專利名稱：具有△像素排列的等離子顯示控制板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示控制板(PDP)，具體涉紅(R)、綠(G)、蘭(B)單元像素排列成三角形結(jié)構(gòu)或排列成所謂Δ排列的等離子顯示控制板。
背景技術(shù)：
等離子顯示控制板(PDP)是典型的顯示裝置，其中，借助氣體放電產(chǎn)生的紫外線激勵(lì)熒光體而獲得預(yù)定圖像。由于PDPs可得到高分辨率(即使是大屏幕尺寸)，人們普遍認(rèn)為它們將成為下一代主要的平板顯示器結(jié)構(gòu)。
PDP的分類取決于其放電單元如何排列。PDPs的主要類型是條帶PDP和ΔPDP，在條帶PDP中，由隔板肋所限定的、在其中產(chǎn)生放電的空間以條帶圖案(或直列圖案)排列；在ΔPDP中，放電單元排列成三角(即Δ)形。
在常規(guī)的ΔPDP中，多個(gè)R、G、B單元像素在上基底與下基底之間形成Δ結(jié)構(gòu)。在與放電單元位置對(duì)應(yīng)的部位，持續(xù)電極(sustain electrode)形成在上基底上，地址電極形成在下基底上?？赏ㄟ^例如以三角形形成的封閉隔板肋實(shí)現(xiàn)R、G、B單元像素的Δ排列。
在這種ΔPDP中，地址電壓施加在地址電極和與所選單元像素對(duì)應(yīng)的一對(duì)持續(xù)電極對(duì)中的一個(gè)持續(xù)電極之間以便執(zhí)行尋址，放電持續(xù)電壓交替施加到該對(duì)持續(xù)電極上以進(jìn)行持續(xù)操作。于是，持續(xù)處理中產(chǎn)生的紫外線激勵(lì)放電單元中的熒光體而使熒光體發(fā)射可見光，從而形成所需的圖像。US專利公開5,182,489和US專利公開6,373,195中公開的PDPs是這種ΔPDP的實(shí)例。
上述PDPs不僅可通過封閉的隔板肋實(shí)現(xiàn)，也可利用改變條帶PDP的線性隔板肋形狀的結(jié)構(gòu)而形成。US專利公開6,376,986公開了這樣一種PDP。在這個(gè)專利中，R、G、B單元像素通過將隔板設(shè)置成彎曲的形狀而基本上構(gòu)成六邊形。
在上述的PDPs中，單元像素排列成上述的三角形，從而使得當(dāng)R、G、B熒光體組合在一起而形成一個(gè)像素時(shí)，一個(gè)R、G、B單元像素的寬度可比該像素間距(水平間距)約大三分之一。因此，其高清晰度優(yōu)于單元像素形成直列結(jié)構(gòu)的PDP，屏幕中的非照明區(qū)的面積減小，因而改善了亮度。
雖然在到目前為止所公開的ΔPDPs中的常規(guī)ΔPDP具有這些優(yōu)點(diǎn)，但是該單元像素的性能不能實(shí)現(xiàn)，以致ΔPDP的總體性能(例如，亮度)不能最大化，因此在生產(chǎn)具體PDP時(shí)遇到困難。
例如在US專利公開6,376,986的PDP中，取代以封閉結(jié)構(gòu)形成的單元像素，利用彎曲形狀的隔板肋形成單元像素，其中，單元像素在縱向打開。這限制了使單元像素的放電空間最大化的任何努力。
另外，在US專利公開5,182,489的PDP中，單元像素通過封閉隔板肋而實(shí)現(xiàn)，提供了有利于最大化放電單元尺寸的條件。但是，設(shè)置在像素內(nèi)的放電持續(xù)電極的面積與四邊形像素內(nèi)的放電散射之間是相關(guān)的，放電持續(xù)電極在垂直方向的長(zhǎng)度小于六邊形像素的長(zhǎng)度，所以中心區(qū)的放電散射基本上被水平方向的隔板肋迅速阻擋。因此，與使用六邊形像素的PDP的結(jié)果相比，降低了亮度性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是提供了一個(gè)等離子顯示控制板，該等離子顯示控制板使用Δ結(jié)構(gòu)的單元像素排列，其中，單元像素的構(gòu)成被最大化以改善等離子顯示控制板的性能。
所提供的等離子顯示控制板包括第一基底；和以預(yù)定距離離開該基底并與第一基底一起形成真空組件的第二基底。隔板肋在第一基底與第二基底之間形成像素，以便使形成一個(gè)像素組的子像素排列成三角形。在面對(duì)第二基底的第一基底的表面上沿著第一基底的第一方向形成多個(gè)地址電極。在面對(duì)第一基底的第二基底的表面上沿著第二基底的第一方向形成多個(gè)放電持續(xù)電極。熒光體層和放電氣體設(shè)置在第一基底和第二基底之間。
如果穿過子像素中心并使子像素的兩個(gè)相對(duì)拐角相互連接的線的長(zhǎng)度是(c)、而在兩個(gè)相鄰拐角之間伸展的線的長(zhǎng)度是(b)，則所形成的子像素的(b)與(c)的比值在1∶1.5和1∶5之間。優(yōu)選地，(b)與(c)的比值在1∶2.5和1∶3.5之間。另外，子像素形成為六邊形。
每個(gè)放電持續(xù)電極包括總線電極，它沿第二基底的第一方向形成；透明電極部分，它從該總線電極伸展并定位在與子像素對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)。
總線電極形成為與沿第二基底的第一方向的隔板肋對(duì)應(yīng)。例如，該總線電極形成為沿第二基底的第一方向的之字形結(jié)構(gòu)。
地址電極包括第一面積區(qū)，它以預(yù)定寬度形成并位于被隔板肋覆蓋的區(qū)域內(nèi)；第二面積區(qū)，它以大于第一面積區(qū)寬度的預(yù)定寬度形成并位于被子像素圍繞的區(qū)域內(nèi)。
第二面積區(qū)的形狀與子像素形狀相似，即為六邊形結(jié)構(gòu)。
另一方面，等離子顯示控制板包括第一基底和第二基底，它們以預(yù)定間隙彼此相對(duì)而形成真空組件。隔板肋在第一基底與第二基底之間形成像素，從而使形成一組像素的子像素排列成三角形結(jié)構(gòu)。多個(gè)地址電極沿著第一基底的第一方向形成在面對(duì)第二基底的第一基底的表面上。多個(gè)放電持續(xù)電極沿著第二基底的第一方向形成在面對(duì)第一基底的第二基底的表面上。熒光體層形成在第一基底與第二基底之間，放電氣體填充在形成子像素的隔板所限定的放電單元內(nèi)。
如果穿過放電單元的中心并使限定每個(gè)放電單元的隔板肋的兩個(gè)相對(duì)拐角相互連接的線的長(zhǎng)度是(c)、而在限定每個(gè)放電單元的隔板肋的兩個(gè)相鄰拐角之間伸展的線的長(zhǎng)度是(b)，則所形成的限定每個(gè)放電單元的隔板肋的(b)與(c)的比值在1∶1.5和1∶5之間。優(yōu)選地，(b)與(c)的比值在1∶2.5和1∶3.5之間。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示控制板的局部分解透視圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示控制板的局部剖視圖；圖3是用于說明本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示控制板中子像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示控制板中地址電極的示意圖；圖5是用于說明本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示控制板中子像素構(gòu)成的示意圖；圖6、7和8是用于說明本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示控制板效果的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示控制板的局部分解透視圖，圖2是本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示控制板的局部剖視圖。
如圖1和2所示，在本發(fā)明實(shí)施例的等離子控制板(PDP)中，R、G、B子像素排列成三角形組而形成所謂的ΔPDP。本發(fā)明的PDP是更確切的ΔPDP。
該P(yáng)DP包括第一基底20(以下稱為“下基底”)和第二基底22(以下稱為“上基底”)。下基底20和上基底22以它們之間的預(yù)定間隙平行地設(shè)置。
隔板肋26形成預(yù)定高度并在下基底20與上基底22之間形成預(yù)定圖案以限定像素24。每組像素24包括排列成三角結(jié)構(gòu)的子像素24R、24G、24B(參見圖3)，相鄰組共享選定的子像素24R、24G、24B而形成它們的Δ形狀。隔板肋形成子像素24R、24G、24B，并分別將放電單元24a、24b、24c限定在子像素24R、24G、24B內(nèi)。
每個(gè)子像素24R、24G、24B基本上形成為六邊形。于是，形成子像素24R、24G、24B的隔板肋26構(gòu)成多個(gè)作為分別被子像素24R、24G、24B限定的放電單元24a、24b、24c的六邊形。
PDP操作所需的放電氣體被供應(yīng)在放電單元24a、24b、24c中。而且，R、G、B熒光體層28R、28G、28B分別形成在子像素24R、24G、24B中。熒光體層28R、28G、28B沿放電單元24a、24b、24c的底面和側(cè)壁(即沿著隔板肋26的內(nèi)壁)形成。
多個(gè)地址電極30沿方向(y)形成在下基底20上。地址電極30既被隔板肋26覆蓋又從隔板肋26露出。另外，介電層31形成在與上基底22相對(duì)的下基底20的整個(gè)表面上，使得介電層31覆蓋地址電極30、并形成在隔板肋26下面。
地址電極30包括第一面積區(qū)30a，它形成在放電單元24a、24b、24c的外側(cè)，但沿方向(y)位于隔板肋26區(qū)域(正下方)內(nèi)；第二面積區(qū)30b，它形成在放電單元24a、24b、24c內(nèi)。如圖4所示，第一面積區(qū)30a具有預(yù)定寬度Aw，而第二面積區(qū)30b具有大于第一面積區(qū)30a寬度Aw的預(yù)定寬度AW。
對(duì)于每個(gè)地址電極30，這個(gè)結(jié)構(gòu)沿方向(y)重復(fù)，第一面積區(qū)30a與隔板肋26區(qū)域下面的位置對(duì)應(yīng)，第二面積區(qū)30b與放電單元24a、24b、24c內(nèi)的區(qū)域?qū)?yīng)。另外，地址電極30的第二面積區(qū)30b基本構(gòu)成與子像素24R、24G、24B形狀對(duì)應(yīng)的六邊形。
對(duì)于上基底22，多個(gè)放電持續(xù)電極32在與下基底20相對(duì)的上基底22的表面上沿方向(x)形成。放電持續(xù)電極32包括總線電極32a，它對(duì)應(yīng)于隔板肋26的形狀沿方向(x)而形成；透明電極部分32b，它們分別對(duì)應(yīng)子像素24R、24G、24B的放電單元24a、24b、24c的內(nèi)部而沿方向(y)從總線電極32a伸展。
放電持續(xù)電極32的總線電極32a由諸如金屬的不透明材料制作，它們沿方向(x)構(gòu)成與沿同一方向的隔板形狀對(duì)應(yīng)的整體之字形?？偩€電極32a的寬度最好較小以便這些元件完全與隔板肋26的內(nèi)部對(duì)應(yīng)。這可避免在PDP操作期間，總線電極32a阻擋放電單元24a、24b、24c產(chǎn)生的可見光。
此外，透明電極部分32b由諸如ITO的透明材料構(gòu)成。為了在與放電單元24a、24b、24c內(nèi)部對(duì)應(yīng)的面積中形成，透明電極部分32b以預(yù)定間隔沿每個(gè)總線電極32a的方向(x)形成、并在每個(gè)總線電極32a的相對(duì)側(cè)以交替方式沿方向(y)伸出。利用這個(gè)結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)透明電極部分32b與圖1所示的每個(gè)放電單元24a、24b、24c的位置對(duì)應(yīng)(當(dāng)基底20和22被組裝時(shí))。另外，預(yù)定間隙設(shè)置在相鄰放電持續(xù)電極32的透明電極部分32b之間、即預(yù)定間隙存在于一對(duì)與每個(gè)放電單元24a、24b、24c內(nèi)的位置對(duì)應(yīng)的透明電極部分32b之間。
透明介電層34形成在覆蓋放電持續(xù)電極32的上基底22的整個(gè)表面上。由MgO構(gòu)成的保護(hù)層36形成在介電層34上。
子像素24R、24G、24B形成為滿足下述條件。該條件是發(fā)明人經(jīng)反復(fù)實(shí)驗(yàn)而建立并能必須確保諸如亮度和地址電壓幅度等基本PDP特性的改善而確定的。
下面結(jié)合圖5以R、G、B組的一個(gè)R子像素24R為例說明所有的子像素24R、24G、24B，子像素24R相對(duì)穿過子像素24R的中心(O)的直線對(duì)稱。子像素24R的整體形狀是六邊形。此外，如果穿過子像素24R的中心(O)并從一個(gè)拐角伸展到相對(duì)拐角的線的長(zhǎng)度是(c)，沿子像素24R的六個(gè)邊緣的任一邊緣的線長(zhǎng)度是(b)，則長(zhǎng)度(b)與長(zhǎng)度(c)的比值為1∶1.5到1∶5，優(yōu)選為1∶2.5到1∶3.5。
長(zhǎng)度(b)和(c)被描述為上述子像素24R、24G、24B的尺寸。但是，由于子像素24R、24G、24B由隔板肋26形成，所以長(zhǎng)度(b)和(c)也可根據(jù)隔板肋26而限定。在這種情況下，以由隔板肋26形成的一個(gè)放電單元24a為例，長(zhǎng)度(c)是穿過放電單元24a的中心并使隔板肋26構(gòu)成的六邊形放電單元24a的兩個(gè)相對(duì)拐角相互連接的長(zhǎng)度，長(zhǎng)度(b)是由隔板肋26構(gòu)成的六邊形放電單元24a的一個(gè)側(cè)面的長(zhǎng)度。放電單元24a相對(duì)表示長(zhǎng)度(c)的線而對(duì)稱。
圖6、7和8是用于說明設(shè)置有子像素并滿足上述條件的PDP的特性曲線圖。圖6表示亮度特性。圖7表示控制板效率特性。圖8表示地址電壓幅度(margin)特性。每個(gè)曲線的x軸表示長(zhǎng)度(b)除以長(zhǎng)度(c)所得的值，y軸表示具體特性的值。另外，當(dāng)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)以取得曲線值時(shí)，發(fā)明人只改變長(zhǎng)度(b)和(c)，而不改變例如隔板肋26的高度、介電層31和熒光體層28R、28G、28B的厚度的任何其它尺寸。
首先參看圖6，與b/c是1時(shí)相比、即與子像素24R構(gòu)成普通四邊形時(shí)相比，在(b)與(c)的比值是1∶1.5或更大時(shí)，控制板的亮度至少增加10％。當(dāng)在(b)與(c)的比值是1∶2和1∶3時(shí)，與子像素24R構(gòu)成普通四邊形時(shí)相比，控制板的亮度增加15％或更大。當(dāng)長(zhǎng)度(b)和(c)使子像素24R形成為菱形時(shí)，可以得到略小于15％的亮度增加。
如圖7所示，當(dāng)(b)與(c)的1∶1的比值因增加長(zhǎng)度(c)而改變時(shí)，PDP的效率也增加。但是，這種效率增加只發(fā)生在一點(diǎn)，在該點(diǎn)之后，效率隨長(zhǎng)度(c)的增加而下降。如果長(zhǎng)度(b)和(c)均被改變而使子像素24構(gòu)成菱形，則顯示效率嚴(yán)重下降并明顯小于采用矩形子像素的普通PDP。
控制板的效率以常規(guī)方式確定，即，通過將亮度面積A[m2]和控制板的亮度L[cd/m2]積除以放電期間消耗的有效功率P_on-P_off[W]來確定。在控制板使用六邊形單元像素的情況下，由于亮度和放電持續(xù)電極的面積增大，所以功率消耗略有增加，照明效率略微提高。但是，在使用菱形單元像素的控制板中，子像素不能完全與隔板肋對(duì)應(yīng)，因此效率下降。
對(duì)于圖8所示的地址電壓幅度，增加長(zhǎng)度(c)而保持長(zhǎng)度(b)不變則會(huì)增加地址電壓幅度，當(dāng)長(zhǎng)度(c)和(b)被改變而使子像素24構(gòu)成菱形時(shí)可得到最高的地址電壓幅度。但是，當(dāng)子像素24構(gòu)成菱形時(shí)，隔板肋26太靠近子像素24的中心，因而對(duì)地址放電不利。
顯然，當(dāng)本發(fā)明的子像素24構(gòu)成菱形或接近這種結(jié)構(gòu)時(shí)，可得到與良好結(jié)果相關(guān)的上述亮度和地址電壓。但是，當(dāng)考慮控制板的所有性能(包括控制板效率)時(shí)，(b)與(c)的比值優(yōu)選在1∶1.5和1∶5之間，在這種情況中，像素的(水平)間隔極小(例如0.576mm)而使PDP具有更高的清晰度，(b)與(c)的比值最好在1∶2.5和1∶3.5之間。
在上述本發(fā)明的等離子顯示控制板中，通過形成具有特定尺寸的子像素而改善控制板的性能。另外，通過將隔板肋構(gòu)成為六邊形而制成結(jié)構(gòu)穩(wěn)定和高清晰度的PDP。
雖然，上面已經(jīng)詳細(xì)說明了本發(fā)明的實(shí)施例，顯然，這里所述的對(duì)基本發(fā)明構(gòu)思的變化和/或改進(jìn)對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言仍處在附加權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的宗旨和范圍之內(nèi)。
例如，盡管所述的像素以封閉結(jié)構(gòu)由隔板肋構(gòu)成，但該像素也可由不封閉的彎曲的線性隔板肋構(gòu)成。另外，子像素也不限于上述的六邊形。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示控制板，包括第一基底；第二基底，它以預(yù)定距離離開第一基底并與第一基底一起形成真空組件；隔板肋，它形成該第一基底與第二基底之間的像素，以使形成一個(gè)像素組的子像素排列成三角形結(jié)構(gòu)；多個(gè)地址電極，它們形成在面對(duì)該第二基底的第一基底的表面上并沿著第一基底的第一方向形成；多個(gè)放電持續(xù)電極，它們形成在面對(duì)該第一基底的第二基底的表面上并沿著第二基底的第一方向形成；和熒光體層和放電氣體，它們?cè)O(shè)置在該第一基底和第二基底之間，其特征在于，如果穿過子像素中心并使子像素的兩個(gè)相對(duì)拐角相互連接的線的長(zhǎng)度是(c)而在兩個(gè)相鄰拐角之間伸展的線的長(zhǎng)度是(b)，則所形成的子像素的(b)與(c)的比值在1∶1.5和1∶5之間。
2.如權(quán)利要求1的等離子顯示控制板，其特征在于，該(b)與(c)的比值在1∶2.5和1∶3.5之間。
3.如權(quán)利要求1的等離子顯示控制板，其特征在于，該子像素形成為六邊形。
4.如權(quán)利要求1的等離子顯示控制板，其特征在于，每個(gè)所述放電持續(xù)電極包括總線電極，它沿該第二基底的第一方向形成；透明電極部分，它從該總線電極伸展并定位在與子像素對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)。
5.如權(quán)利要求4的等離子顯示控制板，其特征在于，該總線電極對(duì)應(yīng)于隔板肋的形狀而形成。
6.如權(quán)利要求5的等離子顯示控制板，其特征在于，該總線電極形成為沿該第二基底的一個(gè)方向的之字形結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求1的等離子顯示控制板，其特征在于，該地址電極包括第一面積區(qū)，它以預(yù)定寬度形成并位于被隔板肋覆蓋的區(qū)域內(nèi)；第二面積區(qū)，它以大于第一面積區(qū)寬度的預(yù)定寬度形成并位于被子像素圍繞的區(qū)域內(nèi)。
8.如權(quán)利要求7的等離子顯示控制板，其特征在于，該第二面積區(qū)的形狀與該子像素形狀相似。
9.如權(quán)利要求8的等離子顯示控制板，其特征在于，該第二面積區(qū)構(gòu)成六邊形結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求1的等離子顯示控制板，其特征在于，該子像素相對(duì)穿過該子像素中心的直線對(duì)稱。
11.如權(quán)利要求1的等離子顯示控制板，其特征在于，在該子像素的相鄰拐角之間伸展的線平行于穿過該子像素中心并使該子像素的兩個(gè)相對(duì)拐角相互連接的線。
12.一種等離子顯示控制板，包括第一基底和第二基底，它們以預(yù)定間隙彼此相對(duì)而形成真空組件；隔板肋，它們形成第一基底與第二基底之間的像素，從而使形成一組像素的子像素排列成三角形結(jié)構(gòu)；多個(gè)地址電極，它們沿著第一基底的第一方向形成在面對(duì)第二基底的第一基底的表面上；多個(gè)放電持續(xù)電極，它們沿著第二基底的第一方向形成在面對(duì)第一基底的第二基底的表面上；熒光體層，它形成在第一基底與第二基底之間；和放電氣體，它被填充在形成子像素的隔板肋所限定的放電單元內(nèi)；其特征在于，如果穿過該放電單元的中心并使限定每個(gè)放電單元的隔板肋的兩個(gè)相對(duì)拐角相互連接的線的長(zhǎng)度是(c)而在限定每個(gè)放電單元的隔板肋的兩個(gè)相鄰拐角之間伸展的線的長(zhǎng)度是(b)，則所形成的限定每個(gè)放電單元的隔板肋的(b)與(c)的比值在1∶1.5和1∶5之間。
13.如權(quán)利要求12的等離子顯示控制板，其特征在于，該(b)與(c)的比值在1∶2.5和1∶3.5之間。
14.如權(quán)利要求12的等離子顯示控制板，其特征在于，限定該放電單元的該隔板肋形成為六邊形。
15.如權(quán)利要求12的等離子顯示控制板，其特征在于，每個(gè)所述放電持續(xù)電極包括總線電極，它沿該第二基底的第一方向形成；透明電極部分，它從該總線電極伸展并定位在與子像素對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)。
16.如權(quán)利要求15的等離子顯示控制板，其特征在于，該總線電極對(duì)應(yīng)于隔板肋的形狀而形成。
17.如權(quán)利要求16的等離子顯示控制板，其特征在于，該總線電極形成為沿該第二基底的第一方向的之字形結(jié)構(gòu)。
18.如權(quán)利要求12的等離子顯示控制板，其特征在于，該地址電極包括第一面積區(qū)，它以預(yù)定寬度形成并位于被隔板肋覆蓋的區(qū)域內(nèi)；第二面積區(qū)，它以大于第一面積區(qū)寬度的預(yù)定寬度形成并位于被該放電單元圍繞的區(qū)域內(nèi)。
19.如權(quán)利要求18的等離子顯示控制板，其特征在于，該第二面積區(qū)的形狀與該子像素形狀相似。
20.如權(quán)利要求19的等離子顯示控制板，其特征在于，該第二面積區(qū)形成六邊形結(jié)構(gòu)。
21.如權(quán)利要求12的等離子顯示控制板，其特征在于，該子像素相對(duì)穿過該子像素中心的直線對(duì)稱。
22.如權(quán)利要求12的等離子顯示控制板，其特征在于，在限定每個(gè)放電單元的該隔板肋的相鄰拐角之間伸展的線平行于穿過該放電單元中心并使限定每個(gè)放電單元的該隔板肋的兩個(gè)相對(duì)拐角相互連接的線。
全文摘要
一種等離子顯示控制板。第一基底和第二基底以預(yù)定距離隔開，并且第二基底與第一基底形成真空組件。隔板肋形成第一基底與第二基底之間的像素，以使形成一個(gè)像素組的子像素排列成三角形。多個(gè)地址電子電極形成在面對(duì)第二基底的第一基底的表面上并沿著第一基底的第一方向形成。多個(gè)放電持續(xù)電極形成在面對(duì)第一基底的第二基底的表面上并沿著第二基底的第一方向形成。熒光體層和放電氣體設(shè)置在第一基底和第二基底之間。如果穿過子像素中心并使子像素的兩個(gè)相對(duì)拐角相互連接的線的長(zhǎng)度是(c)而在兩個(gè)相鄰拐角之間伸展的線的長(zhǎng)度是(b)，則所形成的子像素的(b)與(c)的比值在1∶1.5和1∶5之間。
文檔編號(hào)H01J11/14GK1518035SQ20031010121
公開日2004年8月4日 申請(qǐng)日期2003年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月22日
發(fā)明者尹次根, 柳玟先, 安正根, 金鏞埈, 李泰昊, 柳成勛 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社