專利名稱：改善磁控管電磁兼容性能的真空管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是一種真空管，特別是一種改善磁控管電磁兼容性能的真空管，屬于真空管的改造技術(shù)。
2、背景技術(shù)現(xiàn)有用于磁控管的真空管中，其陰極(即燈絲)的兩個(gè)引線穿過(guò)管殼1中央的大孔1A，如圖1、2所示，再穿過(guò)陶瓷支承件2中的兩個(gè)通孔2A，如圖3、4所示，然后被引出真空管外部，其裝配后的結(jié)構(gòu)示意圖如圖5所示，這種結(jié)構(gòu)存在的缺點(diǎn)是部分微波能量(主要為諧振腔內(nèi)產(chǎn)生的有害高次諧波，正常波長(zhǎng)的微波能量可以有效屏蔽)能夠從管殼1的中心大孔1A通過(guò)并穿透陶瓷支承件2，造成微波泄漏，所以其EMC性能(電磁兼容性)較差。

發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述缺點(diǎn)而提供一種避免微波泄漏，確保其EMC性能(電磁兼容性)較好的改善磁控管電磁兼容性能的真空管。
本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖如附圖所示，包括有管殼(1)、陶瓷支承件(2)、陰極(3)，陰極(3)的兩根引線(3A)、(3B)分別穿過(guò)管殼(1)及陶瓷支承件(2)設(shè)有的兩個(gè)供陰極(3)的兩根引線(3A)、(3B)穿過(guò)的通孔(2A)，其中管殼(1)設(shè)有兩個(gè)供陰極(3)的兩根引線(3A)、(3B)穿過(guò)的小孔(1B)、(1C)。
上述管殼(1)與陶瓷支承件(2)的接觸面上設(shè)有若干個(gè)定位凸緣(1D)，陶瓷支承件(2)上相應(yīng)設(shè)有若干個(gè)定位凹槽(2D)，管殼(1)上的若干個(gè)定位凸緣(1D)可插入陶瓷支承件(2)相應(yīng)設(shè)有的若干個(gè)定位凹槽(2D)中。
上述管殼(1)與陶瓷支承件(2)的接觸面上設(shè)有兩個(gè)定位凸緣(1D)，陶瓷支承件(2)上相應(yīng)設(shè)有兩個(gè)定位凹槽(2D)，管殼(1)上的兩個(gè)定位凸緣(1D)可插入陶瓷支承件(2)相應(yīng)設(shè)有的兩個(gè)定位凹槽(2D)中。
本實(shí)用新型由于采用管殼設(shè)有兩個(gè)供陰極的兩根引線穿過(guò)的小孔、陶瓷支承件設(shè)有兩個(gè)供陰極的兩根引線穿過(guò)的通孔的結(jié)構(gòu)，因此其可避免微波泄漏，確保其EMC性能(電磁兼容性)較好。本實(shí)用新型是一種設(shè)計(jì)合理，可明顯改善磁控管電磁兼容性能的真空管。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)管殼(1)的主視圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)管殼(1)的側(cè)視圖；圖3為現(xiàn)有技術(shù)陶瓷支承件(2)的主視圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)陶瓷支承件(2)的剖視圖；圖5為現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本實(shí)用新型管殼(1)的主視圖；圖7為本實(shí)用新型管殼(1)的側(cè)視圖；圖8為本實(shí)用新型陶瓷支承件(2)的主視圖；圖9為本實(shí)用新型陶瓷支承件(2)的剖視圖；圖10為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖如圖6、7、8、9、10所示，包括有管殼(1)、陶瓷支承件(2)、陰極(3)，陰極(3)的兩根引線(3A)、(3B)分別穿過(guò)管殼(1)及陶瓷支承件(2)設(shè)有的兩個(gè)供陰極(3)的兩根引線(3A)、(3B)穿過(guò)的通孔(2A)，其中管殼(1)設(shè)有兩個(gè)供陰極(3)的兩根引線(3A)、(3B)穿過(guò)的小孔(1B)、(1C)。
上述管殼(1)與陶瓷支承件(2)的接觸面上設(shè)有若干個(gè)定位凸緣(1D)，陶瓷支承件(2)上相應(yīng)設(shè)有若干個(gè)定位凹槽(2D)，管殼(1)上的若干個(gè)定位凸緣(1D)可插入陶瓷支承件(2)相應(yīng)設(shè)有的若干個(gè)定位凹槽(2D)中。
上述管殼(1)與陶瓷支承件(2)的接觸面上設(shè)有兩個(gè)定位凸緣(1D)，陶瓷支承件(2)上相應(yīng)設(shè)有兩個(gè)定位凹槽(2D)，管殼(1)上的兩個(gè)定位凸緣(1D)可插入陶瓷支承件(2)相應(yīng)設(shè)有的兩個(gè)定位凹槽(2D)中。
本實(shí)用新型裝配時(shí)，先將管殼(1)上設(shè)有的若干個(gè)定位凸緣(1D)插入陶瓷支承件(2)相應(yīng)設(shè)有的若干個(gè)定位凹槽(2D)中，起到定位的作用，用于防止引線與管殼穿孔的相對(duì)位置變化，確保絕緣耐壓性能。再將陰極(3)的兩根引線(3A)、(3B)分別穿過(guò)管殼(1)的兩個(gè)小孔(1B)、(1C)及陶瓷支承件(2)設(shè)有的兩個(gè)通孔(2A)，使之引出真空管外部。
權(quán)利要求1.一種改善磁控管電磁兼容性能的真空管，包括有管殼(1)、陶瓷支承件(2)、陰極(3)，陰極(3)的兩根引線(3A)、(3B)分別穿過(guò)管殼(1)及陶瓷支承件(2)設(shè)有的兩個(gè)供陰極(3)的兩根引線(3A)、(3B)穿過(guò)的通孔(2A)，其特征在于管殼(1)設(shè)有兩個(gè)供陰極(3)的兩根引線(3A)、(3B)穿過(guò)的小孔(1B)、(1C)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善磁控管電磁兼容性能的真空管，其特征在于上述管殼(1)與陶瓷支承件(2)的接觸面上設(shè)有若干個(gè)定位凸緣(1D)，陶瓷支承件(2)上相應(yīng)設(shè)有若干個(gè)定位凹槽(2D)，管殼(1)上的若干個(gè)定位凸緣(1D)可插入陶瓷支承件(2)相應(yīng)設(shè)有的若干個(gè)定位凹槽(2D)中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善磁控管電磁兼容性能的真空管，其特征在于上述管殼(1)與陶瓷支承件(2)的接觸面上設(shè)有兩個(gè)定位凸緣(1D)，陶瓷支承件(2)上相應(yīng)設(shè)有兩個(gè)定位凹槽(2D)，管殼(1)上的兩個(gè)定位凸緣(1D)可插入陶瓷支承件(2)相應(yīng)設(shè)有的兩個(gè)定位凹槽(2D)中。
專利摘要本實(shí)用新型是一種改善磁控管電磁兼容性能的真空管。包括有管殼(1)、陶瓷支承件(2)、陰極(3)，陰極(3)的兩根引線(3A)、(3B)分別穿過(guò)管殼(1)及陶瓷支承件(2)設(shè)有的兩個(gè)供陰極(3)的兩根引線(3A)、(3B)穿過(guò)的通孔(2A)，其中管殼(1)設(shè)有兩個(gè)供陰極(3)的兩根引線(3A)、(3B)穿過(guò)的小孔(1B)、(1C)。上述管殼(1)與陶瓷支承件(2)的接觸面上設(shè)有若干個(gè)定位凸緣(1D)，陶瓷支承件(2)上相應(yīng)設(shè)有若干個(gè)定位凹槽(2D)，管殼(1)上的若干個(gè)定位凸緣(1D)可插入陶瓷支承件(2)相應(yīng)設(shè)有的若干個(gè)定位凹槽(2D)中。本實(shí)用新型可避免微波泄漏，確保其EMC性能(電磁兼容性)較好。
文檔編號(hào)H01J23/00GK2750463SQ20042009477
公開日2006年1月4日 申請(qǐng)日期2004年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月5日
發(fā)明者李鑫, 鄭利教, 王勁, 覃平 申請(qǐng)人:廣東美的電器股份有限公司