本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種OLED器件及其制作方法。

背景技術(shù)：

隨著OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光顯示)技術(shù)的發(fā)展，用戶(hù)對(duì)OLED色彩和灰度的顯示要求越來(lái)越高。

目前通過(guò)RGB side-by-side制作的全彩AMOLED的過(guò)程中，先用Common Mask(CM)形成HIL(空穴注入)層和HTL(空穴傳輸)層，再形成EML(發(fā)光)層，最后形成ETL(電子傳輸)層、EIL(電子注入)層和透明陰極。對(duì)于用CM制備HIL和HTL層的器件在高灰階顯示時(shí)，各子像素的驅(qū)動(dòng)電流較高，電阻較小，空穴在子像素間的竄擾電阻極大，因此竄擾電流可忽略不計(jì)。

然而，在低灰階顯示時(shí)，各子像素的驅(qū)動(dòng)電流極低，隨著電流的減小二極管的等效電阻急劇增大，即在低灰階顯示時(shí)，R_R、R_G和R_B數(shù)值極大，與空穴的竄擾電阻約在同一量級(jí)。另外受材料特性影響，藍(lán)光子像素驅(qū)動(dòng)電壓比紅綠子像素高，所以R_B大于R_R和R_G。由于EML層共用HIL層和HTL層，于是R_BR和R_BG會(huì)對(duì)R_B形成分流作用，即藍(lán)光子像素下的空穴會(huì)竄流至紅綠子像素，導(dǎo)致OLED顯示存在色偏。

因此，現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷，急需改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種改進(jìn)的OLED器件及其制作方法。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提供一種OLED器件的制作方法，包括以下步驟：

提供一基板，在所述基板上形成第一電極層；

在所述第一電極層上形成第一有機(jī)層，對(duì)所述第一有機(jī)層進(jìn)行圖形化處理，從而形成第一有機(jī)島狀圖案、第二有機(jī)島狀圖案以及第三有機(jī)島狀圖案，相鄰的有機(jī)島狀圖案相互之間存在間隔，間隔處露出第一電極層；

在所述第一有機(jī)島狀圖案上形成紅光發(fā)光層，在所述第二有機(jī)島狀圖案上形成藍(lán)光發(fā)光層，以及在所述第三有機(jī)島狀圖案上形成綠光發(fā)光層；

在發(fā)光層上依次形成第二有機(jī)層以及第二電極層。

在本發(fā)明所述的OLED器件的制作方法中，所述第一有機(jī)島狀圖案、所述第二有機(jī)島狀圖案以及所述第三有機(jī)島狀圖案相互之間等間隔設(shè)置，間隔距離為1μm～15μm。

本發(fā)明所述的OLED器件的制作方法中，對(duì)所述第一有機(jī)層進(jìn)行圖形化處理，從而形成第一有機(jī)島狀圖案、第二有機(jī)島狀圖案以及第三有機(jī)島狀圖案的步驟包括：

在所述第一有機(jī)層上涂布光阻；

對(duì)涂布光阻后的第一有機(jī)層進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕，從而形成第一有機(jī)島狀圖案、第二有機(jī)島狀圖案以及第三有機(jī)島狀圖案。

在本發(fā)明所述的OLED器件的制作方法中，所述第一有機(jī)層包括空穴注入層和空穴傳輸層；在第一電極層上形成第一有機(jī)層的步驟包括：

在所述第一電極層上形成空穴注入層；

在所述空穴注入層上形成空穴傳輸層。

在本發(fā)明所述的OLED器件的制作方法中，所述第二有機(jī)層包括電子注入層和電子傳輸層；在所述第一電極層和所述發(fā)光層上依次形成第二有機(jī)層以及第二電極層的步驟包括：

在所述第一電極層和所述發(fā)光層上形成電子傳輸入層；

在所述電子傳輸層上形成電子注入層；

在所述電子注入層上形成第二電極層。

本發(fā)明所述的OLED器件的制作方法中，在所述第一有機(jī)島狀圖案上形成紅光發(fā)光層，在所述第二有機(jī)島狀圖案上形成藍(lán)光發(fā)光層，在所述第三有機(jī)島狀圖案上形成綠光發(fā)光層的步驟包括：

利用高精度金屬掩膜版在所述第一有機(jī)島狀圖案上形成紅光發(fā)光層，在所述第二有機(jī)島狀圖案上形成藍(lán)光發(fā)光層，在所述第三有機(jī)島狀圖案上形成綠光發(fā)光層。

在本發(fā)明所述的OLED器件的制作方法中，在第一電極層上形成第一有機(jī)層的步驟包括：

采用真空蒸鍍工藝在第一電極層上形成第一有機(jī)層。

在本發(fā)明所述的OLED器件的制作方法中，在所述基板所述發(fā)光層上依次形成第二有機(jī)層以及第二電極層的步驟包括:

采用真空蒸鍍工藝在所述第一電極層和所述發(fā)光層上依次形成第二有機(jī)層以及第二電極層。

在本發(fā)明所述的OLED器件的制作方法中，所述第一電極層為ITO或IZO。

本發(fā)明提供一種OLED器件，包括：

基板；

第一電極層，其設(shè)置在所述基板上；

空穴注入層，其設(shè)置在所述第一電極層上，包括第一空穴注入島狀圖案、第二空穴注入島狀圖案以及第三空穴注入島狀圖案；

空穴傳輸層，其包括設(shè)置在所述第一空穴注入島狀圖案上的第一空穴傳輸島狀圖案、設(shè)置在所述第二空穴注入島狀圖案上的第二空穴傳輸島狀圖案、以及設(shè)置在所述第三空穴注入島狀圖案上的第三空穴傳輸島狀圖案；

發(fā)光層，其包括設(shè)置在所述第一空穴傳輸島狀圖案上的紅光發(fā)光層、設(shè)置在所述第二空穴傳輸島狀圖案上的藍(lán)光發(fā)光層、以及設(shè)置在所述第三空穴傳輸島狀圖案上的綠光發(fā)光層；

電子傳輸層，其設(shè)置在發(fā)光層上；

電子注入層，其設(shè)置在電子傳輸層上；

第二電極層，其設(shè)置在電子注入層上

相較于現(xiàn)有的OLED器件及其制作方法，本發(fā)明提供一基板，在基板上形成第一電極層；在第一電極層上形成第一有機(jī)層，對(duì)第一有機(jī)層進(jìn)行圖形化處理，從而形成第一有機(jī)島狀圖案、第二有機(jī)島狀圖案以及第三有機(jī)島狀圖案，相鄰的有機(jī)島狀圖案之間存在間隔，間隔處露出第一電極層；在第一有機(jī)島狀圖案上形成紅光發(fā)光層，在第二有機(jī)島狀圖案上形成藍(lán)光發(fā)光層，以及在第三有機(jī)島狀圖案上形成綠光發(fā)光層；在發(fā)光層上依次形成第二有機(jī)層以及第二電極層。本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)各子像素完全的獨(dú)立控制，阻斷空穴由藍(lán)光子像素向紅綠子像素的竄擾，改善低電流下的色偏，提高了OLED器件的顯示效果。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的OLED器件制作方法的優(yōu)選實(shí)施例的流程示意圖。

圖2為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中OLED器件制作工藝示意圖。

圖3為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語(yǔ)，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。

在圖中，結(jié)構(gòu)相似的模塊是以相同標(biāo)號(hào)表示。

請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1為本發(fā)明的OLED器件的制作方法的流程示意圖。該OLED器件的制作方法包括以下流程：

S101，提供一基板，在基板上形成第一電極層。

S102，在所述第一電極層上形成第一有機(jī)層，對(duì)所述第一有機(jī)層進(jìn)行圖形化處理，從而形成第一有機(jī)島狀圖案、第二有機(jī)島狀圖案以及第三有機(jī)島狀圖案，相鄰的有機(jī)島狀圖案之間存在間隔，間隔處露出第一電極。

S103，在所述第一有機(jī)島狀圖案上形成紅光發(fā)光層，在所述第二有機(jī)島狀圖案上形成藍(lán)光發(fā)光層，以及在所述第三有機(jī)島狀圖案上形成綠光發(fā)光層。

S104，在發(fā)光層上依次形成第二有機(jī)層以及第二電極層。

以下將結(jié)合圖2對(duì)以上TFT基板的制作方法的步驟進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參考圖2，圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的OLED器件的第一有機(jī)層制作工藝示意圖。下面結(jié)合圖2由上至下所示理解本發(fā)明步驟。

在步驟S101中，首先對(duì)基板100進(jìn)行清潔預(yù)處理，基板100可以為透明的硬性基板或柔性基板，比如，該基板100可以是玻璃、石英等。然后采用濺鍍法在所述基板100上形成第一電極層11。該第一電極層11可由ITO(氧化銦錫)或IZO(氧化銦鋅)等材料制備，以作為OLED器件的陽(yáng)極。為了提高第一電極層11的導(dǎo)電性，具體實(shí)施過(guò)程中，還可在該第一電極層11上沉積金屬Cr以提高第一電極層的導(dǎo)電性能。

在步驟S102中，可采用真空蒸鍍工藝在在所述第一電極層11上形成第一有機(jī)層12，其可由TPD、NPB、TTB、HTM2等制備。參考圖2，所述第一有機(jī)層12可包括空穴注入層121和空穴傳輸層122。則在所述第一電極層11上形成第一有機(jī)層12的步驟包括：

在所述第一電極層11上形成空穴注入層121；

在所述空穴注入層121上形成空穴傳輸層122。

本實(shí)施例中，在對(duì)所述第一有機(jī)層12進(jìn)行圖形化處理，從而形成第一有機(jī)島狀圖案a、第二有機(jī)島狀圖案b以及第三有機(jī)島狀圖案c的步驟包括：

在所述第一有機(jī)層12上涂布光阻；

對(duì)所述涂布有光阻的第一有機(jī)層12進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕，從而形成第一有機(jī)島狀圖案a、第二有機(jī)島狀圖案b以及第三有機(jī)島狀圖案c。

在一些實(shí)施例中，所述第一有機(jī)島狀圖案a、所述第二有機(jī)島狀圖案b以及所述第三有機(jī)島狀圖案c相互之間可等間隔設(shè)置。為了保證像素的發(fā)光面積，間隔距離可設(shè)為1μm～15μm。

本實(shí)施例中，將第一有機(jī)層注入層121和空穴傳輸層122間隔形成三個(gè)孤立的小島，由此制備的器件其RGB三像素的空穴注入層和空穴傳輸層均是各自獨(dú)立的，低電流驅(qū)動(dòng)下由藍(lán)光子像素向紅綠子像素的空穴竄擾被阻斷，實(shí)現(xiàn)各子像完全的獨(dú)立控制。

在步驟103中，為提高發(fā)光效率，可利用高精度金屬掩膜版(FMM)在所述第一有機(jī)層12上蒸鍍發(fā)光層13。如圖2所示，該發(fā)光層13包括設(shè)置在所述第一有機(jī)島狀圖案a上的紅光發(fā)光層x，設(shè)置在所述第二有機(jī)島狀圖案b上的藍(lán)光發(fā)光層y，以及設(shè)置在所述第三有機(jī)島狀圖案c上的綠光發(fā)光層z。

具體實(shí)施時(shí)，可采用Alq3是直接單獨(dú)使用作為發(fā)光層13的制備材料。還有的是本身不能單獨(dú)作為發(fā)光層，摻雜在另一種基質(zhì)材料中才能發(fā)光，如紅光摻雜劑DCJTB，綠光摻雜劑DMQA，藍(lán)光摻雜劑BH1、BD1等。

在步驟104中，可采用真空蒸鍍工藝在發(fā)光層13上依次形成第二有機(jī)層14以及第二電極層15。在本實(shí)施例中，如圖2所示，所述第二有機(jī)層14可包括電子傳輸層141和電子注入層142。則在所述第一電極層11和所述發(fā)光層13上依次形成第二有機(jī)層14以及第二電極層15的步驟可以包括：

在所述第一電極層11和所述發(fā)光層13上形成電子傳輸入層141；

在所述電子傳輸141層上形成；

在所述電子注入層142上形成第二電極層15。

其中，制作電子傳輸層141的材料必須制膜安定性高、熱穩(wěn)定且電子傳輸性佳，可采用螢光染料化合物，如Alq、Znq、Gaq、Bebq、Balq、DPVBi、ZnSPB、PBD、OXD、BBOT等。電子注入層142可由Liq、PEIE等材料制備而成。

在本實(shí)施例中，第二電極層15作為OLED器件的陰極，與第一電極層11構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電極，用于驅(qū)動(dòng)電子和空穴在發(fā)光層13發(fā)生碰撞進(jìn)行發(fā)光。其中，第二電極層15可為單層金屬陰極，可由Mg、Al、Ca、Ag、Li、In等材料等制備而成。此外，為了提高發(fā)光率，又能得到穩(wěn)定的器件，還可以為合金陰極(如Mg：Al)或?qū)訝铌帢O(如LiF/Al)。

在一些實(shí)施例中，還可以在空穴傳輸層122與發(fā)光層13之間增加電子阻擋層，可由Perylene、Rubrene、DCIT等材料制備。同樣地，還可以在電子傳輸層141與發(fā)光層13之間增加空穴阻擋層，以阻隔空穴直接進(jìn)入電子傳輸層與電子發(fā)生反應(yīng)。

本優(yōu)選實(shí)施例的OLED器件制作方法，通過(guò)在提供的基板上形成第一電極層；在第一電極層上形成第一有機(jī)層，對(duì)第一有機(jī)層進(jìn)行圖形化處理，從而形成第一有機(jī)島狀圖案、第二有機(jī)島狀圖案以及第三有機(jī)島狀圖案，相鄰的有機(jī)島狀圖案之間存在間隔，間隔處露出第一電極；在第一有機(jī)島狀圖案上形成紅光發(fā)光層，在第二有機(jī)島狀圖案上形成藍(lán)光發(fā)光層，以及在第三有機(jī)島狀圖案上形成綠光發(fā)光層；在發(fā)光層上依次形成第二有機(jī)層以及第二電極層。本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)各子像素完全的獨(dú)立控制，阻斷空穴由藍(lán)光子像素向紅綠子像素的竄擾，改善低電流下的色偏，提高了OLED器件的顯示效果。

請(qǐng)參照?qǐng)D3，該OLED器件包括基板200、第一電極層21、空穴注入層22、空穴傳輸層23、發(fā)光層24、電子傳輸層25、電子注入層26以及第二電極層27。

其中，第一電極層21設(shè)置在所述基板200上，其可作為OLED器件的陽(yáng)極，與OLED器件的陰極形成驅(qū)動(dòng)電極，用于驅(qū)動(dòng)空穴和電子在發(fā)光層24發(fā)生碰撞進(jìn)行發(fā)光。該第一電極層可為ITO或IZO?；?00可以為透明的硬性基板或柔性基板，比如，該基板200可以是玻璃、石英等。

空穴注入層22設(shè)置在所述第一電極層21上，可由CuPu或MDATA等材料制備。如圖3所示，該空穴注入層22包括第一空穴注入圖案221、第二空穴注入圖案222以及第三空穴注入圖案223，所述第一空穴注入圖案221、所述第二空穴注入圖案222以及所述第三空穴注入圖案223間隔設(shè)置，各間隔處露出第一電極層。

空穴傳輸層23，可由TPD、NPB、TTB、HTM2等制備。如圖3所示，空穴傳輸層23包括設(shè)置在所述第一空穴注入圖案221上的第一空穴傳輸圖案231、設(shè)置在所述第二空穴注入圖案222上的第二空穴傳輸圖案232、以及設(shè)置在所述第三空穴注入圖案223上的第三空穴傳輸圖案233。

發(fā)光層24，參考圖3，其包括設(shè)置在所述第一空穴傳輸圖案上231的紅光發(fā)光層241、設(shè)置在所述第二空穴傳輸圖案232上的藍(lán)光發(fā)光層242、以及設(shè)置在所述第三空穴傳輸圖案233上的綠光發(fā)光層243。Alq3是直接單獨(dú)使用作為發(fā)光層的材料。還有的是本身不能單獨(dú)作為發(fā)光層，摻雜在另一種基質(zhì)材料中才能發(fā)光，如紅光摻雜劑DCJTB，綠光摻雜劑DMQA，藍(lán)光摻雜劑BH1，BD1等。

電子傳輸層25，其設(shè)置在所述第一電極層21和所述發(fā)光層24上。制作電子傳輸層25的材料必須制膜安定性高、熱穩(wěn)定且電子傳輸性佳，可采用螢光染料化合物，如Alq、Znq、Gaq、Bebq、Balq、DPVBi、ZnSPB、PBD、OXD、BBOT等。

電子注入層26，其設(shè)置在所述電子傳輸層25上，可由Liq、PEIE等材料制備而成。

第二電極層27，其設(shè)置在所述電子注入層26上，可作為OLED器件的陰極，與OLED器件的陽(yáng)極形成驅(qū)動(dòng)電極，用于驅(qū)動(dòng)電子和空穴在發(fā)光層24發(fā)生碰撞進(jìn)行發(fā)光。其中，第二電極層27可為單層金屬陰極，可由Mg、Al、Ca、Ag、Li、In等材料等制備而成。此外，為了提高發(fā)光率，又能得到穩(wěn)定的器件，還可以為合金陰極(如Mg：Al)或?qū)訝铌帢O(如LiF/Al)。

空穴和電子分別先注入到空穴傳輸層23和電子傳輸層25，然后再注入到發(fā)光層24，在發(fā)光層24中電子和空穴相遇而復(fù)合，由于能帶的躍遷而發(fā)出可見(jiàn)光。

其發(fā)光機(jī)理為：空穴通過(guò)空穴注入層22、空穴傳輸層23到達(dá)RGB三色的發(fā)光區(qū)域(即發(fā)光層24)，在RGB三色的發(fā)光區(qū)域和電子進(jìn)行復(fù)合發(fā)光；電子通過(guò)電子注入層26、電子傳輸層25到達(dá)RGB三色的發(fā)光區(qū)域，在RGB三色的發(fā)光區(qū)域和空穴進(jìn)行復(fù)合發(fā)光。

本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)各子像素完全的獨(dú)立控制，阻斷空穴由藍(lán)光子像素向紅綠子像素的竄擾，改善低電流下的色偏，提高了OLED器件的顯示效果。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以?xún)?yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。