專利名稱：等離子體顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示板(PDP)，具體涉及一種具有改進(jìn)的總線電極結(jié)構(gòu)的PDP。
背景技術(shù)：
PDP通過(guò)利用紫外線(UV)激發(fā)磷層來(lái)顯示圖像。紫外線是在通過(guò)將預(yù)定電壓施加到在一個(gè)充氣的密封放電空間中形成的電極上產(chǎn)生的輝光放電期間產(chǎn)生的。
一般來(lái)說(shuō)，PDP包括連接在一起的相對(duì)的前板和后板。
前板包括一個(gè)前基板，在該前基板上相隔預(yù)定距離的多個(gè)維持電極對(duì)，一個(gè)覆蓋維持電極對(duì)的前電介質(zhì)層，和一個(gè)覆蓋該前電介質(zhì)層的保護(hù)層。每一個(gè)維持電極對(duì)一般包括一個(gè)共用電極和一個(gè)掃描電極，并且該共用電極和該掃描電極包括一個(gè)透明電極和一個(gè)總線電極。該總線電極可以連接到該透明電極上，而且它將電壓施加到該透明電極上。
后板包括一個(gè)與前基板相對(duì)的后基板，在該后基板上形成的與維持電極對(duì)交叉的多個(gè)尋址電極，一個(gè)覆蓋該尋址電極的后電介質(zhì)層，形成在該后電介質(zhì)層上的用于限定放電空間和防止串?dāng)_的多個(gè)障壁(barrier rib)，和多個(gè)涂覆在由障壁限定的放電空間中的紅、綠、藍(lán)色磷層。
在具有上述結(jié)構(gòu)的PDP中，總線電極可以由一個(gè)黑色電極層和一個(gè)白色電極層形成。通過(guò)將該黑色電極層靠近前基板放置，將該黑色電極層用作一個(gè)屏蔽膜。日本專利公報(bào)No.2003-187709公開了與黑色電極層相關(guān)的技術(shù)。
在常用的總線電極中，可以形成黑色電極層的釕(Ru)-導(dǎo)電顆粒、可以形成白色電極層的銀(Ag)-導(dǎo)電顆粒、和作為包括在黑色和白色電極層中的粘合顆粒的玻璃料的平均直徑都大于5μm。
然而，當(dāng)導(dǎo)電和粘合顆粒的平均直徑大于5μm時(shí)，顆粒間氣孔的尺寸增大。因此，會(huì)在總線電極中形成大量的針孔，導(dǎo)致總線電極密度下降，從而因增加了總線電極的線路電阻而降低了電導(dǎo)率。當(dāng)粘合顆粒的平均直徑大于導(dǎo)電顆粒的平均直徑時(shí)，這一問(wèn)題會(huì)變得嚴(yán)重。
為了解決這一問(wèn)題，可以將總線電極做得較厚。然而，增加厚度會(huì)增加材料的成本，并且當(dāng)總線電極的兩端都厚于中間區(qū)域時(shí)(具有不均勻的截面形狀)，還可能導(dǎo)致邊緣卷曲。
如果邊緣卷曲足夠嚴(yán)重，則前電介質(zhì)層的耐電壓會(huì)下降。因此，可以增加前電介質(zhì)層的厚度以補(bǔ)充其耐電壓。但這要求額外的材料成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有由高密度薄膜形成的總線電極的PDP，該高密度薄膜增加總線電極的電導(dǎo)率并且保證覆蓋它們的電介質(zhì)層的足夠的耐電壓。
本發(fā)明的附加特征將在下面的描述中進(jìn)行闡述，部分附加特征從下面的描述中是顯而易見的，或者通過(guò)本發(fā)明的實(shí)例得知這些部分附加特征。
本發(fā)明公開了一種PDP，該P(yáng)DP包括一個(gè)前基板和一個(gè)形成在該前基板上的維持電極。該維持電極包括互相連接的一個(gè)透明電極和一個(gè)總線電極，并且總線電極包括導(dǎo)電顆粒和粘合顆粒。導(dǎo)電顆粒的平均直徑和粘合顆粒的平均直徑小于5μm。
應(yīng)當(dāng)理解的是，前述的一般性描述和下面的詳細(xì)描述是示例性的和解釋性的，并且意在提供對(duì)請(qǐng)求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步的解釋。


包含在說(shuō)明書中以提供對(duì)發(fā)明的進(jìn)一步理解并且組成說(shuō)明書一部分的附圖，圖解了本發(fā)明的實(shí)施例并且和說(shuō)明書一起解釋本發(fā)明的原理。
圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的PDP的分解透視圖。
圖2是圖1中的PDP的截面圖。
圖3是表示形成在圖1的PDP的前基板上的一個(gè)總線電極的截面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的PDP的分解透視圖，圖2是圖1中的PDP的截面圖。
參考圖1和圖2，PDP 100包括彼此相對(duì)的一個(gè)前基板111和一個(gè)后基板131。多對(duì)維持電極121形成在前基板111的與后基板131相對(duì)的一個(gè)表面上。一對(duì)維持電極121包括一個(gè)共用電極“X電極”，和一個(gè)掃描電極“Y電極”，在這兩個(gè)電極之間具有一個(gè)放電間隙G。
維持電極121包括一個(gè)可以由氧化銦錫(ITO)形成的透明電極122和一個(gè)與該透明電極122連接的總線電極123。
如圖1所示，透明電極122可以包括多個(gè)突起，并且每一個(gè)突起的一端與總線電極123相連接。與突起相應(yīng)的其他端形成放電間隙G。但是透明電極122的結(jié)構(gòu)并不限于此。
前電介質(zhì)層112覆蓋多對(duì)維持電極121，一個(gè)可以由氧化鎂(Mgo)形成的保護(hù)層113覆蓋該前電介質(zhì)層112。
尋址電極132形成在后基板131的與前基板111相對(duì)的一個(gè)表面上，并且它們與多對(duì)維持電極121交叉。
后電介質(zhì)層133覆蓋尋址電極132，并且障壁134形成在后電介質(zhì)層133上。障壁134限定多個(gè)放電單元135，并且防止在相鄰的放電單元135之間發(fā)生串?dāng)_。
障壁134可以包括交叉的第一障壁134a和第二障壁134b。如圖1所示，第一障壁134a互相平行并且位于尋址電極132之間。
第一和第二障壁134a和134b限定了放電單元135的一個(gè)矩陣。以矩陣形狀限定放電單元135可以增加松焦油瀝青(pine pitch)、亮度和發(fā)射效率?？梢砸圆煌哪Ｊ脚帕姓媳?34來(lái)限定放電單元。
可以通過(guò)在后電介質(zhì)層133的一個(gè)表面上和障壁134的側(cè)表面上涂覆熒光材料來(lái)形成磷層136。紅、綠和藍(lán)色熒光材料可以用于顯示彩色圖像。根據(jù)熒光材料的發(fā)光顏色來(lái)形成紅、綠和藍(lán)色磷層。
放電單元135可以包括紅、綠和藍(lán)色放電單元135R、135G和135B，并且這三個(gè)相鄰的放電單元135R、135G和135B可以組成一個(gè)單元像素。放電單元135中充有放電氣體，并且通過(guò)密封元件將前基板111和后基板131密封在一起。
參考圖3，總線電極123可包括第一總線電極層124和第二總線電極層125。
通過(guò)被放置于前基板111上，第一總線電極層124與透明電極122連接。并且第二總線電極層125可以形成在第一總線電極層124上。第一總線電極層124優(yōu)選大于0.4μm的厚度，從而沒(méi)有減小板的對(duì)比度。
第一和第二總線電極層124和125可以通過(guò)涂覆、干燥和燒結(jié)包括導(dǎo)電顆粒124a與125a和粘合顆粒124b與125b(粉狀)、粘合劑和溶劑的膏狀物來(lái)形成。在通過(guò)干燥和燒結(jié)除掉粘合劑和溶劑之后，導(dǎo)電顆粒124a與125a和粘合顆粒124b與125b可以被形成在第一和第二總線電極層124和125中。可以使用用于形成第一和第二總線電極層124和125的各種方法。
第一總線電極層124的導(dǎo)電顆粒124a可以由Ru、Co或Mn形成，它們?yōu)楹谏⑶铱梢晕胀饨绻狻５诙偩€電極層125的導(dǎo)電顆粒125a可以由Ag、Al或Au形成，它們?yōu)榘咨⑶铱梢苑瓷鋸牧讓?36發(fā)射的可見光。
包括在第一和第二總線電極層124和125中的粘合顆粒124b和125b可以由玻璃料形成，該玻璃料凝聚并包圍導(dǎo)電顆粒124a和125a。玻璃料可以由PbO、B2O3、SiO2、Al2O3或者Bi2O2構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性的實(shí)施例，導(dǎo)電顆粒124a和125a的平均直徑小于5μm，粘合顆粒124b和125b的平均直徑等于或者小于導(dǎo)電顆粒124a和125a的平均直徑。
以小于5μm的平均直徑形成導(dǎo)電顆粒124a與125a和粘合顆粒124b與125b允許以高密度薄膜的形式形成總線電極123。因此，如下面的例子所示，與現(xiàn)有技術(shù)相比，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的總線電極可以具有較好的線路電阻、邊緣卷曲值、和前電介質(zhì)層的耐電壓。
<比較例>
根據(jù)常規(guī)技術(shù)，形成總線電極使得形成第一總線電極層的Ru的平均直徑、形成第二總線電極層的Ag的平均直徑、和包含在第一和第二總線電極層124和125中的玻璃料的平均直徑為5μm。形成另一種總線電極的情況是使Ru和Ag的平均直徑為5μm，玻璃料的平均直徑為6μm。
表1示出的是常規(guī)形成的總線電極的總線電極厚度、線路電阻、邊緣卷曲值和前電介質(zhì)層的耐電壓的測(cè)量值。
在表1中，總線電極的厚度表示組合的第一和第二總線電極層的總厚度。邊緣卷曲值是總線電極的最大和最小厚度之間的差值?？偩€電極的線路電阻是基于80μm的寬度和933mm的長(zhǎng)度測(cè)量的，前電介質(zhì)層的耐電壓是基于36μm厚的前電介質(zhì)層測(cè)量的。這些相同的條件也被應(yīng)用到本發(fā)明示例性實(shí)施例的例1、例2、例3、例4和例5中。
表1


參考表1，當(dāng)Ru、Ag和玻璃料的平均直徑為5μm時(shí)，線路電阻為80Ω，邊緣卷曲值為5μm，前電介質(zhì)層的耐電壓為850V。
<例1>
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例，將Ru的平均直徑和Ag的平均直徑形成為4μm，將玻璃料的平均直徑形成為小于1μm和1-4μm，以1μm進(jìn)行遞增。
表2匯總了例1的測(cè)量結(jié)果。
表2


參考表1和表2，當(dāng)Ru、Ag和玻璃料的平均直徑為4μm時(shí)，即使總線電極的厚度從13μm降低到10.1μm，但線路電阻仍從80Ω降低到75Ω。這一結(jié)果表示總線電極可以通過(guò)減小導(dǎo)電顆粒和粘合顆粒的平均直徑以高密度形成。因此，即使因?yàn)轭w粒間的氣孔尺寸減小和產(chǎn)生的針孔減少而使總線電極變得較薄，但總線電極的線路電阻仍降低。
而且，如表1和表2所示，因?yàn)榭偩€電極變薄了，邊緣卷曲值從5μm下降到3.9μm，并且因?yàn)檫吘壘砬迪陆担碗妷簭?50V上升到870V。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，形成一個(gè)薄而致密的總線電極可以降低用于形成總線電極的材料成本，并且因?yàn)樵诳偩€電極中產(chǎn)生的針孔減少了，所以可以減少檢修工作，從而提高生產(chǎn)率。而且，因?yàn)榍半娊橘|(zhì)層的耐電壓增加，因此可以將前電介質(zhì)層做得較薄，這是由于其斷路可能性較小，從而進(jìn)一步降低了材料成本。
一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)玻璃料的平均直徑降低時(shí)，總線電極的密度就會(huì)增加，這是期望的結(jié)果。另外，當(dāng)比較例1的總線電極的厚度、線路電阻、邊緣卷曲值和總線電極的前電介質(zhì)層的耐電壓時(shí)，隨著玻璃料的平均直徑的減小，這些特征逐漸變得更加有利。
<例2>
在例2中，將Ru的平均直徑和Ag的平均直徑形成為3μm，將玻璃料的平均直徑形成為小于1μm和1-3μm，以1μm進(jìn)行遞增。
表3示出了測(cè)量結(jié)果。
表3


參考表1和表3，當(dāng)Ru、Ag和玻璃料的平均直徑為5μm時(shí)，總線電極的厚度為13μm，當(dāng)Ru、Ag和玻璃料的平均直徑為3μm時(shí)，總線電極的厚度為7.8μm。即當(dāng)Ru、Ag和玻璃料的平均直徑降低時(shí)，總線電極變薄。而且，總線電極的線路電阻從80Ω降至71Ω，邊緣卷曲值從5μm降至2.2μm，前電介質(zhì)層的耐電壓從850V增加到885V。
與例1相比，例2中的總線電極厚度、線路電阻、邊緣卷曲值和前電介質(zhì)層的耐電壓較好。一般來(lái)說(shuō)，隨著顆粒的平均直徑下降，總線電極的密度就會(huì)增加。
此外，當(dāng)玻璃料的平均直徑下降時(shí)，總線電極的密度會(huì)增加，這是想要的結(jié)果。而且，當(dāng)比較例2的總線電極的厚度、線路電阻、邊緣卷曲值和總線電極的前電介質(zhì)層的耐電壓時(shí)，隨著玻璃料的平均直徑的降低，這些特征逐漸變得更加有利。
<例3>
在例3中，形成總線電極使得Ru的平均直徑和Ag的平均直徑為2μm，將玻璃料的平均直徑形成為小于1μm、1μm和2μm。
表4示出了測(cè)量結(jié)果。
表4


參考表1和表4，當(dāng)Ru、Ag和玻璃料的平均直徑為5μm時(shí)，總線電極的厚度為13μm，當(dāng)Ru、Ag和玻璃料的平均直徑為2μm時(shí)，總線電極的厚度為6.5μm。即當(dāng)Ru、Ag和玻璃料的平均直徑降低時(shí)，總線電極變薄。而且，總線電極的線路電阻從80Ω降至66Ω，邊緣卷曲值從5μm降至1.0μm，前電介質(zhì)層的耐電壓從850V增加到900V。
例3的測(cè)量結(jié)果要好于例1和例2的測(cè)量結(jié)果。
一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)顆粒的平均直徑降低時(shí)，總線電極的密度增加。此外，當(dāng)比較例3的總線電極的厚度、線路電阻、邊緣卷曲值和總線電極的前電介質(zhì)層的耐電壓時(shí)，隨著玻璃料的平均直徑的減小，這些特征逐漸變得更加有利。
<例4>
在例4中，形成總線電極使得Ru和Ag的平均直徑為1μm，將玻璃料的平均直徑形成為小于1μm和1μm。
表5示出了測(cè)量結(jié)果。
表5


參考表1和表5，當(dāng)Ru、Ag和玻璃料的平均直徑為5μm時(shí)，總線電極的厚度為13μm，當(dāng)Ru、Ag和玻璃料的平均直徑為1μm時(shí)，總線電極的厚度為3.8μm。即當(dāng)Ru、Ag和玻璃料的平均直徑降低時(shí)，總線電極變薄。而且，總線電極的線路電阻從80Ω降至53Ω，邊緣卷曲值從5μm降至0.5μm，前電介質(zhì)層的耐電壓從850V增加到917V。
例4的測(cè)量結(jié)果要好于例1至例3的測(cè)量結(jié)果。
一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)顆粒的平均直徑降低時(shí)，總線電極的密度增加。此外，當(dāng)比較例4的總線電極的厚度、線路電阻、邊緣卷曲值和總線電極的前電介質(zhì)層的耐電壓時(shí)，隨著玻璃料的平均直徑的減小，這些特征逐漸變得更加有利。
<例5>
在例5中，形成總線電極使得Ru、Ag和玻璃料的平均直徑為小于1μm。
表6示出了測(cè)量結(jié)果。
表6


參考表1和表6，當(dāng)Ru、Ag和玻璃料的平均直徑為5μm時(shí)，總線電極的厚度為13μm，當(dāng)Ru、Ag和玻璃料的平均直徑為小于1μm時(shí)，總線電極的厚度為3.0μm。即當(dāng)Ru、Ag和玻璃料的平均直徑降低時(shí)，總線電極變薄。而且，總線電極的線路電阻從80Ω降至42Ω，邊緣卷曲值從5μm降至0.3μm，前電介質(zhì)層的耐電壓從850V增加到933V。
例5的測(cè)量結(jié)果要好于例1至例4的測(cè)量結(jié)果。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，可以形成一個(gè)薄而且具有高密度的總線電極。因此，低的線路電阻可以增加總線電極的電導(dǎo)率，并且減少針孔的產(chǎn)生可以增加總線電極的生產(chǎn)效率。另外，因?yàn)榭梢詼p少邊緣卷曲，所以可以維持覆蓋總線電極的前電介質(zhì)層的耐電壓，并且可以降低總線電極和電介質(zhì)層厚度，從而降低了材料成本。
很顯然，在不脫離本發(fā)明的精神或者范圍的情況下，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明作出各種各樣的修改和變型。因此，只要這些修改和變型落在附加權(quán)利要求書及其等價(jià)表述的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明就覆蓋了這些修改和變型。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示板(PDP)，包括一個(gè)前基板；和一個(gè)形成在該前基板上的維持電極，該維持電極包括互相連接的一個(gè)透明電極和一個(gè)總線電極，其中總線電極包括導(dǎo)電顆粒和粘合顆粒；其中導(dǎo)電顆粒的平均直徑和粘合顆粒的平均直徑小于5μm。
2.如權(quán)利要求1所述的PDP，其中粘合顆粒的平均直徑等于或者小于導(dǎo)電顆粒的平均直徑。
3.如權(quán)利要求1所述的PDP，其中導(dǎo)電顆粒的平均直徑和粘合顆粒的平均直徑在1-4μm的范圍之內(nèi)。
4.如權(quán)利要求3所述的PDP，其中粘合顆粒的平均直徑等于或者小于導(dǎo)電顆粒的平均直徑。
5.如權(quán)利要求1所述的PDP，其中總線電極包括形成在透明電極上的第一總線電極層；和形成在第一總線電極層上的第二總線電極層，其中第一和第二總線電極層包括導(dǎo)電顆粒和粘合顆粒。
6.如權(quán)利要求5所述的PDP，其中粘合顆粒的平均直徑等于或者小于導(dǎo)電顆粒的平均直徑。
7.如權(quán)利要求5所述的PDP，其中導(dǎo)電顆粒的平均直徑和粘合顆粒的平均直徑在1-4μm的范圍之內(nèi)。
8.如權(quán)利要求7所述的PDP，其中粘合顆粒的平均直徑等于或者小于導(dǎo)電顆粒的平均直徑。
9.如權(quán)利要求5所述的PDP，其中第一總線電極層的導(dǎo)電顆粒是黑色的。
10.如權(quán)利要求9所述的PDP，其中第一總線電極層的導(dǎo)電顆粒包括Ru、Co或者M(jìn)n。
11.如權(quán)利要求5所述的PDP，其中第二總線電極層的導(dǎo)電顆粒是白色的。
12.如權(quán)利要求11所述的PDP，其中第二總線電極層的導(dǎo)電顆粒包括Ag、Al或者Au。
13.如權(quán)利要求5所述的PDP，其中粘合顆粒由一種玻璃料形成。
14.如權(quán)利要求13所述的PDP，其中玻璃料包括PbO、B2O3、SiO2、Al2O3或者Bi2O2。
15.如權(quán)利要求5所述的PDP，其中第一總線電極層的厚度大于0.4μm。
全文摘要
一種等離子體顯示板，包括一個(gè)前基板，和一個(gè)形成在該前基板上的維持電極。該維持電極包括互相連接的一個(gè)透明電極和一個(gè)總線電極，該總線電極包括導(dǎo)電顆粒和粘合顆粒。導(dǎo)電顆粒的平均直徑和粘合顆粒的平均直徑小于5μm。
文檔編號(hào)H01J11/02GK1667782SQ20051005656
公開日2005年9月14日 申請(qǐng)日期2005年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月8日
發(fā)明者洪種基, 姜太京 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社