸下降，從而最終達(dá)到第七電壓Vnf。
通過提供上升脈沖，負(fù)壁電荷在放電單元中掃描電極Y1，…，Yn附近積聚，而正壁電荷在掃描電極X1，…，Xn和尋址電極A1，…，Am附近積聚，并且發(fā)生弱放電。通過提供下降脈沖，在放電單元中相應(yīng)電極附近積聚的壁電荷被消除，并且發(fā)生弱放電。當(dāng)復(fù)位周期PR終止時(shí)，少量的負(fù)壁電荷在掃描電極Y1，…，Yn附近積聚，負(fù)壁電荷在維持電極X1，…，Xn附近積聚，并且少量的正壁電荷在尋址電極A1，…，An附近積聚。
在尋址周期PA中，選擇了要接通的放電單元，并且尋址放電發(fā)生在選擇的放電單元中。掃描脈沖連續(xù)地供給掃描電極Y1，…，Yn，與掃描脈沖同步，尋址脈沖供給尋址電極A1，…，Am，并且第四正電壓Vb供給維持電極X1，…，Xn。掃描脈沖維持在第八正電壓Vsch然后降到小于第八電壓Vsch的第九電壓Vscl。當(dāng)選擇與掃描脈沖同步的接通的放電單元時(shí)，尋址脈沖具有第十電壓Va，并且當(dāng)選擇與掃描脈沖同步的未接通的放電單元時(shí)，具有第二正電壓Vg。
通過提供掃描脈沖和尋址脈沖，在復(fù)位周期PR期間由于壁電荷積聚在相應(yīng)的電極上，在放電單元中掃描電極Y1，…，Yn和尋址電極A1，…，Am之間發(fā)生尋址放電。在尋址周期PA結(jié)束后，正壁電荷在選擇的放電單元中掃描電極Y1，…，Yn附近積聚，在選擇的放電單元中，大量的負(fù)壁電荷在維持電極X1，…，Xn附近積聚，而在選擇的放電單元中，小量的負(fù)壁電荷在尋址電極A1，…，An附近積聚。
在維持周期PS中，維持放電發(fā)生在尋址周期PA中選擇的放電單元中。為了實(shí)現(xiàn)維持放電，維持脈沖交替地供給掃描電極Y1，…，Yn和維持電極X1，…，Xn。供給的維持脈沖的數(shù)量取決于給每一子域的灰度分量。當(dāng)維持放電發(fā)生時(shí)為了提高發(fā)光效率和改善亮度，第三正電壓Vx供給尋址電極A1，…，Am。第三電壓Vx可以低于第一電壓Vs。維持脈沖在第一正電壓Vs和第二電壓Vg交替。
通過提供維持脈沖和第三電壓Vx，由于在尋址周期PA期間壁電荷在放電單元中積聚，所以維持放電發(fā)生在放電單元中。
更詳細(xì)地，如果第一電壓Vs供給掃描電極Y1，…，Yn，第二電壓Vg供給維持電極X1，…，Xn，并且第三電壓Vx供給尋址電極A1，…，Am，在積聚大量壁電荷的維持電極X1，…，Xn和尋址電極A1，…，Am之間開始維持放電。維持放電延伸到維持電極X1，…，Xn和掃描電極Y1，…，Yn之間。由于維持放電，與其它技術(shù)相比放電量擴(kuò)大，結(jié)果提高放電效率并改善亮度。
通過第三正電壓Vx的應(yīng)用在維持放電發(fā)生以后，負(fù)壁電荷在尋址電極A1，…，Am附近積聚，負(fù)壁電荷在掃描電極Y1，…，Ym附近積聚，并且正壁電荷在維持電極X1，…，Xn附近積聚。于是，如果第二電壓Vg供給掃描電極Y1，…，Yn，第一電壓Vs供給維持電極X1，…，Xn，并且第三電壓Vx供給尋址電極A1，…，Am，在掃描電極Y1，…，Yn和尋址電極A1，…，Am之間開始維持放電，并且維持放電延伸到維持電極X1，…，Xn和掃描電極Y1，…，Yn之間。由于維持放電，與其它技術(shù)相比放電量擴(kuò)大，結(jié)果提高放電效率并改善亮度。
通過第三正電壓Vx的應(yīng)用在維持放電發(fā)生以后，負(fù)壁電荷在尋址電極A1，…，Am附近積聚，正壁電荷在掃描電極Y1，…，Ym附近積聚，并且負(fù)壁電荷在維持電極X1，…，Xn附近積聚。當(dāng)根據(jù)灰度分量持續(xù)地提供維持脈沖時(shí)，重復(fù)上面的操作。
為了引起在維持電極X1，…，Xn和尋址電極A1，…，Am之間及掃描電極Y1，…，Yn和尋址電極A1，…，Am之間開始維持放電，并導(dǎo)致維持放電平穩(wěn)地延伸到維持電極X1，…，Xn和掃描電極Y1，…，Yn之間，第三電壓Vx必須在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)。因此，第三電壓Vx優(yōu)選小于第一電壓Vs，并且如果第三電壓Vx大約為0.5Vs就足夠了。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的圖3中驅(qū)動(dòng)PDP的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的時(shí)序圖。以下，參照?qǐng)D3至8描述驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
在復(fù)位周期PR和尋址周期PA中，圖8中的驅(qū)動(dòng)信號(hào)以與圖7中的驅(qū)動(dòng)信號(hào)同樣的方式供給。然而，在維持周期PS中，異于圖7中的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，維持脈沖交替地供給掃描電極Y1，…，Yn和維持電極X1，…，Xn，并且尋址電極A1，…，Am浮置。浮置是一種不供電狀態(tài)。由于第一電壓Vs和第二電壓Vg交替地供給掃描電極Y1，…，Yn和維持電極X1，…，Xn，如圖8所示，設(shè)置在掃描電極Y1，…，Yn和維持電極X1，…，Xn之間的尋址電極A1，…，Am的電壓變成約為第一電壓Vs的一半，即0.5Vs。
因此，維持放電以與上面參照?qǐng)D7的描述相同的方式發(fā)生。即如果在放電單元中第一電壓Vs供給掃描電極Y1，…，Yn，在放電單元中第二電壓Vg供給維持電極X1，…，Xn，并且尋址電極A1，…，Am浮置，那么維持放電在維持電極X1，…，Xn和尋址電極A1，…，Am之間開始。維持放電延伸到掃描電極Y1，…，Yn和維持電極X1，…，Xn之間并因此擴(kuò)大放電量，導(dǎo)致提高放電效率和亮度。由于維持放電，負(fù)壁電荷在掃描電極Y1，…，Yn附近積聚，正壁電荷在維持電極X1，…，Xn附近積聚，并且負(fù)壁電荷維持在尋址電極A1，…，Am附近。
然后，如果在放電單元中第二電壓Vg供給掃描電極Y1，…，Yn，在放電單元中第一電壓Vs供給維持電極X1，…，Xn，并且尋址電極A1，…，Am浮置，那么維持放電在掃描電極Y1，…，Yn和尋址電極A1，…，Am之間開始，并且維持放電延伸到掃描電極Y1，…，Yn和維持電極X1，…，Xn之間。由于維持放電擴(kuò)大了放電量，因此改善了放電效率和亮度。通過維持放電，正壁電荷在掃描電極Y1，…，Yn附近積聚，負(fù)壁電荷在維持電極X1，…，Xn附近積聚，并且負(fù)壁電荷維持在尋址電極A1，…，Am附近。
由于根據(jù)灰度分量持續(xù)地供給維持脈沖，當(dāng)上述的操作重復(fù)時(shí)，維持放電連續(xù)地發(fā)生在放電單元中。
如上面所描述，根據(jù)本發(fā)明，可以獲得下面的效果。
第一，在根據(jù)本發(fā)明的PDP結(jié)構(gòu)中，由放電單元產(chǎn)生的可見光可以通過第一基板和第二基板中的一個(gè)或兩個(gè)發(fā)射。
第二，由于電極和介電層沒有朝向第一基板和第二基板設(shè)置，與其它布置相比，改善了可見透明度。
第三，由于各自的電極設(shè)置在阻擋肋中圍繞放電單元，維持放電沿著每個(gè)放電單元的側(cè)面以封閉曲線的形式發(fā)生然后逐漸地?cái)U(kuò)散到放電單元中心。因而，由于在放電單元中通常沒有利用的空間電荷用于光發(fā)射，所以可以改善發(fā)光效率。
第四，為了驅(qū)動(dòng)根據(jù)本發(fā)明的PDP，其中尋址電極設(shè)置在掃描電極和維持電極之間，通過在維持周期中通過給尋址電極提供正電壓或浮置尋址電極，維持放電在掃描電極(維持電極)和尋址電極之間開始，并且維持放電延伸到掃描電極和維持電極之間，結(jié)果增強(qiáng)了放電效率和亮度。
盡管本發(fā)明參照其中的示范性實(shí)施例已經(jīng)進(jìn)行了具體的展示和描述，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，可以對(duì)其進(jìn)行形式上和細(xì)節(jié)上的各種修改，而不脫離如權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示板，包括彼此分隔的第一基板和第二基板；阻擋肋，設(shè)置在所述第一基板和第二基板之間，并且與所述第一基板及第二基板一起定義出多個(gè)放電單元；多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極，設(shè)置在所述阻擋肋中，并彼此平行地在第一方向上延伸；多個(gè)尋址電極，設(shè)置在所述阻擋肋中，并在與所述第一方向相交的第二方向上延伸；多個(gè)熒光層，設(shè)置在所述放電單元中；和放電氣體，包含在所述放電單元中；其中單元幀分成多個(gè)具有用于灰度顯示的相應(yīng)灰度分量的多個(gè)子域，每個(gè)子域分成在其間放電單元初始化的復(fù)位周期、其間選擇要接通的放電單元的尋址周期，和在其間對(duì)應(yīng)于所述灰度分量的維持放電發(fā)生在所選擇的放電單元中的維持周期；并且其中交替地具有幅度等于正極性的第一電壓和低于該第一電壓的第二電壓的維持脈沖在所述維持周期期間交替地供給所述第一電極和所述第二電極，并且在所述維持周期期間正極性的第三電壓供給尋址電極，或在所述維持周期期間所述尋址電極浮置。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中所述第一電極、所述第二電極和所述尋址電極圍繞所述放電單元。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中所述尋址電極在所述阻擋肋內(nèi)并且排列在所述第一電極和所述第二電極之間。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中所述熒光層設(shè)置在所述第一和所述第二基板之一上。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中包括上升脈沖和下降脈沖的復(fù)位脈沖在所述復(fù)位周期期間供給所述第一電極；其中在所述復(fù)位周期期間，當(dāng)提供所述下降脈沖時(shí)正極性的第四電壓供給所述第二電極；其中在所述復(fù)位周期期間第二電壓供給所述尋址電極；其中在所述尋址周期期間掃描脈沖供給所述第一電極；其中在所述尋址周期期間所述第四電壓供給所述第二電極；并且其中在所述尋址周期期間尋址脈沖與所述掃描脈沖同步地供給所述尋址電極。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子顯示板，其中所述上升脈沖幅度從所述第一電壓上升第五電壓并且最終達(dá)到第六電壓；其中所述下降脈沖幅度從所述第一電壓下降并且最終達(dá)到第七電壓；其中所述掃描脈沖依次具有等于第八電壓和低于所述第八電壓的第九電壓的幅度；并且其中所述尋址脈沖具有等于正電極性的第十電壓的幅度。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中所述第三電壓低于所述第一電壓。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中所述第二電壓是接地電壓。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種改善亮度和放電效率的等離子顯示板(PDP)，包括彼此分隔的第一基板和第二基板；阻擋肋，設(shè)置在第一基板和第二基板之間；多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極，設(shè)置在該阻擋肋中，并且彼此平行地延伸；多個(gè)尋址電極，設(shè)置在該阻擋肋內(nèi)；多個(gè)熒光層，設(shè)置在放電單元中；放電氣體，包含在放電單元中。單元幀分成多個(gè)具有用于灰度顯示的相應(yīng)灰度分量的多個(gè)子域，每個(gè)子域分成復(fù)位周期、尋址周期和維持周期，并且在維持周期中，交替地具有正電極性的第一電壓和低于第一電壓的第二電壓的維持脈沖都交替地供給第一電極和第二電極，而正電極性的第三電壓供給尋址電極，或?qū)ぶ冯姌O浮置。
文檔編號(hào)H01J17/04GK1921059SQ20061012165
公開日2007年2月28日 申請(qǐng)日期2006年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月26日
發(fā)明者姜景斗 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社