專利名稱：內(nèi)部屏蔽及包括它的陰極射線管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于彩色陰極射線管的內(nèi)部屏蔽，特別涉及可以有效地阻擋諸如地球磁場(chǎng)的外部磁場(chǎng)的用于彩色陰極射線管的內(nèi)部屏蔽，以將由于外部磁場(chǎng)的漲落所引起的電子束誤著屏減小到最小。本發(fā)明還涉及包括這種內(nèi)部屏蔽的陰極射線管。
背景技術(shù)：
彩色陰極射線管(CRT)是一種顯示裝置，其中，熒光屏由電子槍發(fā)射的三束電子束掃描，以實(shí)現(xiàn)特定的圖像。三束電子束的路徑由地球的北磁極和南磁極建立的地球磁場(chǎng)改變，由此對(duì)CRT的色純度、光柵位置、和會(huì)聚特性造成負(fù)面影響。
地球磁場(chǎng)包括相對(duì)于地球表面垂直的垂直分量(地球的垂直磁場(chǎng))，和與地球表面平行的水平分量(地球的水平磁場(chǎng))。由地球的水平磁場(chǎng)引起的電子束移動(dòng)根據(jù)CRT的方向可以分成南-北(N-S)電子束移動(dòng)和東-西(E-W)電子束移動(dòng)。
也就是說(shuō)，參見(jiàn)圖1A，N-S移動(dòng)是指由圖中平行于陰極射線管的管軸Z的垂直方向(N-S方向)的磁場(chǎng)(由箭頭指示的磁場(chǎng))引起的電子束移動(dòng)。此外，參見(jiàn)圖1B，E-W移動(dòng)是指圖中平行于陰極射線管的屏幕的水平方向(E-W方向)的磁場(chǎng)(由箭頭指示的磁場(chǎng))引起的電子束移動(dòng)。
由地球磁場(chǎng)造成的被電子束接收的力包括水平分量和垂直分量，這個(gè)力幾乎全部是影響CRT圖像特性的水平分量。這是由于在主要在消費(fèi)CRT(也就是彩色顯像管)中使用的具有細(xì)長(zhǎng)垂直狹縫的蔭罩以及主要在商業(yè)CRT(也就是彩色顯示管)中使用的具有點(diǎn)形孔的蔭罩的情況下，沿水平方向(X-軸方向)移動(dòng)電子束的水平分量使電子束遠(yuǎn)離它們指定的狹縫或孔移動(dòng)。
因此，內(nèi)部屏蔽安裝在CRT中以使由地球磁場(chǎng)影響所引起的電子束移動(dòng)減小到最小。圖2示出傳統(tǒng)的內(nèi)部屏蔽。
內(nèi)部屏蔽100抵消在電子束路徑周?chē)膮^(qū)域內(nèi)的地球磁場(chǎng)或加強(qiáng)與該磁場(chǎng)的干涉，由此改變(在這些區(qū)域內(nèi)的)地球磁場(chǎng)沿使電子束著屏變化最小的方向的分布。內(nèi)部屏蔽100安裝到蔭罩框架(未示出)上并將電子束的路徑包圍在CRT的玻錐部分(未示出)之內(nèi)。內(nèi)部屏蔽100包括電子槍開(kāi)口102和電子束通過(guò)的屏幕開(kāi)口104，以及一對(duì)長(zhǎng)部分106和一對(duì)短部分108。長(zhǎng)部分106和短部分108互連而形成電子槍開(kāi)口102和屏幕開(kāi)口104。
在形成電子槍開(kāi)口102的每個(gè)短部分108的端部形成V形切開(kāi)部分110，用于減小N-S電子束移動(dòng)。V形切開(kāi)部分110的深度h與N-S電子束移動(dòng)量成反比，與E-W電子束移動(dòng)量成正比，其中該深度h是從V形切開(kāi)部分110的頂點(diǎn)到與形成電子槍開(kāi)口102的長(zhǎng)部分106的邊緣齊平形成的虛線測(cè)量的。也就是說(shuō)，V形切開(kāi)部分110的深度h越大，N-S電子束移動(dòng)量的減小越大，而E-W電子束移動(dòng)量的增加越大。
由于對(duì)E-W電子束移動(dòng)有負(fù)面影響而同時(shí)對(duì)N-S電子束移動(dòng)有正面影響，V形切開(kāi)部分110的深度h限定在預(yù)定范圍內(nèi)。這就是說(shuō)，N-S電子束移動(dòng)可以只控制到一點(diǎn)上。
圖3示出屏幕的四分之一部分，其中X-軸表示自屏幕的中心0起沿水平方向的距離，Y-軸標(biāo)識(shí)自屏幕的中心0起沿垂直方向的距離。
參見(jiàn)圖3，由于在傳統(tǒng)內(nèi)部屏蔽100中切開(kāi)部分形成為V形元件，盡管N-S電子束移動(dòng)量在角區(qū)③有效地減小，但是，在其余測(cè)試區(qū)(①、②、④和⑤)中的N-S電子束移動(dòng)量減小有限。特別是在屏幕邊界量不足(也叫過(guò)剩邊界(overspill))的區(qū)域④中，不可能有效減小N-S電子束移動(dòng)量，因此，造成CRT的總體質(zhì)量下降。
屏幕邊界是指在出現(xiàn)電子束誤著屏?xí)r電子束著屏在其他顏色的相鄰熒光體上之前存在的邊界量。屏幕邊界受諸如節(jié)距(pitch)、熒光體寬度、電子束尺寸(蔭罩孔尺寸)、著屏誤差、和熒光體設(shè)置誤差等因素的影響。
在蔭罩和屏幕圍繞穿過(guò)電子槍的管軸的線形成球形的CRT中，電子束的發(fā)射角偏差在屏幕的整個(gè)區(qū)域上引起相同的偏差量。但是，在蔭罩和屏幕形成為平面結(jié)構(gòu)的CRT中，屏幕上的偏差量在屏幕整個(gè)區(qū)域上不一致。也就是說(shuō)，就平面的屏幕而言，同樣的電子束發(fā)射角偏差在屏幕的外圍區(qū)域處轉(zhuǎn)換成屏幕上的更大的偏差量，為此，如上所述區(qū)域④中存在不足屏幕邊界。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供了一種用于彩色陰極射線管的內(nèi)部屏蔽，它能有效地減小N-S電子束移動(dòng)，同時(shí)防止E-W電子束移動(dòng)量增大。本發(fā)明還提供具有內(nèi)部屏蔽的陰極射線管。
用于陰極射線管的內(nèi)部屏蔽包括屏幕開(kāi)口和電子束穿過(guò)的電子槍開(kāi)口，以及包括一對(duì)長(zhǎng)部分和一對(duì)短部分的主體，該長(zhǎng)部分和短部分互連形成屏幕開(kāi)口和電子槍開(kāi)口。每個(gè)短部分包括切開(kāi)部分，該切開(kāi)部分具有從電子槍開(kāi)口起始并以預(yù)定角度朝屏幕開(kāi)口延伸預(yù)定距離而形成的一對(duì)第一切開(kāi)部分，以及從第一切開(kāi)部分結(jié)束處開(kāi)始并朝屏幕開(kāi)口向內(nèi)延伸而形成的第二切開(kāi)部分，第二切開(kāi)部分形成為穿過(guò)從第一切開(kāi)部分結(jié)束處到第二切開(kāi)部分向內(nèi)的最遠(yuǎn)點(diǎn)而形成的假想線，該最遠(yuǎn)點(diǎn)也就是到第二切開(kāi)部分最靠近屏幕開(kāi)口的點(diǎn)。
在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第二切開(kāi)部分形成為圓弧或基本上是圓弧結(jié)構(gòu)。這種情況下，如果第二切開(kāi)部分用假想線延伸而形成由它的圓弧形起始的圓，那么該圓的中心比連接每個(gè)第一切開(kāi)部分在電子槍開(kāi)口中起始的兩點(diǎn)所形成的假想線更靠近或更遠(yuǎn)離屏幕開(kāi)口。
另一示例性的實(shí)施例中，第二切開(kāi)部分形成為橢圓或基本上是橢圓形(橢圓)的預(yù)定部分。這種情況下，如果第二切開(kāi)部分用假想線延伸而形成橢圓，那么該橢圓的中心比連接每個(gè)第一切開(kāi)部分在電子槍開(kāi)口內(nèi)起始的兩點(diǎn)所形成的假想線更靠近或更遠(yuǎn)離屏幕開(kāi)口。
另一示例性實(shí)施例中，如果假想線在第一切開(kāi)部分終止的兩個(gè)點(diǎn)之間引出，那么第二切開(kāi)部分形成為梯形，且假想線形成梯形的底。
在具有狹縫型熒光體圖案的消費(fèi)CRT(也叫彩色顯像管)的情況下，本發(fā)明構(gòu)造為切開(kāi)部分的深度是內(nèi)部屏蔽的高度的50％或更小，優(yōu)選地在內(nèi)部屏蔽的高度的44％～48％之間。這里，內(nèi)部屏蔽的高度是作為電子槍開(kāi)口與屏幕開(kāi)口之間的長(zhǎng)度來(lái)測(cè)量的，并且切開(kāi)部分的深度是沿相同方向測(cè)量的。這種結(jié)構(gòu)確保E-W電子束移動(dòng)不會(huì)突然增大。
在具有點(diǎn)形熒光體圖案的商業(yè)CRT(也叫彩色顯示管)的情況下，本發(fā)明構(gòu)造為切開(kāi)部分的深度等于或大于內(nèi)部屏蔽的高度的50％。


包括在說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖示出本發(fā)明的實(shí)施例，并與說(shuō)明書(shū)一起用于說(shuō)明本發(fā)明的原理。
圖1A和1B是用于說(shuō)明N-S和E-W電子束移動(dòng)的示意圖；圖2是傳統(tǒng)內(nèi)部屏蔽的透視圖；圖3示出CRT屏幕的四分之一，并指示測(cè)量由外部磁場(chǎng)引起的電子束N-S移動(dòng)和E-W移動(dòng)的各個(gè)點(diǎn)；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有內(nèi)部屏蔽的陰極射線管的后透視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽的透視圖；圖6是圖5所示內(nèi)部屏蔽的側(cè)視圖；圖7A-7C分別是圖5所示內(nèi)部屏蔽的第一、第二、和第三改進(jìn)例的側(cè)視圖；圖8是在圖5所示的內(nèi)部屏蔽和傳統(tǒng)內(nèi)部屏蔽用于陰極射線管時(shí)，用于比較朝圖4的區(qū)域④移動(dòng)的電子束上的水平力Fx的曲線；圖9是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽的側(cè)視圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽的側(cè)視圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽的側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參見(jiàn)附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。
圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有內(nèi)部屏蔽的陰極射線管的后透視圖、透明圖。
參見(jiàn)附圖，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的陰極射線管(CRT)10包括面板12、頸部16、和互連面板12和頸部16的玻錐14。面板12、頸部16和玻錐14形成陰極射線管組件18，陰極射線管組件的內(nèi)部保持高真空狀態(tài)。
熒光屏12′形成在面板12的內(nèi)表面上。熒光屏12′通過(guò)多個(gè)紅、綠、和蘭色熒光體構(gòu)成。朝熒光屏12′發(fā)射電子束的電子槍20安裝在頸部16中。而且偏轉(zhuǎn)線圈(未示出)安裝在玻錐14的外圍。偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生用于偏轉(zhuǎn)從電子槍20發(fā)射的電子束的偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)。
其中形成有多個(gè)電子束孔22的蔭罩24由蔭罩框架26懸掛在距離面板12的熒光屏12′預(yù)定距離處。阻磁器件(magnetic blocking device)、即、內(nèi)部屏蔽28的一端安裝到蔭罩框架26。內(nèi)部屏蔽28包圍電子束路徑的一部分。
在如上所述構(gòu)造的CRT中，電子槍20發(fā)射的與圖像信號(hào)相對(duì)應(yīng)的電子束(未示出)由偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)并穿過(guò)蔭罩24的電子束孔22，以經(jīng)過(guò)顏色分離，由此著屏在熒光屏12′的指定熒光體上。
在上述過(guò)程中，電子束的路徑受外部磁場(chǎng)的影響而改變。作用在每個(gè)電子束上的水平力Fx和垂直力Fy可以分別表示成Fx＝-e(VyBz-VzBy)Fy＝-e(VxBz-VzBx) (公式1)式中e是以庫(kù)侖(C)為單位的電荷；Vx、Vy和Vz分別是電子束在CRT的水平方向(X-軸)、垂直方向(Y-軸)、和管軸方向(Z-軸)的速度(m/s)；Bx、By和Bz分別是地球磁場(chǎng)在CRT10的水平方向(X-軸)、垂直方向(Y-軸)、和管軸方向(Z-軸)的磁場(chǎng)分量的強(qiáng)度(T)。
如公式1所示，如果電子束的速度恒定不變，沿水平方向作用在每個(gè)電子束上的力Fx由每個(gè)電子束周?chē)牡厍虼艌?chǎng)的強(qiáng)度確定。這就是說(shuō)，力Fx與Bz和By之間的差成正比。同樣，當(dāng)假設(shè)電子束的速度恒定不變時(shí)，沿垂直方向作用在每個(gè)電子束上的力Fy與Bz和Bx之間的差成正比。
因此，顯然，為了減小外部磁場(chǎng)引起的電子束的移動(dòng)，平行于CRT10的管軸方向(Z-軸)的磁場(chǎng)分量Bz必須被導(dǎo)向磁場(chǎng)分量Bx或By。本發(fā)明的內(nèi)部屏蔽利用下面描述的結(jié)構(gòu)改變磁場(chǎng)的分布，使得電子束的N-S移動(dòng)減小到最小。在下述的實(shí)施例中，內(nèi)部屏蔽例如長(zhǎng)約184mm、高約161mm。
圖5是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽的透視圖，而圖6是圖5的內(nèi)部屏蔽的側(cè)視圖，例如，內(nèi)部屏蔽應(yīng)用于圖4的CRT10。
根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽28包括一對(duì)在垂直方向(Y-軸方向)彼此相對(duì)設(shè)置的長(zhǎng)部分30，和一對(duì)在水平方向(X-軸方向)彼此相對(duì)設(shè)置的短部分32。長(zhǎng)部分30和短部分32互連以包圍電子槍20發(fā)射的電子束的路徑的一部分。
內(nèi)部屏蔽28安裝在CRT10中時(shí)，沿著長(zhǎng)部分30最接近面板12的熒光屏12′的邊緣形成凸緣34。凸緣34連接到蔭罩框架26上，以實(shí)現(xiàn)將內(nèi)部屏蔽28安裝在CRT10的管組件18內(nèi)。電子槍開(kāi)口36和屏幕開(kāi)口38用長(zhǎng)部分30和短部分32確定，并形成在內(nèi)部屏蔽28的相對(duì)端。也就是說(shuō)，內(nèi)部屏蔽28安裝成使得屏幕開(kāi)口38鄰近蔭罩24，而電子槍開(kāi)口36最靠近電子槍20。
此外，切開(kāi)部分40形成在形成電子槍開(kāi)口36的短部分32的端部。切開(kāi)部分40作用為使電子束的N-S電子束移動(dòng)最小化。每個(gè)切開(kāi)部分40包括兩個(gè)第一切開(kāi)部分42，每個(gè)第一開(kāi)口部分42從電子槍開(kāi)口36開(kāi)始并以預(yù)定的角度朝屏幕開(kāi)口38延伸預(yù)定的距離而形成；以及第二切開(kāi)部分44，該第二切開(kāi)部分44從每個(gè)第一切開(kāi)部分42終止處開(kāi)始并以預(yù)定的圓弧形狀朝屏幕開(kāi)口38延伸預(yù)定的距離而形成。如圖6所示，第二切開(kāi)部分44的圓弧形狀形成為圓弧延伸到外側(cè)并包圍兩條假想線L1。每條假想線L1形成在相應(yīng)的第一切開(kāi)部分42的結(jié)束處與第二切開(kāi)部分44向內(nèi)最遠(yuǎn)的點(diǎn)C1，即，第二切開(kāi)部分44最靠近屏幕開(kāi)口38的點(diǎn)C1之間。
如果第二切開(kāi)部分44利用假想線延伸而完成由它的圓弧形開(kāi)始的圓，如圖6所示，那么這個(gè)圓的半徑約為75mm，且圓的中心C2比假想線L2更靠近屏幕開(kāi)口38，其中該假想線L2是連接第一切開(kāi)部分42中的第一切開(kāi)部分42在電子槍開(kāi)口36中開(kāi)始處的點(diǎn)而形成的。
用于34英寸CRT中的內(nèi)部屏蔽28的高度H(即，從屏幕開(kāi)口38到電子槍開(kāi)口36的距離)約為161mm。因此，按這種方式構(gòu)成的切開(kāi)部分40具有大約是內(nèi)部屏蔽28的高度H的46％的深度。
圖8中的曲線示出在從電子槍20發(fā)射的電子束在圖3的區(qū)域④中移動(dòng)的同時(shí)由外部磁場(chǎng)作用在電子束上的水平力Fx的測(cè)試結(jié)果。圖8中，虛線曲線表示具有深度是內(nèi)部屏蔽高度的46％的V形切開(kāi)部分的傳統(tǒng)內(nèi)部屏蔽的效果，實(shí)線曲線表示圖5和圖6所示的根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽28的效果。
圖8中出現(xiàn)的橢圓形表示內(nèi)部屏蔽的屏幕開(kāi)口。從附圖可以清楚看出，通過(guò)使用本發(fā)明第一實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽28，作用在電子束上的水平力Fx大于使用傳統(tǒng)內(nèi)部屏蔽時(shí)的情況。這表示，在本發(fā)明中，地球磁場(chǎng)在CRT的管軸方向上的分量Bz在較大的程度上轉(zhuǎn)換成地球磁場(chǎng)在垂直方向上的分量By。
在圖3的每個(gè)測(cè)試區(qū)域(①到⑤)的電子束的N-S移動(dòng)量和E-W移動(dòng)量在表1中示出。
表1


如表1所示，與具有與本發(fā)明切開(kāi)部分相同深度的V形切開(kāi)部分的傳統(tǒng)內(nèi)部屏蔽相比，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽28明顯減小電子束的N-S移動(dòng)量。
因此，本發(fā)明的第一實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽28明顯減小電子束的N-S移動(dòng)量，同時(shí)防止電子束的E-W移動(dòng)量增大。特別是在圖3所示的區(qū)域③和④中實(shí)現(xiàn)了移動(dòng)量明顯減小。
圖7A是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的圖5和6所示的內(nèi)部屏蔽的第一改進(jìn)例的側(cè)視圖。第一改進(jìn)例中，只有根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽28的第二切開(kāi)部分44的結(jié)構(gòu)變化(伴隨有在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽28的第一切開(kāi)部分42中產(chǎn)生的變化)。
更詳細(xì)的說(shuō)，像第一實(shí)施例一樣，第一改進(jìn)例的內(nèi)部屏蔽28a包括在形成電子槍開(kāi)口36的短部分32的端部形成的切開(kāi)部分40a。每個(gè)切開(kāi)部分40a包括兩個(gè)第一切開(kāi)部分42a，它們從電子槍開(kāi)口36開(kāi)始并以預(yù)定的角度朝屏幕開(kāi)口38延伸預(yù)定距離而形成；以及第二切開(kāi)部分44a，該第二切開(kāi)部分44a從第一切開(kāi)部分42a終止處開(kāi)始并以預(yù)定弧形朝屏幕開(kāi)口38延伸預(yù)定距離而形成。
如果每個(gè)第二切開(kāi)部分44a利用假想線延伸而完成由它的圓弧形開(kāi)始的圓，如圖7A所示，那么，該圓的半徑r2是65mm。與第一實(shí)施例相比，半徑的這種減小導(dǎo)致第一切開(kāi)部分42a形成為長(zhǎng)度比圖5和6所示的第一實(shí)施例的第一切開(kāi)部分42的長(zhǎng)度長(zhǎng)。第一改進(jìn)例結(jié)構(gòu)的其他部分與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同。
圖7B是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的圖5和6所示的內(nèi)部屏蔽的第二改進(jìn)例的側(cè)視圖。
像第一實(shí)施例一樣，第二改進(jìn)例的內(nèi)部屏蔽28b包括在形成電子槍開(kāi)口36的短部分32的端部形成的切開(kāi)部分40b。每個(gè)切開(kāi)部分40b包括兩個(gè)第一切開(kāi)部分，它們從電子槍開(kāi)口36開(kāi)始并沿預(yù)定的角度朝屏幕開(kāi)口38延伸預(yù)定距離而形成；以及第二切開(kāi)部分44b，它從第一切開(kāi)部分42b終止處開(kāi)始并以預(yù)定弧形朝屏幕開(kāi)口38延伸預(yù)定距離而形成。
如果每個(gè)第二切開(kāi)部分44b利用假想線延伸而完成由它的圓弧形開(kāi)始的圓，如圖7B所示，那么，該圓的半徑r3約是85mm。與第一實(shí)施例的半徑相比這種半徑增大導(dǎo)致第一切開(kāi)部分42b形成為長(zhǎng)度比圖5和6所示的第一實(shí)施例的第一切開(kāi)部分42的長(zhǎng)度小。第二改進(jìn)例結(jié)構(gòu)的其他部分與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同。
對(duì)圖7A和7B所示的第一和第二改進(jìn)例的N-S移動(dòng)和E-W移動(dòng)的測(cè)試結(jié)果也分別列于表1中。
第一實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽28和第一改進(jìn)例的內(nèi)部屏蔽28a都可以應(yīng)用于CPT(彩色顯像管)和CDT(彩色顯示管)。這是因?yàn)?，通過(guò)這些內(nèi)部屏蔽28和28a，切開(kāi)部分40和40a的深度D和D1可以小于內(nèi)部屏蔽28和28a的高度H的50％，由此防止由E-W電子束移動(dòng)增大而引起的圖像質(zhì)量下降。
上述的CPT是指在熒光屏12′上具有狹縫形的熒光體的CRT，其隨著E-W電子束移動(dòng)增大而圖像質(zhì)量下降。CDT是指在熒光屏12′上具有點(diǎn)形熒光體的CRT，其中E-W電子束移動(dòng)被限制，以便E-W電子束移動(dòng)對(duì)圖像質(zhì)量不造成顯著影響。
如上所述，切開(kāi)部分40和40a的深度D和D1小于內(nèi)部屏蔽28和28a的高度H的50％，優(yōu)選的是，切開(kāi)部分40和40a的深度D和D1在內(nèi)部屏蔽28和28a的高度H的40％～48％之間，由此允許內(nèi)部屏蔽28和28a應(yīng)用于CPT和CDT。
對(duì)于圖7B的第二改進(jìn)例，由于切開(kāi)部分40b的深度D2大于內(nèi)部屏蔽的高度H的50％，所以，該改進(jìn)例的內(nèi)部屏蔽28b可以用于CDT。
圖7C是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的圖5和6所示的內(nèi)部屏蔽的第三改進(jìn)例的側(cè)視圖。
像第一實(shí)施例一樣，第三改進(jìn)例的內(nèi)部屏蔽28c包括在形成電子槍開(kāi)口36的短部分32的端部形成的切開(kāi)部分40c。每個(gè)切開(kāi)部分40c包括兩個(gè)第一切開(kāi)部分42c，它們從電子槍開(kāi)口36起始并以預(yù)定角度朝屏幕開(kāi)口38延伸預(yù)定距離而形成，以及第二切開(kāi)部分44c，它從第一切開(kāi)部分42終止處開(kāi)始并以預(yù)定圓弧形朝屏幕開(kāi)口38延伸預(yù)定距離而形成。
如果每個(gè)第二切開(kāi)部分44c利用假想線延伸而完成由它的圓弧形開(kāi)始的圓，如圖7C所示，那么，圓的中心C2定位于由內(nèi)部屏蔽28c包圍的區(qū)域的外側(cè)。即，圓的中心C2定位于比假想線L2更遠(yuǎn)離屏幕開(kāi)口38，其中假想線L2是通過(guò)連接第一切開(kāi)部分42c中的第一切開(kāi)部分42c在電子槍開(kāi)口36中起始處的點(diǎn)而形成的。
在上述示例中，第二切開(kāi)部分44、44a、44b和44c描述為形成為圓弧形。但是，只要第二切開(kāi)部分延伸到外側(cè)并包圍從第一切開(kāi)部分終止處到第二切開(kāi)部分向內(nèi)的最遠(yuǎn)點(diǎn)形成的假想線，第二切開(kāi)部分可以形成各種不同的構(gòu)型。圖9～11示出這些不同構(gòu)型的例子。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽的側(cè)視圖。
如圖9所示，像第一實(shí)施例一樣，第二實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽46包括在形成電子槍開(kāi)口36的短部分32的端部形成的切開(kāi)部分48。每個(gè)切開(kāi)部分48包括兩個(gè)第一切開(kāi)部分50，它們從電子槍開(kāi)口36起始并以預(yù)定角度朝屏幕開(kāi)口38延伸預(yù)定距離而形成；以及第二切開(kāi)部分52，它從第一切開(kāi)部分50終止處開(kāi)始并以預(yù)定形狀朝屏幕開(kāi)口38延伸預(yù)定距離而形成。
如圖9所示，如果第二切開(kāi)部分52利用假想線延伸，則第二切開(kāi)部分52形成為多邊形狀，例如，八邊形。這種情況下，第二切開(kāi)部分52形成八邊形的4個(gè)邊。根據(jù)CRT的類型和特點(diǎn)，八邊形的中心C2可以定位成比假想線L2更遠(yuǎn)離或靠近屏幕開(kāi)口38，其中假想線38是通過(guò)連接第一切開(kāi)部分50中的第一切開(kāi)部分50在電子槍開(kāi)口36中開(kāi)始的點(diǎn)而形成的。此外，從C2到八邊形的一個(gè)角的距離r和切開(kāi)部分48的深度D可以根據(jù)需要變化。
圖10是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽的側(cè)視圖。
像第一實(shí)施例一樣，如圖10所示，第三實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽54包括在形成電子槍開(kāi)口36的短部分32的端部形成的切開(kāi)部分56。每個(gè)切開(kāi)部分56包括兩個(gè)第一切開(kāi)部分58，它們從電子槍開(kāi)口36起始并以預(yù)定角度朝屏幕開(kāi)口38延伸預(yù)定距離而形成；以及第二切開(kāi)部分60，它從第一切開(kāi)部分50終止處開(kāi)始并以預(yù)定構(gòu)型朝屏幕開(kāi)口38延伸預(yù)定距離而形成。
如圖9所示，如果第二切開(kāi)部分60利用假想線延伸，則第二切開(kāi)部分60形成為橢圓形。盡管沒(méi)有示出，第二切開(kāi)部分60可以形成為其總體形狀是橢圓形的多邊形構(gòu)型。在如圖所示的第二切開(kāi)部分60是橢圓形的情況下，第二切開(kāi)部分60的尺寸可以變化。也就是說(shuō)，從橢圓的中心C2到短軸端點(diǎn)(即，到兩個(gè)共軛頂點(diǎn)中的一個(gè)頂點(diǎn))的距離r可以根據(jù)需要變化。
圖11是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽的側(cè)視圖。
像第一實(shí)施例一樣，如圖11所示，第四實(shí)施例的內(nèi)部屏蔽62包括在形成電子槍開(kāi)口36的短部分32的端部形成的切開(kāi)部分64。每個(gè)切開(kāi)部分64包括兩個(gè)第一切開(kāi)部分66，它們從電子槍開(kāi)口36開(kāi)始并以預(yù)定角度朝屏幕開(kāi)口38延伸預(yù)定距離而形成；以及第二切開(kāi)部分68，它從第一切開(kāi)部分66終止處開(kāi)始并以預(yù)定構(gòu)型朝屏幕開(kāi)口38延伸預(yù)定距離而形成。
對(duì)于每個(gè)切開(kāi)部分64，如果假想線69在第一切開(kāi)部分66終止(或在第二切開(kāi)部分68開(kāi)始)的兩個(gè)點(diǎn)之間引出，那么第二切開(kāi)部分68形成梯形，且假想線69形成梯形的底。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的具有第一和第二切開(kāi)部分的內(nèi)部屏蔽在整個(gè)屏幕區(qū)域上能夠有效減小外部磁場(chǎng)引起的電子束的N-S移動(dòng)，同時(shí)防止E-W電子束移動(dòng)的增大。因此，可以將諸如地球磁場(chǎng)的外部磁場(chǎng)引起的色純度降低、光柵失真、和會(huì)聚特性變化減小到最小。
盡管以上已詳細(xì)描述了本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例，但是可以清楚地理解到對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的各種對(duì)在此教導(dǎo)地基本發(fā)明概念的變化和/或改進(jìn)均落入所附權(quán)利要求書(shū)界定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于陰極射線管的內(nèi)部屏蔽，包括屏幕開(kāi)口和電子束穿過(guò)的電子槍開(kāi)口；以及主體，該主體包括一對(duì)長(zhǎng)部分和一對(duì)短部分，它們互連而形成屏幕開(kāi)口和電子槍開(kāi)口；其中，每個(gè)短部分包括切開(kāi)部分，該切開(kāi)部分具有一對(duì)第一切開(kāi)部分，它們從電子槍開(kāi)口開(kāi)始并以預(yù)定角度朝屏幕開(kāi)口延伸預(yù)定距離而形成；以及第二切開(kāi)部分，它從第一切開(kāi)部分終止處開(kāi)始并朝屏幕開(kāi)口向內(nèi)延伸而形成，第二切開(kāi)部分形成為延伸穿過(guò)兩條假想線，每條假想線形成在相應(yīng)的第一切開(kāi)部分結(jié)束處和第二切開(kāi)部分的最靠近屏幕開(kāi)口的點(diǎn)之間。
2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)部屏蔽，其中，第二切開(kāi)部分形成為大致圓弧形。
3.如權(quán)利要求2所述的內(nèi)部屏蔽，其中，如果作為屏幕開(kāi)口和電子槍開(kāi)口之間的長(zhǎng)度而測(cè)量的內(nèi)部屏蔽的高度為H，沿相同方向從電子槍開(kāi)口到第二切開(kāi)部分的最靠近屏幕開(kāi)口的點(diǎn)的切開(kāi)部分的深度是D，那么切開(kāi)部分的深度D滿足0.4H≤D＜0.5H。
4.如權(quán)利要求2所述的內(nèi)部屏蔽，其中，如果作為屏幕開(kāi)口和電子槍開(kāi)口之間的長(zhǎng)度而測(cè)量的內(nèi)部屏蔽的高度是H，沿相同方向從電子槍開(kāi)口到第二切開(kāi)部分的最靠近屏幕開(kāi)口的點(diǎn)的切開(kāi)部分的深度是D，那么切開(kāi)部分的深度D滿足D≥0.5H。
5.如權(quán)利要求2所述的內(nèi)部屏蔽，其中，如果第二切開(kāi)部分利用假想線延伸，而完成局部由大致圓弧形形成的圓，則該圓的中心比通過(guò)連接第一切開(kāi)部分中的在每個(gè)第一切開(kāi)部分在電子槍開(kāi)口中起始處的兩個(gè)點(diǎn)而形成的假想線更靠近屏幕開(kāi)口。
6.如權(quán)利要求2所述的內(nèi)部屏蔽，其中，如果第二切開(kāi)部分利用假想線延伸，以完成局部由大致圓弧形形成的圓，那么該圓的中心比通過(guò)連接第一切開(kāi)部分中的在每個(gè)第一切開(kāi)部分于電子槍開(kāi)口中開(kāi)始處的兩個(gè)點(diǎn)而形成的假想線更遠(yuǎn)離屏幕開(kāi)口。
7.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)部屏蔽，其中，第二切開(kāi)部分形成為大致橢圓形。
8.如權(quán)利要求7所述的內(nèi)部屏蔽，其中，如果作為屏幕開(kāi)口和電子槍開(kāi)口之間的長(zhǎng)度而測(cè)量的內(nèi)部屏蔽的高度是H，沿相同方向從電子槍開(kāi)口到第二切開(kāi)部分的最靠近屏幕開(kāi)口的點(diǎn)的切開(kāi)部分的深度是D，那么切開(kāi)部分的深度D滿足0.4H≤D＜0.5H。
9.如權(quán)利要求7所述的內(nèi)部屏蔽，其中，如果作為屏幕開(kāi)口和電子槍開(kāi)口之間的長(zhǎng)度而測(cè)量的內(nèi)部屏蔽的高度是H，且沿相同方向從電子槍開(kāi)口到第二切開(kāi)部分的最靠近屏幕開(kāi)口的點(diǎn)的切開(kāi)部分的深度是D，那么切開(kāi)部分的深度D滿足D≥0.5H。
10.如權(quán)利要求7所述的內(nèi)部屏蔽，其中，如果第二切開(kāi)部分利用假想線延伸，以完成大致橢圓形，那么該橢圓的中心比通過(guò)連接第一切開(kāi)部分中的在每個(gè)第一切開(kāi)部分于電子槍開(kāi)口中起始處的兩個(gè)點(diǎn)而形成的假想線更靠近屏幕開(kāi)口。
11.如權(quán)利要求7所述的內(nèi)部屏蔽，其中，如果第二切開(kāi)部分利用假想線延伸以完成大致橢圓形，那么該橢圓的中心比通過(guò)連接第一切開(kāi)部分中的在每個(gè)第一切開(kāi)部分于電子槍開(kāi)口中起始處的兩個(gè)點(diǎn)而形成的假想線更遠(yuǎn)離屏幕開(kāi)口。
12.如權(quán)利要求所述1的內(nèi)部屏蔽，其中，如果假想線在第二切開(kāi)部分起始處的兩個(gè)點(diǎn)之間引出，那么第二切開(kāi)部分形成為梯形，且假想線形成梯形的底。
13.一種具有內(nèi)部屏蔽的陰極射線管，包括管組件，其包括面板、玻錐、和頸部；以及內(nèi)部屏蔽，其包括屏幕開(kāi)口和電子束穿過(guò)的電子槍開(kāi)口；以及主體，該主體包括一對(duì)長(zhǎng)部分和一對(duì)短部分，所述一對(duì)長(zhǎng)部分和一對(duì)短部分互連而形成屏幕開(kāi)口和電子槍開(kāi)口；內(nèi)部屏蔽安裝在管組件中，包圍電子束路徑的一部分，其中，每個(gè)短部分包括切開(kāi)部分，切開(kāi)部分具有一對(duì)第一切開(kāi)部分，它們從電子槍開(kāi)口起始并以預(yù)定角度朝屏幕開(kāi)口延伸預(yù)定距離而形成；以及第二切開(kāi)部分，它從第一切開(kāi)部分終止處開(kāi)始并朝屏幕開(kāi)口向內(nèi)延伸而形成，第二切開(kāi)部分形成為延伸穿過(guò)兩條假想線，每條假想線形成在相應(yīng)的第一切開(kāi)部分終止處和第二切開(kāi)部分的最靠近屏幕開(kāi)口的點(diǎn)之間。
14.如權(quán)利要求13所述的陰極射線管，其中，內(nèi)部屏蔽的第二切開(kāi)部分形成為大致圓弧形。
15.如權(quán)利要求14所述的陰極射線管，其中，如果作為屏幕開(kāi)口和電子槍開(kāi)口之間的長(zhǎng)度而測(cè)量的內(nèi)部屏蔽的高度為H，且沿相同方向從電子槍開(kāi)口到第二切開(kāi)部分的最靠近屏幕開(kāi)口的點(diǎn)的切開(kāi)部分的深度是D，那么切開(kāi)部分的深度D滿足0.4H≤D＜0.5H。
16.如權(quán)利要求14所述的陰極射線管，其中，如果作為屏幕開(kāi)口和電子槍開(kāi)口之間的長(zhǎng)度而測(cè)量的內(nèi)部屏蔽的高度是H，且沿相同方向從電子槍開(kāi)口到第二切開(kāi)部分的最靠近屏幕開(kāi)口的點(diǎn)的切開(kāi)部分的深度是D，那么切開(kāi)部分的深度D滿足D≥0.5H。
17.如權(quán)利要求14所述的陰極射線管，其中，如果內(nèi)部屏蔽的第二切開(kāi)部分利用假想線延伸，而完成局部由大致圓弧形形成的圓，則該圓的中心比通過(guò)連接第一切開(kāi)部分中的在每個(gè)第一切開(kāi)部分在電子槍開(kāi)口中起始處的兩個(gè)點(diǎn)而形成的假想線更靠近屏幕開(kāi)口。
18.如權(quán)利要求14所述的陰極射線管，其中，如果內(nèi)部屏蔽的第二切開(kāi)部分利用假想線延伸，以完成局部由大致圓弧形形成的圓，那么該圓的中心比通過(guò)連接第一切開(kāi)部分中的在每個(gè)第一切開(kāi)部分于電子槍開(kāi)口中開(kāi)始處的兩個(gè)點(diǎn)而形成的假想線更遠(yuǎn)離屏幕開(kāi)口。
19.如權(quán)利要求13所述的陰極射線管，其中，內(nèi)部屏蔽的第二切開(kāi)部分形成為大致橢圓形。
20.如權(quán)利要求19所述的陰極射線管，其中，如果作為屏幕開(kāi)口和電子槍開(kāi)口之間的長(zhǎng)度而測(cè)量的內(nèi)部屏蔽的高度是H，且沿相同方向從電子槍開(kāi)口到第二切開(kāi)部分的最靠近屏幕開(kāi)口的點(diǎn)的切開(kāi)部分的深度是D，那么切開(kāi)部分的深度D滿足0.4H≤D＜0.5H。
21.如權(quán)利要求19所述的陰極射線管，其中，如果作為屏幕開(kāi)口和電子槍開(kāi)口之間的長(zhǎng)度而測(cè)量的內(nèi)部屏蔽的高度是H，且沿相同方向從電子槍開(kāi)口到第二切開(kāi)部分的最靠近屏幕開(kāi)口的點(diǎn)的切開(kāi)部分的深度是D，那么切開(kāi)部分的深度D滿足D≥0.5H。
22.如權(quán)利要求19所述的陰極射線管，其中，如果第二切開(kāi)部分利用假想線延伸，以完成大致橢圓形，那么該橢圓的中心比通過(guò)連接第一切開(kāi)部分中的在每個(gè)第一切開(kāi)部分于電子槍開(kāi)口中起始處的兩個(gè)點(diǎn)而形成的假想線更靠近屏幕開(kāi)口。
23.如權(quán)利要求19所述的陰極射線管，其中，如果第二切開(kāi)部分利用假想線延伸以完成大致橢圓形，那么該橢圓的中心比通過(guò)連接第一切開(kāi)部分中的在每個(gè)第一切開(kāi)部分于電子槍開(kāi)口中起始處的兩個(gè)點(diǎn)而形成的假想線更遠(yuǎn)離屏幕開(kāi)口。
24.如權(quán)利要求13所述的陰極射線管，其中，如果假想線在第二切開(kāi)部分起始處的兩個(gè)點(diǎn)之間引出，那么第二切開(kāi)部分形成為梯形，且假想線形成梯形的底。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于陰極射線管的內(nèi)部屏蔽，包括屏幕開(kāi)口和電子束穿過(guò)的電子槍開(kāi)口，以及包括互連而形成屏幕開(kāi)口和電子槍開(kāi)口的一對(duì)長(zhǎng)部分和一對(duì)短部分的主體。陰極射線管包括內(nèi)部屏蔽。每個(gè)短部分包括切開(kāi)部分，該切開(kāi)部分具有從電子槍開(kāi)口開(kāi)始并以預(yù)定角度朝屏幕開(kāi)口延伸預(yù)定距離而形成的一對(duì)第一切開(kāi)部分，和從第一切開(kāi)部分終止處開(kāi)始并朝屏幕開(kāi)口向內(nèi)延伸而形成的第二切開(kāi)部分，第二切開(kāi)部分形成為延伸過(guò)假想線，該假想線從第一切開(kāi)部分終止處到第二切開(kāi)部分向內(nèi)的最遠(yuǎn)點(diǎn)，即，第二切開(kāi)部分最靠近屏幕開(kāi)口的點(diǎn)而形成。
文檔編號(hào)H01J29/06GK1495839SQ03147029
公開(kāi)日2004年5月12日 申請(qǐng)日期2003年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月12日
發(fā)明者金鐘憲 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社