本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造，具體而言，本申請(qǐng)涉及一種掩膜版及其設(shè)計(jì)方法。

背景技術(shù)：

1、在制造半導(dǎo)體器件的光刻過程中，需要使用掩膜版將掩膜版的目標(biāo)圖形轉(zhuǎn)移至襯底上待刻蝕的膜層。

2、隨著半導(dǎo)體器件的尺寸的減小，光的衍射效應(yīng)逐漸顯著，導(dǎo)致待刻蝕膜層上形成的圖案與目標(biāo)圖形的差異越來越大，特別是由于ope(optical?proximity?effect，光學(xué)鄰近效應(yīng))，導(dǎo)致待刻蝕膜層上形成的圖案存在明顯的拐角圓形化和直線末端緊縮的問題。

3、目前，主要通過opc(optical?proximity?correction，光學(xué)鄰近修正)技術(shù)來減小待刻蝕膜層上形成的圖案與目標(biāo)圖形的差異，但是，現(xiàn)有opc技術(shù)仍然難以解決待刻蝕膜層上形成的圖案存在明顯的拐角圓形化問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)針對(duì)現(xiàn)有方式的缺點(diǎn)，提出一種掩膜版及其設(shè)計(jì)方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)的光刻過程中待刻蝕膜層上形成的圖案存在明顯的拐角圓形化的技術(shù)問題。

2、第一個(gè)方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種掩膜版，包括：

3、至少兩個(gè)目標(biāo)圖形，目標(biāo)圖形包括至少兩個(gè)角部和至少兩個(gè)側(cè)邊；

4、至少兩個(gè)第一輔助組合圖形，每個(gè)第一輔助組合圖形環(huán)繞在一個(gè)目標(biāo)圖形外圍，第一輔助組合圖形包括至少兩個(gè)第一輔助圖形和至少兩個(gè)第二輔助圖形；每個(gè)側(cè)邊的外側(cè)設(shè)置有一個(gè)第一輔助圖形，第一輔助圖形平行于相鄰的側(cè)邊；每個(gè)角部的外側(cè)設(shè)置有一個(gè)第二輔助圖形，第二輔助圖形所在直線與側(cè)邊所在直線之間的夾角為銳角或鈍角；第二輔助圖形與相鄰的角部之間的距離，小于第一輔助圖形與相鄰的側(cè)邊之間的距離；

5、至少一個(gè)第二輔助組合圖形，環(huán)繞在所有第一輔助組合圖形的外圍。

6、第二個(gè)方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種如第一個(gè)方面所提供的掩膜版的設(shè)計(jì)方法，包括：

7、確定任意相鄰兩個(gè)目標(biāo)圖形之間的間距是否小于設(shè)定閾值；

8、若小于設(shè)定閾值，則確定每個(gè)目標(biāo)圖形被至少一個(gè)第一輔助組合圖形環(huán)繞，以及所有第一輔助組合圖形被至少一個(gè)第二輔助組合圖形環(huán)繞。

9、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益技術(shù)效果包括：

10、在本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的掩膜版中，對(duì)于包括至少兩個(gè)目標(biāo)圖形的圖形陣列而言，由于每個(gè)目標(biāo)圖形的角部均設(shè)置有至少一個(gè)與側(cè)邊所在直線之間的夾角呈銳角或鈍角的第二輔助圖形，且第二輔助圖形與相鄰的角部之間的距離小于第一輔助圖形與相鄰的側(cè)邊之間的距離，能夠提升角部附近輔助圖形的排布密度，從而在曝光的過程中，有助于改善目標(biāo)圖形角部附近的光強(qiáng)分布，有利于減小角部的圓角化程度，能夠提高曝光后待刻蝕膜層上形成的圖形與目標(biāo)圖形的匹配程度。

11、同時(shí)，通過在每個(gè)目標(biāo)圖形的外圍環(huán)繞至少一個(gè)第一輔助組合圖形以及設(shè)置環(huán)繞所有第一輔助組合圖形的第二輔助組合圖形，能夠增大每個(gè)目標(biāo)圖形外圍的輔助圖形的排布密度，增大曝光過程中的聚焦深度，能夠進(jìn)一步提高曝光后待刻蝕膜層上形成的圖形與目標(biāo)圖形的匹配程度。

12、本申請(qǐng)附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，這些將從下面的描述中變得明顯，或通過本申請(qǐng)的實(shí)踐了解到。

技術(shù)特征：

1.一種掩膜版，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一輔助組合圖形與被其環(huán)繞所述目標(biāo)圖形同心設(shè)置；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二輔助組合圖形包括至少兩個(gè)第三輔助圖形和至少兩個(gè)第四輔助圖形；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所有所述第二輔助組合圖形均為非閉合環(huán)形；

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜版，其特征在于，位于最外側(cè)的所述第二輔助組合圖形中，任意兩個(gè)相鄰的所述第四輔助圖形之間的設(shè)置有一個(gè)所述第三輔助圖形，該第三輔助圖形的長度大于相鄰的所述第二輔助組合圖形中所述第三輔助圖形的長度。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜版，其特征在于，除最外側(cè)的所述第二輔助組合圖形之外的所述第二輔助組合圖形為非閉合環(huán)形；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜版，其特征在于，位于最外側(cè)的所述第二輔助組合圖形中，所有所述第三輔助圖形和所述第四輔助圖形連接形成閉合的環(huán)形。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的掩膜版，其特征在于，所述第一輔助圖形包括：兩個(gè)間隔設(shè)置的子段；

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，還包括：至少兩個(gè)第五輔助圖形，被所述第二輔助組合圖形環(huán)繞；

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩膜版，其特征在于，同一所述第二輔助組合圖形中任意兩個(gè)相鄰的間隔設(shè)置的第三輔助圖形之間的中心點(diǎn)，與所述第五輔助圖形的一條中心軸線共線。

11.一種如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述掩膜版的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述掩膜版的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，若小于所述設(shè)定閾值，則確定每個(gè)所述目標(biāo)圖形被至少一個(gè)所述第一輔助組合圖形環(huán)繞，以及所有所述第一輔助組合圖形被至少一個(gè)第二輔助組合圖形環(huán)繞，還包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述掩膜版的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，確定任意相鄰兩個(gè)目標(biāo)圖形之間的間距是否小于設(shè)定閾值之后還包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種掩膜版及其設(shè)計(jì)方法。在本申請(qǐng)實(shí)施例所提供掩膜版中，對(duì)于包括至少兩個(gè)目標(biāo)圖形的圖形陣列而言，由于每個(gè)目標(biāo)圖形的角部均設(shè)置有至少一個(gè)與側(cè)邊所在直線之間的夾角呈銳角或鈍角的第二輔助圖形，且第二輔助圖形與相鄰的角部之間的距離小于第一輔助圖形與相鄰的側(cè)邊之間的距離，能夠提升角部附近輔助圖形的排布密度，從而在曝光的過程中，有助于改善目標(biāo)圖形角部附近的光強(qiáng)分布，有利于減小角部的圓角化程度，能夠提高曝光后光刻膠層形成的圖形與目標(biāo)圖形的匹配程度。同時(shí)，能夠增大每個(gè)目標(biāo)圖形外圍的輔助圖形的排布密度，有助于增大曝光過程中的聚焦深度，能夠進(jìn)一步提高曝光后光刻膠層形成的圖形與目標(biāo)圖形的匹配程度。

技術(shù)研發(fā)人員：于春龍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京超弦存儲(chǔ)器研究院
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26