專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子體顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示設(shè)備，且更具體地，涉及一種等離子體顯示設(shè)備，其中槽或溝道形成在面板的下基板上形成的障壁上，以減小形成在下基板上的尋址電極之間的電容。
背景技術(shù)：
等離子體顯示設(shè)備是一種顯示器，其中通過(guò)使面板中的氣體放電產(chǎn)生的真空紫外線(xiàn)(VUV)與面板中的熒光體碰撞以產(chǎn)生光。電壓被適當(dāng)?shù)厥┘拥教峁┰诘入x子體顯示設(shè)備的上基板上的掃描電極和維持電極以及施加到等離子體顯示設(shè)備的下基板上提供的尋址電極，以產(chǎn)生放電并在屏幕上顯示圖像。
即，相對(duì)極性的電壓施加到掃描電極和尋址電極以選擇用于產(chǎn)生放電的單元，并且相同量值的電壓交替施加到掃描電極、維持電極和尋址電極以產(chǎn)生放電。
這里，具有上面結(jié)構(gòu)的等離子顯示設(shè)備的上基板和下基板通過(guò)密封材料彼此附著，使上基板的黑矩陣(black matrices)附著到下基板的障壁，并且放電產(chǎn)生在障壁之間。
因此，當(dāng)VUV通過(guò)放電產(chǎn)生時(shí)，VUV激勵(lì)施加到放電空間內(nèi)的熒光體以發(fā)光，使產(chǎn)生可見(jiàn)射線(xiàn)以在屏幕上顯示圖像。
熒光體的厚度是10μm到20μm。由于R、G和B熒光體層的介電常數(shù)彼此不同，所以借助其熒光體層可以通過(guò)放電產(chǎn)生可見(jiàn)射線(xiàn)的放電電壓是彼此不同的。
但是，根據(jù)具有上面結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)等離子體顯示設(shè)備，通過(guò)形成在面板的下基板上的障壁在尋址電極之間產(chǎn)生電容，使無(wú)功功率在面板驅(qū)動(dòng)期間由于電極之間的電容而增加。
具體地，在面板中執(zhí)行單個(gè)掃描驅(qū)動(dòng)時(shí)比在面板中執(zhí)行雙掃描驅(qū)動(dòng)時(shí)需要較高的驅(qū)動(dòng)電壓。因此，形成在下基板上的尋址電極之間的電容增加，使面板的無(wú)功功率增加。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是解決至少背景技術(shù)的問(wèn)題和缺點(diǎn)。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種等離子體顯示設(shè)備，其中槽形成在等離子體顯示設(shè)備的下基板上形成的障壁上和之間，使形成在下基板上的尋址電極之間的電容減小，并且使由電容產(chǎn)生的無(wú)功功率減小，以減小面板的無(wú)功功率。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種等離子體顯示設(shè)備，其包括上基板；下基板，面對(duì)上基板；以及障壁，形成在下基板上以隔開(kāi)放電單元。至少一個(gè)寬度不小于障壁寬度的0.1倍并且不大于障壁寬度的0.8倍的槽形成在障壁上。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種等離子體顯示設(shè)備，其包括上基板；下基板，面對(duì)上基板；以及障壁，形成在下基板上以隔開(kāi)放電單元。至少一個(gè)寬度不小于障壁高度的0.5倍的槽形成在障壁上。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種等離子體顯示設(shè)備，其包括上基板；下基板，面對(duì)上基板；以及主障壁，形成在下基板上以隔開(kāi)放電單元。主障壁包括以預(yù)定距離彼此分開(kāi)的第一子障壁和第二子障壁。預(yù)定距離不小于從第一子障壁的一端到第二子障壁的另一端的寬度的0.1倍，并且不大于該寬度的0.8倍。


被包括以提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且被結(jié)合并構(gòu)成此說(shuō)明書(shū)的一部分的

了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與本描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。在圖中圖1是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的障壁的截面視圖。
圖2是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的障壁的截面視圖。
圖3是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的障壁的截面視圖。
圖4是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的障壁的截面視圖。
圖5是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的障壁的截面視圖。
圖6是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的障壁的截面視圖。
圖7和8是說(shuō)明槽形成在根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備的水平障壁上的透視圖。
圖9是說(shuō)明槽形成在根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備的豎直障壁上的透視圖。
具體實(shí)施例方式
將參考附圖以更詳細(xì)的方式描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖1是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的障壁的截面視圖。
如圖1中所示，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備包括尋址電極(未示出)，形成在下基板21上；白背面(white back)23，其是形成在尋址電極(未示出)上的白電介質(zhì)材料，用于防止放電光透射到下基板；障壁24，形成在白背面23上，用于隔開(kāi)放電單元；以及紅(下文中R)、綠(下文中G)和藍(lán)(下文中B)熒光體層25，施加到障壁24的側(cè)表面和放電空間的底表面，用于在放電期間發(fā)出可見(jiàn)射線(xiàn)。
具有寬度a的槽形成在障壁24上。形成在尋址電極(未示出)之間的電容(下文中Cp)通過(guò)該槽減小。
這里，槽a優(yōu)選地形成到底。但是，該槽的寬度不小于障壁寬度d的0.1倍并且不大于d的0.8倍、優(yōu)選地不小于d的0.3倍并且不大于d的0.6倍，以便維持障壁24的最小硬度并且保證放電單元空間。上述障壁的寬度不是接觸下基板的白背面的底的寬度，而是障壁的頂?shù)膶挾取?br> 即，障壁的寬度d是通過(guò)將通過(guò)槽彼此分開(kāi)的障壁的左頂?shù)膶挾萣1以及障壁的右頂?shù)膶挾萣2以及槽的寬度a彼此相加而得到。
當(dāng)省去待施加到障壁24的熒光體層25以及放電空間時(shí)，上述槽形成，以減小尋址電極之間產(chǎn)生的電容Cp并且增大清潔效率。
障壁的左頂?shù)膶挾萣1與障壁的右頂?shù)膶挾萣2彼此相等。即，槽形成為基于槽彼此對(duì)稱(chēng)。
在此情形中，障壁的左頂?shù)膶挾萣1和障壁的右頂?shù)膶挾萣2中的至少一個(gè)優(yōu)選地具有30μm與60μm之間的值。當(dāng)障壁的左頂?shù)膶挾萣1和障壁的右頂?shù)膶挾萣2都小于30μm時(shí)，由于障壁變得太薄而使得障壁變?nèi)?，難于維持障壁的形狀或障壁容易被震動(dòng)損壞。
槽的深度c不小于障壁高度的0.5倍。
即，由于障壁高度通常是120μm到130μm，所以槽的深度c不小于65μm，即不小于障壁高度的0.5倍。
當(dāng)槽的深度c小于障壁高度的0.5倍時(shí)，難于充分地減小電容。
在此情形中，槽的頂?shù)膶挾仁?0μm到150μm。為了將槽形成到底，槽的頂?shù)膶挾葍?yōu)選地是120μm到150μm。
在此情形中，熒光體層25形成在槽的頂上以及障壁上，以覆蓋障壁和槽。
圖2是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的障壁的截面視圖。
如圖2中所示，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備與根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的不同之處在于熒光體層25不形成在障壁的頂上和槽上。
由于熒光體層25不形成在障壁的頂上，有可能提高對(duì)比度。
圖3是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的障壁的截面視圖。
如圖3中所示，根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備與根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的不同之處在于彼此分開(kāi)的障壁的左頂?shù)膶挾萣1與障壁的右頂?shù)膶挾萣2彼此不相等。由于根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的其余結(jié)構(gòu)與根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)相同，將省略其描述。
圖4是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的障壁的截面視圖。
如圖4中所示，障壁形成在根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的下基板上。障壁包括第一子障壁24a和第二子障壁24b，并且預(yù)定的槽或溝道A形成在第一子障壁24a與第二子障壁24b之間。即，第一子障壁24a和第二子障壁24b以預(yù)定距離a彼此分開(kāi)。
將描述一種形成第一子障壁與第二子障壁之間的溝道的方法。槽以障壁的高度c形成在一個(gè)障壁上，使得具有寬度d的障壁被分成第一子障壁和第二子障壁，以形成兩個(gè)子障壁之間的溝道。
在另一方法中，第一和第二子障壁以預(yù)定距離彼此分開(kāi)以形成溝道A。
這里，形成在第一子障壁24a與第二子障壁24b之間的槽A的寬度不小于從第一子障壁24a的一端到第二子障壁24b的另一端的寬度d的0.1倍并且不大于d的0.8倍。槽A的寬度優(yōu)選地不小于從第一子障壁24a的一端到第二子障壁24b的另一端的寬度d的0.3倍并且不大于d的0.6倍。
預(yù)定距離或槽的寬度a可以大于子障壁的頂?shù)膶挾萣1或b2。
第一子障壁的寬度b1或第二子障壁的寬度b2不小于從第一子障壁的一端到第二子障壁的另一端的寬度d的0.1倍并且不大于d的0.45倍。
槽A的深度c等于第一和第二子障壁24a和24b的高度。即，該槽優(yōu)選地形成到底。
圖5是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的障壁的截面視圖。
如圖5中所示，根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備與根據(jù)第四實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的不同之處在于熒光體層25不形成在障壁的頂上和槽上。
由于熒光體層25不形成在障壁的頂上和槽上，有可能提高對(duì)比度。
圖6是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的障壁的截面視圖。
如圖6中所示，在根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備中，多個(gè)槽形成在障壁上。根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)基本上與根據(jù)上述實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)相同。
由多個(gè)槽彼此分開(kāi)的多個(gè)子障壁的頂?shù)膶挾萣1到b4可以彼此相等或可以彼此不同。
此時(shí)，槽的深度c可以不小于障壁高度的0.5倍并且可以等于障壁高度。
如上所述的本發(fā)明的第一到第六實(shí)施例可以應(yīng)用到豎直障壁以及應(yīng)用到水平障壁。
圖7和8是說(shuō)明槽形成在根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備的水平障壁上的透視圖。圖9是說(shuō)明槽形成在根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備的豎直障壁上的透視圖。
根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)將參考圖7到9詳細(xì)描述。如圖7到9中所示，根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備包括上面板10，圖像顯示在其上；以及下面板20，與上面板10分開(kāi)以與上面板10平行伸展。
這里，上面板10包括上基板11；多個(gè)掃描電極12和維持電極13，以均勻距離形成在上基板11上；電介質(zhì)層14，形成在多個(gè)電極12和13上；以及電介質(zhì)保護(hù)層15，形成在電介質(zhì)層14上。
下面板20包括多個(gè)尋址電極22，形成為與上面板10上的掃描電極12或維持電極13相交；白背面23，形成在尋址電極22上以防止放電光透射；障壁24，隔開(kāi)白背面23上的多個(gè)放電空間；以及R、G和B熒光體層25，施加到障壁的側(cè)表面和放電空間的底，以在放電期間發(fā)出可見(jiàn)射線(xiàn)。
這里，上和下面板10和20彼此附著，其中填充有惰性氣體，并且附著的面板被分時(shí)地驅(qū)動(dòng)到用于初始化所有單元以顯示圖像的復(fù)位時(shí)段、用于選擇單元的尋址時(shí)段、以及用于在所選擇的單元中產(chǎn)生顯示放電的維持時(shí)段。由該驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生的放電需要高電壓。
此時(shí)，面板是一個(gè)大的電容器型負(fù)載，使得電容Cp值在面板中、即在面板的電介質(zhì)層14與23之間充電。
相應(yīng)于在面板中充電的電容值Cp的增加，電極之間的無(wú)功電流增加，使得面板上的無(wú)功功率也增加。
因此，在根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備中，為了減小形成在下基板20上的尋址電極22之間的電容Cp值并從而減小無(wú)功功率，在下基板20的障壁24上形成預(yù)定的槽。
這里，根據(jù)本發(fā)明第一到第三實(shí)施例的槽可以形成在等離子體顯示設(shè)備的有效顯示區(qū)中的障壁上，并且根據(jù)本發(fā)明第四到第六實(shí)施例的槽可以形成在有效顯示區(qū)之外的非顯示區(qū)中的障壁上。這是因?yàn)榉秋@示區(qū)中的障壁的寬度可以大于有效顯示區(qū)中的障壁的寬度，使得盡管槽的深度增大或多個(gè)槽形成而障壁的硬度不會(huì)退化。
首先將描述在有效顯示區(qū)上形成的障壁。在障壁24上形成的槽的寬度不小于障壁24寬度的0.1倍并且不大于該寬度的0.8倍，并且優(yōu)選地不小于障壁24寬度的0.3倍并且不大于該寬度的0.6倍。
其上形成有槽A的障壁24的左和右頂?shù)膶挾?圖1的b1和b2)彼此相等，即，不小于障壁24寬度的0.1倍并且不大于該寬度的0.45倍，并且槽A的深度不小于障壁24高度的0.5倍。
此時(shí)，槽A優(yōu)選地具有不小于障壁24高度的0.7倍的深度。
當(dāng)槽A的寬度a小于障壁高度的0.1倍時(shí)，不可能充分地減小面板的無(wú)功功率。當(dāng)槽A的寬度a大于障壁高度的0.8倍時(shí)，難于維持面板的障壁24的硬度，使得障壁倒塌。
當(dāng)槽A的深度c小于障壁24高度的0.5倍時(shí)，不可能充分地減小下基板20的尋址電極之間的無(wú)功電流。
在根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備中，非顯示區(qū)中的障壁可以包括第一子障壁24a和第二子障壁24b，使得槽可以形成在第一與第二子障壁24a與24b之間。為了將障壁分成兩個(gè)子障壁，槽的深度優(yōu)選地等于障壁的高度。
這里，槽的寬度不小于從第一子障壁24a的一端到第二子障壁24b的另一端的寬度d的0.1倍并且不大于d的0.8倍，優(yōu)選地不小于d的0.3倍并且不大于d的0.6倍。其間形成有槽A的第一和第二子障壁24a和24b的寬度b1和b2優(yōu)選地彼此相等。
槽的寬度a優(yōu)選地不小于從第一子障壁24a的一端到第二子障壁24b的一端的寬度D的0.1倍并且不大于D的0.45倍，并且槽A的深度優(yōu)選地等于障壁的高度。
此時(shí)，當(dāng)槽的寬度小于從第一子障壁24a的一端到第二子障壁24b的一端的寬度D的0.1倍時(shí)，不可能充分減小無(wú)功功率。當(dāng)槽的寬度大于從第一子障壁24a的一端到第二子障壁24b的一端的寬度D的0.8倍時(shí)，難于維持面板的第一和第二子障壁24a和24b的硬度。
當(dāng)槽A的深度c小于第一和第二子障壁的高度的0.5倍時(shí)，不可能充分地減小形成在下面板20上的尋址電極之間的電容。
由于槽A形成，所以當(dāng)省去待施加到下面板20的熒光體層25時(shí)有可能獲得高的清潔效果。
因此，根據(jù)具有上面結(jié)構(gòu)的等離子體顯示設(shè)備，具有預(yù)定寬度的槽A形成在面板的下面板20上的障壁24上，以減小由于下面板20上的尋址電極22之間的電容Cp值以及在尋址電極22之間流動(dòng)的無(wú)功電流而導(dǎo)致的形成在面板上的無(wú)功功率。
具體地，如圖8中所示，槽可以形成于障壁上的均勻部分中。即，當(dāng)槽形成在水平障壁上時(shí)，槽可以?xún)H形成在定位于一個(gè)放電單元與相鄰于該放電單元的一放電單元之間的邊界上的障壁上。此時(shí)，槽不形成在水平障壁與豎直障壁彼此相交的點(diǎn)上，使得有可能保證整個(gè)障壁的硬度。
由此描述了本發(fā)明，明顯其可以以很多方式變化。這樣的變化不應(yīng)看作脫離本發(fā)明的精神和范圍，并且所有這些將對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員是明顯的變化將旨在包括在后面的權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
在具有上面結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備中，由于槽形成在面板的下基板上的障壁上或子障壁之間以減小下基板上的尋址電極之間的電容值，并從而減小形成在電極之間的無(wú)功功率，所以有可能提高面板的放電效率。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示設(shè)備，包括上基板；下基板，面對(duì)所述上基板；以及障壁，形成在所述下基板上以隔開(kāi)放電單元，其中至少一個(gè)寬度不小于障壁寬度的0.1倍并且不大于障壁寬度的0.8倍的槽形成在所述障壁上。
2.如權(quán)利要求1的等離子體顯示設(shè)備，其中所述障壁寬度是障壁的頂?shù)膶挾取?br> 3.如權(quán)利要求1的等離子體顯示設(shè)備，其中所述槽的寬度不小于障壁寬度的0.3倍并且不大于障壁寬度的0.6倍。
4.如權(quán)利要求1的等離子體顯示設(shè)備，其中所述槽的寬度是50μm到150μm。
5.如權(quán)利要求1的等離子體顯示設(shè)備，其中所述槽的左側(cè)上的障壁的頂和所述槽的右側(cè)上的障壁的頂彼此相等。
6.如權(quán)利要求1的等離子體顯示設(shè)備，其中所述障壁的左頂和右頂之一是30μm到60μm。
7.如權(quán)利要求1的等離子體顯示設(shè)備，其中所述槽的寬度大于所述障壁的左頂和右頂之一。
8.如權(quán)利要求1的等離子體顯示設(shè)備，其中所述槽的深度不小于所述障壁高度的0.5倍。
9.如權(quán)利要求8的等離子體顯示設(shè)備，其中所述槽的深度不小于所述障壁高度的0.7倍。
10.如權(quán)利要求1的等離子體顯示設(shè)備，其中所述障壁包括水平障壁和豎直障壁，以及其中所述槽形成在所述水平障壁上。
11.如權(quán)利要求1的等離子體顯示設(shè)備，其中熒光體形成在所述槽上。
12.一種等離子體顯示設(shè)備，包括上基板；下基板，面對(duì)所述上基板；以及障壁，形成在所述下基板上以隔開(kāi)放電單元，其中至少一個(gè)寬度不小于障壁高度的0.5倍的槽形成在所述障壁上。
13.如權(quán)利要求12的等離子體顯示設(shè)備，其中所述槽的深度不小于所述障壁高度的0.7倍。
14.如權(quán)利要求12的等離子體顯示設(shè)備，其中所述槽的深度等于所述障壁高度。
15.如權(quán)利要求12的等離子體顯示設(shè)備，其中所述障壁包括水平障壁和豎直障壁，以及其中所述槽形成在所述水平障壁上。
16.如權(quán)利要求12的等離子體顯示設(shè)備，其中熒光體形成在所述槽上。
17.一種等離子體顯示設(shè)備，包括上基板；下基板，面對(duì)所述上基板；以及主障壁，形成在所述下基板上以隔開(kāi)放電單元，其中所述主障壁包括以預(yù)定距離彼此分開(kāi)的第一子障壁和第二子障壁，以及其中所述預(yù)定距離不小于從所述第一子障壁的一端到所述第二子障壁的另一端的寬度的0.1倍，并且不大于所述寬度的0.8倍。
18.如權(quán)利要求17的等離子體顯示設(shè)備，其中所述第一子障壁的頂?shù)膶挾扰c所述第二子障壁的頂?shù)膶挾缺舜讼嗟取?br> 19.如權(quán)利要求17的等離子體顯示設(shè)備，其中所述預(yù)定距離大于所述子障壁的頂?shù)膶挾取?br> 20.如權(quán)利要求17的等離子體顯示設(shè)備，其中所述預(yù)定距離不小于從所述第一子障壁的一端到所述第二子障壁的另一端的寬度的0.3倍并且不大于所述寬度的0.6倍。
全文摘要
提供了一種等離子體顯示設(shè)備。該等離子體顯示設(shè)備包括上基板；下基板，其面對(duì)上基板；以及障壁，其形成在所述下基板上以隔開(kāi)放電單元。至少一個(gè)具有寬度不小于障壁寬度的0.1倍并且不大于障壁寬度的0.8倍的槽形成在所述障壁上。因此，有可能減小尋址電極之間的電容值并且減小形成在所述電極之間的無(wú)功功率，使得有可能提高面板的放電效率。
文檔編號(hào)H01J11/12GK1983499SQ200610086909
公開(kāi)日2007年6月20日 申請(qǐng)日期2006年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月16日
發(fā)明者金允基 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社