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電子槍及陰極射線管裝置的制作方法

文檔序號(hào):2942421閱讀:148來源:國知局
專利名稱:電子槍及陰極射線管裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子槍及陰極射線管裝置。特別涉及在頸部設(shè)有掃描速度調(diào)制線圈的陰極射線管裝置,以及可適用于該陰極射線管裝置的電子槍。
背景技術(shù)
圖1表示的是陰極射線管裝置的側(cè)剖面圖。如圖1所示,陰極射線管裝置包括陰極射線管,其具備內(nèi)面具有熒光屏面8的前面板1、漏斗部2、以及設(shè)于漏斗部2的頸部3內(nèi)部的電子槍4;偏轉(zhuǎn)線圈5,被設(shè)于漏斗部2的外面、且比電子槍4更靠近前面板1一側(cè);設(shè)于頸部3外側(cè)的會(huì)聚線圈6以及掃描速度調(diào)制線圈(ScanningVelocity Modulation線圈,以下稱為“SVM線圈”)7。
圖2是頸部3的側(cè)剖面圖(表示了電子槍的側(cè)面)。圖3是電子槍的立體圖。電子槍4是將3個(gè)陰極10、控制電極11、加速電極12、第1聚焦電極17、第2聚焦電極18、陽極電極19、頂部單元(トツプユニツト)電極20按照該順序配列而成的。被安裝于漏斗部2的圓錐部的偏轉(zhuǎn)線圈5具備可使3支電子束9(參照圖1)在水平方向偏轉(zhuǎn)的水平偏轉(zhuǎn)線圈21、以及可使其在垂直方向偏轉(zhuǎn)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈22,并產(chǎn)生交流磁場,將由陰極10釋放的電子束9在水平和垂直方向上產(chǎn)生偏轉(zhuǎn),以掃描熒光屏面8。會(huì)聚線圈6被安裝在頸部3的外側(cè),通過該磁場,來調(diào)整3支電子束9的會(huì)聚。
而且,在現(xiàn)有的陰極射線管裝置中,為了提高畫質(zhì)的清晰度,在頸部3的外側(cè)設(shè)有SVM線圈7。如圖2所示,SVM線圈7在與管軸垂直的方向上,被配置于會(huì)聚線圈6和頸部3之間,并且在管軸方向上,被配置在與第1聚焦電極17、第2聚焦電極18、及陽極電極19重合的位置,并產(chǎn)生與圖像信號(hào)相對應(yīng)的大致為垂直方向的磁場23,通過對電子束水平方向的掃描速度進(jìn)行調(diào)制,在熒光屏面8上加強(qiáng)了高亮度部分與低亮度部分的邊界,由此而提高畫質(zhì)的清晰度(例如,參照專利文獻(xiàn)1)。
為避免偏轉(zhuǎn)線圈5與磁場的相互干擾,SVM線圈7一般被配置成,在管軸方向上位于與第1聚焦電極17、第2聚焦電極18、以及陽極電極19大致相同的位置。而且,進(jìn)行電子束的掃描速度調(diào)制的磁場23的頻率,達(dá)到大于等于圖像信號(hào)頻率的頻率(MHz級)。因此,SVM線圈7所產(chǎn)生的磁場23,會(huì)被由不銹鋼等材料制成的第1聚焦電極17、第2聚焦電極18以及陽極電極19所屏蔽,并由于在這些電極表面所產(chǎn)生的渦電流而被顯著地衰減。掃描速度調(diào)制磁場23成高頻狀態(tài),對通過電極內(nèi)的電子束很難達(dá)到所需的掃描速度調(diào)制效果(以下簡稱“SVM效果”)。因此,以往有種方案是將沖壓成杯狀的電極分割成幾部分,通過增加各個(gè)電極間的間隙,來改善磁場23的透過性(例如,參照專利文獻(xiàn)2)。
專利文獻(xiàn)1特開平10-74465號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開平8-115684號(hào)公報(bào)但是,通過增設(shè)分割上述電極部件而形成的間隙、以及擴(kuò)大間隙之間的間隔,一方面是可以提高SVM的效果,但由于頸部3內(nèi)壁帶電而產(chǎn)生的電場滲透到電極部件的內(nèi)部,因此就會(huì)出現(xiàn)對3支電子束的會(huì)聚特性產(chǎn)生影響這樣的顯著問題。而且,電極部件的分割會(huì)造成部件數(shù)量及組裝工時(shí)的增加,還會(huì)導(dǎo)致組裝精度的惡化以及組裝成本的增加。并且,若在有限的空間內(nèi)分割電極,則形成主透鏡或四極透鏡電場的電極,與被分割的電極的距離縮短,就會(huì)產(chǎn)生對透鏡的電場造成惡劣影響的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決上述問題而提供的電子槍,其可不必進(jìn)行電極部件的分割及電極部件間間隙的擴(kuò)大,就可提高SVM靈敏度。本發(fā)明的目的還在于提供陰極射線管裝置,其可提高SVM靈敏度,從而提高畫質(zhì)的清晰度。
本發(fā)明的電子槍,其是將陰極、控制電極、加速電極、第1聚焦電極、第2聚焦電極、以及陽極電極順次配列的,上述第2聚焦電極與上述第1聚焦電極隔有間隙地相互對置,且被施加著與上述第1聚焦電極相同的電位,其特征在于,在上述第1聚焦電極的與上述第2聚焦電極相對置的面、以及上述第2聚焦電極的與上述第1聚焦電極相對置的面中至少一個(gè)上所設(shè)置的電子束通孔,是3支電子束通用的單一開口。
而且,本發(fā)明的陰極射線管裝置,其具備陰極射線管以及掃描速度調(diào)制線圈;該陰極射線管設(shè)有管殼和電子槍,該管殼具有前面板以及漏斗部,該電子槍在上述漏斗部的頸部內(nèi)設(shè)有第1聚焦電極及第2聚焦電極,上述第2聚焦電極與上述第1聚焦電極隔有間隙地相互對置,且被施加著與上述第1聚焦電極相同的電位;上述掃描速度調(diào)制線圈被設(shè)于上述頸部的外表面上,且靠近上述第1聚焦電極和上述第2聚焦電極,其特征在于,在上述第1聚焦電極的與上述第2聚焦電極相對置的面、以及上述第2聚焦電極的與上述第1聚焦電極相對置的面中至少一個(gè)上所設(shè)置的電子束通孔,是3支電子束通用的單一開口。


圖1是陰極射線管裝置一例的側(cè)剖面圖。
圖2是頸部的側(cè)剖面圖。
圖3是以往電子槍的立體圖。
圖4A是以往電子槍的第1聚焦電極的與第2聚焦電極相對那一面的正視圖,圖4B是以往電子槍的第2聚焦電極的與第1聚焦電極相對那一面的正視圖。
圖5是本發(fā)明實(shí)施方式1的電子槍立體圖。
圖6A是本發(fā)明實(shí)施方式1電子槍的第1聚焦電極的與第2聚焦電極相對那一面的正視圖,圖6B是本發(fā)明實(shí)施方式1電子槍的第2聚焦電極的與第1聚焦電極相對那一面的正視圖。
圖7是表示以往電子槍的第1聚焦電極的與第2聚焦電極相對那一面的磁通的正視圖。
圖8是表示本發(fā)明實(shí)施方式1電子槍的第1聚焦電極的與第2聚焦電極相對那一面的磁通的正視圖。
圖9是表示掃描速度調(diào)制效果(SVM靈敏度)的圖表。
圖10是本發(fā)明動(dòng)態(tài)聚焦型的電子槍一實(shí)施方式的立體圖。
圖11是本發(fā)明動(dòng)態(tài)聚焦型的電子槍其他實(shí)施方式的立體圖。
圖12A是本發(fā)明實(shí)施方式2電子槍的第1聚焦電極的與第2聚焦電極相對那一面的正視圖,圖12B是本發(fā)明實(shí)施方式2電子槍的第2聚焦電極的與第1聚焦電極相對那一面的正視圖。
圖13是構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施方式3電子槍的聚焦電極的電極部件的立體圖。
圖14是構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施方式4電子槍的聚焦電極的電極部件的電極面的正視圖。
圖15是構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施方式5電子槍的聚焦電極的電極部件的電極面的正視圖。
圖16是表示組裝本發(fā)明電子槍時(shí)所使用的夾具一例的立體圖。
圖17是表示本發(fā)明電子槍的裝配工序的一例的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明,在3支電子束所通過的位置,可使由掃描速度調(diào)制線圈產(chǎn)生的磁場有效作用,從而得到所需的電子束掃描速度調(diào)制效果。因此,與以往的電子槍相比,其覆蓋頻帶較寬,并可得到較大的掃描速度調(diào)制效果,并可提高陰極射線管的畫質(zhì)清晰度。
在本發(fā)明的上述電子槍中,最好在上述第1聚焦電極的與上述第2聚焦電極相對置的面、以及上述第2聚焦電極的與上述第1聚焦電極相對置的面這兩個(gè)面上所設(shè)置的電子束通孔,都是3支電子束通用的單一開口。若為該結(jié)構(gòu),可使由掃描速度調(diào)制線圈產(chǎn)生的磁場更有效作用于電子束,從而得到所需的電子束掃描速度調(diào)制效果。
而且,設(shè)有上述單一開口的上述第1聚焦電極或上述第2聚焦電極,具有包圍3支電子束的筒狀壁面,上述壁面中的與水平方向的軸相交叉的側(cè)面上最好設(shè)有孔。若為該結(jié)構(gòu),可使由掃描速度調(diào)制線圈產(chǎn)生的磁場更有效作用于電子束,從而得到所需的電子束掃描速度調(diào)制效果。
而且,上述單一開口的垂直寬度最好是,在3支電子束的各支所通過的位置附近,比其以外的位置的寬度要小。若為該結(jié)構(gòu),可使由掃描速度調(diào)制線圈產(chǎn)生的磁場更有效作用于電子束,從而得到所需的電子束掃描速度調(diào)制效果。
而且,上述單一開口的水平方向的兩端部最好呈圓弧狀。若為該結(jié)構(gòu),則在電子槍的組裝工序中,使用較容易制造的圓柱狀的組裝夾具,就可以對部件進(jìn)行精確定位。
下面,使用

本發(fā)明電子槍以及陰極射線管裝置。
實(shí)施方式1如圖1所示,陰極射線管裝置具備陰極射線管,其具有在內(nèi)面設(shè)有熒光屏面8的前面板1、漏斗部2、以及設(shè)于上述漏斗部2的頸部3內(nèi)部的電子槍4;偏轉(zhuǎn)線圈5,其被設(shè)于上述頸部3的外表面,且比電子槍4更靠近前面板1一側(cè);在設(shè)于頸部3外側(cè)的會(huì)聚線圈6;以及在會(huì)聚線圈6和頸部3之間所設(shè)置的SVM線圈7。
下面,使用圖5的外觀圖來說明本發(fā)明的電子槍。本發(fā)明的電子槍4按照其順序具有3個(gè)陰極10、控制電極11、加速電極12、第1聚焦電極17、第2聚焦電極18、陽極電極19,第1聚焦電極17和第2聚焦電極18之間設(shè)有間隙。在控制電極11施加電位Vg1,在加速電極12施加電位Vg2,在第1聚焦電極17和第2聚焦電極18施加同一電位Vfoc1,在陽極電極19施加電位Va。在加速電極12與第1聚焦電極17之間形成有預(yù)聚焦透鏡。在第2聚焦電極18與陽極電極19之間形成有主透鏡。第1聚焦電極17由都是杯狀電極的電極部件13和電極部件14構(gòu)成,第2聚焦電極18由都為杯狀電極的電極部件15和電極部件16構(gòu)成。
圖6A是第1聚焦電極17的于第2聚焦電極18相對置那一面(杯狀的電極部件14的底面24)的正視圖,圖6B是第2聚焦電極18的與第1聚焦電極17相對置那一面(杯狀電極部件15的底面25)的正視圖。第1聚焦電極17的電極部件14的、與第2聚焦電極18相面對的電極面24上所形成的開口41,是3支電子束通用的橫長的單一開口。另一方面,在第2聚焦電極18的電極部件15的、與第1聚焦電極17相面對的電極面25上形成有3個(gè)相互獨(dú)立的電子束通孔42。
如圖5所示,在控制電極11、加速電極12、第1聚焦電極17的與加速電極相面對的面、第2聚焦電極18的與陽極電極19相面對的面、以及陽極電極19的與第2聚焦電極18相面對的面上,分別形成有3個(gè)相互獨(dú)立的電子束通孔。形成主透鏡的第2聚焦電極18以及陽極電極19的相互面對的各個(gè)面上,通過在比橫長的單一開口的開口面更向內(nèi)部后退的位置上設(shè)置與垂直方向相平行的兩張板狀體,來形成相互獨(dú)立的3個(gè)電子束通孔。
下面,說明由本發(fā)明來提高SVM靈敏度的原理。
如圖4A以及圖7所示,以往,在電極部件14的與電極部件15相面對的電極面24上,形成有3個(gè)獨(dú)立的電子束通孔47。對此,本發(fā)明如圖6A以及圖8所示,在電極面24上形成有3支電子束通用的單一開口41。
如圖7所示,在電極面24上,形成有3個(gè)獨(dú)立的電子束通孔47的以往情況下,通過SVM線圈7所產(chǎn)生的磁通23的大部分在電極面24由于通過磁阻抗較低的金屬內(nèi)部,因此橫切3個(gè)電子束通孔47作用在電子束9上的磁通就很少。
另一方面,如圖8所示,電極面24上形成有3個(gè)電子束9通用的單一開口41的本發(fā)明的情況下,與以往情況相比由于金屬部分大幅減少,因此與圖7的情況相比,在電極面24上,磁通23中的通過金屬內(nèi)部的磁通減少,另一方面橫切單一開口41作用在電子束9上的磁通大幅增加。結(jié)果,SVM效果也得以大幅提高。
實(shí)施例下面,表示本發(fā)明的一實(shí)施例。
在控制電極11施加0[V]的電位,在加速電極12上施加400V~1000[V]的電位,在第1聚焦電極17和第2聚焦電極18上施加5~10[kV]左右的相同電位,陽極電極19上施加20~35[kV]左右的電壓。第1聚焦電極17的電極部件13和電極部件14的高度(管軸方向的長度),分別為6.2mm和10.2mm。第2聚焦電極18的電極部件15和電極部件16的高度都是4.7mm。第1聚焦電極17的電極部件14的電極面24上所設(shè)置的電子束通孔41,是水平方向?qū)挾萪X=16.6mm,垂直方向?qū)挾萪Y=5.6mm的單一開口。第1聚焦電極17與第2聚焦電極18的間隔為1.0mm,將兩電極由具有導(dǎo)電性的條板(リボン)連接并施加相同電位。
使用表示掃描速度調(diào)制磁場的頻率和SVM靈敏度關(guān)系的圖9來說明本發(fā)明的效果。圖9的縱軸的所謂“SVM靈敏度”,就是表示當(dāng)將一定的電流流到SVM線圈7時(shí),相對地在熒光屏面8上的電子束到達(dá)位置的水平方向的變化量的量。這個(gè)值越大,電子槍越相對掃描速度調(diào)制磁場的電子束的軌道變化靈敏度越高。圖9中,曲線a表示在電極面24設(shè)有3個(gè)獨(dú)立的電子束通孔47的以往的陰極射線管裝置的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,曲線b表示在電極面24設(shè)有作為電子束通孔的3個(gè)電子束通用的單一開口41的本發(fā)明上述實(shí)施例中的陰極射線管裝置的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。通過圖9的圖表,可以知道無論在任何頻率,曲線b都要比曲線a具有更高的SVM靈敏度。
而且,上述實(shí)施方式中,雖然說明的是聚焦電壓為一定的電子槍,但本發(fā)明同樣可以適用于根據(jù)聚焦電壓的偏轉(zhuǎn)而產(chǎn)生動(dòng)態(tài)變化的動(dòng)態(tài)聚焦型電子槍。使用圖10以及圖11說明本發(fā)明對動(dòng)態(tài)聚焦型的電子槍是適用的。
圖10所示的電子槍,是將3個(gè)陰極10、控制電極11、加速電極12、第1聚焦電極17、第2聚焦電極18、第3聚焦電極31、陽極電極19按照該順序設(shè)置,第1聚焦電極17和第2聚焦電極18之間設(shè)有間隙。在控制電極11施加電位Vg1,在加速電極12上施加電位Vg2,在第1聚焦電極17和第2聚焦電極18上施加相同電位Vfoc1,在第3聚焦電極31上施加可根據(jù)偏轉(zhuǎn)動(dòng)態(tài)變化的電位Vfoc2,在陽極電極19上施加電位Va。加速電極12和第1聚焦電極17之間形成有預(yù)聚焦透鏡(プリフオ一カスレンズ),第2聚焦電極18和第3聚焦電極31之間形成有四極透鏡,第3聚焦電極31和陽極電極19之間形成有主透鏡。第1聚焦電極17由均為杯狀電極的電極部件13和電極部件14構(gòu)成,第2聚焦電極18由均為杯狀電極的電極部件15和電極部件27構(gòu)成,第3聚焦電極31由均為杯狀電極的電極部件28和電極部件16構(gòu)成。這里,第1聚焦電極17的電極部件14的、與第2聚焦電極18相對置的電極面24上所形成的開口41是3支電子束通用的橫長的單一開口。另一方面,第2聚焦電極18的電極部件15的與上述第1聚焦電極17相對置的電極面25上,形成有3個(gè)獨(dú)立的電子束通孔。
圖11是表示本發(fā)明動(dòng)態(tài)聚焦型電子槍其他實(shí)例立體圖。本電子槍按下述順序具有3個(gè)陰極10、控制電極11、加速電極12、第3聚焦電極31、第1聚焦電極17、第2聚焦電極18、陽極電極19,第1聚焦電極17和第2聚焦電極18之間設(shè)有間隙。在控制電極11施加電位Vg1,在加速電極12上施加電位Vg2,在第3聚焦電極31上施加電位Vfoc1,在第1聚焦電極17和第2聚焦電極18上施加可根據(jù)偏轉(zhuǎn)動(dòng)態(tài)變化的相同電位Vfoc2,在陽極電極19上施加電位Va。在加速電極12和第3聚焦電極31之間形成有預(yù)聚焦透鏡,第3聚焦電極31和第1聚焦電極17之間形成有四極透鏡,第2聚焦電極18和陽極電極19之間形成有主透鏡。第3聚焦電極31由均為杯狀電極的電極部件13和電極部件29構(gòu)成,第1聚焦電極17由均為杯狀電極的電極部件30和電極部件14構(gòu)成,第2聚焦電極18由均為杯狀電極的電極部件15和電極部件16構(gòu)成。這里,第1聚焦電極17的電極部件14的、與第2聚焦電極18相對置的電極面24上所形成的開口41是3支電子束通用的橫長的單一開口。另一方面,第2聚焦電極18的電極部件15的與上述第1聚焦電極17相對置的電極面25上,形成有3個(gè)獨(dú)立的電子束通孔。
雖然在上述實(shí)施方式中,是在管軸方向相互分離配置的,且只在施加著相同電位的第1以及第2聚焦電極17、18中的第1聚焦電極17的電極部件14的電極面24上,設(shè)有3個(gè)電子束通用的單一開口41,但也可以只在第2聚焦電極18的電極部件15的電極面25上,設(shè)置3支電子束通用的單一開口,這種情況也可以取得與上述同樣的效果。
實(shí)施方式2雖然在上述實(shí)施方式1中,只在被施加了相同電位的第1聚焦電極17的電極部件14的電極面24、以及第2聚焦電極18的電極部件15的電極面25中的任意一面,設(shè)置3支電子束通用的單一開口,但也可以如圖12A及圖12B所示那樣,在第1聚焦電極17的電極部件14的電極面24、以及第2聚焦電極18的電極部件15的電極面25這兩個(gè)面上,分別設(shè)置3支電子束通用的單一開口41、43。通過這樣的結(jié)構(gòu),可望進(jìn)一步提高SVM的靈敏度。
在圖9中,曲線c表示的是,除了在電極部件14和電極部件15這二者上都設(shè)有3支電子束通用的單一開口41、43之外與曲線b的陰極射線管裝置相同的、本實(shí)施方式2所對應(yīng)的陰極射線管裝置的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。曲線c比曲線b更明顯地提高了SVM的靈敏度。
實(shí)施方式3設(shè)有3支電子束通用的單一開口的電極部件,最好呈杯狀。請?jiān)蛟谟?,到達(dá)杯狀電極的來自SVM線圈的磁通23通過金屬內(nèi)部,并在單一開口部被聚焦。所謂“杯狀”,并不只限于由沖壓而被一體成型的結(jié)構(gòu),也包括將另外構(gòu)件的底板固定在筒狀構(gòu)件而成的結(jié)構(gòu)。
這種情況下,如圖13所示,杯狀電極部件的筒狀壁面中,最好在水平方向軸交叉的側(cè)面,設(shè)置與管軸方向平行的縱長方向的狹孔26。原因在于,通過杯狀電極金屬內(nèi)部的大致垂直方向的磁通,由于狹縫26就不會(huì)通過該側(cè)面,因此在單一開口41部分就可以會(huì)聚較多的磁通。
這時(shí),開口41的水平方向?qū)挾萪X最好可以擴(kuò)大到筒狀的壁面。由此,由于可以有更多的磁通橫切開口41,因此可以進(jìn)一步提高SVM靈敏度。
實(shí)施方式4如圖14所示,對于3支電子束通用的單一開口41、43的垂直寬度,也可以使3支電子束9所通過的位置附近的垂直寬度dY1,小于其以外部分的垂直寬度dY。本實(shí)施方式的單一開口具有下述結(jié)構(gòu),即,在沿著圖6A、圖12A、圖12B所示的長方形單一開口的水平方向的端緣,添加朝向通過開口內(nèi)的3支電子束9的、上下各3個(gè)的半圓狀突出部。由此,在電子束9的附近,可以會(huì)聚更多的磁通23,因此可以更加提高SVM效果。
實(shí)施方式5如圖15所示,也可以將3支電子束通用的單一開口41的水平方向的兩端形成為圓弧狀(半圓形)。
一般,在組裝電子槍的時(shí)候,使用如圖16所示的設(shè)立相互平行的2根圓柱51、52這樣的較容易制造的組裝夾具50。2根圓柱51、52的中心軸間隔2pX,與設(shè)于電子槍各電極的兩外側(cè)的電子束通孔的中心間隔相同。
如圖17所示進(jìn)行組裝,在該組裝夾具50的2根圓柱51、52上,依次重疊插入陽極電極19、第2聚焦電極18、第1聚焦電極17、加速電極12、控制電極11,并且為了在相鄰的電極間設(shè)置所定的間隔,在其間夾有墊片(圖未示)。
在本裝配工序中,第1聚焦電極17的電極部件14的與第2聚焦電極18相對置的電極面24上所形成的3支電子束通用的單一開口41的兩端,如圖15所示,呈與圓柱51、52具有相同半徑R的圓弧狀,且該圓弧的中心間隔為2pX,由于可將第1聚焦電極17,通過該開口41的兩端的圓弧和圓柱51、52,在水平方向以及垂直方向精確地定位,因此可得到裝配誤差較小的高精度的電子槍。
如實(shí)施方式2所述,第2聚焦電極18的電極部件15的電極面25上設(shè)有單一開口43的情況下,該單一開口43的兩端最好設(shè)成具有與圖15一樣半徑R的圓弧狀。這樣,就可以在電子槍的裝配工序中,對具有單一開口43的第2聚焦電極18進(jìn)行高精度定位。
發(fā)明效果若為本發(fā)明,在3支電子束所通過的位置,可使由掃描速度調(diào)制線圈產(chǎn)生的磁場有效作用,從而得到所需的電子束掃描速度調(diào)制效果。因此,與以往的電子槍相比,其可覆蓋較寬的頻帶,并可得到較大的SVM效果,并可提高陰極射線管畫質(zhì)的清晰度。
權(quán)利要求
1.電子槍,其是將陰極、控制電極、加速電極、第1聚焦電極、第2聚焦電極、以及陽極電極順次配列的,上述第2聚焦電極與上述第1聚焦電極隔有間隙地相互對置,且被施加著與上述第1聚焦電極相同的電位,其特征在于,在上述第1聚焦電極的與上述第2聚焦電極相對置的面、以及上述第2聚焦電極的與上述第1聚焦電極相對置的面中至少一個(gè)上所設(shè)置的電子束通孔,是3支電子束通用的單一開口。
2.如權(quán)利要求1所述的電子槍,其特征在于,在上述第1聚焦電極的與上述第2聚焦電極相對置的面、以及上述第2聚焦電極的與上述第1聚焦電極相對置的面這兩個(gè)面上所設(shè)置的電子束通孔,全都是3支電子束通用的單一開口。
3.如權(quán)利要求1所述的電子槍,其特征在于,設(shè)有上述單一開口的上述第1聚焦電極或上述第2聚焦電極,具有包圍3支電子束的筒狀壁面,上述壁面中的與水平方向軸相交叉的側(cè)面上設(shè)有孔。
4.如權(quán)利要求1所述的電子槍,其特征在于,上述單一開口的垂直寬度在3支電子束的各支所通過的位置附近,與其他位置相比要小。
5.如權(quán)利要求1所述的電子槍,其特征在于,上述單一開口的水平方向的兩端部呈圓弧狀。
6.陰極射線管裝置,其具備陰極射線管以及掃描速度調(diào)制線圈;該陰極射線管設(shè)有管殼和電子槍,該管殼具有前面板以及漏斗部,該電子槍在上述漏斗部的頸部內(nèi)設(shè)有第1聚焦電極及第2聚焦電極,上述第2聚焦電極與上述第1聚焦電極隔有間隙地相互對置,且被施加著與上述第1聚焦電極相同的電位;上述掃描速度調(diào)制線圈被設(shè)于上述頸部的外表面上,且靠近上述第1聚焦電極和上述第2聚焦電極,其特征在于,在上述第1聚焦電極的與上述第2聚焦電極相對置的面、以及上述第2聚焦電極的與上述第1聚焦電極相對置的面中至少一個(gè)上所設(shè)置的電子束通孔,是3支電子束通用的單一開口。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子槍,其具有相互面對地設(shè)置、且被加載有相同電位的第1聚焦電極(17)以及第2聚焦電極(18)。第1聚焦電極(17)的與第2聚焦電極(18)相對置的面(24)、以及第2聚焦電極(18)的與第1聚焦電極(17)相對置的面(25)這兩個(gè)面中至少一個(gè)面上所設(shè)置的電子束通孔,是3支電子束通用的單一開口。漏斗部的頸部外周面上所設(shè)置的掃描速度調(diào)制線圈所產(chǎn)生的磁通,很多可以橫切該單一開口。因此可以提高掃描速度調(diào)制(SVM)靈敏度。
文檔編號(hào)H01J29/50GK1551282SQ20041004583
公開日2004年12月1日 申請日期2004年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月20日
發(fā)明者長谷川寬, 林明, 友安裕之, 之 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
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