專利名稱：電燈和在該燈上沉積層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括干涉薄膜的電燈，本發(fā)明還涉及一種在電燈上沉積材料層的方法。
背景技術(shù)：
這種燈具體是具有白熾光源的白熾燈.此外，電燈還可以是放電燈， 其中在工作時，孤光放電作為光源。這種電燈例如用于汽牟應(yīng)用中，例 如用作(面素或放電)頭燈，在工作中，其發(fā)出黃光作為指示燈(也稱 為"車輛信號燈")中的琥珀色光源或作為制動燈中的紅色光源.這種 電燈也用于常規(guī)的照明用途。所述的電燈還用于交通和方向信號、輪廓 照明、交通信號燈、投射照明和纖維光學(xué)照明。這種電燈的可選擇的實 施方式包括其中通過適當?shù)母缮姹∧じ淖兩珳睾?或在燈管中含有紅外 核射的燈。干涉薄膜反射和/或允許通過源自電磁波頻謙的不同部分的輻射，例 如紫外光、可見光和/或紅外光。通常提供這種干涉薄膜作為在電燈(的 燈管)和/或反射體上的涂層。一般地，采用兩種燈管。 一種燈管包括所謂的"雙端"燈管，其具 有設(shè)置成相互對置的第一和第二端部，在雙端燈中，供電導(dǎo)體分別通過 第一和笫二端部電連接到從燈管傳出的光源上。另一電燈類型包括所謂 的"單端"燈，其僅具有單個端部。在單端燈中，供電導(dǎo)體通過端部電 連接到從燈管傳出的光源上。在彎曲基板上為形成涂層的材料沉積是^^知的，例如用于制備電 燈。在燈的制備中，具體的燈包括密封的發(fā)光燈管，該發(fā)光燈管中設(shè)置 了光源(即，燈燃燒器)，通常在至少部分燈燃燒器的表面上沉積一種 或多種材料以形成涂層是適合的，例如，公知的在燈管的表面上沉積材 料以形成紅外線反射、紫外線反射、熱反射材料和可見光詳輻射的反射 干涉薄膜。干涉薄膜可以以常規(guī)方法進行制備，例如通過氣相沉積(PVD:物理 氣相沉積)或通過(交流或直流)(反應(yīng))濺射的方法，或通過浸清涂 敷或噴涂工藝的方法，或通過LP-CVD(低壓化學(xué)氣相沉積)、PE-CVD(等
離子體增強CVD)或PI-CVD (等離子體脈沖化學(xué)氣相沉積)的方法.在公開的章節(jié)中所迷類型的電燈從EP-A0986083中可以知道.公知 的電燈具有局部厚度不同的千涉過濾涂層以確保在所有點上發(fā)射相同的 光分量。公知的電燈包括白熾燈和燈管，該白熾燈具有梨形燈管和干涉 過濾涂層，該千涉過濾涂層沿著連接旋轉(zhuǎn)對稱軸的交叉點的燈管的最短 線上具有一個厚度，該燈管在錐形管部上有點，其厚度在該錐形管部的 線性終點上從最小值向最大值穩(wěn)定地增加。在公知的燈上設(shè)計干涉薄膜時，假設(shè)光源是點源.這是公知的電燈 的缺點.發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種其中消除了所述缺點的電燈。根據(jù)本發(fā) 明，為此目的在開始段中所迷類型的電燈包括 包括彎曲管部的發(fā)光燈管， 設(shè)置在彎曲管部中具有縱向光源軸的細長光源， 具有光學(xué)千涉薄膜的至少部分彎曲管部， 包括多個交替的高和低折射率層的干涉薄膜， 在彎曲管部上的千涉薄膜的厚度局部不同，該干涉薄膜在基本上平行于光源軸的彎曲管部上的位置處的厚度大 于在彎曲管部的其它位置處的厚度。在燈管中由光源發(fā)出的光擊中了在多個角度上的彎曲管部.所謂的 在表面上光射線的"入射角"通常以垂直于表面進行測量?？紤]到光源 的延伸性的彎曲管部的形狀和幾何結(jié)構(gòu)很大程度地決定了在彎曲管部的 某個點上期望什么樣的入射角。在基本上平行于光源軸的彎曲管部的位 置上，入射角的變化通?；旧洗笥谠趶澢懿康钠渌恢玫淖兓?。入 射角分布的變化對干涉薄膜的性能有影響.通常地講，如果在表面上的 光的入射角接近O。(也稱為"垂直入射")，那么根據(jù)其設(shè)計的厚度干 涉薄膜起作用.如果入射角增加(也稱為"非垂直入射")，那么干涉 薄膜看起來更薄并且千涉薄膜的光學(xué)性能也改變.通過實例的方法，這 會導(dǎo)致彩色效應(yīng)、紅外線反射率減小和/或干涉薄膜的邊緣波長移動，這 種效應(yīng)是不合需要的。具體地，所述效應(yīng)對于大于20°的入射角來說變得 最為重要。千涉薄膜在非垂直入射時"表現(xiàn)地"更薄的結(jié)果在基本上平行于光源軸的彎曲管部的位置上是最為重要的。根振本發(fā)明，特別是通過在基 本上平行于光源軸的彎曲管部的位置上增加厚度，非垂直入射的影響有 效地被抵消了。如此，根據(jù)本發(fā)明在電燈中考慮了在燈管的彎曲管部中 的光源的延伸性.光源延伸性的影響具體地在比其它位置處非垂直入射 的影響更重要的位置上得到了補償.考慮到運動學(xué)倒置，千涉薄膜也可以在彎曲管部的位置上被制備地 更薄，同時干涉薄膜的整體厚度在其它位置增加，其中該彎曲管部的位 置相對遠離于基本上平行于光源軸的彎曲管部的位置。干涉薄膜的局部 變薄伴隨著干涉薄膜的整體厚度的增加。根據(jù)本發(fā)明電燈的優(yōu)選實施方式的特征在于燈管為細長形并具有縱向管軸，該管軸基本上與光源重合，干涉薄膜的厚度在臨近彎曲管部 的位置上局部變厚，在該位置上平面與彎曲管部交叉，其中該平面基本 上垂直于光源軸以及包括光源的幾何結(jié)構(gòu)中心.電燈的該優(yōu)選實施方式具體地與所謂的雙端燈相關(guān)，這種雙端燈的特征在于電燈具有設(shè)置為 相互對置的第一和笫二端部，供電導(dǎo)體分別通過第一和笫二端部電連接 到從燈管傳出的光源上.雙端燈的幾何結(jié)構(gòu)包括在其中設(shè)置細長的光源的彎曲管部，以4吏得 在彎曲管部的中間部，入射角環(huán)繞地角度范圍大于在接近燈的端部的位 置上的角度范圍，在該位置上入射角更限定為垂直入射.為了補償由于 這種較寬的入射角范閨引起的非垂直入射對干涉薄膜的影響，制備干涉 薄腹的厚度在靠近彎曲管部處更厚，在該處基本上垂直于光源軸并包括 光源的幾何中心的平面與彎曲管部交叉。在雙端燈的情況下，制備的干 涉薄膜在閨繞彎曲管部的中央部分的帶中的厚度大于在彎曲管部遠離該 中心帶的位置上的厚度，根據(jù)本發(fā)明電燈的另一優(yōu)選實施方式的特征在于燈管為細長形并具 有縱向管軸，該管軸基本上與光源垂直，千涉薄膜的厚度在臨近彎曲管 部的位置上局部變厚，在該位置上含有基本上垂直于光源軸的線和與彎 曲管部交叉的管軸.電燈的該優(yōu)選實施方式具體地與所謂的單端燈相 關(guān)。這種單端燈的特征在于電燈具有單一的端部，供電導(dǎo)體通過端部 電連接到從燈管傳出的光源上。單端燈的幾何結(jié)構(gòu)包括在其中設(shè)置細長的光源的彎曲管部，以使得 在彎曲管部的某個位置上，相比在基本上垂直于這些位置的其它位置上，光源更接近彎曲管部的壁部。在光源更接近彎曲管部的壁部的彎曲 管部的位置上，入射角的分布比在彎曲管部的光源相對遠離彎曲管部的 壁部的位置上的分布小，在這些遠離的位置上，入射角的分布相對大， 從而導(dǎo)致干涉薄膜呈現(xiàn)比根據(jù)干涉薄膜的物理厚度更薄的不合需要的影 響。通過在光源相對遠離彎曲管部的壁部的位置上局部增加干涉薄膜的 厚度，非垂直入射的影響可以得到補償。優(yōu)逸地，在干涉薄膜的整體厚度中局部厚度變化為至少3%.本發(fā)明還涉及一種在基板(燈管)上沉積材料層以形成涂層的方法， 以及探尋用于燈的制備中，其中在燈燃燒器的至少部分表面上形成涂 層.該方法通常涉及例如齒素燈和放電燈的燈的制備.在這些方法中， 通常優(yōu)選將沉積在燈管表面的材料形成涂層，該涂層在圍繞燈管周圍的 整個涂敷表面上具有均一的物理性能.由此，在任何一部分燈管表面上能相同。通過使得每;燈管圍繞其縱向或管軸旋轉(zhuǎn)，同時在燈燃燒器的 選擇部分的表面上沉積一種或多種材料以形成涂層，在燈燃燒器的周閨 的每一部分沉積的一種或多種材料都均勻地沉積在每個燈燃燒器的周圍，從而在整個涂敷的燈燃燒器的表面上形成了物理性能均一的涂層。 本發(fā)明的目的在于提供一種新穎的涂敷方法以在燈管封裝陣列上形成均 一的涂層，在此在燈管的預(yù)定位置上的干涉薄膜的厚度通過控制的方法 為局部不同。根據(jù)本發(fā)明，為此目的在開始段中所述的方法包括如下步使得燈管移動越過一種或多種沉積材料源并同時沿著其管軸旋轉(zhuǎn)燈管，局部遮蔽燈管以局部減少在燈管上沉積材料的厚度， 遮蔽裝置被設(shè)置在臨近燈管處并以與燈管基本上相同的速度旋轉(zhuǎn)， 通過以相同的速度旋轉(zhuǎn)遮蔽裝置，干涉薄膜在燈管上的厚度可以以 受控制的方式被局部改變，根據(jù)本發(fā)明該方法的優(yōu)選實施方式的特征在于燈管為細長形并具 有縱向管軸，具有縱向光源軸的細長的光源祐:設(shè)置在燈管中，光源軸基本上與管軸垂直，以及其中遮蔽裝置被設(shè)置在臨近管部的位置上，在此 光源軸與彎曲管部交叉.優(yōu)選地，電燈是具有單一端部的單端燈，供電 導(dǎo)體通過該端部與從燈管傳出的光源電連接， 參照以下描述的實施方式的描述，本發(fā)明的這些和其它特點將變得 顯而易見。附閨說明困la是根據(jù)本發(fā)明含有雙端燈管的電燈實施方式的側(cè)視困；圖lb是如困la示出的雙端燈管的橫截面困；閨lc是如閨la和lb示出的雙端燈管的透視困；圖2a是根據(jù)本發(fā)明含有單端燈管的電燈實施方式的側(cè)視困；圖2b是如圖2a示出的電燈的橫截面困，示出了垂直于管軸的平面，以及該平面包括光源；圖2c是如困2a和2b示出的單端燈管的透視閨；圖3a是在沉積材料層的過程中單端燈管的透視困；圖3b是如圖3a示出的電燈的橫截面圖，示出了垂直于管軸的平面，以及該平面包括光源；附圖
僅是示意性的，沒有按比例示出。具體地為了表示清楚，特別放大了一些尺寸。在附圖中，相同的附閨標記表示任何可能的相同部分。
具體實施方式
圖la是根據(jù)本發(fā)明含有雙端燈管1的電燈實施方式的側(cè)視圖。該燈 具有發(fā)光燈管1,例如石英玻璃，其包括彎曲管部11,該彎曲管部11以 氣密方式被密封并且容納具有縱向光源軸22的細長光源2。在閨la的實 施例中，光源2是(螺旋形)鎢絲白熾體，在可選擇的實施方式中，兩 個電極設(shè)置在燈管中，工作時在該兩個電極之間維持孤光放電，困la中 示出的雙端燈管1具有設(shè)置在彎曲管部11的相對端的第一端部16和笫 二端部17,供電導(dǎo)體18、 19通過第一和第二端部16、 17電連接到從燈 管1傳出的光源2上.圖la中的燈管l安裝在外燈泡14中，外燈泡14 被電連接供電導(dǎo)體18、 19的燈帽24支撐，在圖la的實施例中，燈管l 為細長形并具有縱向管軸33。在圖la中管軸33基本上與光源軸22重 合。彎曲管部11的外表面的至少一部分具有光學(xué)千涉薄膜5,該干涉薄 膜5包括多個交替的高和低折射率層。具有相對高的折射率的適合的層 材料，例如為氧化鈦(在550nm， Ti02的平均折射率大約為2. 35-2. 8 )、 氧化鈮(在550咖，Nb,05的平均折射率大約為2.")、氣化鉭(在"0nm， Ta20s的平均折射率大約為2.18)和氣化鋯(在550nm， Zr02的平均折射 率大約為2. 06),具有相對低的折射率的適合的層材料，例如為氧化硅 (平均折射率大約為1.46).對于所有提及的材料，其折射率會根據(jù)使 用的沉積方法而碌"fr不同。在彎曲管部11上的千涉薄膜5的厚度局部不同。根據(jù)本發(fā)明，干涉 薄膜5在基本平行于光源軸22的彎曲管部11的位置上的厚度大于在彎 曲管部11的其它位置的厚度。圖lb示意地示出了如圖lb所示的雙端燈管1的橫截面困.在燈管1 中的光源2發(fā)出的光以多個角度擊中彎曲管部11.與光源2的延伸性相 結(jié)合的彎曲管部11的形狀和幾何結(jié)構(gòu)很大程度決定了在彎曲管部11的 某個點上期望什么樣的入射角。在圖lb中采用彎曲管部ll中的虛線示 出了入射角的兩種分布，以舉例說明了在彎曲管部ll的多個位置上千涉 薄膜5的作用的差別。在基本上平行于光源軸22的彎曲管部11的位置 (在圖lb中以區(qū)域"A"表示)上，入射角中的變化通?；旧洗笥谠?彎曲管部ll的其它位置(例如參見困lb中通過區(qū)域"B"示出的位置) 上的變化。關(guān)于垂直于彎曲管部ll的表面來測量入射角。在圖lb的實 施例中，在基本上平行于光源軸的彎曲管部11的位置(在圖lb以區(qū)域 "A"表示)上，入射角a在+40。和-40。之間變化，在另一方面，在相對 遠離這些位置的位置(在圖lb以區(qū)域"B"表示)上，入射角P僅在+10。 和-30°之間變化。入射角分布的變化對干涉薄膜的性能產(chǎn)生影響，在垂 直入射或接近垂直入射時，干涉薄膜根據(jù)其設(shè)計的厚度"起作用".在 非垂直入射時，特別是在大于20。的入射角時，千涉薄膜"表現(xiàn)地"更薄 以及干涉薄膜的光學(xué)性能會變化，這會特別地引起不需要的千涉薄膜的 邊緣波長移動。根據(jù)本發(fā)明，這種不期望的光源2的延伸性效應(yīng)可以通 過使得千涉薄膜5的厚度在臨近基本上平行光源軸22的位置上局部變厚 來被補償。通過局部增厚干涉薄膜5,千涉薄膜5的性能通過入射角度的 變化得到補償。該平均入射角在這些位置上稍微大些以及通過在這些位 置上使得過濾涂層稍微厚些，干涉薄膜5的平均性能處于可接受的范圍 內(nèi)。圖lc是如圖la和lb示出的雙端燈管的透視圖，在該圖中干涉薄膜 5以局部厚度變化地涂敷到彎曲管部11。為了補償不期望的相對寬的入 射角分布的影響，千涉薄膜5的厚度在臨近彎曲管部11上的位置(采用 相對寬帶"A"表示的，"A"采用困lc中的垂直線表示的)處局部變厚， 在該位置上平面35基本上垂直于光源軸33 (與光源軸22相符)以及包 括光源12的幾何結(jié)構(gòu)中心，該平面35與彎曲管部11交叉。圖2a示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的包括單端燈管的電燈實施方式的側(cè) 視圖，燈具有包括彎曲管部11的發(fā)光燈管1，例如硬質(zhì)玻璃.在圖2a 的實施例中，燈管1為細長形并具有縱向光源軸33,彎曲管部11以氣密 方式被密封以及容納具有縱向光源軸22的細長光源2。在圖2a的實施例 中，光源2優(yōu)選不沿著光源軸22拉伸，光源軸作為光源的平均方向，優(yōu) 選垂直于管軸33。在困2a的實施例中，光源2是(螺旋形)鎢絲白熾體. 在可選擇的實施方式中兩個電極設(shè)置在燈管中，工作時，在該兩個電極 之間維持弧光放電。閨2a示出的單端燈管1具有單一的端部，供電導(dǎo)體 28， 29通過端部(參見圖3)電連接到從燈管l傳出的光源2.圖2a中 的燈管1被安裝在燈帽34上(隱藏端部)，其中供電導(dǎo)體28、 29電連 接到該燈帽上.在圖2a中，管軸33基本垂直于光源軸22。彎曲管部11的外表面的至少一部分具有光學(xué)千涉薄膜5。該干涉薄 膜5包括多個交替的高和低折射率層.在彎曲管部11上的千涉薄膜5的 厚度局部不同。根據(jù)本發(fā)明，干涉薄膜5的厚度在臨近其中線44基本上 垂直于光源軸22 (參見困2b)的彎曲管部的位置上局部變厚，以及管軸 33與彎曲管部11交叉.圖2b示意地示出了如圖2a示出的單端燈管1的橫截面圖。圖2b示 出了平面垂直于管軸33以及含有光源2。燈管l中的光源2發(fā)出的光以 多個角度擊中彎曲管部U.與光源2的延伸性相結(jié)合的彎曲管部11的形 狀和幾何結(jié)構(gòu)很大程度決定了在彎曲管部11的某個點上期望什么樣的入 射角。在圖2b中采用彎曲管部11中的虛線示出了入射角的兩種分布， 以舉例說明了在彎曲管部11的多個位置上千涉薄膜5的效應(yīng)的差別.在 基本上平行于光源軸22 (在圖2b中以區(qū)域"A"表示)的彎曲管部ll 的位置上，入射角中的變化通常基本上大于在彎曲管部11的其它位置上 (例如參見圖lb中通過區(qū)域"B"示出的位置)的變化。以垂直于彎曲 管部ll的表面來測量入射角。在困2b的實施例中，在基本上平行于光 源軸的彎曲管部ll的位置上(在圖2b以區(qū)域"A"表示)，入射角ot在 +40°和-40°之間變化，在另一方面，在相對遠離這些位置的位置上，入 射角p僅在+5。和-15。之間變化(在圖2b以區(qū)域"B"表示)，入射角分 布的變化對干涉薄膜的性能產(chǎn)生影響，在垂直入射或接近垂直入射時，干涉薄膜根據(jù)其設(shè)計的厚度"起作用".在非垂直入射時，特別是在大于20。的入射角時，干涉薄膜"表現(xiàn)地"更薄以及千涉薄膜的光學(xué)性能會 變化。這會特別地引起不期望的千涉薄膜的邊緣波長的移動。根據(jù)本發(fā) 明，這種不期望的光源2的延伸性的效應(yīng)可以通過使得干涉薄膜5的厚 度在臨近基本上平行光源軸22的位置上局部變厚來得到補償。通過局部 增厚干涉薄膜5，干涉薄膜5的性能通過入射角度的變化得到補償。該平 均入射角在這些位置上稍微大些以及通過在這些位置上使得過濾涂層稍 微厚些，干涉薄膜5的平均性能會在可接受的范閨內(nèi).圖k是如困2a和2b示出的雙端燈管的透視圖.在該圖中干涉薄膜 5以局部厚度變化地涂敷到彎曲管部11。為了補償不期望的相對寬的入 射角分布的效應(yīng)，干涉薄膜5的厚度在臨近彎曲管部11上的位置處局部 變厚，在該位置上線44基本上垂直于光源軸22和管軸33，并與彎曲管 部11交叉.這些區(qū)域通it菱蓋圖2c中的相對延伸的大區(qū)域A和A，的垂 直線來表示。經(jīng)常期望阻止在要被涂lt^面的選擇部分上沉積涂敷材料，這可以 通過遮掩該選擇部分來實現(xiàn)，例如，通過提供物理擋板以防止在選擇部 分上沉積涂敷材料。為此，本發(fā)明的目的在于提供一種在電燈上沉積材 料層的方法，電燈包括具有縱向管軸的細長燈管。根據(jù)本發(fā)明，為此目 的在開始段中提及的方法包括如下步驟4吏得燈管移動越過一種或多種 沉積材料源并同時沿著其管軸旋轉(zhuǎn)燈管，局部遮蔽燈管以局部減少在燈 管上沉積材料的厚度。遮蔽裝置被設(shè)置在臨近燈管處并以與燈管基本上 相同的速度旋轉(zhuǎn)。通過以相同的速度旋轉(zhuǎn)遮蔽裝置，千涉薄膜在燈管上 的厚度可以以受控制的方式被局部改變.閨3a示意地示出了在沉積材料層的過程中單端燈管的透視困。燈管 l為細長形并具有含有端部26。供電導(dǎo)體28、 29通過端部26電連接至 從燈管1傳出的光源2上，燈管1具有縱向管軸33,具有縱向光源軸22 的細長光源2被設(shè)置在燈管1中.在圖3a的實施例中，光源軸22基本 上垂直于管軸33。在層材料的沉積過程中，遮蔽裝置55、 56設(shè)置在光源軸22交叉彎 曲管部11的管部11的位置的附近處.在圖3a的實施例中，遮蔽裝置55、 56設(shè)置在臨近燈管1的外表面上并臨近細長光源2的端部。燈管1通過 供電導(dǎo)體28、 29以及遮蔽裝置55、 56通過承栽裝置57、 58安裝在J41栽體50上。層材料在電燈上的沉積過程中，燈管和遮蔽裝置55、 56以 相同的速度旋轉(zhuǎn)。遮蔽裝置55、 56提供了相鄰細長光源2的端部的千涉 薄膜局部5比在燈管的其它位置上的千涉薄膜薄。由于入射角(參見閨 2b)的分布小于在光源軸22與燈管1交叉的燈管1的位置上的分布，所 以千涉薄膜5在這些位置局部更薄.通過相應(yīng)地增加干涉薄膜5的厚度， 可以獲得所期望性能的千涉薄膜.圖3b示意性地示出了如圖3a中示出的電燈的橫截面圖，示出了平 面垂直于管軸以及平面包括光源。遮蔽裝置55、 56被設(shè)置在臨近燈管1 的外表面上，并臨近細長光源2的端部.干涉薄膜在臨近遮蔽裝置55、 56的燈管1的位置上局部變薄。優(yōu)選地，遮蔽裝置包括棒、網(wǎng)孔、平板和/或環(huán).可以提供任何遮蔽 裝置的組合。優(yōu)選地，材料通過栽射沉積工藝沉積以形成光學(xué)干涉薄膜，應(yīng)當注意上述實施方式描述了本發(fā)明但不限制本發(fā)明，以及本領(lǐng)域 技術(shù)人員能夠設(shè)計出任何可選擇的實施方式，但都不會超出附加權(quán)利要 求的范閨。在權(quán)利要求中，任何放置在圃括號中的附圖標記都不解釋為 限制本發(fā)明。采用的動詞"包括"及其動詞變化都不會排除權(quán)利要求中 陳述的那些之外的元件或步驟存在。在元件之前的術(shù)語"一個"都不會 排除多個這種元件存在。本發(fā)明可以通過包括幾個不同元件的硬件的方 式得到實現(xiàn)，以及通過適合的被編程計算機得到實現(xiàn).在該設(shè)備中要求 列舉了幾種方式，這些方式的幾個可以通過一個或相同的硬件項來具體 表達。在多個不同的從屬權(quán)利要求中陳述的某些測量的純粹亊實并不表 示這些測量的組合不是優(yōu)逸使用的.
權(quán)利要求
1、 一種電燈，其包括 包括彎曲管部(11)的透光燈管(1)，設(shè)置在彎曲管部(11)中的具有縱向光源軸(22)的細長光源(2)， 至少部分彎曲管部(11)具有光學(xué)干涉薄膜(5)， 光學(xué)干涉薄膜(5)包括多個交替的高和低折射率層， 在彎曲管部(11)上的干涉薄膜(5)的厚度局部不同， 干涉薄膜(5 )在基本上平行于光源軸(2 )的彎曲管部(11)的位 置上的厚度大于在彎曲管部(11)的其它位置上的厚度.
2、 如權(quán)利要求l的電燈，其特征在于燈管(1)為細長形并具有縱向管軸(33)，該管軸(33)基本上與 光源軸(22)重合，千涉薄膜(5 )的厚度在臨近彎曲管部(11)的位置上局部變厚，在 該位置平面(35)與彎曲管部(11)交叉，其中該平面基本上垂直于光 源軸(33)并包括光源(2)的幾何結(jié)構(gòu)中心(l2)。
3、 如權(quán)利要求2的電燈，其特征在于該電燈具有設(shè)置為相互對置 的笫一端部(16)和第二端部(17)，供電導(dǎo)體(18、 19)通過笫一和 第二端部(16、 17)分別電連接至從燈管(1)傳出的光源(2)上。
4、 如權(quán)利要求1的電燈，其特征在于燈管(1)為細長形并具有 縱向管軸(33),該管軸(33)基本上與光源軸(22)垂直，干涉薄膜(5)的厚度在臨近彎曲管部(11)的位置上局部變厚，在 該位置線(44)與彎曲管部(11)交叉，其中該線基本上垂直于光源軸 (22)和管軸(33)。
5、 如權(quán)利要求4的電燈，其特征在于該電燈具有單一端部，供電 導(dǎo)體(28、 29)通過該端部電連接至從燈管(1)傳出的光源(2)上。
6、 如權(quán)利要求1、 2或4的電燈，其特征在于局部厚度在干涉薄 膜(5)的整體厚度中的變化為至少3%,
7、 如權(quán)利要求l、 2或4的電燈，其特征在于光源(2)在工作時 包括至少一個白熾燈體或弧光放電燈。
8、 一種在根據(jù)權(quán)利要求1、 2或4的電燈上沉積材料層的方法，該 電燈包括具有縱向管軸(33)的細長燈管(1),該方法包括如下步驟使得燈管(1)移動越過一種或多種沉積材料源并同時沿著其管軸 (33)旋轉(zhuǎn)燈管(1)，通過遮蔽裝置(55、 56 )局部遮蔽燈管以局部減少在燈管(1)上沉 積的材料的厚度，將遮蔽裝置(55、 56 )設(shè)置在臨近燈管(1)處并以與燈管(1)基 本上相同的速度旋轉(zhuǎn).
9、 如權(quán)利要求8的方法，其特征在于燈管(1)為細長形并具有縱向管軸(33)，具有縱向光源軸(22) 的細長光源(2)設(shè)置在燈管(1)中，該光源軸(22)基本上垂直于管 軸(33)，以及遮蔽裝置(55、 56)設(shè)置在臨近管部(11)的位置處，在該位置光 源軸(22)與彎曲管部(11)交叉.
10、 如權(quán)利要求9的方法，其特征在于該電燈為具有單一端部(26) 的單端電燈，供電導(dǎo)體(28、 29)通過該端部電連接至從燈管(1)傳出 的光源(2)上.
11、 如權(quán)利要求8的方法，其特征在于遮蔽裝置(55、 56 )包括棒、 網(wǎng)孔、平板和/或環(huán)。
12、 如權(quán)利要求8或9的方法，其特征在于以濺射沉積工藝沉積材 料以形成光學(xué)干涉薄膜(5),
全文摘要
一種電燈具有透光的燈管(1)，該燈管具有容納細長光源(2)的彎曲管部(11)。部分彎曲管部(11)具有厚度局部不同的光學(xué)干涉薄膜(5)。該干涉薄膜(5)在基本上平行于光源軸(22)的彎曲管部(11)上的位置的厚度大于在彎曲管部(11)的其它位置的厚度。在這種電燈上沉積材料層(5)的方法包括如下步驟使得燈管(1)移動越過沉積材料源并同時沿著其管軸旋轉(zhuǎn)燈管(1)，局部遮蔽燈管(1)以局部減少在燈管(1)上沉積的材料的厚度，遮蔽裝置(55，56)被設(shè)置在臨近燈管(1)處并以與燈管(1)基本上相同的速度旋轉(zhuǎn)。
文檔編號H01J61/40GK101147229SQ200480027442
公開日2008年3月19日 申請日期2004年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月23日
發(fā)明者G·亨林格, W·多特 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司