本技術涉及一種掩膜結構，更確切地說，是一種檢查曝光圖案套合的掩膜結構。

背景技術：

1、在半導體工藝制作過程中，曝光機臺通過uv光照射到鉻板/掩膜板上面，把鉻板/掩膜板圖案轉移到光刻膠，從而獲得圖案。在生產(chǎn)tp(即，觸摸屏)和模組需要經(jīng)過若干到曝光，才能堆疊出所需要的圖案。

2、在曝光時第一道產(chǎn)生對位標，給第二道用于抓標進行圖案的套合，同時第二道產(chǎn)生對位標給第三道用于抓標進行圖案的套合，依此類推下去來保證圖案的設計堆疊。

3、由于存在多道工序，曝光時會存在對位精度偏差，需要人工去顯微鏡下確認，對每道圖案進行確認套合是否精準，這樣需要產(chǎn)線操作人員對產(chǎn)品熟悉，不熟悉時會出現(xiàn)確認不到位，從而導致圖案出現(xiàn)偏位而無法識別出來，導致產(chǎn)品出現(xiàn)報廢的情況。

4、中國發(fā)明專利文獻cn107578987a公開了一種柵極雙重曝光圖案化方法，適用于對一復合結構進行處理以得到柵極，所述復合結構包括由下至上依次設置的襯底、柵極層、硬掩膜層及第一平坦化層；其特征在于，所述方法包括：步驟s1、利用具有第一光刻圖案的第一光阻層對所述第一平坦化層和所述硬掩膜層進行刻蝕以將所述第一光刻圖案轉移至所述硬掩膜層，所述第一光刻圖案對應切線；步驟s2、去除所述第一平坦化層后于所述硬掩膜層的上方形成第二平坦化層；步驟s3、利用具有第二光刻圖案的第二光阻層對所述第二平坦化層和所述硬掩膜層進行刻蝕以將所述第二光刻圖案轉移至所述硬掩膜層，所述第二光刻圖案對應柵氧線；步驟s4、去除所述第二平坦化層；步驟s5、利用所述硬掩膜層對所述柵極層進行刻蝕以形成柵極。

5、顯然，該專利旨在解決多晶硅柵極的尺寸以及均勻性難控制的問題，無法解決現(xiàn)有的曝光校正的問題。

技術實現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對上述技術問題，提供一種檢查曝光圖案套合的掩膜結構，所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構包含掩膜本體，所述的掩膜本體上設有第一對位尺和第二對位尺，所述的第一對位尺沿著x方向延展，所述的第二對位尺沿著y方向延展，所述的第一對位尺上設有若干線性排列的第一對位尺孔，所述的第二對位尺上設有若干線性排列的第二對位尺孔。所述的第一對位尺孔和第二對位尺孔均呈矩形。在曝光作業(yè)的第一道形成方向的第一對位尺和方向的第二對位尺。接著，曝光第二道，又產(chǎn)生新的第一對位尺和第二對位尺，新的第一對位尺和第二對位尺與舊的第一對位尺和第二對位尺在和方向分別進行重疊，繼而進行觀測。利用對位尺上面的第一間距和第二間距所形成的刻度，超出刻度尺范圍就出現(xiàn)偏位，曝光需要調(diào)整。每道曝光的校正依此類推下去。利用方向的第一對位尺和方向的第二對位尺的重疊效果，操作人員可以輕松看出發(fā)生偏位的方向和具體的偏差程度，及時對曝光作業(yè)進行調(diào)整，避免產(chǎn)品報廢。

2、為了解決上述技術問題，本實用新型采用了如下所述的技術方案：

3、一種檢查曝光圖案套合的掩膜結構，其特征在于，所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構包含掩膜本體，所述的掩膜本體上設有第一對位尺和第二對位尺，所述的第一對位尺沿著x方向延展，所述的第二對位尺沿著y方向延展，

4、所述的第一對位尺上設有若干線性排列的第一對位尺孔，所述的第二對位尺上設有若干線性排列的第二對位尺孔。

5、作為本實用新型提供的所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構的一種優(yōu)選實施方式，所述的第一對位尺孔和第二對位尺孔均呈矩形。

6、作為本實用新型提供的所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構的一種優(yōu)選實施方式，所述的相鄰的第一對位尺孔的間距為第一間距，所述的相鄰的第二對位尺孔的間距為第二間距。

7、作為本實用新型提供的所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構的一種優(yōu)選實施方式，所述的第一對位尺孔和第二對位尺孔均呈圓形。

8、作為本實用新型提供的所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構的一種優(yōu)選實施方式，所述的相鄰的第一對位尺孔的圓心距為第三間距，所述的相鄰的第二對位尺孔的圓心距為第四間距。

9、一種檢查曝光圖案套合的掩膜結構，其特征在于，所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構包含掩膜本體，所述的掩膜本體上設有若干周向分布的第三對位尺，所述的第三對位尺上設有若干線性排列的第三對位尺孔。

10、作為本實用新型提供的所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構的一種優(yōu)選實施方式，所述的第三對位尺的數(shù)量為8個。

11、作為本實用新型提供的所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構的一種優(yōu)選實施方式，所述的相鄰的第三對位尺的間隔角度為預設的第一角度。

12、作為本實用新型提供的所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構的一種優(yōu)選實施方式，所述的相鄰的第三對位尺孔的間距為第五間距。

13、作為本實用新型提供的所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構的一種優(yōu)選實施方式，所述的第三對位尺的中心設有中心對位孔。

14、與現(xiàn)有技術相比，本實用新型有以下有益效果：

15、本實用新型提供一種檢查曝光圖案套合的掩膜結構，在曝光作業(yè)的第一道形成方向的第一對位尺和方向的第二對位尺。接著，曝光第二道，又產(chǎn)生新的第一對位尺和第二對位尺，新的第一對位尺和第二對位尺與舊的第一對位尺和第二對位尺在和方向分別進行重疊，繼而進行觀測。利用對位尺上面的第一間距和第二間距所形成的刻度，超出刻度尺范圍就出現(xiàn)偏位，曝光需要調(diào)整。每道曝光的校正依此類推下去。利用方向的第一對位尺和方向的第二對位尺的重疊效果，操作人員可以輕松看出發(fā)生偏位的方向和具體的偏差程度，及時對曝光作業(yè)進行調(diào)整，避免產(chǎn)品報廢。

16、另外，可以設置該第一對位尺孔和第二對位尺孔為圓形。該相鄰的第一對位尺孔的圓心距為第三間距，該相鄰的第二對位尺孔的圓心距為第四間距。利用方向的第一對位尺和方向的第二對位尺的重疊效果，操作人員可以輕松看出發(fā)生偏位的方向和具體的偏差程度，及時對曝光作業(yè)進行調(diào)整，避免產(chǎn)品報廢。

17、另外，可以設置在該掩膜本體上設有若干周向分布的第三對位尺，該第三對位尺上設有若干線性排列的第三對位尺孔該第三對位尺的數(shù)量為個。另外，該相鄰的第三對位尺的間隔角度為預設的第一角度。該相鄰的第三對位尺孔的間距為第五間距。該第三對位尺的中心設有中心對位孔。利用新的第三對位尺與舊的第三對位尺的重疊效果，操作人員可以輕松看出發(fā)生偏位的方向和具體的偏差程度，及時對曝光作業(yè)進行調(diào)整，避免產(chǎn)品報廢。另外，利用中心對位孔，還可以進行輔助中心定位，進一步提高曝光校正的精度。

技術特征：

1.一種檢查曝光圖案套合的掩膜結構，其特征在于，所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構包含掩膜本體(1)，所述的掩膜本體(1)上設有第一對位尺(2)和第二對位尺(3)，所述的第一對位尺(2)沿著x方向延展，所述的第二對位尺(3)沿著y方向延展，

2.根據(jù)權利要求1所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構，其特征在于，所述的第一對位尺孔(21)和第二對位尺孔(31)均呈矩形。

3.根據(jù)權利要求2所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構，其特征在于，所述的相鄰的第一對位尺孔(21)的間距為第一間距(d1)，所述的相鄰的第二對位尺孔(31)的間距為第二間距(d2)。

4.根據(jù)權利要求1所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構，其特征在于，所述的第一對位尺孔(21)和第二對位尺孔(31)均呈圓形。

5.根據(jù)權利要求4所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構，其特征在于，所述的相鄰的第一對位尺孔(21)的圓心距為第三間距(d3)，所述的相鄰的第二對位尺孔(31)的圓心距為第四間距(d4)。

6.一種檢查曝光圖案套合的掩膜結構，其特征在于，所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構包含掩膜本體(1)，所述的掩膜本體(1)上設有若干周向分布的第三對位尺(4)，所述的第三對位尺(4)上設有若干線性排列的第三對位尺孔(41)。

7.根據(jù)權利要求6所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構，其特征在于，所述的第三對位尺(4)的數(shù)量為8個。

8.根據(jù)權利要求6所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構，其特征在于，所述的相鄰的第三對位尺(4)的間隔角度為預設的第一角度(d6)。

9.根據(jù)權利要求6所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構，其特征在于，所述的相鄰的第三對位尺孔(41)的間距為第五間距(d5)。

10.根據(jù)權利要求6所述的檢查曝光圖案套合的掩膜結構，其特征在于，所述的第三對位尺(4)的中心設有中心對位孔(5)。

技術總結
本技術公開了一種檢查曝光圖案套合的掩膜結構，包含掩膜本體，所述的掩膜本體上設有第一對位尺和第二對位尺，所述的第一對位尺沿著X方向延展，所述的第二對位尺沿著Y方向延展，所述的第一對位尺上設有若干線性排列的第一對位尺孔，所述的第二對位尺上設有若干線性排列的第二對位尺孔。所述的第一對位尺孔和第二對位尺孔均呈矩形。在曝光作業(yè)的第一道形成方向的第一對位尺和方向的第二對位尺。接著，曝光第二道，又產(chǎn)生新的第一對位尺和第二對位尺，新的第一對位尺和第二對位尺與舊的第一對位尺和第二對位尺在和方向分別進行重疊，繼而進行觀測，操作人員可以輕松看出發(fā)生偏位的方向和具體的偏差程度，及時對曝光作業(yè)進行調(diào)整。

技術研發(fā)人員：李思擁,曾一鑫
受保護的技術使用者：信利光電股份有限公司
技術研發(fā)日：20231228
技術公布日：2024/12/19