本發(fā)明涉及光纖通信領(lǐng)域，具體是具有側(cè)面識(shí)別標(biāo)記的非圓對(duì)稱(chēng)光纖。

背景技術(shù)：

現(xiàn)在光纖的制備技術(shù)主要有管棒技術(shù)、雙坩堝技術(shù)、溶膠-凝膠技術(shù)、外氣相沉積法(ovd)、軸向氣相沉積法(vad)、改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積法(mcvd)、等離子體激活化學(xué)氣相沉積法(pcvd)等，涉及到特種光纖還包括其他一些方法。

然而目前所有的非圓對(duì)稱(chēng)光纖，包括保偏光纖、多芯光纖、光子晶體光纖以及特種光纖，從側(cè)面觀察均很難發(fā)現(xiàn)其不同之處。而在非圓對(duì)稱(chēng)光纖的熔接和冷接等接續(xù)過(guò)程中，考慮到模場(chǎng)匹配或者偏振態(tài)的匹配問(wèn)題，均需要將其旋轉(zhuǎn)到一個(gè)共同的截面方向進(jìn)行接續(xù)。而這些光纖的對(duì)軸過(guò)程非常復(fù)雜，涉及到圖像識(shí)別和處理，增加結(jié)構(gòu)的復(fù)雜程度和軟硬件的難度。

公開(kāi)號(hào)為cn101156099a的名稱(chēng)為“光纖準(zhǔn)直儀系統(tǒng)、光纖準(zhǔn)直儀陣列、光纖準(zhǔn)直儀系統(tǒng)和光纖準(zhǔn)直儀陣列系統(tǒng)的制造方法”的發(fā)明，將光纖熔接在由含有從二氧化鈦等材料作為折射率調(diào)整物質(zhì)的石英玻璃構(gòu)成的grin透鏡與光纖粘合時(shí)不使用粘著材料，光學(xué)特性不會(huì)惡化，借助溶劑熱的自排列效果，grin透鏡和光纖可以容易的調(diào)芯。

雖然上述調(diào)芯方式通過(guò)使grin透鏡的折射率分布常數(shù)在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)，可以極大的減少耦合損耗，避免光學(xué)特性惡化，但是隨著光電技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)于特種光纖的應(yīng)用越來(lái)越多，其中保偏光纖以及光子晶體以其獨(dú)特的性能被逐步采用。但是關(guān)于保偏光纖和光子晶體光纖的熔接，不能采用普通的調(diào)芯方式進(jìn)行熔接。因?yàn)楸Ｆ饫w和光子晶體光纖都有其軸向的方向性，熔接的時(shí)候除了要進(jìn)行調(diào)芯之外，還要求其軸向的角度也要對(duì)準(zhǔn)，這就要求觀察其側(cè)面，并且以旋轉(zhuǎn)夾具來(lái)旋轉(zhuǎn)對(duì)軸。以前的保偏熔接機(jī)，采用側(cè)面觀察的方法，但是以前所用方法調(diào)節(jié)困難，且成像于不同方向，對(duì)軸原理比較復(fù)雜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種具有側(cè)面識(shí)別標(biāo)記的非圓對(duì)稱(chēng)光纖，是在非圓對(duì)稱(chēng)光纖的包層外側(cè)制作一條貫穿整條光纖的識(shí)別標(biāo)記，通過(guò)側(cè)面可以觀察到該識(shí)別標(biāo)記，之后再以此識(shí)別標(biāo)記為基準(zhǔn)線進(jìn)行對(duì)軸，大大降低對(duì)軸難度。

本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：具有側(cè)面識(shí)別標(biāo)記的非圓對(duì)稱(chēng)光纖，包括纖芯和包層，包層最外側(cè)制作有識(shí)別標(biāo)記。

所述的非圓對(duì)稱(chēng)光纖是保偏光纖、多芯光纖、光子晶體光纖或特種光纖。

所述的識(shí)別標(biāo)記的形狀可以是方形、半圓形、橢圓形或三角形。

所述的識(shí)別標(biāo)記的材料可以是折射率與包層折射率不同的材料，也可以是與包層顏色不同的有色物質(zhì)或有色晶體。

本發(fā)明在不影響光纖模場(chǎng)以及激光傳輸過(guò)程中性質(zhì)的情況下，在非圓對(duì)稱(chēng)光纖的包層最外側(cè)制作一條能夠從側(cè)面觀察到的、貫穿整條光纖的識(shí)別標(biāo)記，識(shí)別標(biāo)記可以在光纖制作過(guò)程中實(shí)現(xiàn)，在光纖對(duì)軸時(shí)，只要兩根光纖上的識(shí)別標(biāo)記對(duì)應(yīng)上即可，大大降低對(duì)軸難度。

附圖說(shuō)明

圖1是實(shí)施例一具有側(cè)面識(shí)別標(biāo)記的保偏光纖的示意圖。

圖2是實(shí)施例二具有側(cè)面識(shí)別標(biāo)記的多芯光纖的示意圖。

圖3是實(shí)施例三具有側(cè)面識(shí)別標(biāo)記的光子晶體光纖的示意圖。

圖4是實(shí)施例四具有側(cè)面識(shí)別標(biāo)記的特種光纖的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作具體描述：

實(shí)施例一

具有側(cè)面識(shí)別標(biāo)記的保偏光纖，如圖1所示，包括纖芯11、設(shè)置于纖芯11的半徑方向外放的一對(duì)應(yīng)力施加部12和包圍纖芯11及應(yīng)力施加部12的包層13，包層3最外側(cè)制作有橢圓形的側(cè)面識(shí)別標(biāo)記14，所述的側(cè)面識(shí)別標(biāo)記14的材料是有色晶體。

實(shí)施例二

具有側(cè)面識(shí)別標(biāo)記的多芯光纖，如圖2所示，包括七根纖芯21和包圍這七根纖芯21的包層23，包層23最外側(cè)制作有半圓形的側(cè)面識(shí)別標(biāo)記24，所述的側(cè)面識(shí)別標(biāo)記24是顏色與包層23顏色不同的有色塑料。

實(shí)施例三

具有側(cè)面識(shí)別標(biāo)記的光子晶體光纖，如圖3所示，包括纖芯31和包層33，包層33內(nèi)設(shè)置有多個(gè)空氣孔32，這些空氣孔組成正六變形，所述的纖芯31設(shè)置于所述的正六邊形的中心，包層33最外側(cè)制作有矩形的側(cè)面識(shí)別標(biāo)記34，所述的側(cè)面識(shí)別標(biāo)記34的折射率高于包層33的折射率。

實(shí)施例四

具有側(cè)面識(shí)別標(biāo)記的特種光纖，如圖4所示，包括纖芯41、干涉內(nèi)包層42和外包層43，干涉內(nèi)包層42夾于纖芯41和外包層43之間，且具有比纖芯41和外包層43低的折射率，外包層43最外側(cè)制作有三角形的側(cè)面識(shí)別標(biāo)記44，所述的側(cè)面識(shí)別標(biāo)記44的折射率低于外包層43的折射率。

以上所述的僅是本發(fā)明的幾種典型實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干變型和改進(jìn)，例如在其它的非圓對(duì)稱(chēng)光纖(領(lǐng)結(jié)型保偏光纖、八面體形特種光纖等等)的包層外制作側(cè)面識(shí)別標(biāo)記，這些也應(yīng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)一種具有側(cè)面識(shí)別標(biāo)記的非圓對(duì)稱(chēng)光纖，包括纖芯和包層，包層最外側(cè)制作有側(cè)面識(shí)別標(biāo)記。該識(shí)別標(biāo)記貫穿整條非圓對(duì)稱(chēng)光纖，通過(guò)側(cè)面可以觀察到該識(shí)別標(biāo)記，對(duì)軸時(shí)以此識(shí)別標(biāo)記為基準(zhǔn)點(diǎn)進(jìn)行對(duì)軸，大大降低對(duì)軸難度。

技術(shù)研發(fā)人員：吳超;王傳兵;居蘭
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南京吉隆光纖通信股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.30
技術(shù)公布日：2017.11.14