專利名稱：部分一次射束電子束曝光的掩摸與方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用以形成部分一次射束電子束曝光圖形的部分一次射束電子束曝光的掩模與方法。
近年來，半導(dǎo)體集成電路需要提高其集成密度。在動態(tài)隨機存取存貯器的情況中，集成電路的集成密度每三年增加了四倍，例如從0.5微米尺寸的1 6兆位、0.35微米尺寸的6 4兆位增加到0.25微米尺寸的256兆位一千兆位的動態(tài)隨機存取存貯器縮小至0.16微米的尺寸是接在256兆位之后的新一代存貯器。0.16微米的尺寸規(guī)模超過了光學(xué)曝光的分辯率。為了實現(xiàn)如此進一步縮小的圖形尺寸，可以利用電子束曝光。
可利用的電子束曝光分類為可變的矩形曝光法和部分一次射束曝光法。在可變的矩形曝光法中，按順序地形成分別的圖形。在部分一次射束曝光法中，制備了多個帶重復(fù)圖形的掩模，使得用掩模進行一次射束電子束曝光形成重復(fù)圖形。


圖1繪示出用于部分一次射束電子束曝光的掩模的平面圖。部分一次射束電子束曝光掩模有一條狀圖形的窗口部分91。將部分一次射束電子束曝光掩模90置于光刻膠膜上，使電子束照射到部分一次射束電子束曝光的掩模90上，因此使光刻膠膜受到透過掩模90窗口91的電子束有選擇的曝射，形成所需的光刻膠圖形。
圖2繪示出用帶有單元圖形窗口的部分一次射束電子束曝光掩模按序和重復(fù)進行電子束曝光的示意圖。帶有單元圖形窗口的部分一次射束電子束曝光掩模被用于隨著掩模沿橫向和垂直向A和B的移動而重復(fù)進行按序的電子束曝光。
圖3繪示出隨著掩模沿橫向和垂直向移動進行按序的電子束曝光所獲得的光刻膠圖形。單元圖形92是用帶單元圖形窗口的部分一次射束電子束曝光的掩模經(jīng)部分一次射束電子束曝光形成的。經(jīng)過重復(fù)使用的部分一次射束電子束曝光的邊界包含相對的垂直邊界線95和相對的橫向邊界線94。通過利用掩模進行按序和重復(fù)的一次射束電子束曝光便能得到所產(chǎn)生的光刻膠圖形93。
為了實現(xiàn)上述按序和重復(fù)的一次射束電子束曝光，主要要靠部分一次射束電子束曝光掩模的精確對準。但是實際上，很難避免掩模在光刻膠膜上有一些位移。
圖4示出在按序和重復(fù)的一次射束電子束曝光中一次射束電子束曝光掩模的位移以及位移對由掩模所形成的圖形產(chǎn)生影響的示意圖。當(dāng)掩模對準在中間區(qū)時，發(fā)生了掩模的下移，由此在上部區(qū)和中間區(qū)之間產(chǎn)生一個間隙96，而在中間區(qū)和底部區(qū)之間則產(chǎn)生重疊97。虛線95表示掩模的相對橫向邊界線95。使用掩模進行按序和重復(fù)一次射束電子束曝光的結(jié)果是，所得到的光刻膠圖形在與間隙96對應(yīng)的位置處有收縮部位98而在與重疊97對應(yīng)的另一位置處則有伸出的部位99。若是掩模的位移大，就可能出現(xiàn)光刻膠圖形的不連續(xù)。同樣若是掩模的位移大，還可能使相鄰光刻膠圖形的伸出部位擴展成相互接觸。
在日本專利公報NO.62-206829中公開了為避免這種光刻膠的不連續(xù)而有意提供的掩模重疊的部位。
在日本專利公報NO.2-170411中公開了有意使相鄰的兩個光刻膠圖形沿垂直方向彼此相對位移，使相鄰光刻膠圖形擴展的伸出部位如圖5中繪示的沿垂直方向處于不同的水平，圖5是有意使相鄰的兩個光刻膠圖形沿垂直方向產(chǎn)生彼此相對位移的部分一次射束電子束曝光掩模的示意圖。帶條狀窗口101的部分一次射束電子束曝光掩模100，相鄰的兩窗口沿垂直方向相互位移。
在日本專利公報NO.2-71509中還公開了掩模的每一條狀窗口的相對端具有比條狀窗口的線寬更小的寬度部位，使在更小寬度部位產(chǎn)生雙重曝光，以此制止光刻膠圖形尺寸的變動。
考慮到使用圖5中繪示的部分一次射束掩模100，就得到如圖6中繪示的光刻膠圖形。圖6是通過使用與在其上形成元件的有源區(qū)有關(guān)的部分一次射束曝光掩模制成的字線的收縮與伸出部位的位置關(guān)系示意圖。橫斷的斑紋部位表示場效應(yīng)晶體管的柵電極。有源區(qū)1上字線2的寬度表示在有源區(qū)1中所形成場效應(yīng)晶體管的柵長。例如，若是伸出部位位于有源區(qū)1內(nèi)，這表示柵長比預(yù)定的柵長更長。但若收縮部位位于有源區(qū)內(nèi)，這就表示柵長比預(yù)定的柵長更短。若是在有源區(qū)1內(nèi)既未形成伸出部位也未形成收縮部位而且字線寬度正好是預(yù)定值103，這表示柵長也是預(yù)定值103。也就是，柵長的變動是不可避免的。若是柵長縮短，則晶體管的關(guān)態(tài)電流增加。若是相反，柵長變長，則溝道電阻增加，由此降低了晶體管的開態(tài)電流。結(jié)果降低了存貯單元的寫入性能。這種存貯單元晶體管的特性變動造成存貯單元芯片的成品率下降。
在動態(tài)隨機存取存貯器的情況中，字線和位接觸之間的距離比互連之間的距離短，由于這一原因，字線的伸出部位可能到達位接觸或是造成與它相接觸，由此在字線和位接觸之間形成短路。
圖7繪示在字線的伸出和收縮部位與形成在字線間的位接觸孔之間的位置關(guān)系平面圖。即若在有源區(qū)1內(nèi)既未形成伸出部位也未形成收縮部位，也有可能靠近位接觸孔7形成伸出部位106，由此在字線和位接觸之間形成短路。但若靠近位接觸孔7形成收縮部位102，就不致出現(xiàn)問題。若是靠近位接觸孔7既未形成伸出部位也未形成收縮部位而且靠近位接觸孔7的字線部位105具有預(yù)定的寬度，這時就不會出現(xiàn)象在字線和位接觸之間形成短路的一類問題。
圖8為繪示沿圖7的A-A線所取字線和位接觸孔局部截面的剖視圖。
一片半導(dǎo)體基片100有一隔離區(qū)113和一在其上形成元件1的有源區(qū)。在隔離區(qū)113上有選擇地形成場氧化膜114以確定有源區(qū)1。在有源區(qū)1上形成擴散層111。字線2形成在場氧化膜114上。在字線2和場氧化膜114上形成一層夾層絕緣體112，在夾層絕緣體112中有定位在擴散層111上的位接觸孔7。字線2有靠近位接觸孔7的伸出部位，由于此原因，圖8中繪示的字線2A移至表示在位接觸孔7的側(cè)壁上。若是位接觸是由形成在位接觸孔7內(nèi)的導(dǎo)電材料制作成的，這時就使位接觸與字線2的伸出部位2A相接觸，由此就形成了位接觸和字線之間的短路。結(jié)果使芯片的成品率下降。
按照以上的情況，需要開發(fā)一種沒有上述問題的形成部分一次射束電子束曝光圖形的新型部分一次射束電子束曝光的掩模和方法。
于是本發(fā)明的一項目的是要提供一種沒有上述問題的新型部分一次射束電子束曝光的掩模。
本發(fā)明的另一目的是要提供一種即若因部分一次射束電子束曝光的掩模位移造成字線的寬度變動也不會出現(xiàn)晶體管的柵長變動問題的新型部分一次射束電子束曝光的掩模。
本發(fā)明還有一項目的是要提供一種即若因部分一次射束電子束曝光的掩模位移造成字線的寬度變動也不會出現(xiàn)在位接觸和字線之間形成短路問題的新型部分一次射束電子束曝光的掩模。
本發(fā)明的又一項目的是要提供一種沒有上述問題的形成部分一次射束電子束曝光圖形的新型方法。
本發(fā)明再有的另一項目的是要提供一種即若因部分一次射束電子束曝光的掩模位移造成字線寬度變動也不會出現(xiàn)晶體管的柵長變動問題的形成部分一次射束電子束曝光圖形的新型方法。
本發(fā)明再有的又一項目的是要提供一種即若因部分一次射束電子束曝光的掩模位移造成字線寬度變動也不會出現(xiàn)在位接觸和字線之間形成短路問題的形成部分一次射束電子束曝光圖形的新型方法。
本發(fā)明的上述和其它目的、特點和優(yōu)點從以下說明中將會明顯看出。
按照本發(fā)明，所提供的用以曝光的部分一次射束電子束曝光的掩模，經(jīng)過在半導(dǎo)體器件的有源區(qū)和隔離區(qū)上形成重復(fù)的光刻膠圖形，其中部分一次射束電子束曝光掩模的圖形邊界只定位在隔離區(qū)內(nèi)。部分一次射束電子束曝光掩模的圖形可用于形成字線。在這種情況下，部分一次射束電子束曝光的掩模的圖形邊界可以沿著垂直于字線長度的方向形成部分一次射束電子束曝光的掩模的圖形邊界。全部形成接觸孔的區(qū)域均包括在有源區(qū)內(nèi)。
對本發(fā)明的最佳實施例將參照附圖進行具體描述。
圖1示出用于部分一次射束電子束曝光的一個掩模的平面圖。
圖2是用帶單元圖形窗口的部分一次射束電子束曝光的掩模進行按序和重復(fù)電子束曝光的示意圖。
圖3是隨掩模沿橫向和垂直向A和B移動按序進行電子束曝光所得到的光刻膠圖形的示意圖。
圖4是按序和重復(fù)的一次射束電子束曝光中一次射束電子束曝光掩模的移動以及此移動對由掩模所形成圖形的影響的示意圖。
圖5是有意使相鄰的兩個光刻膠圖形沿垂直方向彼此相對移動的部分一次射束電子束曝光掩模的示意圖。
圖6是用與在其上形成元件的有源區(qū)有關(guān)的部分一次射束曝光掩模制備成的字線的收縮部位與伸出部位的位置關(guān)系示意圖。
圖7是在字線的伸出和收縮部位與形成在字線間的位接觸孔之間的位置關(guān)系示意圖。
圖8是沿圖7的A-A線所取字線和位接觸孔的局部截面剖視示意圖。
圖9是在本發(fā)明第一實施例中延伸在有源區(qū)和隔離區(qū)上的字線與最大曝光區(qū)之間的位置關(guān)系以及1/4單元布局的平面示意圖。
圖10是本發(fā)明第一實施例中最小重復(fù)單元與最大曝光區(qū)之間的位置關(guān)系以及1/4單元布局的平面示意圖。
圖11是本發(fā)明第一實施例中在一位單元布局的最大曝光區(qū)內(nèi)分割的字線圖形和重復(fù)單元的示意圖。
圖12是本發(fā)明第一實施例中有源區(qū)和重復(fù)曝光設(shè)置框之間關(guān)系的示意圖。
圖13是本發(fā)明第一實施例中使得用“X”標記的四個分割字線圖形末端設(shè)在隔離區(qū)內(nèi)的分割字線圖形的重新布局的示意圖。
圖14是在本發(fā)明第一實施例中具有設(shè)在隔離區(qū)內(nèi)的分割字線圖形末端的部分一次射束曝光掩模的示意圖。
圖15A是本發(fā)明第一實施例中端部簡單形狀的示意圖，其中分割的字線圖形6彼此簡單地重疊著而分割的字線圖形6的端部邊界則垂直于分割字線圖形6的長度方向以形成簡單矩形的重疊部位19a。
圖15B是本發(fā)明第一實施例中端部變換形狀的示意圖，其中分割的字線圖形6彼此重疊而分割字線圖形6的端部邊界則向分割字線圖形6的長度方向傾斜但平行于有源區(qū)1的長度方向以形成變換的矩形形狀的重疊部位19b。
圖15C是本發(fā)明第一實施例中端部凸狀的示意圖，其中分割的字線圖形6通過凸狀部位19c彼此重疊而分割字線圖形6的端部有一凸起的矩形形狀并有垂直于分割字線圖形6的長度方向的邊界。
圖15D是本發(fā)明第一實施例中端部變換的凸狀的示意圖，其中分割的字線圖形6通過變換的凸狀部位19d彼此重疊而分割的字線圖形6端部有變換的凸狀矩形的形狀但有向分割的字線圖形6的長度方向傾斜而與有源區(qū)1的長度方向平行的邊界。
圖16示出圖14中所示形成部分一次射束曝光掩模工藝的流程卡。
圖17是在本發(fā)明第二實施例中在一位單元布局中的最大曝光區(qū)內(nèi)分割的字線圖形和重復(fù)單元的示意圖。
圖18是在本發(fā)明第二實施例中具有在隔離區(qū)內(nèi)的端部的分割的字線圖形的部分一次射束曝光掩模的示意圖。
圖19是在本發(fā)明第三實施例中在一位單元布局中的最大曝光區(qū)內(nèi)分割的字線圖形和重復(fù)單元的示意圖。
圖20是本發(fā)明第三實施例中具有設(shè)在隔離區(qū)內(nèi)的端部的分割的字線圖形的部分一次射束曝光掩模的示意圖。
圖21是本發(fā)明第四實施例中在一位單元布局中的最大曝光區(qū)內(nèi)分割的字線圖形和重復(fù)單元的示意圖。
圖22是本發(fā)明第四實施例中具有設(shè)在隔離區(qū)內(nèi)的端部的分割的字線圖形的部分一次射束曝光掩模的示意圖。
圖23是本發(fā)明第五實施例中在伸展在有源區(qū)和隔離區(qū)上的字線與電容器和位接觸的部位之間的位置關(guān)系的平面示意圖。
圖24是本發(fā)明第五實施例中最小重復(fù)單元和最大曝光區(qū)之間的位置關(guān)系以及1/2間距單元部局的平面示意圖。
圖25是本發(fā)明第五實施例中在一位單元布局中的最大曝光區(qū)內(nèi)分割的字線圖形和重復(fù)單元的示意圖。
圖26是本發(fā)明第五實施例中在有源區(qū)、電容器以及位接觸與重復(fù)曝光間距框之間關(guān)系的示意圖。
圖27是本發(fā)明第五實施例中分割的字線圖形重新布局的示意圖，它使得用“X”作標記的四條分割字線圖形的端部設(shè)在隔離區(qū)內(nèi)。
圖28是本發(fā)明第五實施例中具有設(shè)在隔離區(qū)內(nèi)的端部的分割的字線圖形部分一次射束曝光掩模的示意圖。
圖29是本發(fā)明第五實施例中表示狀態(tài)“a”直至“h”的視圖，其中狀態(tài)“a”、“b”、“e”和“f”是接近接觸孔的分割的字線圖形端部的第一狀態(tài)，而狀態(tài)“c”、“d”、“g”和“h”則為與接觸孔不接近的分割的字線圖形端部的第二狀態(tài)。
圖30是表示本發(fā)明第五實施例中形成示于圖28中的形成部分一次射束曝光掩模工藝的流程卡。
圖31是本發(fā)明第六實施例中，在最大曝光區(qū)內(nèi)的位線和重復(fù)曝光間距的分割的位線圖形的示意圖。
圖32是本發(fā)明第六實施例中具有設(shè)在隔離區(qū)內(nèi)的端部的分割的位線圖形部分一次射束曝光掩模的示意圖。
按照本發(fā)明，所提供的用于曝光的部分一次射束曝光掩模，通過在半導(dǎo)體器件的有源區(qū)和隔離區(qū)上形成光刻膠的重復(fù)圖形，其中部分一次射束曝光掩模的圖形邊界只定位在隔離區(qū)內(nèi)。部分一次射束曝光掩?？梢杂糜谛纬勺志€。在此情況下，部分一次射束曝光掩模的圖形邊界可以沿著與字線長度垂直的方向形成。另一種方法是，部分一次射束曝光掩模的圖形邊界可以沿著與有源區(qū)平行的方向形成。全部形成接觸孔的區(qū)域均包括在有源區(qū)內(nèi)。
所提供的用于曝光的部分一次射束曝光掩模，通過在半導(dǎo)體器件的有源區(qū)和隔離區(qū)上形成光刻膠的重復(fù)圖形，其中部分一次射束曝光掩模的圖形邊界定位成環(huán)繞形成接觸孔的區(qū)域。
新型部分一次射束曝光掩模即若因部分一次射束電子束曝光掩模的位移而造成字線寬度變動也不致出現(xiàn)晶體管柵的長度變動的問題。
新型部分一次射束曝光掩模即若因部分一次射束電子束曝光掩模的位移而造成字線寬度變動也不致出現(xiàn)在位接觸和字線之間形成短路的問題。
進一步按照本發(fā)明，一種對帶有源區(qū)和隔離區(qū)的半導(dǎo)體器件重復(fù)進行部分一次射束曝光的方法，其中若是光刻膠圖形的邊界包括伸展至有源區(qū)的重復(fù)的單元圖形，就在隨后進行部分一次射束曝光，使得通過保持重復(fù)圖形將光刻膠的圖形邊界移至隔離區(qū)。
再進一步按照本發(fā)明，一種對帶有源區(qū)和隔離區(qū)的半導(dǎo)體器件重復(fù)進行部分一次射束曝光的方法，其中若是光刻膠圖形的邊界包括伸展至在其上將要形成接觸孔的接觸孔區(qū)的重復(fù)的單元圖形，就在隨后進行部分一次射束曝光，使得通過保持重復(fù)圖形從接觸孔區(qū)移動光刻膠圖形的邊界。
重復(fù)進行部分一次射束曝光的方法即若因部分一次射束電子束曝掩模位移而造成字線寬度變動也不致出現(xiàn)晶體管的柵長變動的問題。
重復(fù)進行部分一次射束曝光的方法即若因部分一次射束電子束曝光掩模位移而造成字線寬度變動也不致出現(xiàn)在位接觸和字線之間形成短路的問題。
第一實施例對本發(fā)明的第一實施例將參照圖9直至圖16作具體描述。圖9是伸展在有源區(qū)和隔離區(qū)上的字線與一最大曝光區(qū)之間的位置關(guān)系以及1/4間距單元部局的平面示意圖。字線2在有源區(qū)1和隔離區(qū)20上相互平行地伸展。有源區(qū)1具有填滿拆疊的位線單元布局35的1/4間距的最大密度，折疊的位線單元部局35是由重疊的字線2確定的重復(fù)布局并且還包括由四根字線和四根位線確定的重復(fù)布局單元。有源區(qū)1由隔離區(qū)20限定和包圍。最大的曝光區(qū)3代表用部分一次射束曝光掩模進行一次射束曝光的最大尺寸。
參閱圖16，最大曝光區(qū)3是在步驟11中選出的。
圖10是在最小重復(fù)單元與最大曝光區(qū)之間的位置關(guān)系以及1/4間距單元部局的平面示意圖。所選的最小重復(fù)單元4是在圖16的步驟12中作重復(fù)圖形的布局單元。最小重復(fù)單元4的尺寸取決于存貯單元的尺寸和存貯單元布局。
圖11是在位單元布局中的最大曝光區(qū)內(nèi)分割的字線圖形和重復(fù)單元的示意圖。四個最小的重復(fù)單元4在最大曝光區(qū)3內(nèi)排成陣列?？梢栽谧畲笃毓鈪^(qū)3內(nèi)排成陣列的最小重復(fù)單元的數(shù)目取決于最小重復(fù)單元4對最大曝光區(qū)3的面積比?？紤]到最大曝光區(qū)有一恒定的面積，排列成四個最小重復(fù)單元4的陣列就是重復(fù)曝光間距5。也就是，掩模單元圖形5由在最大曝光區(qū)內(nèi)排列最小重復(fù)單元的陣列所確定。分割的字線圖形6限定在掩模單元圖形5內(nèi)。
圖12是在有源區(qū)和重復(fù)曝光間距框之間關(guān)系的示意圖。分割的字線圖形6是重疊在有源區(qū)1上。八根分割的字線圖形6在曝光間距框5’當(dāng)中。四根用“X”標記的分割的字線圖形6有設(shè)在有源區(qū)1上的末端。
圖13是分割的字線圖形的重新布局的示意圖，它使得用“X”標記的四根分割字線圖形的末端設(shè)在隔離區(qū)內(nèi)。對分割的字線圖形6進行了重新布局，使得用“X”標記四根分割字線圖形的末端從有源區(qū)1移至隔離區(qū)20，由此在圖16的步驟14中八根分割的字線圖形6沒有末端設(shè)在有源區(qū)1內(nèi)。
在圖13中，所有經(jīng)過移動的分割的字線圖形6均設(shè)在最大曝光區(qū)3內(nèi)。但若任何經(jīng)過移動的分割字線圖形6伸展超出最大曝光區(qū)3，這時就要求證實所有經(jīng)過移動的分割字線圖形6是否在圖16的步驟15中設(shè)在最大曝光區(qū)3中。若是所有經(jīng)過移動的分割字線圖形6設(shè)在最大曝光區(qū)3內(nèi)，這時就在步驟17中制備成部分一次射束曝光掩模。但若任何經(jīng)過移動的分割字線圖形6伸展超出最大曝光區(qū)3，這時沿字線長度方向排列的最小重復(fù)單元就在圖16的步驟16中被減去一個。然后，過程返回到步驟14，其中對分割的字線圖形6再次進行重新布局，使得用“X”標記的四根分割字線圖形6的末端從有源區(qū)1移至隔離區(qū)20，由此八根分割字線圖形6的末端沒有設(shè)在有源區(qū)1內(nèi)的。
圖14是具有設(shè)在隔離區(qū)內(nèi)的末端的分割字線圖形的部分一次射束曝光掩模的示意圖。圖16是表示用于形成圖14中所示部分一次射束曝光掩模的流程卡。部分一次射束曝光掩模30是按圖16的方法制備的并有設(shè)在隔離區(qū)內(nèi)的末端的分割字線圖形31。
而在圖13中，分割字線圖形6的端部6A是設(shè)在有源區(qū)1之間的隔離區(qū)20的中央部位，除非是分割字線圖形6的端部6A設(shè)在有源區(qū)1上，否則是不會出現(xiàn)問題的。也就是，譬如有可能分割的字線圖形6具有沿著與有源區(qū)1的長度平行的方向限界的端部。
此外，有可能對部分一次射束曝光掩模的分割字線圖形的端部形狀進行各種各樣的變換。圖15A是端部簡單形狀的示意圖，其中分割的字線圖形6簡單地相互重疊著，而分割字線圖形6的端部邊界則垂直于分割的字線圖形6的長度方向以形成簡單矩形形狀的重疊部位19a。圖15B是端部變換形狀的示意圖，其中分割的字線圖形6相互重疊著而且分割字線圖形6的端部邊界則向分割字線圖形6的長度方向傾斜但與有源區(qū)1的長度方向平行以形成變換的矩形形狀的重疊部位19b。圖15C是凸狀端部的示意圖，其中分割的字線圖形6通過凸狀部位19c相互重疊著而且分割的字線圖形6的端部有凸出的矩形形狀并有一垂直于分割的字線圖形6的長度方向的邊界。圖15D是變換的凸狀端部的示意圖，其中分割的字線圖形6通過變換的凸部部位19d相互重疊著，而分割的字線圖形6的端部有變換的凸狀矩形狀并有向分割字線圖形6的長度方向傾斜但與有源區(qū)1的長度方向平行的邊界。
第二實施例對本發(fā)明的第二實施例將參照圖17和18作具體描述。圖17是在本發(fā)明第二實施例中位單元布局內(nèi)最大曝光區(qū)中的分割字線圖形和重復(fù)單元的示意圖。在該實施例中，有源區(qū)1的形狀是用虛線繪示的形狀并與第一實施例中的不同。本發(fā)明能夠應(yīng)用于包括重復(fù)單元在內(nèi)的1/2間距單元的布局，其中的每一個各由四根字線和兩根位線限定。重復(fù)曝光間距6包括六個最小的重復(fù)單元。
圖18是具有設(shè)于隔離區(qū)內(nèi)的末端的分割字線圖形41的部分一次射束曝光掩模40的示意圖。
掩模的任何其它結(jié)構(gòu)、形狀以及形成掩模的工藝都與第一實施例中的相同，因此將省略其說明。
第三實施例對本發(fā)明第三實施例將參照圖19至20作出具體描述。圖19是本發(fā)明第三實施例中位單元布局內(nèi)最大曝光區(qū)中的分割字線圖形和重復(fù)單元的示意圖。第三實施例僅在有源區(qū)的圖形上與第二實施例有差異。以下的描述將著重于它們的差異上。有源區(qū)1的形狀是一個變換的矩形基部的形狀，它有一個從矩形基部中心伸出的凸部。重復(fù)曝光間距5包括六個最小重復(fù)單元。若將分割的字線圖形6的端部置于隔離區(qū)20上，這時分割的字線圖形就在最大曝光區(qū)3當(dāng)中。
圖20是具有設(shè)于隔離區(qū)內(nèi)的末端的分割的字線圖形51的部分一次射束曝光掩模50的示意圖。
掩模的任何其它結(jié)構(gòu)、形狀以及形成掩模的工藝與第二實施例中的相同，因此將省略其說明。
第四實施例對本發(fā)明的第四實施例將參照圖21至22作出具體描述。圖21是本發(fā)明第四實施例中位單元布局內(nèi)最大曝光區(qū)中分割的字線圖形和重復(fù)單元的示意圖。第四實施例只在有源區(qū)圖形上與第三實施例有差異。以下的說明將著重于它們的差異。有源區(qū)的形狀是矩形的。若是分割的字線圖形的端部置于隔離區(qū)20上，這時分割的字線圖形就在最大曝光區(qū)3當(dāng)中。
圖22是具有設(shè)于隔離區(qū)內(nèi)的末端的分割的字線圖形61的部分一次射束曝光掩模60的示意圖。
掩模的任何其它結(jié)構(gòu)、形狀以及形成掩模的工藝均與第二實施例中的相同，因此將省略其說明。
第五實施例對本發(fā)明的第五實施例將參照圖23至30作出具體描述。圖23是在伸展在有源區(qū)1和隔離區(qū)20上的字線2與1/2間距單元部局3 6中的電容器8和位接觸部7之間位置關(guān)系的平面示意圖。
圖24是在最小重復(fù)單元4和最大曝光區(qū)3之間的位置關(guān)系以及1/2間距單元布局的平面示意圖。最大曝光區(qū)3是在圖30的步驟21中確定的而隨后在圖30的步驟22中選出最小重復(fù)單元。
圖25是在位單元布局的最大曝光區(qū)3中分割的字線圖形6和重復(fù)曝光間距5的示意圖，其中最小重復(fù)單元4排列在最大曝光區(qū)3當(dāng)中用以在圖30的步驟23和24中確定單元圖形和分割的字線圖形。
圖26是在有源區(qū)1、電容器8和位接觸7與重復(fù)曝光間距框5之間的位置關(guān)系示意圖。四根用“X”標記的分割的字線圖形6有設(shè)于或定位于鄰近接觸孔處的端部。圖29示出狀態(tài)“a”至“h”，其中狀態(tài)“a”、“b”、“e”和“f”是鄰近接觸孔7或8的分割字線圖形的端部的第一狀態(tài)，而狀態(tài)“c”、“d”、“g”和“h”則為與接觸孔7或8不相鄰近的分割字線圖形端部的第二狀態(tài)。
圖27是分割的字線圖形6重新布局的示意圖，它使得用“X”標記的四根分割字線圖形的末端6A設(shè)在隔離區(qū)20內(nèi)，同時將用“X”標記的四根分割字線圖形的末端6A設(shè)在與接觸孔7和8不相鄰處。但若有任何分割的字線圖形6被移動伸出最大曝光區(qū)3，這時就需要在圖30的步驟26中證實是否所有經(jīng)過移動的分割字線圖形6設(shè)在最大曝光區(qū)3當(dāng)中。若是全部經(jīng)過移動的分割字線圖形6設(shè)在最大曝光區(qū)3中，這時就在步驟28中制備成部分一次射束曝光掩模。但若有任何分割的字線圖形6經(jīng)移動伸出最大曝光區(qū)3，這時沿字線長度方向排列的最小重復(fù)單元就在圖30的步驟2 7中減去一個。然后，過程返回至步驟24，在其中再進行分割字線圖形6的重新布局，使得用“X”標記的四根分割字線圖形6的末端從有源區(qū)1移至隔離區(qū)20，由此八根分割字線圖形6的末端沒有設(shè)在有源區(qū)1內(nèi)的。
圖28是具有設(shè)在隔離區(qū)中的末端的分割字線圖形的部分一次射束曝光掩模示意圖。圖30是表示形成圖28中所示部分一次射束曝光掩模的工藝流程卡。部分一次射束曝光掩模70是按圖30的方法制備的并有其末端設(shè)在隔離區(qū)內(nèi)的分割字線圖形71。
本發(fā)明能夠應(yīng)用于前述實施例中所述的其它存貯單元。
第六實施例對本發(fā)明的第六實施例將參照圖31和32作出具體說明。在該實施例中，為了得到取代字線圖形的位線圖形制備成的部分一次射束曝光掩模，它使本實施例不同于第五實施例。圖31是在最大曝光區(qū)3內(nèi)的分割的位線圖形10和重復(fù)曝光間距5的示意圖，其中最小重復(fù)單元4排在最大曝光區(qū)3內(nèi)用以確定單元圖形和分割的位線圖形。圖32是有其末端設(shè)在隔離區(qū)內(nèi)的分割位線圖形的部分一次射束曝光掩模的示意圖。
對普通的專業(yè)人員來說屬于對本發(fā)明的顯而易見的變換仍從屬于本發(fā)明，要認識到，實施例是通過解釋的途徑所進行的表示和說明，無意看成具有限制意義。因此規(guī)定由權(quán)利要求包含在本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)的所有改動。
權(quán)利要求
1.一種為曝光提供的部分一次射束曝光掩模，它在半導(dǎo)體器件的有源和隔離區(qū)上形成光刻膠的重復(fù)圖形，其特征在于，部分一次射束曝光掩模的圖形邊界只定位在隔離區(qū)內(nèi)。
2.按照權(quán)利要求1所述的部分一次射束曝光掩模，其特征在于，部分一次射束曝光掩模是用于形成字線的。
3.按照權(quán)利要求2所述的部分一次射束曝光掩模，其特征在于，部分一次射束曝光掩模的圖形邊界是沿著與字線長度方向垂直的方向形成的。
4.按照權(quán)利要求2所述的部分一次射束曝光掩模，其特征在于，部分一次射束曝光掩模的圖形邊界是沿著與一有源區(qū)平行的方向形成的。
5.一種為曝光提供的部分一次射束曝光掩模，它在半導(dǎo)體器件的有源和隔離區(qū)上形成光刻膠的重復(fù)圖形，其特征在于，部分一次射束曝光掩模的圖形邊界定位成環(huán)繞接觸孔的形成區(qū)。
6.一種對帶有源和隔離區(qū)的半導(dǎo)體器件重復(fù)進行部分一次射束曝光的方法，其特征在于，若是光刻膠圖形的邊界包括伸至有源區(qū)的重復(fù)單元圖形，隨后就進行部分一次射束曝光，使得通過保持重復(fù)圖形將光刻膠圖形的邊界移至隔離區(qū)。
7.一種對帶有源和隔離區(qū)的半導(dǎo)體器件重復(fù)進行部分一次射束曝光的方法，其特征在于，若是光刻膠圖形的邊界包括伸至一個將在其上形成接觸孔的接觸孔區(qū)的重復(fù)單元圖形，隨后就進行部分一次射束曝光，使得通過保持重復(fù)圖形將光刻膠圖形的邊界從接觸孔區(qū)移出。
全文摘要
一種為曝光提供的部分一次射束曝光掩模,它在半導(dǎo)體器件的有源和隔離區(qū)上形成光刻膠的重復(fù)圖形,部分一次射束曝光掩模的圖形邊界只定位在隔離區(qū)內(nèi)。這種掩模的圖形可以用于形成字線。在此情況下,掩模圖形的邊界可以沿著與字線長度方向垂直的方向形成。另一種方法是,掩模圖形的邊界可以沿著與一有源區(qū)平行的方向形成。所有形成接觸孔區(qū)域均包括在有源區(qū)內(nèi)。
文檔編號G03F7/20GK1193183SQ9810019
公開日1998年9月16日 申請日期1998年2月6日 優(yōu)先權(quán)日1997年2月6日
發(fā)明者佐甲隆 申請人:日本電氣株式會社