本申請涉及半導(dǎo)體制造，特別是涉及一種光刻工藝窗口的優(yōu)化方法，還涉及一種掩膜版及一種可讀存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、隨著超大規(guī)模集成電路(ulsi，ultra?large?scale?integration)的飛速發(fā)展，集成電路制造工藝變得越來越復(fù)雜和精細。其中光刻技術(shù)是集成電路制造工藝發(fā)展的驅(qū)動力，也是最為復(fù)雜的技術(shù)之一。相對于其他單個制造技術(shù)來說，光刻技術(shù)的提高對集成電路的發(fā)展具有重要意義。在光刻工藝開始之前，首先需要將圖案通過特定設(shè)備復(fù)制到掩膜版上，然后通過光刻機將掩膜版上的圖案結(jié)構(gòu)復(fù)制到硅片上。但是由于半導(dǎo)體器件尺寸的縮小，曝光所用的波長大于物理版圖設(shè)計的理想圖形的尺寸和圖形之間的間距，光波的干涉和衍射效應(yīng)使得實際光刻產(chǎn)生的物理圖形和版圖(layout)設(shè)計的理想圖形之間存在很大的差異，實際圖形的形狀和間距發(fā)生很大的變化，甚至影響電路的性能。為了解決該問題，通常使用opc(光學(xué)鄰近效應(yīng)矯正)方法對掩膜版設(shè)計圖形進行修正。

2、在先進制程中，產(chǎn)品的工藝窗口(process?window，pw)不足，會造成器件關(guān)鍵參數(shù)的波動，進而影響整體產(chǎn)品性能。對于一些特殊圖形，有必要對其形貌進行調(diào)整，以解決光刻工藝窗口不足的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、基于此，有必要提供一種光刻工藝窗口的優(yōu)化方法。

2、一種光刻工藝窗口的優(yōu)化方法，包括：獲取掩膜版設(shè)計圖形中存在光刻工藝窗口不足問題的區(qū)域；根據(jù)所述區(qū)域的光刻工藝窗口的尺寸，得到圖形尺寸調(diào)整參數(shù)；根據(jù)待調(diào)整的圖形具有的形貌參數(shù)和鄰邊夾角，選中待調(diào)整的第一圖形和第二圖形，所述第一圖形包括第一邊，所述第二圖形包括與所述第一邊相對的第二邊；所述形貌參數(shù)包括圖形頂點數(shù)、投射長度、寬度、長度中的至少一項；根據(jù)所述圖形尺寸調(diào)整參數(shù)，對所述第一邊與重疊區(qū)域的共邊和所述第二邊與所述重疊區(qū)域的共邊進行位置調(diào)整，從而使所述第一邊與第二邊之間的空白區(qū)域變大，所述掩膜版設(shè)計圖形在進行所述位置調(diào)整后作為重構(gòu)圖形；所述重疊區(qū)域是所述第一邊向所述第二邊投射形成的投射區(qū)與所述第二邊向所述第一邊投射形成的投射區(qū)的重疊區(qū)域；對所述重構(gòu)圖形進行光學(xué)鄰近效應(yīng)矯正，得到掩膜版制版圖形。

3、上述光刻工藝窗口的優(yōu)化方法，在不使用阻擋層(block?layer)區(qū)分需要調(diào)整的圖形和不調(diào)整的圖形的基礎(chǔ)上，根據(jù)待調(diào)整的圖形具有的形貌參數(shù)和鄰邊夾角來選中待調(diào)整的圖形進行尺寸調(diào)整，從而改善光刻工藝窗口不足，提高電路性能與產(chǎn)品良率。由于不使用阻擋層區(qū)分調(diào)整/不調(diào)整的圖形，因此成本較低。

4、在其中一個實施例中，所述光刻工藝窗口的優(yōu)化方法是通過opc軟件進行，所述圖形尺寸調(diào)整參數(shù)是opc調(diào)整參數(shù)。

5、在其中一個實施例中，所述選中待調(diào)整的第一圖形和第二圖形的步驟不使用阻擋層標(biāo)記部分所述掩膜版設(shè)計圖形。

6、在其中一個實施例中，所述對所述第一邊與重疊區(qū)域的共邊和所述第二邊與所述重疊區(qū)域的共邊進行位置調(diào)整的步驟包括：將所述第一邊與所述重疊區(qū)域的共邊向所述第一圖形的內(nèi)部縮進，將所述第二邊與所述重疊區(qū)域的共邊向所述第二圖形的內(nèi)部縮進。

7、在其中一個實施例中，所述將所述第一邊與所述重疊區(qū)域的共邊向所述第一圖形的內(nèi)部縮進，和將所述第二邊與所述重疊區(qū)域的共邊向所述第二圖形的內(nèi)部縮進，縮進距離均≥7納米。

8、在其中一個實施例中，每個所述第一圖形與n個第二圖形相對應(yīng)，每條所述第一邊與n條所述第二邊之間形成n個所述重疊區(qū)域，n為大于1的整數(shù)。

9、在其中一個實施例中，所述第二圖形包括矩形部和位于所述矩形部的四角的各一個l形部，各所述l形部的夾著l形部的內(nèi)側(cè)直角的兩條鄰邊與所述矩形部對應(yīng)的兩條鄰邊位于同一直線上。

10、在其中一個實施例中，所述根據(jù)待調(diào)整的圖形具有的形貌參數(shù)和鄰邊夾角，選中待調(diào)整的第一圖形和第二圖形的步驟包括：根據(jù)所述第二圖形的頂點數(shù)，以及所述第二邊的寬度、長度、投射長度中的至少一項選中所述第二邊；根據(jù)所述第二邊的鄰邊夾角和所述第二邊的鄰邊的長度選中所述第二邊的鄰邊；選中所述第二圖形的其余邊；得到由所述第二圖形的所有邊組成的第二圖形。

11、還有必要提供一種掩膜版，所述掩膜版是根據(jù)上述任一實施例所述的光刻工藝窗口的優(yōu)化方法得到的掩膜版制版圖形制成。

12、還有必要提供一種可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)上述任一實施例所述的光學(xué)鄰近效應(yīng)矯正方法的步驟。

13、還有必要提供一種計算機設(shè)備，包括存儲器和處理器，所述存儲器存儲有計算機程序，所述處理器執(zhí)行所述計算機程序時實現(xiàn)上述任一實施例所述的光學(xué)鄰近效應(yīng)矯正方法的步驟。

14、還有必要提供一種計算機程序產(chǎn)品，包括計算機程序，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)前述任一實施例所述的光學(xué)鄰近效應(yīng)矯正方法的步驟。

技術(shù)特征：

1.一種光刻工藝窗口的優(yōu)化方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝窗口的優(yōu)化方法，其特征在于，所述光刻工藝窗口的優(yōu)化方法是通過opc軟件進行，所述圖形尺寸調(diào)整參數(shù)是opc調(diào)整參數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝窗口的優(yōu)化方法，其特征在于，所述選中待調(diào)整的第一圖形和第二圖形的步驟不使用阻擋層標(biāo)記部分所述掩膜版設(shè)計圖形。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝窗口的優(yōu)化方法，其特征在于，所述對所述第一邊與重疊區(qū)域的共邊和所述第二邊與所述重疊區(qū)域的共邊進行位置調(diào)整的步驟包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻工藝窗口的優(yōu)化方法，其特征在于，所述將所述第一邊與所述重疊區(qū)域的共邊向所述第一圖形的內(nèi)部縮進，和將所述第二邊與所述重疊區(qū)域的共邊向所述第二圖形的內(nèi)部縮進，縮進距離均大于等于7納米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的光刻工藝窗口的優(yōu)化方法，其特征在于，每個所述第一圖形與n個第二圖形相對應(yīng)，每條所述第一邊與n條所述第二邊之間形成n個所述重疊區(qū)域，n為大于1的整數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光刻工藝窗口的優(yōu)化方法，其特征在于，所述第二圖形包括矩形部和位于所述矩形部的四角的各一個l形部，各所述l形部的夾著l形部的內(nèi)側(cè)直角的兩條鄰邊與所述矩形部對應(yīng)的兩條鄰邊位于同一直線上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)鄰近效應(yīng)矯正方法，其特征在于，所述根據(jù)待調(diào)整的圖形具有的形貌參數(shù)和鄰邊夾角，選中待調(diào)整的第一圖形和第二圖形的步驟包括：

9.一種掩膜版，其特征在于，所述掩膜板是根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的光學(xué)鄰近效應(yīng)矯正方法得到的掩膜版制版圖形制成。

10.一種可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)權(quán)利要求1-8中任一項所述的方法的步驟。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種光刻工藝窗口的優(yōu)化方法、掩膜版及可讀存儲介質(zhì)，所述方法包括：獲取掩膜版設(shè)計圖形中存在光刻工藝窗口不足問題的區(qū)域；根據(jù)所述區(qū)域的光刻工藝窗口的尺寸，得到圖形尺寸調(diào)整參數(shù)；根據(jù)待調(diào)整的圖形的形貌參數(shù)和鄰邊夾角，選中待調(diào)整的第一和第二圖形；根據(jù)圖形尺寸調(diào)整參數(shù)，根據(jù)圖形尺寸調(diào)整參數(shù)，對掩膜版設(shè)計圖形進行位置調(diào)整成為重構(gòu)圖形；對重構(gòu)圖形進行光學(xué)鄰近效應(yīng)矯正，得到掩膜版制版圖形。本發(fā)明根據(jù)待調(diào)整的圖形具有的形貌參數(shù)和鄰邊夾角來選中待調(diào)整的圖形進行尺寸調(diào)整，從而改善光刻工藝窗口不足，提高電路性能與產(chǎn)品良率。由于不使用阻擋層區(qū)分調(diào)整/不調(diào)整的圖形，因此成本較低。

技術(shù)研發(fā)人員：曹楠,王浩,陳潔,朱斌,張劍,嚴(yán)保鑫
受保護的技術(shù)使用者：無錫華潤上華科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19